技術(shù)編號：9827252
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在此描述的發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體地，涉及包括橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管的半導(dǎo)體器件以及制造這樣的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)響應(yīng)于近來在移動裝置諸如手機、筆記本、PC等的使用方面的增長，對功率半導(dǎo)體器件的需求迅速增長。功率半導(dǎo)體器件可以被分成功率開關(guān)器件和控制集成電路(1C)。在功率半導(dǎo)體器件中使用的理想功率開關(guān)器件應(yīng)具有在被關(guān)斷時能持久的高擊穿電壓、大容許電流、小導(dǎo)通電阻、少量的開關(guān)驅(qū)動功率和在導(dǎo)通時短的切換...
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