專利名稱：被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種拍攝被檢體內(nèi)的圖像的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年來，在醫(yī)療用內(nèi)窺鏡的領(lǐng)域中出現(xiàn)了一種吞服型的膠 嚢型內(nèi)窺鏡。在該膠嚢型內(nèi)窺鏡中設(shè)置有攝像功能和無線通信
功能，并具有如下功能為了進行觀察(檢查)而從患者的口中 吞服該膠嚢型內(nèi)窺鏡之后，直到從人體自然排出為止的期間， 該膠嚢型內(nèi)窺鏡在體腔內(nèi)、例如胃、小腸等臟器的內(nèi)部隨著其 蠕動運動進行移動，并依次進行攝像。
在此，在內(nèi)窺鏡領(lǐng)域中，提出了一種如下的窄頻帶觀察方 式(例如，參照專利文獻l):使用與以往的按RGB的場序(Field Sequential)方式的照明光相比將分光特性i殳為窄頻帶的照明 光。在窄頻帶觀察方式中，通過照射容易被血液中的血紅蛋白 吸收的被窄頻帶化了的藍色光和綠色光的兩種頻帶的光，來實 現(xiàn)粘膜表層的毛細血管以及粘膜顯微圖樣的增強顯示，有助于 才是前發(fā)現(xiàn)作為4企測對象部位的出血部位、腫瘤部位。
專利文獻l:曰本凈+開2002—95635號/>寺艮

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
在窄頻帶觀察方式中，由于能夠使粘膜表層的毛細血管以 及粘膜顯微圖樣變暗，因此粘膜表層的毛細血管以及粘膜顯微 圖樣被增強。然而，在想要拍攝發(fā)光部位的發(fā)光量受限制的膠嚢型內(nèi)窺鏡系統(tǒng)以及高速運動的對象的情況下，存在如下問題 無法區(qū)分較暗地顯示的區(qū)域是由于血液中的血紅蛋白等的吸收 而變暗、還是由于一見場方向為管腔方向而什么都沒有而變暗、 或者由于光量不足而變暗，無法準(zhǔn)確地檢測出作為檢測對象部 位的出血部位、月中瘤部位。
本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種能 夠檢測出由被檢體內(nèi)導(dǎo)入裝置拍攝的圖像中的檢測對象部位的 3皮才企體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)。
用于解決問題的方案
為了解決上述問題并達到目的，拍攝被檢體內(nèi)的圖像的本 發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于，具備被檢體 內(nèi)導(dǎo)入裝置，其具有發(fā)光單元和攝像單元，該發(fā)光單元對根據(jù) 檢測對象而具有規(guī)定的光學(xué)特性的檢測對象部位至少發(fā)出反射 率低的低反射率波長的光和反射率高的高反射率波長的光，該 攝像單元至少對上述低反射率波長的光和上述高反射率波長的 光進行受光來拍攝上述圖像；以及檢測單元，其根據(jù)上述圖像 中的與上述被檢體內(nèi)的檢測對象區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的上述高反射 率波長的光量和上述低反射率波長的光量，對上述檢測對象區(qū) 域的上述4企測對象部位進行檢測。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述檢測單元對上述圖像中的上述高反射率波長的光量為規(guī)定的 閾值以上的區(qū)域進行提耳又來作為有可能包含上述4企測對象部位
的光量來#r測上述#r測對象部位。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述檢測單元對利用上述高反射率波長形成的圖像中的上述高反用上述低反射率波長形成的圖像中的與
述^r測對象部位。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，根 據(jù)對于上述檢測對象部位的上述低反射率波長的光的反射率和 上述高反射率波長的光的反射率，設(shè)定上述規(guī)定的閾值。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述才企測對象部位是出血部位。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述低反射率波長是415nm至580nm中的任一個，上述高反射率波 長是615nm至635nm中的任一個。
另外，本發(fā)明所涉及的—皮4全體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，還 具備圖像處理單元，其對上述圖像進行處理；以及顯示單元， 其對包含由上述圖像處理單元處理后的圖像的信息進行顯示， 其中，上述圖像處理單元進行增強處理，該增強處理使上述檢 測對象部4立增強。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，在 上述被檢體內(nèi)導(dǎo)入裝置的側(cè)面具備上述發(fā)光單元和上述攝像單 元。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述被檢體內(nèi)導(dǎo)入裝置具備至少兩個上述攝像單元以及至少兩個 上述發(fā)光單元，兩個上述攝像單元分別拍攝相反的方向。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上
及發(fā)出上述高反射率波長的光的發(fā)光元件。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述發(fā)光元件是LED。另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上
述被檢體內(nèi)導(dǎo)入裝置具備驅(qū)動單元，其對各發(fā)光元件提供電 力來使各發(fā)光元件發(fā)光；以及控制單元，其對各發(fā)光元件中的 每個發(fā)光元件控制由上述驅(qū)動單元提供的電力量。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述驅(qū)動單元具備電流量調(diào)整單元，該電流量調(diào)整單元對提供給 上述發(fā)光元件的電流量進行調(diào)整，上述控制單元控制上述電流 量調(diào)整單元來對提供給各發(fā)光元件的電流量進行控制。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述驅(qū)動單元具備電力供給選擇單元，該電力供給選擇單元能夠 對各發(fā)光元件中的每個發(fā)光元件分別選擇是否提供電力，上述 控制單元控制上述電力供給選擇單元來控制提供給各發(fā)光元件 的電力量。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述電力供給選擇單元能夠選擇是否對各發(fā)光元件提供電力，并 且能夠?qū)Ω靼l(fā)光元件中的每個發(fā)光元件選擇要提供的電力量。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述電力供給選擇單元與每個上述發(fā)光元件相應(yīng)地變更對各發(fā)光 元件提供電力的期間。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述電力供給選擇單元分時地對各發(fā)光元件提供電力。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上 述控制單元根據(jù)對于上述檢測對象部位的低反射率波長的光的 反射率和對于上述檢測對象部位的高反射率波長的光的反射
