技術(shù)編號：9827213
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。多晶硅-絕緣體-多晶硅(PIP)電容器使用多晶硅作為電容器電極。由于多晶硅的特性，PIP電容器在減小電容器電極的電阻上存在限制。當(dāng)偏壓施加到多晶硅電容器電極時，產(chǎn)生耗盡區(qū)因此電壓不穩(wěn)定，結(jié)果，電容器的容量沒有保持不變。因此，對于M頂電容器的研究被積極地進行。MIM電容器具有其中電介質(zhì)層布置在上金屬電極和下金屬電極之間的結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及包括設(shè)置在生產(chǎn)線后道工序(BEOL)中的金屬-絕緣體-金屬(ΜΠ1)電容...
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