專利名稱：自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電功能信息材料和藥物領(lǐng)域，具體涉及一種自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
低氧是引發(fā)心肺腦功能衰竭的重要因素之一，心肺腦低氧損害的防御是當(dāng)今臨床研究的熱點?，F(xiàn)代醫(yī)學(xué)研究表明，低氧時心肺腦血管β受體、P2受體活性下降，氧自由基生成引發(fā)內(nèi)膜損害及細(xì)胞內(nèi)鈣內(nèi)流增加，是導(dǎo)致心肺腦損害的關(guān)鍵。針對上述關(guān)鍵環(huán)節(jié)，國內(nèi)外曾有研究采用單一藥物如異搏啶，或異丙腎上腺素，或超氧化物歧化酶治療心肺腦低氧損害，均藥效不佳，其毒性反應(yīng)大于藥效。納米藥物晶體是目前研究的熱點，非彈性電子隧穿相互作用是一種自組裝納米藥物晶體的方法。迄今尚沒有防御心肺腦低氧損害的自組裝納米藥物晶體報道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種兼有高效防御心肺腦低氧損害作用與發(fā)光和介電性能的納米藥物晶體。本發(fā)明的另一目的是提供所述納米藥物晶體及其超薄膜的制備方法。
本發(fā)明自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體以非彈性電子隧穿相互作用自組裝抗氧化酶類氧自由基拮抗劑，β-受體激動劑，P2受體激動劑，苯烷胺類鈣拮抗劑單體及其二元，三元，四元復(fù)合物。
所述的自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體及其規(guī)則幾何構(gòu)型的超薄膜，各組份為異丙腎上腺素(Isoprenalini)，三磷酸腺苷(adenoninetriphoaphate)，異博啶(Verapamil)，超氧化物歧化酶(Superoxidedismutase)及其優(yōu)化配比.
自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體及其薄膜的各組份最佳藥物濃度范圍為異博啶(Verapamil)59.1μM至2.0nM異丙腎上腺素(Isoprenalini)2.0μM至15pM
超氧化物歧化酶(Superoxide dismutase)151pM至15.1pM三磷酸腺苷(adenosine triphophate)2.5M至1.0nM靶向低氧引發(fā)心肺腦功能衰竭的關(guān)鍵環(huán)節(jié)心肺腦血管β受體、P2受體活性下降，氧自由基生成引發(fā)內(nèi)膜損害及細(xì)胞內(nèi)鈣內(nèi)流增加。
本發(fā)明利用非彈性電子隧穿相互作用進(jìn)行自組裝異搏啶，或異丙腎上腺素，或超氧化物歧化酶，或三磷酸腺苷，及其二至四聚體納米藥物晶體的制備。這種基于發(fā)病機制藥物設(shè)計和空間幾何構(gòu)型自組裝方法不僅有益于創(chuàng)新藥物的發(fā)現(xiàn)，而且有益于光電傳感材料的發(fā)明。
本發(fā)明納米藥物晶體和薄膜的介電特性由電流-電壓曲線及其一階導(dǎo)數(shù)和二階導(dǎo)數(shù)來表達(dá)；非彈性電子隧穿相互作用的識別依據(jù)是納米藥物晶體電流-電壓曲線的二階導(dǎo)數(shù)不等于零；自組裝納米藥物晶體及其超薄膜產(chǎn)生能量損失范圍從電子伏特遞減至毫電子伏特，甚至減低至微電子伏特。納米藥物晶體及其超薄膜的發(fā)光特性由熒光譜的光吸收來表達(dá)。
本發(fā)明采用L16(2)15和L9(3)4正交優(yōu)選法，掃描探針顯微術(shù)和低溫光譜以及ORINGIN計算，獲得兼有高效防御心肺腦低氧損害作用與發(fā)光和介電性能的納米藥物晶體，及其超薄膜。本發(fā)明的核心組份由異丙腎上腺素(Isoprenalini)，三磷酸腺苷(adennosinetriphosphate)，異博啶(Verapamil)，超氧化物歧化酶(Superoxidedismutase)按單體，二元體，三元體和四元體分別配制自組裝體系，其中單體納米藥物晶體分別按1∶0∶0∶0；0∶1∶0∶0；0∶0∶1∶0；0∶0∶0∶1配比配制自組裝體系其中二元體納米藥物晶體分別按1∶1∶0∶0；1∶0∶1∶0；1∶0∶0∶1；0∶1∶0∶0；0∶1∶0∶1；0∶0∶1∶1配比配制自組裝體系其中三元體納米藥物晶體分別按1∶1∶1∶0；1∶0∶1∶1；1∶1∶0∶1；0∶1∶1∶1配比配制自組裝體系其中四元體納米藥物晶體分別按1∶1∶1∶1；1∶2∶2∶2；1∶3∶3∶3；2∶1∶2∶3；2∶2∶3∶1；2∶3∶1∶2；3∶1∶3∶2；3∶2∶1∶3；3∶3∶2∶1配比配制自組裝體系。
