專利名稱：混合酸清潔組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及混合酸清潔組件，更具體地涉及用于清潔網(wǎng)狀電極的混合酸清潔組件。
背景技術(shù)：
本公開總體上涉及用于清潔在等離子處理系統(tǒng)中用作激勵(lì)電極的網(wǎng)狀電極的氣體通道的混合酸組件。雖然本公開的范圍不限于特定類型的網(wǎng)狀電極或待清潔的網(wǎng)狀電極已使用的背景條件，但基于說明的目的，本發(fā)明中的混合酸組件參照單硅系電極進(jìn)行了說明，該單硅系電極具有圓盤形狀，帶有同心布置的氣體通道。實(shí)踐本發(fā)明所描述的實(shí)施方式就會(huì)發(fā)現(xiàn):這里所提出的混合酸組件中的一些將可以有利地用于各種類型的電極和非電極的情形中。圖1示出了耦合到具有圓盤形狀的網(wǎng)狀電極的混合酸組件。圖3示出了網(wǎng)狀電極的分解圖。關(guān)于類似于圖1和3中的網(wǎng)狀電極和電極組件的結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步教導(dǎo)可以在USPub.N0.2007/0068629,N0.2007/0235660 和 N0.2007/0284246 等文件中找到。其中的有關(guān)部分通過引用并入本文。其他的相關(guān)教導(dǎo)可以在美國專利N0.6，073, 577，N0.6，148，765，N0.6，194，322，N0.6，245，192，N0.6，376，385 和 US Pub.N0.2005/0241765 中找到。

發(fā)明內(nèi)容
在一種實(shí)施方式中，一種清潔組件可以包括模塊化電極密封殼體、酸注入口和流體注入口。該模塊化電極密封殼體可以包括含有第一清潔空間的高壓封閉件和含有第二清潔空間的低壓封閉件。該酸注入口可以形成于該高壓封閉件中，并能與該高壓封閉件中的第一清潔空間流體連通。該酸注入口可以將酸性溶液供給到該高壓封閉件中的第一清潔空間中。該流體注入口可以形成于該低壓封閉件中，并能與該低壓封閉件中的第二清潔空間流體連通。該流體注入口可以將純化水注入到該低壓封閉件中的第二清潔空間中。在正常操作過程中，可以將網(wǎng)狀電極密封在該模塊化電極密封殼體內(nèi)，使得第一清潔空間位于該網(wǎng)狀電極的第一側(cè)，并且第二清潔空間位于該網(wǎng)狀電極的第二側(cè)。該高壓封閉件中的第一清潔空間能夠以比該低壓封閉件中的第二清潔空間相對(duì)較高的壓強(qiáng)運(yùn)行。在另一種實(shí)施方式中，一種清潔組件可以包括模塊化電極密封殼體、酸注入口、流體注入口、第二流體注入口、圓錐形噴射件以及液體分散件。該模塊化電極密封殼體可以包括含有第一清潔空間的高壓封閉件和含有第二清潔空間的低壓封閉件。該酸注入口可以形成于該高壓封閉件中，并能與該高壓封閉件中的第一清潔空間流體連通。該酸注入口可以將酸性溶液供給到該高壓封閉件中的第一清潔空間中。該流體注入口可以形成于該低壓封閉件中，并能與該低壓封閉件中的第二清潔空間流體連通。該第二流體注入口可以形成于該高壓封閉件中，并能與該高壓封閉件中的第一清潔空間流體連通。該圓錐形噴射件可以包括錐形件，該錐形件具有比該錐形件的頂端相對(duì)較大的基座。多個(gè)孔可以穿過該錐形件形成并設(shè)置在多個(gè)同心環(huán)中。該液體分散件可以包括其中形成有中央流道的圓柱體。多個(gè)液體出口可以形成于該圓柱體中。該多個(gè)液體出口中的每一個(gè)可以是基本呈線性的管道，該管道從該中央流道向外徑向延伸。該流體注入口可以與該圓錐形噴射件流體連通，使得該圓錐形噴射件通過該圓錐形噴射件的多個(gè)孔將純化水注入到該低壓封閉件中的第二清潔空間中。該第二流體注入口可以與該液體分散件流體連通，使得該液體分散件通過該液體分散件的多個(gè)液體出口將純化水注入到該高壓封閉件中的第一清潔空間中。在正常操作過程中，可以將網(wǎng)狀電極密封在該模塊化電極密封殼體內(nèi)，使得第一清潔空間位于該網(wǎng)狀電極的第一側(cè)，并且第二清潔空間位于該網(wǎng)狀電極的第二側(cè)。


本公開的下述具體實(shí)施方式
的詳細(xì)說明在結(jié)合下述附圖閱讀時(shí)將更好理解，其中類似的結(jié)構(gòu)用類似的參考數(shù)字標(biāo)明，并且其中:圖1根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了混合酸清潔組件；圖2根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了一種混合酸清潔組件的橫截面；圖3根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了一種混合酸組件的分解圖；圖4根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了一種混合酸清潔組件；圖5根