專利名稱：電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電感耦合等離子體裝置，尤其涉及一種用于電感耦合等離子體質(zhì)譜中的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法及其裝置。
背景技術(shù)：
電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)是上世紀(jì)80年代發(fā)展起來的一種以電感耦合等離子體(ICP)作為離子源、一般以四極桿作為質(zhì)量分析器的元素和同位素分析技術(shù)。ICP-MS 可進(jìn)行定性分析、半定量分析、定量分析、同位素比分析、與分離技術(shù)聯(lián)用的元素形態(tài)分析。電感耦合等離子體裝置由等離子體炬管、連接于高頻發(fā)生器的感應(yīng)線圈組成。由三同心石英管組成的等離子體炬管放在感應(yīng)線圈里。當(dāng)引入氬氣時(shí)，若用一高壓火花使管內(nèi)部分氣體電離，產(chǎn)生少量電子和離子，則電子和離子因受管內(nèi)軸向磁場的作用，在管內(nèi)空間閉合回路中高速運(yùn)動(dòng)，碰撞中性原子和分子，使更多的氣體被電離，很快形成ICP炬，ICP 炬是一種無極放電，而不是化學(xué)火焰。在ICP-MS分析中，低質(zhì)量數(shù)的質(zhì)譜干擾問題一直是一個(gè)主要的制約因素，導(dǎo)致許多元素的檢出限變差，而且由于背景信號(hào)的波動(dòng)使精密度變壞。低質(zhì)量數(shù)的質(zhì)譜干擾中，最嚴(yán)重的是來自等離子體的空氣氛圍、等離子體和樣品本身、酸或溶劑等中的N、0、H、C等組成的多原子離子干擾。電感耦合等離子體是在常壓空氣中形成的，因而空氣中的N、0、H等不可避免地會(huì)滲入到扣？，增加ICP中N、0、H等濃度，加劇0、N、H、C、Ar等形成多原子離子干擾。對(duì)質(zhì)譜干擾的研究和降低或消除能夠改善大多數(shù)元素的準(zhǔn)確度、精密度和檢出限。降低或消除ICP-MS質(zhì)譜干擾的方法有多種一是通過儀器條件最佳化予以減小，如可以優(yōu)化等離子體的采樣深度、載氣流速等參數(shù)加以實(shí)現(xiàn)，然而，最佳的儀器條件可使干擾處于較低水平，但不能完全消除；二是使用高分辨能力的質(zhì)譜儀，但高分辨率的質(zhì)譜儀價(jià)格昂貴，操作復(fù)雜，并且要達(dá)到高的質(zhì)量分辨率，將降低離子傳輸效率，導(dǎo)致靈敏度下降，檢出限受損；三是采用冷等離子體技術(shù)，冷等離子體技術(shù)主要是通過修改ICP操作參數(shù)，降低ICP 功率，增大載氣流速，加長采樣深度，用來降低Ar產(chǎn)生的多原子離子干擾，其背景信號(hào)要比分析信號(hào)顯著降低，從而使半導(dǎo)體行業(yè)中超痕量的狗、Ca、K的檢測限可達(dá)ng/L級(jí)，由于冷等離子體中心通道的溫度較低，基體分解不完全，基體耐受性差，氧化物干擾更大，因而只適用于基體很低的樣品如水和稀酸，同時(shí)，低的離子化能量，使得冷等離子體難以分析一些難電離元素如B、Zn、Cd等；四是采用碰撞/反應(yīng)池技術(shù)，碰撞/反應(yīng)池池體中發(fā)生的是離子-分子反應(yīng)，包括電荷轉(zhuǎn)移、氫原子轉(zhuǎn)移、質(zhì)子轉(zhuǎn)移、締合反應(yīng)、縮合反應(yīng)、碰撞誘導(dǎo)解離反應(yīng)等幾種，該技術(shù)具有在降低許多元素存在的干擾時(shí)靈敏度并不降低的潛力，但其最大的局限性在于潛在的新干擾的形成；五是干擾校正法，雖然能校正質(zhì)譜干擾的影響，但根本上并沒有消除干擾；六是樣品引入技術(shù)，但是采用的樣品引入技術(shù)能極大地影響一些質(zhì)譜干擾的程度。采用以上傳統(tǒng)的方法，都有著或多或少的缺點(diǎn)和局限性。