技術(shù)編號(hào)：9827249
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。眾所周知，傳統(tǒng)的橫向雙子功率器件是通過利用大注入效應(yīng)引入的大量空穴和電子來(lái)導(dǎo)電。例如最典型的橫向絕緣柵雙極型晶體管器件(LIGBT)，由于使用了雙子導(dǎo)電，所以其導(dǎo)通電阻小，導(dǎo)通壓降遠(yuǎn)小于同等條件下的金屬氧化物半導(dǎo)體型器件(MOS)。盡管MOS器件使用多子導(dǎo)電，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻較大，但其開關(guān)速度極為迅速;然而由于LIGBT利用了雙子導(dǎo)電，在功率器件關(guān)閉時(shí)漂移區(qū)中會(huì)存在大量的非平衡載流子，它們無(wú)法在短時(shí)間之內(nèi)被中和掉，這導(dǎo)致LIGBT器件在關(guān)斷過程后會(huì)有一個(gè)持續(xù)時(shí)...
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