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了一種圓錐形噴射件；圖6A-6B根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了一種氣體分散件；圖7A-7B根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了一種液體分散件；圖8-9根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了一種混合酸清潔組件；圖10根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了一種混合酸清潔組件的夾緊叉和凸緣件的橫截面視圖；并且圖11根據(jù)本發(fā)明所示出和說明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示意性地描繪了一種用于混合酸清潔的方法。
具體實(shí)施例方式如上面所指出的，本發(fā)明涉及清潔組件，該清潔組件可以用于在最初制造和/或翻新例如但不限于硅系電極等電極后的清潔。本公開的構(gòu)思不應(yīng)限于特定的電極或電極組件結(jié)構(gòu)。因此，可以用本發(fā)明所描述的實(shí)施方式清潔或翻新電極、多部件電極組件的內(nèi)電極和外電極。此外，可以如本發(fā)明所述，清潔或翻新具有背襯板的電極，該背襯板與該電極的硅基部分連結(jié)。參照?qǐng)D1，清潔組件100包括用于至少部分地包圍網(wǎng)狀電極110的模塊化電極密封殼體10。模塊化電極密封殼體10可以位于可密封腔室102內(nèi)，可密封腔室102定義了包繞模塊化電極密封殼體10的內(nèi)部空間104。可密封腔室102的內(nèi)部空間104的環(huán)境條件可以隔離，使得可以控制在正常操作期間從模塊化電極密封殼體10逸出的任何氣體。具體而言，可密封腔室102可以與氣體入口 106和氣體入口 108流體連通，氣體入口 106供應(yīng)基本上沒有腐蝕性氣體的空氣，氣體出口 108可運(yùn)行以去除從模塊化電極密封殼體10中逸出的任何氣體。值得注意的是，本文所用的短語“流體連通”，意指流體從一個(gè)物體到另一個(gè)物體的流動(dòng)，其可以包括，例如，可壓縮和不可壓縮流體的流動(dòng)。現(xiàn)在參考圖2，模塊化電極密封殼體10包括含有第一清潔空間22的高壓封閉件
20。具體而言，第一清潔空間22可以是在高壓封閉件20中形成的腔。第一清潔空間22可以由高壓封閉件20內(nèi)形成的深度限定壁24限定。在一些實(shí)施方式中，第一清潔空間22可以包括多個(gè)部分，每個(gè)部分具有不同的外邊界。具體而言，第一清潔空間22可以包括第一部分26和第二部分28。第一清潔空間22的第一部分26可以由第一外壁30限定。類似地，第一清潔空間22的第二部分28可以由第二外壁32限定。在圖2所示的實(shí)施方式中，第一部分26和第二部分28中的每一個(gè)可以包圍不同大小的空間。具體而言，第一部分26可以比第二部分28包圍相對(duì)較小的空間。因此，搭接限定壁34可以形成在第一外壁30和第二外壁32之間的過渡處，第一外壁30和第二外壁32形成于高壓封閉件20中。應(yīng)注意，盡管第一清潔空間22的第一部分26和第二部分28被描述為基本呈圓柱狀，但第一清潔空間22的第一部分26和第二部分28可以是適于與網(wǎng)狀電極110的所需的待清潔的部分保持吻合的任何形狀。現(xiàn)在參考圖3，網(wǎng)狀電極110通常用于處理等離子體處理設(shè)備中的襯底。網(wǎng)狀電極110可以是單件式的、圓形的網(wǎng)狀電極，或者是多組件的圓形的網(wǎng)狀電極的一部分，該多組件的圓形的網(wǎng)狀電極可以包括圓形的中央電極和一個(gè)或多個(gè)繞中央電極的周緣布置的外圍電極。網(wǎng)狀電極110包括具有多個(gè)氣體通道116的第一側(cè)112和第二側(cè)114,多個(gè)氣體通道116穿過網(wǎng)狀電極110而形成，并且從第一側(cè)112延伸到第二側(cè)114。網(wǎng)狀電極可以由包含有下述物質(zhì)的材料或者由下述物質(zhì)組成的材料制成:硅(例如，單晶硅或多晶硅)、氮化硅、碳化硅、碳化硼、氮化鋁、氧化鋁或這些物的組合物。模塊化電極密封殼體10包括含有第二清潔空間42的低壓封閉件40。具體而言，低壓封閉件40形成第二清潔空間42的外邊界的至少一部分。在一些實(shí)施方式中，低壓封閉件40可以包括外圍支撐區(qū)域44、流體收集表面46、和一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48，它們相互配合以形成第二清潔空間42的外邊界的至少一部分。外圍支撐區(qū)域44繞流體收集表面46和一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48形成?？