專利名稱：清洗系統(tǒng)上的噴射裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體領域的化學機械研磨(CMP)后的清洗制程，具體地說， 涉及一種用于CMP后晶圓清洗系統(tǒng)上的噴射裝置。
背景技木
晶圓經過CMP制程后需要進行清洗才能進入下一制程。晶圓的清洗制程是 在CMP機臺的清洗系統(tǒng)上進行的。清洗系統(tǒng)包括清洗槽以及安裝于清洗槽內兩 個滾筒毛刷和噴射裝置?，F有技術中的噴射裝置包括位于兩個滾筒毛刷上方的 兩個噴射管，用于向晶圓正面和背面噴灑清洗液。圖l和圖2分別為現有噴射 裝置1的俯視示意圖和剖視示意圖。該噴射裝置1包括噴射管13、 14分別位于 晶圓100的兩側。液體管ll、 12分別為噴射管13、 14提供清洗液。噴射管13、 14上分別設有三個噴嘴130、 140,以在晶圓1的正面和背面噴灑清洗液。清洗 時，滾筒毛刷配合著噴灑的清洗液清洗晶圓的正面和背面。
噴射裝置1雖然可以向晶圓的正面和背面噴射清洗液，但是無法有效地噴 灑到晶圓的邊緣，滾筒毛刷也不容易清洗到晶圓的邊緣。這樣，在后續(xù)的淀積 薄膜的制程中，由于晶圓的邊緣存在殘留雜質，導致淀積在晶圓邊緣的薄膜容 易脫落,部分落到晶圓中心部分的器件上，最終影響其電學性能，降低了晶圓 的良率。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明解決的技術問題在于提供一種清洗系統(tǒng)上的噴射裝置， 其可有效提高清洗晶圓的潔凈程度。
為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種新的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置。該 噴射裝置包括第一噴射管和第二噴射管，所述第一、第二噴射管上分別設有數
個噴嘴，以分別在晶圓的正面和背面噴射清洗液；所述噴射裝置還包括第三噴 射管，所述第三噴射管設有對晶圓邊緣噴射清洗液的噴嘴。
進一步地，第三噴射管上噴嘴的開口方向與第一噴射管和第二噴射管上噴嘴的開口方向垂直。
進一步地，所述噴射裝置包括分別對所述第一噴射管、第二噴射管和第三
噴射管提供清洗液的第一液體管、第二液體管和第三液體管；其中第三液體管 連接至第二液體管上；或者第三液體管是單獨的輸送管道，這樣第三液體管輸 送的清洗液是可以與晶圓表面殘留物發(fā)生化學反應的化學液，第一液體管、第 二液體管輸送的清洗液是去離子水。
進一步地，所述第三噴射管設有控制清洗液流量的調節(jié)閥。 與現有技術相比，本發(fā)明所述的噴射裝置不僅設置了噴灑晶圓正面和背面 的噴射管，還設置了噴灑晶圓邊緣的噴射管，有效地清除了晶圓邊緣的殘留雜 質，減少了在后續(xù)制程中出現薄膜脫落的現象。


圖1為現有噴射裝置的俯視示意圖。
圖2為圖1沿A-A方向的剖視示意圖。
圖3為本發(fā)明第一實施例描述的噴射裝置的俯視示意圖。
圖4為圖3沿B-B方向的剖^f見示意圖。
圖5為本發(fā)明第二實施例描述的噴射裝置的俯視示意圖。
具體實施例方式
以下結合附圖對本發(fā)明提供的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置的較佳實施例作詳細 描述，以期進一步理解發(fā)明的技術方案、目的以及有益效果等。
請參閱圖3并結合圖4，第一實施例的噴射裝置2包括位于晶圓100上方兩 側的第一噴射管23和第二噴射管24。第一、第二噴射管23、 24上分別設有均 勻間隔設置的三個噴嘴230、 240，用于對晶圓100的正面和背面噴灑清洗液。 噴射裝置2通過第一液體管21和第二液體管22分別為第一噴射管23和第二噴 射管24提供清洗液，所述清洗液可以是去離子水，也可以是與晶圓表面的殘留 雜質反應的化學液。
所述噴射裝置2還設有向晶圓100邊緣噴灑清洗液的第三噴射管26，其通 過第三液體管25使用第二液體管22中的清洗液。所述第三噴射管26與第三液 體管25連接的一端安裝有流量調節(jié)閥262來控制清洗液的流量，以避免流量過大，影響第二噴射管24對晶圓背面的噴灑效果。所述流量調節(jié)閥262可以通過 一個空氣閥來實現。第三噴射管26的另一端通過4妄頭261安裝有一個噴嘴，其 為一個氟素樹脂(PFA)管260。所述PFA管260的開口方向與上述噴嘴230、 240的開口方向垂直。PFA管260向晶圓100正面的邊緣部分噴灑清洗液，通過 清洗液的沖洗和晶圓IOO的本身的旋轉將晶圓100邊緣的殘留雜質去除。需要 指出的是，本發(fā)明提到的晶圓邊緣是指晶圓的最大直徑的邊至噴嘴230、 240所 噴灑到的最外側的邊之間的環(huán)形區(qū)域。
