技術(shù)編號(hào)：9728887
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在功率轉(zhuǎn)換器件中，基于晶體管單元密度和其他各種優(yōu)勢(shì)的考慮，柵極可以形成在自半導(dǎo)體硅襯底的表面向下延伸的溝槽之中，典型的例子就是溝槽式M0SFET，其他的例如還包括溝槽式的絕緣柵極雙極晶體管等，它們有一個(gè)公共的特征，就是都包括各類具有各種功能的溝槽，但出于器件自身結(jié)構(gòu)的特性，某些時(shí)候，終端區(qū)的溝槽底部處的電場(chǎng)強(qiáng)度顯示出為器件的最大電場(chǎng)密度，在電壓升高到器件進(jìn)入雪崩的點(diǎn)上，在溝槽的角部發(fā)生雪崩擊穿而出現(xiàn)碰撞電離，會(huì)發(fā)生擊穿產(chǎn)生雪崩電流。雪崩擊穿一般容易導(dǎo)致熱載...
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