技術(shù)編號：9412119
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 晶體娃表面具有$父尚的反射率，在晶娃太陽能電池技術(shù)中，改進制域工藝和新型 減反射薄膜工藝能夠很大程度的降低晶硅太陽能電池的表面反射率。然而，傳統(tǒng)多晶硅采 用酸腐蝕的方法制絨，所得到的大尺寸絨面依然存在相當高的光學(xué)反射損失，嚴重限制了 多晶硅太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的提升。 為了降低多晶硅表面的光反射損失，目前最佳的方法就是減小多晶硅絨面尺寸， 提高多晶硅表面的陷光效果從而提高光吸收性能。在近幾年的研究中，反應(yīng)離子刻蝕法和 金屬催化化學(xué)腐蝕法制備黑硅絨面成為...
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