本發(fā)明核心組份單體，二元體，三元體和四元體及其不同四元體自組裝體系的I-V曲線，一階導(dǎo)數(shù)和二階導(dǎo)數(shù)及其時間與頻率域能量譜可形成25組陣列數(shù)據(jù)和25種不同尺寸的正方體納米藥物晶體及其超薄膜，本發(fā)明的晶體可達(dá)長4.5nm，寬4.5nm，高0.1nm，最小的晶體達(dá)級。薄膜尺寸厚2.5nm至2。
本發(fā)明自主裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體及其超薄膜，具有正方型或正方體規(guī)則幾何構(gòu)型，尺度可控，非彈性電子隧穿電學(xué)特性，熒光吸收譜中心波長位于500納米附近，波寬200納米左右。本發(fā)明不僅有益于靶向疾病機制的創(chuàng)新藥物發(fā)明，而且有益于光電傳感新材料的發(fā)明。
本發(fā)明通過下述方法和步驟制備自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體及其薄膜，按中華人民共和國衛(wèi)生部頒發(fā)的藥典規(guī)范配制如下藥液1.制備鹽酸異博啶溶液2.制備鹽酸異丙腎上腺素溶液3.制備超氧化物歧化酶生理鹽緩沖液4.制備三磷酸腺苷的生理鹽緩沖液5.分別取最佳濃度范圍內(nèi)的各組份溶質(zhì)數(shù)，常溫下均勻混合后，加生理鹽緩沖溶液至1毫升，置-4℃保存?zhèn)溆谩?br> 6.采用石墨和硅片作為自組裝晶體及其超薄膜的襯底，將上述藥用組份按L16(2)15和L9(3)4方案點滴在石墨和硅片襯底上，放置-4℃12小時。


圖1是大尺度晶體圖。
圖2是單體晶體和薄膜。
圖3是正方形構(gòu)型的超薄膜(厚3埃)圖4是三元體晶體和薄膜。
圖5是納米級正方形構(gòu)型的薄膜。
圖6是四元體薄膜。
圖7是電導(dǎo)圖。
圖8是能譜圖。
圖9是二階導(dǎo)數(shù)圖。
圖10是熒光譜。
具體實施例方式
實施例1按中華人民共和國衛(wèi)生部頒發(fā)的藥典規(guī)范配制如下藥液1.制備鹽酸異博啶溶液2.5毫克/5毫升2.制備含2毫克/100毫升鹽酸異丙腎上腺素溶液3.制備含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理鹽緩沖液4.制備含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理鹽緩沖液5.分別取1∶3∶3∶3濃度范圍內(nèi)的各組份溶質(zhì)數(shù)，常溫下均勻混合后，加生理鹽緩沖溶液至1毫升，置-4℃保存?zhèn)溆谩?br> 6.采用石墨和硅片作為自組裝晶體及其超薄膜的襯底，將上述5μL藥用組份按L16(2)15和L9(3)4方案點滴在石墨和硅片襯底上，放置-4℃12小時。
實施例2按中華人民共和國衛(wèi)生部頒發(fā)的藥典規(guī)范配制如下藥液1.制備鹽酸異博啶溶液2.5毫克/5毫升2.制備含2毫克/100毫升鹽酸異丙腎上腺素溶液3.制備含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理鹽緩沖液4.制備含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理鹽緩沖液5.分別取2∶3∶1∶2濃度范圍內(nèi)的各組份溶質(zhì)數(shù)，常溫下均勻混合后，加生理鹽緩沖溶液至1毫升，置-4℃保存?zhèn)溆谩?br> 6.采用石墨和硅片作為自組裝晶體及其超薄膜的襯底，將上述5μL藥用組份按L16(2)15和L9(3)4方案點滴在石墨和硅片襯底上，放置-4℃12小時。
實施例3按中華人民共和國衛(wèi)生部頒發(fā)的藥典規(guī)范配制如下藥液1.制備鹽酸異博啶溶液2.5毫克/5毫升2.制備含2毫克/100毫升鹽酸異丙腎上腺素溶液3.制備含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理鹽緩沖液4.制備含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理鹽緩沖液5.分別取0∶1∶1∶1濃度范圍內(nèi)的各組份溶質(zhì)數(shù)，常溫下均勻混合后，加生理鹽緩沖溶液至1毫升，置-4℃保存?zhèn)溆谩?br> 6.采用石墨和硅片作為自組裝晶體及其超薄膜的襯底，將上述5μL藥用組份按L16(2)15和L9(3)4方案點滴在石墨和硅片襯底上，放置-4℃12小時。
