技術(shù)編號(hào)：9920779
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 參見附圖1，申請(qǐng)?zhí)枮?01410189094. 1的發(fā)明專利申請(qǐng)公開了一種實(shí)時(shí)快速檢測 晶片基底二維形貌的裝置，其在實(shí)施例二中記載的技術(shù)方案是，N束激光經(jīng)過第一分光元件 4反射后入射到第二分光元件14,經(jīng)過第二分光元件14后形成入射光，入射光入射到晶片 基底上，并在晶片基底上沿徑向形成N個(gè)入射點(diǎn)，入射光被基底反射后形成N束第一種反射 光束，各第一種反射光束經(jīng)過第二分光元件14和第一分光元件4后，入射到與N束激光相 對(duì)應(yīng)的PSD1上，形成N個(gè)光斑。溫度測量...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。