中國專利CN201411486Y公開了一種等離子噴槍用等離子弧與粉末粒子流的保護(hù)裝置，由裝置本體構(gòu)成，所述裝置本體包括保護(hù)管，所述保護(hù)管由依次設(shè)置為收縮部、喉管部和擴(kuò)張部一體結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述保護(hù)管外圍設(shè)置有氣體入口，所述保護(hù)管與外套管之間設(shè)置有水冷空腔，所述外套管外圍設(shè)置有進(jìn)水口和出水口，保護(hù)管的一端與噴槍相連接， 由于保護(hù)管為一先收縮后擴(kuò)張的具有特殊形狀的管，可以機(jī)械隔絕大氣以防止大氣卷入等離子弧中。但是這種等離子噴槍用等離子弧與粉末粒子流的保護(hù)裝置并不適合電感耦合等離子體質(zhì)譜分析中使用，一方面它不能將等離子體完全與外界隔絕，另一方面，即使在其氣體入口充入惰性氣體也極易造成電感耦合等離子體無法維持，造成ICP炬熄滅，并且由于ICP炬溫度極高，而這種等離子噴槍用等離子弧與粉末粒子流的保護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)及充氣角度導(dǎo)致其散熱不夠好，很容易造成儀器的損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的在ICP-MS分析中低質(zhì)量數(shù)的質(zhì)譜干擾導(dǎo)致元素的檢出限變差、背景信號(hào)的波動(dòng)使精密度變壞等技術(shù)問題，提供一種電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法及其裝置，使ICP處在惰性氣體氛圍中，從根本上消除或減少0、 N、H和C等形成的干擾，降低背景等效濃度，改善線性相關(guān)系數(shù)和檢出限。本發(fā)明的上述技術(shù)問題主要是通過下述技術(shù)方案得以解決的本發(fā)明的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，它包括中空的氣體屏蔽罩體，所述氣體屏蔽罩體一端開有與等離子體炬管相對(duì)應(yīng)的炬管孔和進(jìn)氣口，另一端設(shè)置成與外部相連通的開口，所述開口與電感耦合等離子體接口裝置相對(duì)，所述開口處設(shè)有冷卻裝置，所述水冷裝置與電感耦合等離子體接口裝置相配形成氣體屏蔽罩體的氣體出氣端，該氣體屏蔽罩體的氣體出氣端與外界相通。將氣體保護(hù)裝置使用到電感耦合等離子體質(zhì)譜分析中，難以解決氣密問題，從而無法將大氣與等離子體炬有效隔離，因?yàn)闅怏w保護(hù)裝置和電感耦合等離子體接口裝置間隔有間隙，難以完全消除，在測試中，氣體保護(hù)裝置和電感耦合等離子體接口裝置之間在使用前需要調(diào)整，因此兩者是不能連接到一塊。進(jìn)一步地，氣體保護(hù)裝置上等離子體炬將周圍變?yōu)閺?qiáng)輻射、高溫區(qū)域，如果間隙完全封死，散熱效果不好，溫度直線上升，超過300°時(shí)會(huì)造成燒壞炬管等裝置，甚至是電感耦合等離子體接口裝置上的采樣錐等。本發(fā)明使用惰性氣體如氬氣，或其他保護(hù)氣體進(jìn)行氣體封閉，將氣體屏蔽罩體設(shè)置成一端開口狀態(tài)，并將本裝置與電感耦合等離子體接口裝置間隔的間隙設(shè)置成出氣間隙，使用流動(dòng)的惰性氣體進(jìn)行動(dòng)態(tài)的氣體封閉。這樣，氣體從氣體屏蔽罩體的進(jìn)氣孔持續(xù)流入，在氣體屏蔽罩體內(nèi)流動(dòng)， 并從間隙流出，將等離子體炬封閉在保護(hù)氣體的氛圍內(nèi)，從而防止了空氣進(jìn)入，排除了 0、N、 H和C混入等離子體炬形成干擾，進(jìn)一步地，保護(hù)氣體還能和冷卻裝置一起帶走本裝置的熱量，特別是等離子體炬周圍的熱量，從而維持本裝置在正常的溫度范圍內(nèi)。綜上所述，本電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置結(jié)構(gòu)簡單，成本極低，有效解決了氣體保護(hù)裝置的氣密難題，以及炬管等裝置的散熱問題。