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      分成子單元的基于硅的單片半導(dǎo)體基板的制作方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):9439173

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      當(dāng)前,光伏(PV)模塊主要通過組裝由單晶娃或多晶娃制成的電池制造而成,運(yùn)些 電池通常由P導(dǎo)電性的晶圓制造。 在大約Im2的合理尺寸的PV模塊中,晶圓的標(biāo)準(zhǔn)尺寸(156mmX156mm)意味著PV 模塊的開路電壓(V。。)被限制為幾十伏。中已知,在包含氧的娃晶圓中,400°C-500°C的 溫度下的熱退火允許形成運(yùn)些熱施主。當(dāng)運(yùn)些熱施主在P型娃中生成時(shí),則它們可導(dǎo)致材 料補(bǔ)償及其導(dǎo)電性變化。 表述"熱施主"或更簡(jiǎn)單地縮寫"TD"在下文將表示基于填隙氧的熱施...
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