技術(shù)編號(hào)：9713727
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)中，在腔室內(nèi)使用等離子體工藝W在晶片上形成不同層及器 件。隨后切割晶片W形成單獨(dú)的半導(dǎo)體忍片。使用單一或混合氣體及高功率RF(射頻)能量 來產(chǎn)生等離子體。 盡管在過去數(shù)十年期間利用Wcw模式遞送的RF功率的等離子體蝕刻工藝已普遍 用于半導(dǎo)體制造中。但目前在蝕刻工藝腔室中更經(jīng)常使用脈沖等離子體(pulsed plasma)， W便減少由等離子體所引起的對(duì)晶片的損害W及更好地控制蝕刻輪廓。脈沖等離子體亦能 夠被更精確地控制，從而允許更精確地...
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