技術(shù)編號(hào):9549598
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在某些高壓工藝中,需要在硅片襯底加高壓,因此所有非高壓器件都必須在N型深阱中,以免受到襯底高壓的影響。這樣將導(dǎo)致這類高壓工藝中缺失具有低閾值電壓的原生晶體管(Native Transistor)。在不增加額外光罩的前提下,也即兼容現(xiàn)有工藝和不造成額外的成本負(fù)擔(dān),如何來(lái)提供了一種相對(duì)于現(xiàn)有的晶體管結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)為完全新型的晶體管結(jié)構(gòu),從而足以降低該類高壓工藝中晶體管的低閾值電壓是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。在通常情況下原生晶體管的閾值電壓很低,某些情況下實(shí)質(zhì)上接近0V并在零伏...
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