作為優(yōu)選，所述冷卻裝置為水冷裝置，所述水冷裝置為制有冷卻水孔的導(dǎo)熱金屬塊，所述導(dǎo)熱金屬塊中部制有與等離子體炬相配的冷卻炬孔，所述炬孔與外界大氣相通。 水冷裝置通過外部的循環(huán)冷卻水管向冷卻水孔內(nèi)供冷卻水，可以降低等離子體炬周圍的溫度；水冷裝置與電感耦合等離子體接口裝置之間間隔有一定的間隙，保護(hù)氣體通過該間隙出氣，亦帶走部分熱量。在點(diǎn)火實(shí)驗(yàn)2小時(shí)后，導(dǎo)熱金屬塊的溫度基本還是常溫，聚四氟乙烯裝置內(nèi)的溫度僅有90°C左右，因此使用本電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置對(duì)于質(zhì)譜儀器如炬管等的保護(hù)效果很好，大大提高了質(zhì)譜儀器的使用壽命。
作為優(yōu)選，所述導(dǎo)熱金屬塊螺紋連接在氣體屏蔽罩體的開口處。這樣，可以根據(jù)不同的等離子體炬靈活調(diào)整本電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置和電感耦合等離子體接口裝置之間的間隙，使得本氣體保護(hù)裝置使用范圍更廣。作為優(yōu)選，所述氣體屏蔽罩體為圓柱狀，所述進(jìn)氣口設(shè)置在氣體屏蔽罩體的端面上，其進(jìn)氣通道為彎管形。作為優(yōu)選，所述進(jìn)氣口的內(nèi)口朝向所述炬管孔的切線方向。進(jìn)氣口的外口可以外聯(lián)進(jìn)氣管，氣體可以經(jīng)過進(jìn)氣口的通道變向或直接進(jìn)入，再從進(jìn)氣口的內(nèi)口進(jìn)入到氣體屏蔽罩體內(nèi)。這樣，從朝向所述炬管孔的切線方向的進(jìn)氣口內(nèi)口進(jìn)入氣體屏蔽罩體內(nèi)的氣流， 氣體會(huì)沿等離子體炬管切線方向流動(dòng)，形成的氣流不會(huì)擠壓等離子體炬而造成等離子體炬熄滅。進(jìn)氣口的內(nèi)口軸線方向可以設(shè)置成和炬管孔軸線方向平行。作為優(yōu)選，所述進(jìn)氣口至少有兩個(gè)，并且沿氣體屏蔽罩體軸心相對(duì)設(shè)置，所述氣體屏蔽罩體的材料為聚四氟乙烯。采用相對(duì)的同方向的兩路氣流，確保氣體冷卻的效果更好， 氣體屏蔽罩體采用化學(xué)穩(wěn)定性、耐腐蝕性和耐高溫的聚四氟乙烯材料，能更適合于質(zhì)譜分析的使用環(huán)境中，并且不會(huì)對(duì)質(zhì)譜分析的離子源帶來額外干擾。本發(fā)明的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法，將等離子體炬管和高頻發(fā)生器的線圈置于一個(gè)可以進(jìn)氣和出氣的氣體屏蔽罩體內(nèi)，向該氣體屏蔽罩體持續(xù)通入惰性氣體，惰性氣體從進(jìn)氣端進(jìn)入，在氣體屏蔽罩體內(nèi)沿經(jīng)等離子體炬管流動(dòng)，從出氣端流出，惰性氣體將高頻發(fā)生器的線圈以及等離子體炬管生成的等離子體炬包圍并且封閉在惰性氣體氛圍內(nèi)。為了能夠更好散熱，作為優(yōu)選，可以在所述氣體屏蔽罩體的出氣端設(shè)置冷卻等離子體炬輻射的水冷裝置。在出氣端設(shè)置水冷裝裝置，可以帶走熱量，特別是等離子體炬周圍的熱量，以防止由于過熱造成炬管和電感耦合等離子體接口裝置上的采樣錐等裝置燒壞。本發(fā)明帶來的有益效果是，有效解決了氣體保護(hù)裝置的氣密難題，以及炬管等裝置的散熱問題，使ICP處在惰性氣體氛圍中，從根本上消除或減少0、N、H和C等形成的干擾，降低背景等效濃度，改善線性相關(guān)系數(shù)和檢出限，并且制作成本低，拆卸方便，運(yùn)行成本低，基本不改動(dòng)儀器的結(jié)構(gòu)，達(dá)到實(shí)用的目的。


