技術(shù)編號(hào)：96822
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件及集成電路制造技術(shù)，是一種在絕緣襯底上雙面同時(shí)進(jìn)行硅單晶外延生長(zhǎng)，從而一次實(shí)現(xiàn)“單晶硅/絕緣襯底/單晶硅”結(jié)構(gòu)的化學(xué)氣相淀積工藝。目前實(shí)現(xiàn)“單晶硅/絕緣材料/單晶硅”結(jié)構(gòu)可用于集成電路CMOS/SOI等制造，它可縮小尺寸，提高集成度;寄生電容小，器件速度高和易于器件隔離，因此它是一種開拓形式的材料結(jié)構(gòu)。完成這種材料結(jié)構(gòu)當(dāng)前采用化學(xué)氣相淀積(CVD)法和激光回熔再結(jié)晶法?，F(xiàn)在采用化學(xué)氣相淀積法只實(shí)現(xiàn)了在硅襯底上生長(zhǎng)MgO·Al2O3，然后再生長(zhǎng)淀積單晶硅的“單晶硅/絕緣材料/單晶硅”結(jié)構(gòu)。但該工藝...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。