率，對提供給各發(fā)光元件的電力量進行控制。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上控制。
另外，本發(fā)明所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的特征在于，上
述被檢體內(nèi)導(dǎo)入裝置還具有引導(dǎo)用的永久磁鐵，還具備引導(dǎo) 用磁場產(chǎn)生單元，其產(chǎn)生作用于上述永久》茲鐵的引導(dǎo)用磁場； 以及引導(dǎo)用磁場方向控制單元，其對上述引導(dǎo)用磁場的方向進 行控制。
發(fā)明的效果
本發(fā)明根據(jù)對檢測對象部位照射反射率低的低反射率波長 的光的同時照射作為反射率高的波長的高反射率波長的光而拍 攝的圖像中的、作為檢測是否存在檢測對象部位的對象的與被 檢體內(nèi)的#r測對象區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的高反射率波長的光量和低 反射率波長的光量，來對檢測對象區(qū)域的4全測對象部位進行檢 測，因此能夠?qū)λ臄z的圖像中的檢測對象部位進行檢測。


圖l是表示實施方式l所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的整體結(jié) 構(gòu)的圖。
圖2是用于說明圖l示出的膠嚢型內(nèi)窺鏡的結(jié)構(gòu)的概要圖。
圖3是表示圖l示出的工作站的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖4是用于說明對圖l示出的被檢體照射的光的反射狀態(tài)的圖。
圖5是表示對圖l示出的被檢體照射的光的反射率的圖。 圖6是表示圖1所示的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的檢測處理的處理
過程的流程圖。
圖7是表示圖6示出的檢測處理的處理過程的流程圖。 圖8是用于說明將圖l示出的膠嚢型內(nèi)窺鏡導(dǎo)入到被檢體內(nèi)
的情況的圖。圖9是表示圖l示出的膠嚢型內(nèi)窺鏡所拍攝的圖像的一例的圖。
圖IO是表示對圖l示出的被檢體照射的光的反射率的圖。 圖ll是用于說明圖l示出的膠嚢型內(nèi)窺鏡的其它結(jié)構(gòu)的概 要圖。
圖12是表示圖l示出的接收裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。 圖13是表示圖l示出的膠嚢型內(nèi)窺鏡的其它結(jié)構(gòu)的框圖'。 圖14是用于說明圖l示出的膠嚢型內(nèi)窺鏡的其它結(jié)構(gòu)的概 要圖。
圖15是表示實施方式2的膠嚢型內(nèi)窺鏡的結(jié)構(gòu)的框圖。 圖16是用于說明對圖15所示的膠嚢型內(nèi)窺鏡安裝帽(cap) 的情況的圖。
圖17是表示圖15所示的膠嚢型內(nèi)窺鏡的要部的框圖。 圖18是表示圖15所示的膠嚢型內(nèi)窺鏡的要部的其它例子的 框圖。
圖19是表示圖15所示的膠嚢型內(nèi)窺鏡的要部的其它例子的 框圖。
圖20是表示圖19示出的開關(guān)的驅(qū)動狀態(tài)的時序圖。 圖21是表示圖19示出的開關(guān)的驅(qū)動狀態(tài)的時序圖。 圖22是表示實施方式2的接收裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。 圖2 3是表示實施方式2的工作站的結(jié)構(gòu)的框圖。 圖2 4是表示實施方式3的膠嚢型內(nèi)窺鏡的結(jié)構(gòu)的概要圖。 圖25是實施方式3所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的概要圖。 圖26是用于說明圖25所示的被沖全體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的圖。 圖27是用于說明實施方式1 3的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的其它 例子的圖。
附圖標(biāo)記i兌明1:被檢體；2、 202:接收裝置；3、 3a、 3b、 203、 303: 膠嚢型內(nèi)窺鏡；4、 204、 304:工作站；5:便攜式記錄介質(zhì)； 6a 6h:接收用天線；7:外部裝置；20:天線選擇部；21:接 收電路；22:信號處理電^各；23:存^(諸部；24、 224:控制部； 25:電力供給部；30、 30a:外殼；31:前端透明蓋；31a:透 明蓋；32:發(fā)光部；33:透鏡；34、 334:攝像元件；35:處理 電路；35a、 235a: 4空制吾卩；35b:受光電i 各；35c:發(fā)光馬區(qū)動部； 36:天線；37:電池；41、 241、 341:控制部；42: l命入部； 43:存儲部；44:位置4全測部；45: -險測部；46:圖像處理部； 47:輸出部；205:帽 ， 206a 206h:天線.，240:發(fā)光量調(diào)整部； 254:電阻設(shè)定部；250: LED驅(qū)動部；256:電流值設(shè)定部；320a: 恒壓驅(qū)動器；320b:恒流驅(qū)動器；320、 321~32n: LED; 2511~251n: 電；^u^i"i殳定部；2521~252n: -弓區(qū)動器；2531 253n: 電卩且； 2551 255n:開關(guān)；338:永久磁鐵；371X、 371Y、 371Z:亥 姆霍茲線圈(Helmholtzcoil)單元；372X、 372Y、 372Z:亥姆霍 茲線圏驅(qū)動器；373:旋轉(zhuǎn)磁場控制電路；374:輸入裝置。
具體實施例方式
下面，參照附圖，以采用了窄頻帶觀察方式的被檢體內(nèi)導(dǎo) 入系統(tǒng)為例說明本發(fā)明的實施方式。此外，本發(fā)明并不限定于 本實施方式。另外，在附圖的記載中，對同一部分附加同一標(biāo) 記。
(實施方式l)
首先，說明實施方式l。圖l是表示本實施方式l所涉及的被 檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖1所示，被檢體內(nèi)導(dǎo) 入系統(tǒng)具有接收裝置2，其具有無線接收功能；以及膠嚢型內(nèi) 窺鏡3,其被導(dǎo)入到被檢體l的體內(nèi)，拍攝被檢體內(nèi)的圖像并使用無線通信將所拍攝的圖像發(fā)送到接收裝置2。另外，被檢體內(nèi) 導(dǎo)入系統(tǒng)具有工作站4，其對由接收裝置2接收并進行了處理 的信息進行處理，顯示并輸出被檢體內(nèi)的圖像；以及便攜式記 錄介質(zhì)5,其用于進行接收裝置2與工作站4之間的信息的傳送。 接收裝置2由接收用天線6a 6h以及外部裝置7構(gòu)成，其中，上述 接收用天線6a 6h接收從膠嚢型內(nèi)窺鏡3發(fā)送的無線信號，上述 外部裝置7對由接收到最高強度的無線信號的接收用天線接收 到的無線信號進行解調(diào)處理等，獲取被檢體l內(nèi)部的圖像。便攜 式記錄介質(zhì)5具有如下結(jié)構(gòu)對于外部裝置7和工作站4能夠安裝 和拆卸，在對兩者插入和安裝時能夠進行信息的輸出或記錄。