梢赃@樣形成低壓封閉件40，使得相對(duì)于流體收集表面46，外圍支撐區(qū)域44被舉高。因此，流體收集表面46相對(duì)于外圍支撐區(qū)域44會(huì)是凹陷的。在一些實(shí)施方式中，出口通道50可以與第二清潔空間42流體連通。在進(jìn)一步的實(shí)施方式中，出口通道50可以穿過低壓封閉件40的流體收集表面46形成，使得出口通道50沿流體收集表面46基本居中。一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48可以從流體收集表面46突出，使得一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48相對(duì)于流體收集表面46 (例如,相對(duì)于Y-軸方向偏移)被舉高。因此，該一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48和外圍支撐區(qū)域44可以配合，以定義形成于低壓封閉件40中的凹陷區(qū)域。因此，第二清潔空間42中的部分可以由該凹陷區(qū)域定義，該凹陷區(qū)域由低壓封閉件40的外圍支撐區(qū)域44、流體收集表面46、和一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48限定。因此，第二清潔空間42可以被配置成作為盆來運(yùn)行，該盆收集清潔過程中的流體，以便經(jīng)由出口通道50去除。在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48中的每一個(gè)可以從外圍支撐區(qū)域44朝向低壓封閉件40的中央延伸。具體而言，圖3所描繪的實(shí)施方式包括一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48中的4個(gè)，其設(shè)置成使得一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48中的每一個(gè)形成基本呈“X”形的圖案中的一個(gè)分支。外圍支撐區(qū)域44和一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48可以形成上支撐表面52。上支撐表面52可以是基本為平面的表面(例如，描繪為圖3中的X-Z平面)，其被配置防止例如沿Y方向偏轉(zhuǎn)。應(yīng)注意，盡管一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48在圖3中被描繪成基本呈線性的突起物，但一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48可以是適于在清潔組件100的操作過程中支撐網(wǎng)狀電極110的任何形狀，例如，但不限于，基本呈圓弧狀的件。此外，本發(fā)明所描述的實(shí)施方式可以包括適于在清潔組件100的操作期間支撐網(wǎng)狀電極110任何數(shù)量的一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件48。仍參考圖3，模塊化電極密封殼體10可以包括電極載體板60，其被配置為支撐網(wǎng)狀電極110,同時(shí)與低壓封閉件40接觸。電極載體板60包括外圍電極接觸部62、一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64、以及環(huán)形電極接觸脊66。外圍電極接觸部62可以環(huán)繞一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64和環(huán)形電極接觸脊66形成。具體而言，在圖3所示的實(shí)施方式中，外圍電極接觸部62是基本呈環(huán)形的部分，該環(huán)形的部分形成支撐表面68，支撐表面68設(shè)置為與網(wǎng)狀電極110的相應(yīng)部分接觸。一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64中的每一個(gè)從環(huán)形電極接觸脊66延伸到外圍電極接觸部62。例如，一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64可以提供支撐環(huán)形電極接觸脊66的結(jié)構(gòu)連結(jié)(structural link)。一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64中的每一個(gè)相對(duì)于外圍電極接觸部62凹陷。具體而言，一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64中的每一個(gè)相對(duì)于外圍電極接觸部62的支撐表面68沿Y軸形成釋放口(relief)。