技術(shù)編號:9827160
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別涉及。背景技術(shù)BAff (Bulk acoustic wave,體聲波)器件或者 FBAR(Film bulk acousticresonator,薄膜體聲波諧振器)器件現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于4G設(shè)備(LTE,Long Term Evolut1n,長期演進)以獲得高Q因子(即品質(zhì)因子)。然而,對于晶片級封裝方法,現(xiàn)在可用的FBAR工藝全部是在帽蓋組件CAP晶片101上應(yīng)用后通孔(TSV,Through Silicon Vias,硅通孔)工...
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