技術編號：9599314
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種能夠提高出光效率的有源區(qū)LED(發(fā)光二極管)的外延結構及其制備方法，屬于LED外延。背景技術二十世紀九十年代初，以氮化物為代表的第三代寬帶隙半導體材料獲得了歷史性突破，科研人員在氮化鎵材料上成功地制備出藍綠光和紫外光LED，使得LED照明成為可能。1971年，第一只氮化鎵LED管芯面世，1994年，氮化鎵HEMT出現(xiàn)了高電子迀移率的藍光GaN基二極管，氮化鎵半導體材料發(fā)展十分迅速。半導體發(fā)光二極管具有體積小、堅固耐用、發(fā)光波段可控性強、光效高...
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