技術編號：9438121
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 本發(fā)明設及一種化學機械拋光組合物，其包含（A)在范圍介于2至6的抑值下具 有-15mV或-15mVW下的負C電位的表面改性二氧化娃粒子及做一種或多種選自N-乙 締基均聚物和N-乙締基共聚物的聚合物作為添加劑。本發(fā)明還設及用于制造半導體裝置 的方法，其包括在化學機械拋光（CM巧組合物存在下化學機械拋光基材或層。 現(xiàn)有技術 在半導體工業(yè)中，化學機械拋光為在制造高級光子、微機電及微電子材料及裝置 (如半導體晶圓）時所應用的熟知技術。 在用于半導體工業(yè)的材料及裝...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。