接著，參照圖2說明圖1示出的膠嚢型內(nèi)窺鏡3。如圖2所示， 膠嚢型內(nèi)窺鏡3具備發(fā)光部32,其在拍攝被檢體l內(nèi)部的情況 下發(fā)出規(guī)定頻帶的波長的光；透鏡33，其對從發(fā)光部32照射并 在被檢體l內(nèi)部反射的光進行聚光；攝像元件34,其例如由CCD 等實現(xiàn)，對由透鏡33聚光的光進行受光來拍攝被檢體內(nèi)的圖像； 處理電路35,其生成與由攝像元件34拍攝的圖像對應(yīng)的無線信 號，并且對發(fā)光部32、攝像元件34以及天線36的驅(qū)動狀態(tài)進行 控制；天線36,其對從處理電路35輸出的無線信號進行無線發(fā) 送；以及電池37,其對發(fā)光部32、掘j象元件34、處理電路35以 及天線36提供電力。從發(fā)光部32發(fā)出的光透過被設(shè)置在外殼30 的前端部的前端透明蓋31而發(fā)出到祐j企體l內(nèi)。然后，在被才企體 1內(nèi)反射并透過前端透明蓋31而入射到膠嚢型內(nèi)窺鏡3內(nèi)的光通 過透鏡33聚光之后，被攝像元件34所受光，并按規(guī)定波長被測 量出受光量。
發(fā)光部32對根據(jù)檢測對象而具有規(guī)定的光學(xué)特性的檢測對 象部位至少發(fā)出反射率低的低反射率波長的光和反射率高的高 反射率波長的光。發(fā)光部32例如具備發(fā)出白色光的LED。檢測對象部位是出血部位、胂瘤部位的情況較多。低反射率波長是
容易一皮血液中的血紅蛋白吸收的415nm至580nm中的任一個。另 外，高反射率波長是難以被血液中的血紅蛋白吸收的615nm至 635nm中的任一個。攝像元件34至少對低反射率波長的光和高 反射率波長的光進行受光來拍攝被檢體l內(nèi)的圖像。例如，攝像 元件34能夠?qū)ψ鳛榈头瓷渎什ㄩL的藍色光和綠色光進行受光， 并且能夠?qū)ψ鳛楦叻瓷渎什ㄩL的紅色光進行受光。
接著，說明圖1示出的工作站4。圖3是表示圖1示出的工作 站的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖3所示，工作站4具備控制部41,其對 工作站4的各結(jié)構(gòu)部位進4于控制；輸入部42，其輸入由工作站4 進行的處理的指示信息；存儲部43，其例如由硬盤裝置等實現(xiàn)， 存儲包含膠嚢型內(nèi)窺鏡3所拍攝的圖像的信息；位置#r測部4 4, 其根據(jù)接收用天線6a 6h所接收到的無線信號的強度等來計算 膠嚢型內(nèi)窺鏡3的位置和方向；檢測部45,其根據(jù)膠嚢型內(nèi)窺鏡 3所拍攝的圖像來對被檢體1內(nèi)的檢測對象區(qū)域的檢測對象部位 進行檢測；圖像處理部46,其對膠嚢型內(nèi)窺鏡3所拍攝的圖像進 行處理；以及輸出部47,其例如由顯示器等實現(xiàn)，顯示并輸出 包含由圖像處理部46處理后的圖像的信息。檢測部45根據(jù)由攝 像元件3 4拍攝的圖像中的作為檢測是否存在檢測對象部位的對 象的與被檢體l內(nèi)的檢測對象區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的高反射率波長 的光量和低反射率波長的光量，來對檢測對象區(qū)域的檢測對象 部位進行檢測。圖像處理部46進行用于才艮據(jù)4企測對象部位的檢 測結(jié)果來對檢測對象部位進行增強顯示的處理等。
在此，參照圖4說明由膠嚢型內(nèi)窺4竟3的發(fā)光部32發(fā)出的低 反射率波長和高反射率波長的光。作為低反射率波長的屬于 415nm至580nm的頻帶中的415nm至445nm的頻帶的藍色光在入 射到?jīng)]有出血部位的區(qū)域的情況下，如圖4的入射光Hbl所示那樣在皮膚61等生物體表面大部分被反射，與此相對地，在入射 到血管的情況下，如入射光Hb2所示那樣^皮血管62內(nèi)的血紅蛋 白吸收，幾乎不反射。另外，屬于415nm至580nm的頻帶中的 530nm至550nm的頻帶的綠色光與藍色光相比更能夠入射到深 層部，在入射到?jīng)]有出血部位的區(qū)域的情況下，如圖4的入射光 Hgl所示那樣在皮膚61內(nèi)大部分被反射，與此相對地，在入射 到血管的情況下，如入射光Hg2所示那樣被血管62內(nèi)的血紅蛋 白吸收，幾乎不反射。圖像處理部46通過對利用容易被該血管 6 2中的血紅蛋白吸收的藍色光或綠色光、即低反射率波長形成 的攝像圖像進行處理，來獲取使粘膜表層的毛細血管和粘膜顯 微圖樣增強的圖像、即增強了作為檢測對象部位的出血部位、 主要部位的圖像。與此相對地，作為高反射率波長的屬于615nm 至635nm的頻帶的紅色光如入射光Hrl和入射光Hr2所示那樣不
接著，參照圖5說明高反射率波長和低反射率波長的反射 率。圖5示出的曲線11表示由攝像元件34進行受光的低反射率波 長XI的光的受光特性，曲線12表示由攝像元件34進行受光的高 反射率波長X2的光的受光特性。另外，曲線lb表示在出血部位 的各波長的反射率，直線le表示向什么都不存在的管腔方向發(fā) 出各波長的光的情況下的反射率。如曲線lb所示，在向出血部 位發(fā)出了光的情況下，由于低反射率波長入l的光被出血部位吸 收，因此示出較低的反射率。與此相對地，高反射率波長X2的 光即使在存在出血部位的情況下也反射，因此示出較高的反射 率。因而，在考慮漫反射光以及測量誤差的基礎(chǔ)上攝像元件34 對高反射率波長A2的受光量與低反射率波長X1的受光量相比還 是足夠大的情況下，認為在該反射光進行反射的區(qū)域存在檢測 對象部位。另外，如圖5的直線le所示，由于向不存在物質(zhì)的方向發(fā)出了光的情況下所發(fā)出的光沒有返回，因此無論哪種波長，
反射率都幾乎為o。
因此，抬r觀'J部4 5使用規(guī)定的閾值來進行與檢測對象部位有 關(guān)的檢測，該規(guī)定的閾值是根據(jù)對于檢測對象部位的低反射率 波長的光的反射率和高反射率波長的光的反射率而設(shè)定的閾 值。為了設(shè)定該規(guī)定的閾值，首先，考慮曲線lb上的低反射率 波長X1的光的反射率、曲線lb上的高反射率波長X2的光的反射 率、漫反射光以及測量誤差，設(shè)定能夠判斷為存在檢測對象部 位的可能性高的反射率T1。然后，根據(jù)發(fā)光部32為了發(fā)出高反 射率波長X2而所需的輸出值和反射率T1，使用與發(fā)光部32所發(fā) 出的高反射率波長X2的光中的估計為攝像元件34中進行受光的 高反射率波長X2的受光量對應(yīng)的輸出值。然后，對所求出的輸 出值考慮測量誤差等來設(shè)定規(guī)定的閾值。
檢測部45對圖像中的高反射率波長的光量為規(guī)定的閾值以 上的區(qū)域進行提取來作為有可能包含檢測對象部位的包含區(qū) 域，根據(jù)所提取的包含區(qū)域中的低反射率波長的光量來對檢測 對象部位進行4全測。例如，檢測部45對利用高反射率波長形成 的圖像中的高反射率波長的光量為規(guī)定的閾值以上的區(qū)域進行 提取來作為包含區(qū)域，根據(jù)利用低反射率波長形成的圖像中的 與包含區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的低反射率波長的光量來對檢測對象部 位進行檢測。
