技術(shù)編號：9515818
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于微電子，涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)與制作，特別是一種多溝道鰭式結(jié)構(gòu)的AIGaN/GaN高電子迀移率晶體管HEMT，可用于制作大規(guī)模集成電路。背景技術(shù)近年來以SiC和GaN為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體以其大禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子速度和異質(zhì)結(jié)界面二維電子氣2DEG濃度高等特性，使其受到廣泛關(guān)注。在理論上，利用這些材料制作的高電子迀移率晶體管HEMT、發(fā)光二極管LED、激光二極管LD等器件比現(xiàn)有器件具有明顯的優(yōu)越特性，因此近些年來國內(nèi)外研究者...
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