技術(shù)編號(hào)：9812278
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件的尺寸逐漸縮小，晶體管的性能也受到影響。為了進(jìn)一步提高晶體管的性能，應(yīng)力工程被引入晶體管的制程中。對(duì)晶體管的溝道區(qū)域施加壓應(yīng)力可以提高溝道區(qū)域內(nèi)的空穴遷移率，而對(duì)晶體管的溝道區(qū)域施加張應(yīng)力，則可以提高溝道區(qū)域內(nèi)的電子遷移率。由于電子在單晶硅中的遷移率大于空穴的遷移率，所以，現(xiàn)有技術(shù)通常通過應(yīng)力工程提高PMOS晶體管的空穴遷移率，以使得PMOS晶體管的載流子遷移率與NMOS晶體管的載流子遷移率匹配。一般通過采用應(yīng)力材料形成...
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