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      低脈沖電涌保護(hù)器的制造方法

      文檔序號(hào):7387522閱讀:188來源:國知局
      低脈沖電涌保護(hù)器的制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明的低脈沖電涌保護(hù)器,包括殼體和防電涌電路,所述殼體上設(shè)置有與防電涌電路相連接的信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端和接地端PE;其特征在于:所述殼體內(nèi)還設(shè)置有消除接地線電壓電路,消除接地線電壓電路由防雷元件組成,所述防雷元件的一端與信號(hào)輸出端相連接,另一端形成等電位接點(diǎn)EL;所述等電位節(jié)點(diǎn)EL通過等電位連接線el與被保護(hù)設(shè)備上的接地端相連接。本發(fā)明的低脈沖電涌保護(hù)器,通過設(shè)置一端與信號(hào)輸出端相連接的防雷元件,即使信號(hào)輸入端串入雷擊電流,使得電涌保護(hù)器上接地線兩端的電壓比較高時(shí),也可將信號(hào)輸出端施加在被保護(hù)設(shè)備上的電壓限制在防雷元件導(dǎo)通時(shí)的電壓大小,避免了由于現(xiàn)有電涌保護(hù)器電路的缺陷所造成的設(shè)備損害。
      【專利說明】低脈沖電涌保護(hù)器

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及一種低脈沖電涌保護(hù)器,更具體的說,尤其涉及一種可有效避免保護(hù) 器自身接地線上的電壓施加在設(shè)備上的低脈沖電涌保護(hù)器。

      【背景技術(shù)】
      [0002] 隨著電子產(chǎn)品的效能不斷改進(jìn)和提高,電子類電氣設(shè)備的芯片功耗越來越小,耐 壓越來越低,一般耐壓在50V以下,電涌電壓通過設(shè)備的電源線或信號(hào)線導(dǎo)入設(shè)備,芯片在 受到較強(qiáng)的雷電電涌電壓的沖擊時(shí)極易損壞。在傳統(tǒng)的電涌保護(hù)器(SPD)及連接方式下, 設(shè)備總是承受著sro接地線(PE線)產(chǎn)生的電壓值t/q, PE線越長(zhǎng)、雷電流越大產(chǎn)生的電 壓值也就越高,一旦遇到較大的雷電流沖擊,很難起到保護(hù)作用。
      [0003] 圖1是傳統(tǒng)的sro安裝方式,設(shè)備的接地線el沒有雷電流通過不會(huì)產(chǎn)生電位差, 所以,設(shè)備的接地連接點(diǎn)C和接地點(diǎn)D的電位相等,設(shè)備承受的電位差為B、D兩點(diǎn)之間的電 位差R??梢钥闯?,設(shè)備所承受的電涌電壓R等于SPD自身的殘壓%與3?的PE線產(chǎn) 生的電壓之和,S卩:R = + t/q。其中與雷電流的大小i和PE線的安裝長(zhǎng)度L 之間的關(guān)系為:

      【權(quán)利要求】
      1. 一種低脈沖電涌保護(hù)器,包括殼體和設(shè)置于殼體內(nèi)的防電涌電路,所述殼體上設(shè)置 有與防電涌電路相連接的信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端和接地端PE ;其特征在于:所述殼體內(nèi) 還設(shè)置有消除接地線電壓電路,消除接地線電壓電路由防雷元件組成,所述防雷元件的一 端與信號(hào)輸出端相連接,另一端形成等電位接點(diǎn)EL;所述等電位節(jié)點(diǎn)EL通過等電位連接線 el與被保護(hù)設(shè)備上的接地端相連接。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低脈沖電涌保護(hù)器,其特征在于:所述防電涌電路由第一級(jí) 保護(hù)電路和第二級(jí)保護(hù)電路組成,信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端的數(shù)量均為2個(gè);第一級(jí)保護(hù) 電路由三極氣體放電管Q組成,氣體放電管Q兩端的電極分別與兩信號(hào)輸入端相連接,氣體 放電管Q中間電極與接地端PE相連接; 第二級(jí)保護(hù)電路由瞬間抑制二極管S1、S2和S3以及退耦元件L1和L2組成,二極管S1 的一端經(jīng)退耦元件L1與氣體放電管Q-端的電極相連接,二極管S1的另一端與二極管S2 的一端相連接,二極管S2的另一端經(jīng)退耦元件L2與氣體放電管Q另一端的電極相連接;二 極管S1與S2的連接處與氣體放電管Q的中間電極相連接;二極管S3與S1和S2串聯(lián)后的 電路相并聯(lián); 所述消除接地電壓電路由瞬間抑制二極管S5和S6組成,二極管S5的一端經(jīng)退耦元件 L3與L1相連接,二極管S5的另一端與S6的一端相連接;S6的另一端經(jīng)退耦元件L4與L2 相連接;二極管S5與S6的連接處形成等電位接點(diǎn)EL。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低脈沖電涌保護(hù)器,其特征在于:所述瞬間抑制二極管 S5和S6串聯(lián)所形成電路的兩端并聯(lián)有瞬間抑制二極管S4。
      【文檔編號(hào)】H02H9/06GK104269834SQ201410405780
      【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月18日
      【發(fā)明者】李玉祥, 張帥, 單龍 申請(qǐng)人:山東華普信息科技有限公司
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