技術(shù)編號：9689371
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種高密度存儲器裝置，且特別是有關(guān)于一種存儲器裝置，其中配置有存儲單元的多個面至三維陣列中。背景技術(shù)由于集成電路中裝置的臨界尺寸微縮化已至一般存儲單元技術(shù)的極限，設(shè)計(jì)者不斷尋求疊層多個存儲單元面(Plane)的技術(shù)，藉此達(dá)到更大的儲存容量，并降低每位的成本。圖1為三維集成電路裝置的立體圖，其使用垂直柵結(jié)構(gòu)。圖1中的裝置100包括在集成電路基底上，由導(dǎo)電條紋與絕緣條紋在z方向上交錯構(gòu)成的疊層。圖1所示的例子中，多層陣列形成在絕緣層上，并包括多個...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。