技術(shù)編號(hào):9565911
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣棚.雙極電晶體)等功率半導(dǎo)體元件(power semiconductor device)被用于功率電子技術(shù)中。近年來(lái),在要求無(wú)限制地且效率優(yōu)良地使用電力能源中,為了高效率地進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換,功率電子技術(shù)或功率半導(dǎo)體元件的開(kāi)發(fā)變得越來(lái)越重要。關(guān)于所述功率半導(dǎo)體元件,范圍較廣的耐受電壓展開(kāi)與低開(kāi)關(guān)損耗、高速動(dòng)作、較廣的安全動(dòng)作區(qū)域一起成為必需。其中,關(guān)于耐受電壓,元件終端部的耐受電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。