實施例4按中華人民共和國衛(wèi)生部頒發(fā)的藥典規(guī)范配制如下藥液1.制備鹽酸異博啶溶液2.5毫克/5毫升2.制備含2毫克/100毫升鹽酸異丙腎上腺素溶液3.制備含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理鹽緩沖液4.制備含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理鹽緩沖液5.分別取0∶1∶0∶1濃度范圍內(nèi)的各組份溶質(zhì)數(shù)，常溫下均勻混合后，加生理鹽緩沖溶液至1毫升，置-4℃保存?zhèn)溆谩?br> 6.采用石墨和硅片作為自組裝晶體及其超薄膜的襯底，將上述5μL藥用組份按L16(2)15和L9(3)4方案點滴在石墨和硅片襯底上，放置-4℃12小時。
權(quán)利要求
1.自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜，其特征在于以非彈性電子隧穿相互作用自組裝抗氧化酶類氧自由基拮抗劑，β-受體激動劑，P2受體激動劑，苯烷胺類鈣拮抗劑單體及其二元，三元，四元復(fù)合物。
2.按權(quán)利要求1所述的自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜，其特征在于所述的晶體和超薄膜其組份為異丙腎上腺素，三磷酸腺苷，異博啶，超氧化物歧化酶及其優(yōu)化配比的幾何構(gòu)型，其中各組份藥物濃度范圍為異博啶59.1μM至2.0nM異丙腎上腺素 2.0μM至15pM超氧化物歧化酶151pM至15.1pM三磷酸腺苷2.5M至1.0nM。
3.按權(quán)利要求1所述的自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜，其特征在于所述的單體納米藥物晶體和超薄膜分別按1∶0∶0∶0；0∶1∶0∶0；0∶0∶1∶0；0∶0∶0∶1配比配制自組裝體系。
4.按權(quán)利要求1所述的自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜，其特征在于所述的其中二元體納米藥物晶體和超薄膜分別按1∶1∶0∶0；1∶0∶1∶0；1∶0∶0∶1；0∶1∶0∶0；0∶1∶0∶1；0∶0∶1∶1配比配制自組裝體系。
5.按權(quán)利要求1所述的自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜，其特征在于所述的其中三元體納米藥物晶體和超薄膜分別按1∶1∶1∶0；1∶0∶1∶1；1∶1∶0∶1；0∶1∶1∶1配比配制自組裝體系。
6.按權(quán)利要求1所述的自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜，其特征在于所述的其中四元體納米藥物晶體和超薄膜分別按1∶1∶1∶1；1∶2∶2∶2；1∶3∶3∶3；2∶1∶2∶3；2∶2∶3∶1；2∶3∶1∶2；3∶1∶3∶2；3∶2∶1∶3；3∶3∶2∶1配比配制自組裝體系。
7.權(quán)利要求1的自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜的制備方法，其特征是按下述方法和步驟，分別配制如下藥液1).制備鹽酸異博啶溶液2).制備鹽酸異丙腎上腺素溶液3).制備超氧化物歧化酶生理鹽緩沖液4).制備三磷酸腺苷的生理鹽緩沖液5).分別取最佳濃度范圍內(nèi)的各組份溶質(zhì)數(shù)，常溫下均勻混合后，加生理鹽緩沖溶液至1毫升，置-4℃保存?zhèn)溆谩?).采用石墨和硅片作為自組裝晶體及其超薄膜的襯底，將上述藥用組份按L16(2)15和L9(3)4方案點滴在石墨和硅片襯底上，放置-4℃12小時。
8.按權(quán)利要求7的方法，其中各組份藥物濃度范圍為異博啶59.1μM至2.0nM異丙腎上腺素 2.0μM至15pM超氧化物歧化酶151pM至15.1pM三磷酸腺苷2.5M至1.0nM。
全文摘要
本發(fā)明涉及光電功能信息材料和藥物領(lǐng)域，具體涉及一種自組裝發(fā)光導(dǎo)電納米藥物晶體和超薄膜及其制備方法。本發(fā)明以非彈性電子隧穿相互作用自組裝抗氧化酶類氧自由基拮抗劑，β－受體激動劑，P2受體激動劑，苯烷胺類鈣拮抗劑單體及其二元，三元，四元復(fù)合物。本發(fā)明具有正方型或正方體規(guī)則幾何構(gòu)型，尺度可控，非彈性電子隧穿電學(xué)特性，熒光吸收譜中心波長位于500納米附近，波寬200納米左右。本發(fā)明不僅有益于靶向疾病機制的創(chuàng)新藥物發(fā)明，而且有益于光電傳感新材料的發(fā)明。
文檔編號A61P11/00GK1799629SQ20041009938
公開日2006年7月12日 申請日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者方琰 申請人:復(fù)旦大學(xué)附屬中山醫(yī)院