技術(shù)編號(hào)：9996120
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。晶體硅太陽能電池是一種光電轉(zhuǎn)化器件在硅半導(dǎo)體基材之上制作反型的摻雜層，形成PN結(jié)，其上有表面鈍化層和減反射薄膜，最頂層是金屬銀(銀鋁)柵線引出電流，經(jīng)過光照，產(chǎn)生持續(xù)的光生電流。柵線的制作方法有絲網(wǎng)印刷、電鍍等。這種利用金屬柵線作為晶體硅電池集電極的方法稱作金屬化。金屬柵線下方與之接觸的硅要求摻雜濃度盡量高，重?fù)诫s(Ie19-1e21)的硅能和金屬形成歐姆接觸，降低金半接觸電阻；摻雜濃度低的硅和金屬之間接觸電阻高。太陽電池要做到輸出功率最大化，需要盡可能減...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。