接著，參照圖6說明被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)檢測是否存在出血部 位等檢測對象部位的檢測處理。如圖6所示，首先，發(fā)光部32 進行發(fā)光處理，通過該發(fā)光處理發(fā)出低反射率波長的光和高反 射率波長的光(步驟S2)。接著，攝像元件34進行攝像處理，通 過該攝像處理對低反射率波長的光和高反射率波長的光進行受 光來拍攝圖像(步驟S4)。然后，進行發(fā)送處理，通過該發(fā)送處理將由攝像元件3 4拍攝的圖像通過接收裝置2和便攜式記錄介 質(zhì)5發(fā)送到工作站4(步驟S6)。接著，在工作站4中，檢測部45進 行檢測處理，通過該檢測處理對檢測對象部位進行檢測(步驟 S8)。然后，輸出部47進行輸出處理，通過該輸出處理將圖像與 檢測部4中的#全測結(jié)果一起進行顯示并輸出(步驟SIO)。
接著，參照圖7說明圖6示出的檢測處理。如圖7所示，檢測 部45從與由攝像元件34獲取的各波長的受光量有關(guān)的測量結(jié)果 中獲取與高反射率波長對應(yīng)的測量結(jié)果(步驟S12)。即，檢測部 45獲取利用高反射率波長形成的圖像。然后，檢測部45對利用 高反射率波長形成的圖像中的高反射率波長的光量為規(guī)定的閾 值以上的區(qū)域進行提取來作為包含檢測對象部位的可能性高的 區(qū)域(步驟S14)。這是因為能夠判斷出高反射率波長的光量小于 閾值的區(qū)域是光沒有照射到的管腔方向等的部分。接著，檢測 部45從由攝像元件34獲取的測量結(jié)果中獲取與低反射率波長對 應(yīng)的測量結(jié)果(步驟S16)。即，檢測部45獲取利用低反射率波長 形成的圖像。然后，檢測部45根據(jù)利用低反射率波長形成的圖
才企測對象進行檢測(步驟S18)。然后，；險測部45將4企測結(jié)果與進 行了》今測的圖像相對應(yīng)地進行輸出(步驟S 2 0)。
以膠嚢型內(nèi)窺鏡3拍攝圖8所示的被檢體1內(nèi)的區(qū)域S1的情 況為例說明檢測部45的檢測處理。在該區(qū)域S1中包含存在作為 檢測對象部位的出血部位的區(qū)域S2和遠離測量位置的與管腔 方向?qū)?yīng)的區(qū)i或S3。
并且，作為區(qū)域S1的攝像圖像，能夠分別得到圖9的左圖 所示的利用低反射率波長形成的圖像G1和圖9的右圖所示的利 用高反射率波長形成的圖像G2。檢測部45根據(jù)圖像G1和圖像 G 2對檢測對象部位進行檢測。檢測部4 5在圖9所示的步驟S14中如箭頭Y1所示那樣將圖像G2的高反射率波長的受光量為閾值 以下的區(qū)域S12判斷為光不反射的管腔方向的區(qū)域且是不存在 檢觀'J對象的非檢測對象部位而從提取對象中進行排除。然后， 檢測部45提取圖像G2的區(qū)域S12以外的區(qū)域來作為有可能包含 檢測對象部位的包含區(qū)域。在該步驟S14中，能夠排除拍攝了 光沒有照射到的管腔方向等的區(qū)域，并且能夠排除存在具有與 -險測對象不同的光學(xué)特性的部位的區(qū)i 戈。此外，4企測部45也可 以將圖像G2與圖像G1進行比較，檢測出在圖像G2和圖像G1的 任一個圖像中較暗的區(qū)域為非檢測對象部位。
接著，檢測部45判斷圖像G1中的在步驟S14中提取出的區(qū) 域、即與圖像G2中的區(qū)域S12對應(yīng)的區(qū)域S11以外的區(qū)域中是否 存在低反射率波長的光量低的較暗的區(qū)域。圖像G1內(nèi)的區(qū)域 S13是低反射率波長的光量低而較暗的區(qū)域。在該區(qū)域S13中， 在檢測對象是出血部位的情況下，認為被照射的低反射率波長 的光被血液中的血紅蛋白吸收，其結(jié)果不反射。因此，檢測部
部位。此外，檢測部45也可以將圖像G2與圖像G1進行比較，判 斷出在圖像G2中的較亮的區(qū)域和圖像G1中的較暗的區(qū)域中存 在檢測對象部位。另外，在利用高反射率波長形成的各圖像中 不存在光量超過閾值的區(qū)域的情況、即在整體較暗的利用高低 反射率波長形成的圖像連續(xù)的情況并且整體較暗的利用低反射 率波長形成的圖像連續(xù)的情況下，檢測部45檢測出僅在管腔方 向連續(xù)地進行了攝像。另外，在整體較暗的利用高反射率波長 形成的圖像和整體較暗的利用低反射率波長形成的圖像連續(xù)、 且包含較亮的區(qū)域的利用高反射率波長形成的圖像不出現(xiàn)的情 況下，檢測部4 5檢測出有可能由于發(fā)光部3 2的光量不足而變暗。 這樣，實施方式l所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)發(fā)出為了增強顯示作為檢測對象部位的出血部位等而使用的低反射率波長的 光的同時，發(fā)出對于檢測對象部位具有較高的反射率的高反射 率波長的光，根據(jù)高反射率波長的光的受光量來對檢測對象部 位進行檢測。因此，根據(jù)實施方式l，能夠區(qū)分出在利用低反射 率波長形成的圖像中較暗地顯示的區(qū)域是由于血液中的血紅蛋 白等的吸收而變暗、還是由于視場方向為管腔方向而變暗、或
者由于光量不足而變暗，能夠比以往更準(zhǔn)確地;險測出作為4全測 對象部位的出血部位、胂瘤部位。
此外，為了獲取低反射率波長和高反射率波長的光量，只 要發(fā)光部32或攝像元件34發(fā)出低反射率波長的光和高反射率波 長的光、或者對低反射率波長的光和高反射率波長的光進行受 光即可。例如，發(fā)光部32也可以分別具有發(fā)出低反射率波長的 光的LED和發(fā)出高反射率波長的光的LED，攝像元件34是能夠 對低反射率波長和高反射率波長進行受光的同時對其它波長區(qū) 域的光進行受光的攝像元件。另外，發(fā)光部32也可以在具備白 色LED的同時具備僅使低反射率波長透過的濾波器以及僅使高 反射率波長透過的濾波器，從而發(fā)出低反射率波長的光和高反 射率波長的光。另外，攝像元件34也可以具備僅使低反射率波 長透過的濾波器以及僅使高反射率波長透過的濾波器，從而對 低反射率波長的光和高反射率波長的光進行受光。當(dāng)然，也能 夠?qū)l(fā)光部32和攝像元件34都作為發(fā)出低反射率波長的光和高 反射率波長的光并對低反射率波長的光和高反射率波長的光進 行受光的元件，來進一步提高對低反射率波長和高反射率波長 的受光精確度，從而提高檢測處理的精確度。
另外，在實施方式l中，由于能夠使用現(xiàn)有的LED和攝像元 件，因此將415nm至580nm的波長作為低反射率波長進行了說 明，但是只要低反射率波長是對于檢測對象部位反射率較低的頻帶的波長即可。例如，如圖10所示，低反射率波長并不限于
藍色光和綠色光，也可以是在出血部位的反射率較低的近紫外 頻帶的波長;ui、作為黃色光的波長U2。只要根據(jù)考慮了曲線
lb上的低反射率波長Xll、 X12的光的反射率、曲線lb上的高反 射率波長X 2的光的反射率、漫反射光以及測量誤差的值T 2來設(shè) 定在才全測部45的4全測處理中^:用的閾值即可。另夕卜，由于能夠 使用現(xiàn)有的LED和攝像元件，因此將615nm至635nm的波長作為 高反射率波長進行了說明，但是只要高反射率波長是對于檢測 對象部位反射率較高的波長即可，例如也可以是近紅外頻帶的 波長。
另外，在實施方式l中，作為膠嚢型內(nèi)窺鏡，以在開頭部分 設(shè)置透明蓋而對膠嚢型內(nèi)窺鏡3的長度方向進行攝像處理的膠 嚢型內(nèi)窺鏡3為例進行了說明，但是當(dāng)然也可以是如圖ll所示那 樣在側(cè)面設(shè)置發(fā)光部32a和受光部33a而對月交嚢型內(nèi)窺鏡的側(cè)面 方向進行攝像處理的側(cè)視型的膠嚢型內(nèi)窺鏡3a。從發(fā)光部32a 發(fā)出的光L在腸壁39等進行反射，通過被設(shè)置在膠嚢型內(nèi)窺鏡 3a的側(cè)面部的透明蓋31a而由受光部33a進行受光。通過設(shè)為圖 11所示的側(cè)視型的膠嚢型內(nèi)窺鏡3a,由于與^皮斗全體1內(nèi)部之間的 距離變近，因此能夠進行測量強度高且穩(wěn)定的檢測。另外，在 膠嚢型內(nèi)窺鏡3a中，在如膠嚢型內(nèi)窺鏡3a侵入到寬廣的管腔內(nèi) 的情況或膠嚢型內(nèi)窺鏡3a在被檢體l內(nèi)部的方向偏離了的情況 等那樣與被檢體之間的距離變遠的情況下，由于能夠檢測是否 存在檢測對象部位，因此認為是特別實用的膠嚢型內(nèi)窺鏡。