圖5為本發(fā)明第二實施例噴射裝置3的俯視示意圖。該噴射裝置3與噴射 裝置2基本相同，不同的是，第三液體管35是單獨的輸送管道，不與第二液體 管32連接。采用噴射裝置3可以實現使用不同的清洗液清洗。也就是說，第一 液體管31和第二液體管32可以輸送去離子水，而第三液體管輸送化學液，這 樣第三噴射管36噴灑的化學液與晶圓邊緣的殘留雜質發(fā)生反應，反應后的溶液 通過晶圓IOO的旋轉甩出，從而將晶圓100邊緣(尤其是晶圓IOO正面的邊緣) 清洗干凈，相較直接用去離子水沖洗，進一步提高晶圓的潔凈程度。
從圖3和圖5可知，本發(fā)明提供的實施例中描述的第三噴灑管是對準晶圓 正面邊緣的，可以理解的是，本發(fā)明還可以再設置一個噴灑管是對準晶圓背面 邊緣的，或者將噴灑管的噴嘴加大，使其不僅可以噴灑到晶圓正面邊緣，也可 以噴灑到晶圓背面邊緣，也屬于本發(fā)明的內容。
相較現有技術，本發(fā)明通過增加一個噴射管對晶圓的邊緣進行清洗，提高 了晶圓的潔凈程度，有效地避免了因雜質殘留導致后續(xù)制程中薄膜脫落的現象。
上述描述僅是對本發(fā)明幾種較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何 限定，本發(fā)明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，例 如，兩種實施例中的第三噴射管和PFA管還可以采用可隨意調整角度軟管實現， 均屬于權利要求書的保護范圍。
權利要求
1.一種清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，所述噴射裝置包括第一噴射管和第二噴射管，所述第一、第二噴射管上分別設有數個噴嘴，以分別在晶圓的正面和背面噴射清洗液，其特征在于，所述噴射裝置還包括第三噴射管，所述第三噴射管設有對晶圓邊緣噴射清洗液的噴嘴。
2. 如權利要求1所述的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，其特征在于，第三噴射管上噴 嘴的開口方向與第一噴射管和第二噴射管上噴嘴的開口方向垂直。
3. 如權利要求1所述的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，其特征在于，所述噴射裝置包 括分別對所述第一噴射管、第二噴射管和第三噴射管提供清洗液的第一液體管、 第二液體管和第三液體管；其中第三液體管連接至第二液體管上。
4. 如權利要求1所述的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，其特征在于，所述噴射裝置包 括分別對所述第一噴射管、第二噴射管和第三噴射管提供清洗液的第 一液體管、 第二液體管和第三液體管；其中第三液體管輸送的清洗液是可以與晶圓表面殘 留物發(fā)生化學反應的化學液，第一液體管、第二液體管輸送的清洗液是去離子 水。
5. 如權利要求3或者4所述的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，其特征在于，所述第三 噴射管設有控制清洗液流量的調節(jié)閥。
6. 如權利要求5所述的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，其特征在于，所述調節(jié)閥是空 氣閥。
7. 如權利要求1所迷的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，其特征在于，所述第三噴射管 由可調節(jié)噴嘴角度的軟管制成。
8. 如權利要求1所述的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，其特征在于，第一噴射管和第 二噴射管上分別設有三個噴嘴，第三噴射管上設有一個噴嘴。
9. 如權利要求1所述的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，其特征在于，所述第三噴射管 的噴嘴開口對準晶圓的正面邊緣。
10. 如權利要求1所述的清洗系統(tǒng)上的噴射裝置，其特征在于，所述第三噴射管 的噴嘴采用的是氟素樹脂管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種清洗系統(tǒng)上的噴射裝置。該噴射裝置包括第一噴射管和第二噴射管，所述第一、第二噴射管上分別設有數個噴嘴，以分別在晶圓的正面和背面噴射清洗液；所述噴射裝置還包括第三噴射管，所述第三噴射管設有對晶圓邊緣噴射清洗液的噴嘴。與現有技術相比，本發(fā)明所述的噴射裝置不僅設置了噴灑晶圓正面和背面的噴射管，還設置了噴灑晶圓邊緣的噴射管，有效地清除了晶圓邊緣的殘留雜質，減少了在后續(xù)制程中出現薄膜脫落的現象。
文檔編號B08B13/00GK101590474SQ200810038388
公開日2009年12月2日 申請日期2008年5月30日 優(yōu)先權日2008年5月30日
發(fā)明者陳肖科 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司