1.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：
工序(A)，在碳化硅基板上形成碳化硅的外延膜；
工序(B)，以對(duì)所述外延膜的表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨的方式進(jìn)行平坦化處理直到算數(shù)平均表面粗糙度Ra成為0.3nm以下為止；
工序(C)，使所述外延膜的表面熱氧化而形成犧牲氧化膜；
工序(D)，除去所述犧牲氧化膜；以及
工序(E)，利用去離子水對(duì)外延膜的經(jīng)除去所述犧牲氧化膜的表面進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，通過化學(xué)機(jī)械研磨，使所述工序(A)中使用的碳化硅基板平坦化為算數(shù)平均表面粗糙度Ra為1nm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述工序(B)中，所述外延膜的研磨量為0.3μm以上且1μm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述工序(C)中，所述犧牲氧化膜的厚度為20nm以上且100nm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述工序(C)中，所述犧牲氧化膜的形成溫度為800℃以上且1350℃以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述工序(D)中，利用含有氫氟酸的水溶液來除去所述犧牲氧化膜。
7.一種通過權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)記載的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法制造而成的碳化硅半導(dǎo)體裝置。