另外，在實施方式l中，對于在工作站4中具備4全測部45的 情況進行了說明，但是并不限于此。例如，也可以如圖12所示 那樣在構(gòu)成接收裝置2的外部裝置7內(nèi)具備^r測部45。外部裝置7 具備4企測部45的同時具備天線選擇部20,其/人接收用天線6a 6h中選擇適于進行接收的天線；接收電路21,其對通過接收 用天線接收到的無線信號進行解調(diào)處理等；信號處理電路22， 其對從接收電路21輸出的信號進行處理，輸出圖像信息；存儲 部23,其存儲通過信號處理電路22進行了處理的圖像；控制部 24,其對這些各結(jié)構(gòu)部位進行控制；以及電力供給部25,其對 各結(jié)構(gòu)部位提供驅(qū)動電力。檢測部45根據(jù)由信號處理電路22輸 出的低反射率波長和高反射率波長的圖像信息來檢測是否存在 檢測對象部位，控制部24使存儲部23將檢測結(jié)果與圖像信息相 對應(yīng)地進行存儲。
另夕卜，也可以如圖13所示那樣在膠嚢型內(nèi)窺鏡3中具備檢測 部45。膠嚢型內(nèi)窺鏡3具備檢測部45的同時具備發(fā)光部32;攝 像元件34;電池37;控制部35a，其對各結(jié)構(gòu)部位進行控制；受 光電路35b，其對由攝像元件34拍攝的圖像信息進行調(diào)制來生成 無線信號；發(fā)光驅(qū)動部35c,其對發(fā)光部32的驅(qū)動狀態(tài)進行控制； 以及天線36，其對從受光電路35b輸出的信號進行無線發(fā)送。控 制部35a、受光電路35b以及發(fā)光驅(qū)動部35c被設(shè)置在處理電路35 內(nèi)。檢測部45從由攝像元件34拍攝的圖像中獲取與檢測對象區(qū) 域?qū)?yīng)的區(qū)域的低反射率波長和高反射率波長的光量來對檢測 對象部位進4亍4企測，控制部35a將檢測結(jié)果與由受光電路35b生 成的無線信號相對應(yīng)地通過天線36發(fā)送到接收裝置2。
另外，在實施方式l中，作為膠嚢型內(nèi)窺鏡以單眼的膠嚢型 內(nèi)窺鏡3為例進行了說明，但是當(dāng)然也可以是如圖14所示的如下 的復(fù)眼的膠嚢型內(nèi)窺鏡3b:在圖中左右雙方的前端部分別設(shè)置 前端透明蓋31 ，與該左右的前端部相對應(yīng)地i殳置多個發(fā)光部32、 透鏡33、攝像元件34。在膠嚢型內(nèi)窺鏡3b中，由于兩個攝像元 件34朝向相反的方向，因此分別拍攝相反的方向。該膠嚢型內(nèi) 窺鏡3b由于能夠通過多個攝像元件34在體腔內(nèi)進行攝像，因此起到如下效果與單眼的膠嚢型內(nèi)窺鏡3相比能夠同時觀察更廣 的區(qū)域，從而提高觀察性。特別是，由于膠嚢型內(nèi)窺鏡3b的兩 個攝像元件34朝向相反的方向，因此能夠同時拍攝膠嚢型內(nèi)窺 鏡3b的前后，能夠有效地觀察更廣的區(qū)域。此外，由于利用透 明蓋覆蓋膠嚢型內(nèi)窺鏡3b的圖中的左右前端，因此在圓筒形狀 的外殼30a內(nèi)裝載膠嚢型內(nèi)窺鏡3b的各結(jié)構(gòu)部件。此外，在圖14 中省略了圖2示出的處理電路35、天線36、電池37的圖示。 (實施方式2)
接著，i兌明實施方式2。在實施方式2中，對提供癥合構(gòu)成膠 嚢型內(nèi)窺鏡的發(fā)光部的各發(fā)光元件的電力量進行調(diào)整來減少在 膠嚢型內(nèi)窺鏡中消耗的電量。圖15是表示實施方式2中的膠嚢型 內(nèi)窺鏡的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖15所示，實施方式2中的膠嚢型內(nèi)窺 鏡203具備LED驅(qū)動部250來代替圖13所示的膠嚢型內(nèi)窺鏡3中 的發(fā)光驅(qū)動部35c,具備控制部235a來代替膠嚢型內(nèi)窺鏡3中的 控制部35a。構(gòu)成發(fā)光部32的LED 320是由分別發(fā)出*見定波長頻 帶的光的多個LED構(gòu)成的LED群。LED驅(qū)動部250對各LED提供 來自電池37的電力來使各LED發(fā)光?？刂撇?35a具有與控制部 35a同樣的功能。并且，控制部235a具有發(fā)光量調(diào)整部240，該 發(fā)光量調(diào)整部240對每個LED控制通過LED驅(qū)動部250提供給各 LED 320的電力量。
首先，為了調(diào)整提供給各LED的電力量，如圖16所示，膠 嚢型內(nèi)窺鏡203以將內(nèi)側(cè)空白的筒狀的帽205安裝在前端部的狀 態(tài)通過規(guī)定輸出4吏LED 320發(fā)光，使透鏡33對在帽205的內(nèi)側(cè)反 射的光進行聚光，使攝像元件34進行受光。發(fā)光量調(diào)整部240 獲取所使用的多個波長間的作為由攝像元件34得到的測量值之 比的白平衡，根據(jù)白平衡的值計算各波長的輸出值為最佳的調(diào) 整值，對提供給各LED的電力量進行控制。發(fā)光量調(diào)整部240通過對提供給各LED的電力量進行控制，將各波長的發(fā)光量調(diào) 整為觀察被檢體l內(nèi)所需的發(fā)光量。例如，對于發(fā)出發(fā)光量相對 較大的波長的光的LED調(diào)整電力供給量使得發(fā)光量下降到合適 的值。另外，發(fā)光量調(diào)整部240也可以才艮據(jù)對于纟企測對象部位的 低反射率波長的光的反射率和高反射率波長的反射率，來對提 供給各LED的電力量進行控制。例如，發(fā)光量調(diào)整部240對于發(fā) 出被檢體l內(nèi)的觀察中所使用的低反射率波長的光的LED控制 電力供給量使得成為能夠確保規(guī)定的攝像精確度的程度的發(fā)光 量。另外，發(fā)光量調(diào)整部240對發(fā)出高反射率波長的光的LED 控制要提供的電力量，將發(fā)光量降低到能夠進行檢測部4 5的檢 測處理的程度、即能夠充分區(qū)分出對于檢測對象部位的高反射 率波長的反射光和漫反射光的程度，來抑制功耗。
接著，作為對提供給LED 320的電力量進行調(diào)整的方法， i兌明對驅(qū)動構(gòu)成LED 320的各LED的電流值進4亍調(diào)整的情況。 圖17是表示圖15所示的膠嚢型內(nèi)窺鏡203的要部的框圖。如圖17 所示，LED驅(qū)動部2504姿分別發(fā)出頭見定的波長的光L 1 Ln的LED 321 32n的每個LED具有電流值設(shè)定部2511 25ln以及驅(qū)動器 2521~252n。電流值設(shè)定部2511 25 ln根據(jù)發(fā)光量調(diào)整部240的 調(diào)整值來對提供給分別通過驅(qū)動器2521 252n連接的LED 321 32n的電流量進行調(diào)整。驅(qū)動器2521 252n將由電流值-沒定 部2511 251n設(shè)定的電流值提供給各自連接的LED 321 32n。其 結(jié)果，LED 321 32n分別發(fā)出與被提供的電力量相應(yīng)的發(fā)光量 的光。LED驅(qū)動部250對電流值設(shè)定部2511 251n以及驅(qū)動器 2521 252n進行控制來控制提供給各LED 321 32n的電流量。