附圖1是本發(fā)明的一種結(jié)構(gòu)示意附圖2是本發(fā)明中的水冷裝置的一種結(jié)構(gòu)示意圖； 附圖3是本發(fā)明使用時(shí)的一種結(jié)構(gòu)示意圖； 附圖4是本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)示意圖； 附圖5是本發(fā)明中的水冷裝置的另一種結(jié)構(gòu)示意附圖6是使用和不使用本發(fā)明的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置的分析性能的比較結(jié)果表；附圖7是附圖6的續(xù)表。

1、氣體屏蔽罩體；1-1、炬管孔；1-2、進(jìn)氣口 ；1-3、開口 ；1_4、內(nèi)螺紋孔; 2、水冷裝置；2-1、冷卻炬孔；2-2冷卻水孔；3、等離子體炬管；3-1、等離子體炬；4、高頻發(fā)生器的線圈；5、電感耦合等離子體接口裝置；6、間隙。
具體實(shí)施例方式下面通過實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說明。實(shí)施例1 本實(shí)施例的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，如圖1所示，包括中空的氣體屏蔽罩體1，其材料為聚四氟乙烯，該氣體屏蔽罩體1為圓柱狀，氣體屏蔽罩體1 一端的端面開有用于安裝等離子體炬管3的炬管孔1-1，炬管孔1-1的大小與等離子體炬管3大小相適，如圖3所示，該氣體屏蔽罩體1將部分等離子體炬管3以及高頻發(fā)生器的線圈4包裹，該氣體屏蔽罩體1的端面上還制有沿氣體屏蔽罩體1軸心相對(duì)稱布置的兩個(gè)進(jìn)氣口 1-2，進(jìn)氣通道為折彎道形，進(jìn)氣口 1-2的內(nèi)口朝向炬管孔1-1切線的方向。在氣體屏蔽罩體1另一端制成與外部相連通的開口 1-3，該開口 1-3與電感耦合等離子體接口裝置5相對(duì)，在該開口 1-3處安裝有水冷裝置2，如圖2所示，水冷裝置2由方形的紫銅塊制成，在紫銅塊中部制有用于包裹等離子體炬3-1的冷卻炬孔2-1，該水冷裝置 2與電感耦合等離子體接口裝置5之間有一定間隙6，該間隙6四周暴露在外部大氣內(nèi)，在使用時(shí)，等離子體炬3-1通過冷卻炬孔2-1銜接電感耦合等離子體接口裝置5，惰性氣體包圍等離子體炬3-1，并從四周的間隙6流出，此處即為出氣端，在紫銅塊上冷卻炬孔2-1的上部和下部分別制有與外部循環(huán)供水管相連的冷卻水孔2-2。本實(shí)施例的本電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法，將等離子體炬管3和高頻發(fā)生器的線圈4置于氣體屏蔽罩體1，該氣體屏蔽罩體1 一端開口，氣體屏蔽罩體1的開口端朝向電感耦合等離子體接口裝置5，在該開口端對(duì)應(yīng)等離子體炬管3生成等離子體炬 3-1的周圍還使用了水冷裝置2冷卻，該水冷裝置2與電感耦合等離子體接口裝置5之間留有空隙，等離子體炬3-1通過水冷裝置2銜接電感耦合等離子體接口裝置5，這樣，向進(jìn)氣口 1-2內(nèi)持續(xù)通入惰性氣體，惰性氣體從進(jìn)氣口 1-2進(jìn)入，在氣體屏蔽罩體1內(nèi)沿炬管孔 1-1切線方向流動(dòng)，從開口 1-3經(jīng)過間隙6流出，使得等離子體炬管3、高頻發(fā)生器的線圈4 以及等離子體炬3-1封閉在惰性氣體內(nèi)，與外界氣體隔絕，并且惰性氣體與水冷裝置2形成雙重冷卻，冷卻效果大大改進(jìn)。實(shí)施例2 本實(shí)施例的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，如圖4、5所示，水冷裝置2的紫銅塊制成圓形，在紫銅塊上一端制有凸出的凸階，以方便旋轉(zhuǎn)，在紫銅塊周圍制有外螺紋，在氣體屏蔽罩體1開口 1-3處相應(yīng)位置制有相應(yīng)的內(nèi)螺紋孔1-4，使得紫銅塊與氣體屏蔽罩體1螺紋連接，這樣殼體可以針對(duì)不同的等離子體炬3-1調(diào)整間隙6的大小。 其他技術(shù)特征與實(shí)施例1一致。本裝置使用時(shí)，調(diào)整好裝置與電感耦合等離子體接口裝置5的間隙距離，然后向氣體屏蔽罩體1以0. 3 L/min的速度通入氬氣，并接通水冷裝置2的外部冷去水即可進(jìn)行質(zhì)譜分析。加裝置前后溶液進(jìn)樣分析性能比較
