技術(shù)編號：9525771
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，特別涉及一種。背景技術(shù)相變存儲器(PCRAM,Phase Change Random Access Memory)是在 CMOS 集成電路基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新一代非揮發(fā)固態(tài)半導(dǎo)體存儲器。其關(guān)鍵材料是可記錄的相變材料、加熱電極材料、絕熱材料和頂電極材料。相變存儲器的基本原理是利用電脈沖信號作用于器件單元上，使相變材料在非晶態(tài)的高阻和多晶態(tài)的低阻之間發(fā)生可逆相變，利用高低阻值的差異來實現(xiàn)數(shù)字信息的存儲。相變存儲器由于具有高速、高密度、高擦寫循環(huán)...
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