這樣，根據(jù)實施方式2，通過對提供給發(fā)出各波長的光的 LED的電力量進行調(diào)整，能夠?qū)崿F(xiàn)電池容量有限的膠嚢型內(nèi)窺 鏡203的功耗的降低。另外，在實施方式2中，通過將發(fā)出高反射率波長的光所需的電力抑制到能夠進行檢測部4 5的檢測處理 的程度，能夠減少由于高反射率波長的發(fā)光而引起的功耗的增 加。
此外，如圖18所示，對于提供固定電壓的驅(qū)動器也可以通 過增減電流量調(diào)整用的電阻的值來對驅(qū)動各LED的電流值進行 調(diào)整，控制提供給LED的電力量。各LED 321 32n連接到施加 固定電壓的恒壓驅(qū)動器320a上。并且，LED驅(qū)動部250a具備 電阻2531 253n,其分別串聯(lián)連接到各LED 321 32n上，電阻值 可變；以及電阻_沒定部254,其根據(jù)發(fā)光量調(diào)整部240的白平銜-調(diào)整值來調(diào)整電阻2531 253n的電阻值。電阻2531 253n以及電 阻設(shè)定部254利用作為電流量調(diào)整用電阻的電位器等來實現(xiàn)。這 樣，也可以對各LED 321 32n中的電阻值進行調(diào)整，來對提供 給各LED 321 32n的電流量進行調(diào)整。
另夕卜，LED驅(qū)動部250也可以如圖19所示那樣是具有開關(guān) 2551 255n以及電流值設(shè)定部256的LED驅(qū)動部250b。開關(guān) 2551 255n在電流值設(shè)定部256的控制下，對各自連接的LED 321 32n的開啟狀態(tài)以及關(guān)閉狀態(tài)進行切換。電流值設(shè)定部256 對開關(guān)25 51 25 5n以及連接到LED 3 21 3 2n上的恒流驅(qū)動器 320b的電流量進行控制，來控制提供給各LED 321 32n的電力 量。電流值設(shè)定部256通過控制開關(guān)2551 255n，能夠?qū)Ω鱈ED 321 32n中的每個LED選擇是否提供電力，并且通過控制恒流驅(qū) 動器320b所提供的電流值，能夠?qū)ED 321 32n中的每個LED 選擇要提供的電力量。
例如，電流值設(shè)定部256分時地對各LED 321 32n提供電 力。具體地說，如圖20所示，通過將開關(guān)2551 255n分時地i殳 為接通狀態(tài)，來控制各LED 321 32n的發(fā)光時間，從而減少月交 嚢型內(nèi)窺鏡203的功耗。例如，電流值:沒定部256在時間tl t2的期間將連接到LED 321上的開關(guān)2551設(shè)為接通狀態(tài)。在這種情 況下，電流值設(shè)定部2 5 6將恒流驅(qū)動器3 2 0 b的電流值調(diào)整為與發(fā) 光量調(diào)整部240中的LED 321的調(diào)整值相應(yīng)的電流值P1。其結(jié) 果，在時間tl t2的期間，LED 321以與發(fā)光量調(diào)整部240的調(diào)整 值相應(yīng)的發(fā)光量進行發(fā)光。另外，電流值設(shè)定部256在時間t2 t3 的期間將連接到LED 322上的開關(guān)2552設(shè)為接通狀態(tài)，并且將 恒流驅(qū)動器320b的電流值調(diào)整為與發(fā)光量調(diào)整部240中的LED 322的調(diào)整值相應(yīng)的電流值P2。其結(jié)果，在時間t2 t3的期間， LED 322以與發(fā)光量調(diào)整部240的調(diào)整值相應(yīng)的發(fā)光量進行發(fā) 光。
另夕卜，電流值設(shè)定部256也可以與LED 321 32n中的每個 LED相應(yīng)地變更對各LED 321 32n提供電力的期間。具體地說， 如圖21所示，通過在與各LED 321 32n中的每個LED相應(yīng)的期 間將開關(guān)25 51 ~25 5n分別設(shè)為接通狀態(tài)，來控制各LED 321 3 2n 的發(fā)光時間，從而減少膠嚢型內(nèi)窺鏡203的功耗。例如，電流值 i殳定部256在期間Tl的期間將連接到LED 321上的開關(guān)2551設(shè) 為接通狀態(tài)，并且將恒流驅(qū)動器320b的電流值調(diào)整為與發(fā)光量 調(diào)整部240中的LED321的調(diào)整值相應(yīng)的電流值。另夕卜，在期間 Tn的期間將連接到LED 32n的開關(guān)255n設(shè)為接通狀態(tài)，并且將 恒流驅(qū)動器320b的電流值調(diào)整為與發(fā)光量調(diào)整部240中的LED 32n的白平^f調(diào)整值相應(yīng)的電流值。例如，在月交嚢型內(nèi)窺鏡203 在內(nèi)徑較窄的管內(nèi)行進的情況下，膠嚢型內(nèi)窺鏡203的行進方向 的變化較少，因此檢測部45只要能夠以規(guī)定間隔使用由高反射 率波長形成的圖像進行檢測即可。在這種情況下，發(fā)出高反射 率波長的光的LED 321不需要始終發(fā)出高反射率波長的光，例 如只要在圖21的期間Tl的期間以能夠進行檢測部45的檢測處 理的程度的發(fā)光量發(fā)出高反射率波長的光即可。與此相對地，發(fā)出低反射率波長的光的LED 32n在觀察被檢體1內(nèi)所需的期 間Tn的期間以能夠充分觀察被檢體l內(nèi)的發(fā)光量發(fā)出低反射率 波長的光。這樣，發(fā)光量調(diào)整部240也可以根據(jù)對檢測對象部位 的低反射率波長的光的反射率和高反射率波長的光的反射率來 對LED 321 32n中的每個LED設(shè)定發(fā)光時間和發(fā)光量，從而控 制電力供給量。
另外，在實施方式2中，針對在膠嚢型內(nèi)窺鏡203內(nèi)具備發(fā) 光量調(diào)整部240的情況進行了說明，但是并不限于此。例如，在 作為能夠進行雙向通信的祐j企體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的情況下，也可以 如圖22所示那樣在接收裝置202中的外部裝置207的控制部224 內(nèi)具備發(fā)光量調(diào)整部240。在這種情況下，發(fā)光量調(diào)整部240才艮 據(jù)通過天線206a 206h接收到的來自膠嚢型內(nèi)窺鏡的在安裝帽 205時的測量結(jié)果來計算對于各LED的調(diào)整值。然后，接收裝置 202通過天線206a 206h對月交嚢型內(nèi)窺鏡發(fā)送對于各LED的調(diào)整 值。在膠嚢型內(nèi)窺鏡中，LED驅(qū)動部250、 250a、 250b根據(jù)所接 收到的白平衡調(diào)整值來調(diào)整各LED 321 32n的電力供給量，并 控制發(fā)光量。另外，也可以如圖23所示那樣在工作站204中的控 制部241內(nèi)具備發(fā)光量調(diào)整部240。在這種情況下，根據(jù)通過接 收裝置獲取的來自膠嚢型內(nèi)窺鏡的在安裝帽205時的測量結(jié)果 來計算對于各LED的調(diào)整值。然后，工作站204通過接收裝置對 膠嚢型內(nèi)窺鏡發(fā)送對于各LED的調(diào)整值。
