技術(shù)編號：99460
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及對導(dǎo)電率調(diào)制型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的過電流保護電路。導(dǎo)電率調(diào)制型MOSFET是一種具有MOS柵極輸入的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。它以雙極性方式工作并具有如開關(guān)速度快及低導(dǎo)通(飽和)電壓的一些優(yōu)越性能。這使得它可能對大功率高頻進行控制，從而完全有可能制造出各種體積小而成本低的各種裝置。目前，使用常規(guī)的雙極性的(雙極型)晶體管或金屬氧化物場效應(yīng)晶體管，還不能實現(xiàn)對大功率高頻進行控制。下面，把上面所述的導(dǎo)電率調(diào)制型金屬氧化物場效應(yīng)管簡稱為BIFET(雙極型場效應(yīng)管)圖1表示BIFET的一...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。