在選定的儀器工作條件下，在加形成ICP氬氣氛圍的本電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置和不加裝置的情況下，分別采集兩套標(biāo)準(zhǔn)溶液的信號(hào)，線性擬合后，進(jìn)行線性相關(guān)系數(shù)、檢出限和背景等效濃度比較。分析性能的比較結(jié)果列于圖6、7表中。為了能一目了然地看出在兩種情況下哪一個(gè)分析性能更好，特別是針對(duì)0、N、H、C、 Ar等形成的分子離子或多原子離子干擾較嚴(yán)重的質(zhì)量數(shù)，我們引入了兩個(gè)評(píng)價(jià)因子。一個(gè)是背景等效濃度比值I BK，另一個(gè)是檢出限比值IV。Rbec=加裝置時(shí)背景等效濃度/不加裝置時(shí)背景等效濃度
當(dāng)Rbk < 1時(shí)，說明加裝置后或靈敏度提高、或本底減小(主要是0、N、H、C、Ar或溶液中引入的物質(zhì)等組成的多原子離子干擾變小)、或是它們的綜合導(dǎo)致分析性能改善。當(dāng)> 1時(shí)，說明加裝置后或靈敏度下降、或本底增加(主要是0、N、H、C、Ar或溶液中引入的物質(zhì)等組成的多原子離子干擾增加)、或是它們的綜合導(dǎo)致分析性能變差。當(dāng)I BEe=l時(shí)，說明加裝置后或靈敏度基本不變、或本底基本不變(主要是0、N、H、C、 Ar或溶液中引入的物質(zhì)等組成的多原子離子干擾基本不變)、或是它們的同步變化導(dǎo)致分析性能基本不變。當(dāng)背景等效濃度出現(xiàn)負(fù)時(shí)，往往是無干擾、較靈敏的質(zhì)量數(shù)，Rbec不適用。由于是溶液進(jìn)樣，ICP中存在大量0、H等，因而能體現(xiàn)加裝置的效果的，只能看看 N、C等原子組成的分子離子或多原子離子的干擾減少情況。從表中可以看出嚴(yán)Mg (存在 12C12C 干擾)，Si (存在 14N14N^13C15N 等干擾)、42Ca (存在 14N14N14N, 12C15N15N, 13C14N15N 等干擾)、 53Cr (存在 13C4°Ar、15N38Ar 等干擾)、55Mn (存在 15N4°Ar 干擾)、6°Ni (存在 12C12C36Ar 干擾)、mCu (存在 12C13C4°Ar、12C15N38Ar、13C14N38Ar、14N15N36Ar 等干擾)等的 Rbk 都小于 0. 6，說明這些質(zhì)量數(shù)的背景等效濃度下降明顯，從高質(zhì)量數(shù)的I^bec可知加裝置時(shí)靈敏度沒有增加，因而這些質(zhì)量數(shù)的背景等效濃度下降主要是N、C等濃度下降而使本底下降所致，說明加形成ICP氬氣氛圍的保護(hù)裝置能隔離空氣。檢出限比值Rm=加裝置時(shí)檢出限/不加裝置時(shí)檢出限
當(dāng)IV < 1時(shí)，說明加裝置后檢出限改善。從表中可以看出，大部分質(zhì)量數(shù)的Rm小于1， 特別是 24Mg (存在 12C1V 干擾)、28Si (存在 14N14N、13C% 等干擾)、42Ca (存在 14N14N14N^12C15N15N, 13C14N1N 等干擾)、53Cr (存在 13C4°Ar、15N38Ar 等干擾)、55Mn (存在 15N4°Ar 干擾)、6°Ni (存在 12C12C36Ar 干擾)、65Cu (存在 12C13C4°Ar、12C15N38Ar、13C14N38Ar、14N15N36Ar 等干擾)等的 R11 都小于 1，說明加形成ICP氬氣氛圍的保護(hù)裝置后穩(wěn)定性也得到改善。
權(quán)利要求