(實施方式3)
接著，說明實施方式3。在實施方式3中，J吏^茲性引導(dǎo)系統(tǒng) 與實施方式1或?qū)嵤┓绞?所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)組合，從 膠嚢型內(nèi)窺鏡外部提供磁場，在發(fā)現(xiàn)檢測對象部位的情況下， 能夠向檢測對象部位所處的方向改變膠嚢型內(nèi)窺鏡的朝向、或 者使膠嚢型內(nèi)窺鏡自身靠近，以此引導(dǎo)膠嚢型內(nèi)窺鏡。此外，在實施方式3中，以對實施方式1或?qū)嵤┓绞?中的膠嚢型內(nèi)窺鏡 中的實施方式l中的膠嚢型內(nèi)窺鏡應(yīng)用磁性引導(dǎo)系統(tǒng)的情況為 例進行說明。
圖24是表示實施方式3中的膠嚢型內(nèi)窺鏡的結(jié)構(gòu)的概要圖。 如圖24所示，實施方式3中的膠嚢型內(nèi)窺鏡303與圖2所示的膠嚢 型內(nèi)窺鏡3相比具有如下結(jié)構(gòu)在內(nèi)部還具備引導(dǎo)用的永久磁鐵 338。該永久磁鐵338在從外部被提供磁場的情況下按照該磁場 的朝向而改變朝向，因此隨著該永久磁鐵338的朝向的變更，膠 嚢型內(nèi)窺鏡303自身也改變方向。另外，永久》茲4失338在從外部 被提供磁場的情況下，通過該磁場變更位置來行進。因此，隨 著該永久》茲鐵338的位置的變更，力交嚢型內(nèi)窺鏡303自身也變更 位置來行進。
接著，說明實施方式3所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的概要結(jié) 構(gòu)。圖25是實施方式3所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的概要圖，圖 2 6是用于說明圖2 5所示的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)的圖。
如圖25所示，實施方式3所涉及的^^皮檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)與圖1 所示的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)相比還具有亥姆霍茲線圈單元371X、 371Y、 371Z以及亥姆霍茲線圈驅(qū)動器372X、 372Y、 372Z,其 中，上述亥姆霍茲線圈單元371X、 371Y、 371Z被配置在膠嚢型 內(nèi)窺鏡303的動作范圍的外部，上述玄姆霍茲線圈驅(qū)動器372X、 372Y、 372Z對分別提供給各亥姆霍茲線圏單元371X、 371Y、 371Z的電流進行;故大控制。該亥姆霍茲線圈單元371X、 371Y、 371Z分別從X、 Y、 Z軸方向產(chǎn)生對膠嚢型內(nèi)窺銷:303進行驅(qū)動 的平行磁場。換言之，玄姆霍茲線圈單元371X、 371Y、 371Z 產(chǎn)生作用于膠嚢型內(nèi)窺鏡303的永久磁鐵338的引導(dǎo)用磁場。
亥姆霍茲線圈單元371X、 371Y、 371Z如圖26所示那樣被形 成為大致矩形形狀。玄姆霍茲線圈單元371X、 371Y、 371Z具備相向的三對亥姆霍茲線圈單元371X、 371Y、 371Z,并且各對玄 姆霍茲線圈單元371X、 371Y、 371Z^:配置成相對于圖25示出的 X、 Y、 Z軸大致垂直。亥姆霍茲線圈單元371X、 371Y、 371Z ^l配置成相對于X、 Y、 Z軸大致垂直。亥姆霍茲線圈單元371X ^皮配置成相對于X軸大致垂直，亥姆霍茲線圈單元371Y被配置 成相對于Y軸大致垂直，亥姆霍茲線圈單元371Z^皮配置成相對 于Z軸大致垂直。玄姆霍茲線圈驅(qū)動器3 72X控制亥姆霍茲線圈 單元371X,亥姆霍茲線圈驅(qū)動器372Y控制亥姆霍茲線圈單元 371Y,亥姆霍茲線圈驅(qū)動器372Z控制亥姆霍茲線圈單元371Z。 另外，亥姆霍茲線圏單元371X、 371Y、 371Z被配置成在其 內(nèi)部形成大致長方體狀的空間S。空間S如圖25所示那樣成為膠 嚢型內(nèi)窺鏡303的動作空間，并且如圖26所示那樣還成為配置被 才全體1的空間。
并且，實施方式3所涉及的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)具備旋轉(zhuǎn)磁場 控制電路373以及輸入裝置374,其中，上述旋轉(zhuǎn)磁場控制電路 373對作為用于驅(qū)動膠嚢型內(nèi)窺鏡303的引導(dǎo)用磁場的平行磁場 的方向進行控制，上述輸入裝置374將通過手術(shù)操作者的輸入操 作而輸入的膠嚢型內(nèi)窺鏡3 0 3的行進方向輸出到旋轉(zhuǎn)磁場控制 電路373。
在該^皮才全體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)中，旋轉(zhuǎn)》茲場控制電路373控制平行 磁場的方向來滿足從輸入裝置374輸入的行進方向，亥姆霍茲線 圏馬區(qū)動器372X、 372Y、 372Z^f吏玄姆霍茲纟戔圏單元371X、 371Y、 3 71Z分別產(chǎn)生由旋轉(zhuǎn)石茲場控制電路3 7 3所控制的方向的平行磁 場。其結(jié)果，由于被裝載在膠嚢型內(nèi)窺鏡303中的永久^t鐵338 的朝向等隨著被提供的平行磁場而改變，因此膠嚢型內(nèi)窺鏡3 0 3 自身的朝向、行進方向也隨其改變。
這樣，在實施方式3中，通過對作用于被裝載在膠囊型內(nèi)窺鏡303中的永久磁鐵的磁場的方向進行控制，能夠控制作用于磁 鐵的力的方向，并能夠?qū)δz嚢型內(nèi)窺鏡303的朝向、移動方向進 行控制。因此，根據(jù)實施方式3，在發(fā)現(xiàn)了4全測對象部位的情況 下，能夠向檢測對象部位所處的方向改變膠嚢型內(nèi)窺鏡的朝向、 或者使膠嚢型內(nèi)窺鏡自身靠近，因此能夠更好地觀察檢測對象部位。
此外，在本實施方式3中，以三軸的亥姆霍茲線圏單元 371X、 371Y、 371Z為例進行了說明，但是也無需嚴格地滿足亥 姆霍茲線圈的條件，例如線圏除了圓形之外也可以是大致四角 形。另外，相向的線圈的間隔只要在滿足本實施方式3的功能的 范圍內(nèi)就可以不符合亥姆霍茲線圈的條件。
另外，在實施方式1 3中，針對將膠嚢型的內(nèi)窺鏡導(dǎo)入到 被檢體l內(nèi)的情況進行了說明，但是當(dāng)然也能夠如圖27所示那樣 應(yīng)用于將導(dǎo)入部303導(dǎo)入到被;險體1內(nèi)的情況，其中，上述導(dǎo)入
統(tǒng)332以及揭J象元件344,以有線方式與工作站304連接。這種情 況也同樣地，通過具備4企測部45以及控制部341內(nèi)的發(fā)光量調(diào)整 部240 ，能夠比以往更準(zhǔn)確地4全測出作為4全測對象部位的出血部 位、肺瘤部位，并且能夠減少功^^。 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
如上所述，本發(fā)明用于對被檢體內(nèi)的檢測對象部位進行增 強顯示的祐j全體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，特別適用于實現(xiàn)了正確的才全測部 位的檢測和省電化的情況。
權(quán)利要求
