技術(shù)編號(hào)：9689234
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來，半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展迅速，涉及半導(dǎo)體、集成電路、太陽能電池板、平面顯示器、微電子、發(fā)光二極管等，而這些器件主要是由在襯底(即晶圓，為表述一致，后文中統(tǒng)一用“襯底”)上形成的數(shù)層材質(zhì)厚度不同的薄膜組成，因此，作為半導(dǎo)體設(shè)備之核心的成膜設(shè)備，是決定半導(dǎo)體器件薄膜生長(zhǎng)的質(zhì)量和成品率的重要因素。通常，半導(dǎo)體成膜設(shè)備在反應(yīng)腔室內(nèi)包括用于放置襯底的基座，機(jī)械手將襯底與反應(yīng)氣體噴淋頭同心放置于基座上表面后，就可以進(jìn)行成膜工藝過程。然而，現(xiàn)有技術(shù)的成膜方法往往會(huì)導(dǎo)致薄膜...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。