1.一種電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法，其特征在于，將等離子體炬管和高頻發(fā)生器的線圈置于一個(gè)可以進(jìn)氣和出氣的氣體屏蔽罩體內(nèi)，向該氣體屏蔽罩體持續(xù)通入惰性氣體，惰性氣體從進(jìn)氣端進(jìn)入，在氣體屏蔽罩體內(nèi)沿經(jīng)等離子體炬管流動(dòng)，從出氣端流出，惰性氣體將等高頻發(fā)生器的線圈以及等離子體炬管生成等離子體炬包圍并封閉在動(dòng)態(tài)惰性氣體包裹的氛圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法，其特征在于，在所述氣體屏蔽罩體的出氣端設(shè)置冷卻等離子體炬輻射的水冷裝置。
3.一種使用如權(quán)利要求1所述的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，其特征在于，包括中空的氣體屏蔽罩體，所述氣體屏蔽罩體一端開有與等離子體炬管相對(duì)應(yīng)的炬管孔和進(jìn)氣口，另一端設(shè)置成與外部相連通的開口，所述開口與電感耦合等離子體接口裝置相對(duì)，所述開口處設(shè)有冷卻裝置，所述冷卻裝置與電感耦合等離子體接口裝置相配形成氣體屏蔽罩體的氣體出氣端，該氣體屏蔽罩體的氣體出氣端與外界相通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，其特征在于，所述冷卻裝置為水冷裝置，所述水冷裝置為制有冷卻水孔的導(dǎo)熱金屬塊，所述導(dǎo)熱金屬塊中部制有與等離子體炬相配的冷卻炬孔，所述炬孔與外界大氣相通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱金屬塊螺紋連接在氣體屏蔽罩體的開口處。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，其特征在于，所述氣體屏蔽罩體為圓柱狀，所述進(jìn)氣口設(shè)置在氣體屏蔽罩體的端面上，其進(jìn)氣通道為彎管形。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4或5或6所述的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣口的內(nèi)口朝向所述炬管孔的切線方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣口至少有兩個(gè)，并且沿氣體屏蔽罩體軸心相對(duì)設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求3或4或5或6所述的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，所述氣體屏蔽罩體的材料為聚四氟乙烯。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法及其裝置。本發(fā)明的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)裝置，包括中空的氣體屏蔽罩體，所述氣體屏蔽罩體一端開有與等離子體炬管相對(duì)應(yīng)的炬管孔和進(jìn)氣口，另一端設(shè)置成與外部相連通的開口，所述開口與電感耦合等離子體接口裝置相對(duì)，所述開口處設(shè)有冷卻裝置，所述水冷裝置與電感耦合等離子體接口裝置相配形成氣體屏蔽罩體的氣體出氣端，該氣體屏蔽罩體的氣體出氣端與外界相通。本發(fā)明提供的電感耦合等離子體離子源氣體保護(hù)的方法及其裝置，使ICP處在惰性氣體氛圍中，從根本上消除或減少O、N、H和C等形成的干擾，降低背景等效濃度，改善線性相關(guān)系數(shù)和檢出限。
文檔編號(hào)H01J49/10GK102263004SQ20101018319
公開日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2010年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
發(fā)明者李靈鋒, 楊文潮, 杭緯, 金獻(xiàn)忠, 陳建國 申請(qǐng)人:寧波檢驗(yàn)檢疫科學(xué)技術(shù)研究院