1.一種被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，拍攝被檢體內(nèi)的圖像，其特征在于，具備被檢體內(nèi)導(dǎo)入裝置，其具有發(fā)光單元和攝像單元，該發(fā)光單元對根據(jù)檢測對象而具有規(guī)定的光學(xué)特性的檢測對象部位至少發(fā)出反射率低的低反射率波長的光和反射率高的高反射率波長的光，該攝像單元至少對上述低反射率波長的光和上述高反射率波長的光進行受光來拍攝上述圖像；以及檢測單元，其根據(jù)上述圖像中的與上述被檢體內(nèi)的檢測對象區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的上述高反射率波長的光量和上述低反射率波長的光量，對上述檢測對象區(qū)域的上述檢測對象部位進行檢測。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于， 上述檢測單元對上述圖像中的上述高反射率波長的光量為規(guī)定的閾值以上的區(qū)域進行提取來作為有可能包含上述檢測對 象部位的包含區(qū)域，根據(jù)所提取的上述包含區(qū)域的上述低反射 率波長的光量來#全測上述4企測對象部位。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于， 上述檢測單元對利用上述高反射率波長形成的圖像中的上述高反射率波長的光量為上述規(guī)定的闊值以上的區(qū)域進行提取 來作為上述包含區(qū)域，根據(jù)利用上述低反射率波長形成的圖像才全測上述4企測對象部位。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于， 根據(jù)對于上述檢測對象部位的上述低反射率波長的光的反射率和上述高反射率波長的光的反射率，設(shè)定上述規(guī)定的閾值。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于， 上述 一企測對象部位是出血部位。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于，上述高反射率波長是615nm至635nm中的任一個。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于， 還具備圖像處理單元，其對上述圖像進行處理；以及 顯示單元，其對包含由上述圖像處理單元處理后的圖像的信息進行顯示，其中，上述圖像處理單元進行增強處理，該增強處理使上 述檢測對象部位增強。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特;f正在于， 在上述被4全體內(nèi)導(dǎo)入裝置的側(cè)面具備上述發(fā)光單元和上述攝像單元。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于， 上述被檢體內(nèi)導(dǎo)入裝置具備至少兩個上述攝像單元以及至少兩個上述發(fā)光單元，兩個上述攝像單元分別拍攝相反的方向。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于， 上述發(fā)光單元至少具有發(fā)出上述低反射率波長的光的發(fā)光元件以及發(fā)出上述高反射率波長的光的發(fā)光元件。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于于上述發(fā)光元件是LED。
12.才艮據(jù)權(quán)利要求10所述的被才企體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在上述被檢體內(nèi)導(dǎo)入裝置具備 驅(qū)動單元，其以及控制單元，其對各發(fā)光元件中的每個發(fā)光元件控制由上述 驅(qū)動單元提供的電力量。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于，上述驅(qū)動單元具備電流量調(diào)整單元，該電流量調(diào)整單元對 提供給上述發(fā)光元件的電流量進行調(diào)整，上述控制單元控制上述電流量調(diào)整單元來對提供給各發(fā)光 元件的電流量進行控制。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于，上述驅(qū)動單元具備電力供給選擇單元，該電力供給選擇單 元能夠?qū)Ω靼l(fā)光元件中的每個發(fā)光元件分別選擇是否提供電 力，上述控制單元控制上述電力供給選擇單元來控制提供給各 發(fā)光元件的電力量。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于，上述電力供給選擇單元能夠選擇是否對各發(fā)光元件提供電 力量。
16. 才艮據(jù)沖又利要求14所述的被#全體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于，上述電力供給選4奪單元與每個上述發(fā)光元件相應(yīng)地變更對 各發(fā)光元件提供電力的期間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于，上述電力供給選擇單元分時地對各發(fā)光元件提供電力。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于，上述控制單元根據(jù)對于上述檢測對象部位的低反射率波長 的光的反射率和對于上述檢測對象部位的高反射率波長的光的 反射率，對提供給各發(fā)光元件的電力量進行控制。
19. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的被4企體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于，上述控制單元根據(jù)白平衡的值對提供給各發(fā)光元件的電力 量進行控制。
20. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)，其特征在于， 上述被檢體內(nèi)導(dǎo)入裝置還具有引導(dǎo)用的永久磁鐵， 還具備引導(dǎo)用磁場產(chǎn)生單元，其產(chǎn)生作用于上述永久磁鐵的引導(dǎo) 用萬茲場；以及引導(dǎo)用磁場方向控制單元，其對上述引導(dǎo)用磁場的方向進 行控制。
全文摘要
本發(fā)明在拍攝被檢體內(nèi)的圖像的被檢體內(nèi)導(dǎo)入系統(tǒng)中具備膠囊型內(nèi)窺鏡，其具有發(fā)光部和攝像元件，該發(fā)光部對根據(jù)檢測對象而具有規(guī)定的光學(xué)特性的檢測對象部位至少發(fā)出反射率低的低反射率波長的光和作為反射率高的波長的高反射率波長的光，該攝像元件至少對低反射率波長的光和高反射率波長的光進行受光來拍攝圖像；以及檢測部(45)，其根據(jù)圖像中的作為檢測是否存在檢測對象部位的對象的與被檢體內(nèi)的檢測對象區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的高反射率波長的光量和低反射率波長的光量，對檢測對象區(qū)域的檢測對象部位進行檢測。
文檔編號A61B1/00GK101621956SQ20088000579
公開日2010年1月6日 申請日期2008年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月22日
發(fā)明者佐藤良次, 折原達也, 健 森, 河野宏尚 申請人:奧林巴斯醫(yī)療株式會社;奧林巴斯株式會社