一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64中的每一個(gè)可以聯(lián)接到弧形電極接觸脊70，弧形電極接觸脊70從一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64突出。在一些實(shí)施方式中，弧形電極接觸脊70可以從一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64延伸，使得弧形電極接觸脊70具有與外圍電極接觸部62的支撐表面68同平面的部分(在圖3中描繪為XZ平面)。在一些實(shí)施方式中，環(huán)形電極接觸脊66可以繞中央孔72形成?？商娲鼗蚋郊拥兀鈬姌O接觸部62和一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64可以在電極載體板60中劃定一個(gè)或多個(gè)切口區(qū)域74。例如，電極載體板60可以是基本上呈圓盤形的，并在電極載體板60中的一個(gè)或多個(gè)切口區(qū)域74中的每一個(gè)可以是基本呈餅形的。因此，中央孔72可以是形成在電極載體板60的中央附近的基本呈圓筒形的孔。環(huán)形電極接觸脊66可以形成中央孔中的至少一部分，并與中央孔72是同心的。此外，每個(gè)弧形電極接觸脊70可以與中央孔72同心。再次參考圖2，清潔組件100進(jìn)一步包括供應(yīng)酸性溶液到網(wǎng)狀電極110的酸注入口120。酸注入口 120可以耦合到高壓封閉件20，并與高壓封閉件20的第一清潔空間22流體連通。因此，酸注入口 120能夠可操作地提供酸性溶液至高壓封閉件20的第一清潔空間22?，F(xiàn)在參照?qǐng)D4，其示意性地示出了模塊化電極密封殼體10的一種實(shí)施方式。在所描繪的實(shí)施方式中，酸注入口 120可以與酸供給組件122流體連通。酸供給組件122可包括可操作地連接到泵126的酸供給源124。泵126被配置為將酸性溶液從酸供給源124輸送到酸注入口 120。酸供給源124可以包括一個(gè)或多個(gè)容器，以存儲(chǔ)酸性溶液。根據(jù)本文所描述的實(shí)施方式，酸性溶液可以包括硝酸、氫氟酸、乙酸、或它們的組合物。在一種實(shí)施方式中，酸性溶液是含有硝酸、氫氟酸和乙酸的混合酸溶液。在進(jìn)一步的實(shí)施方式中，混合酸溶液可以包括體積比為約6個(gè)單位硝酸比約I個(gè)單位的氫氟酸比約I個(gè)單位的乙酸(即，體積比為約6:約1:約I)。在還有的進(jìn)一步實(shí)施方式中，混合酸溶液可以包括重量百分比大于約20%的水，諸如，例如，在一種實(shí)施方式中，大于或等于約30%。酸供給組件122可進(jìn)一步包括電磁閥128，其被配置為選擇性地打開和關(guān)閉，使得酸性溶液可以選擇性地輸送到模塊化電極密封殼體10。酸供給組件122可進(jìn)一步包括單向閥130，其配置成能讓流體流向模塊化電極密封殼體10并基本防止流體從清潔組件100流出。值得注意的是，本文所使用的短語“電磁閥”意指能夠通過由例如控制器供給的電信號(hào)控制的機(jī)電閥再次參照?qǐng)D2，模塊化電極密封殼體10還包括用于供給純化水至網(wǎng)狀電極110的流體注入口 132。流體注入口 132可以與低壓封閉件40耦合，并與低壓封閉件40的第二清潔空間42流體連通。因此，流體注入口 132可以是可操作的，以提供純化水至低壓封閉件40的第二清潔空間42。再次參照?qǐng)D4，流體注入口 132可以與水供給組件134流體連通。水供給組件134可包括可操作地連接到泵138的水供給源136。泵138被配置為將純化水從水供給源136輸送到流體注入口 132。水供給源136可以是適合存儲(chǔ)或輸送足夠量的純化水的任何系統(tǒng)或設(shè)備，諸如，例如，存儲(chǔ)池或水純化系統(tǒng)。在一些實(shí)施方式中，純化水可以是去離子水(DIW)，即已去除礦物離子的水，礦物離子例如，但不限于，來自鈉、鈣、鐵、銅等的陽離子和例如氯和溴等陰離子。水供給組件134可以進(jìn)一步包括電磁閥140，電磁閥140配置為選擇性地打開和關(guān)閉，使得純化水可以選擇性地輸送到低壓封閉件40的第二清潔空間42 (圖2)。集中參照?qǐng)D2和圖5，流體注入口 132可以與圓錐形噴射件142流體連通，以引導(dǎo)在第二清潔空間42中的純化水的流動(dòng)。例如，圓錐形噴射件142可以被配置為生成噴霧，該噴霧覆蓋比圓錐形噴射件142的暴露于第二清潔空間42的表面面積相對(duì)較大的面積。在一種實(shí)施方式中，圓錐形噴射件142包含具有基座145的基本呈錐形的錐形件144，基座145比錐形件144的頂端146相對(duì)較大。錐形件144可以從基座145朝頂端146逐漸變小。圓錐形噴射件142可以進(jìn)一步包括布置在多個(gè)同心環(huán)中的多個(gè)孔148。同心環(huán)可以以錐形件144的頂端146為中心。在一些實(shí)施方式中，在每個(gè)環(huán)中的多個(gè)孔148的數(shù)目隨著離頂端的距離的增大而增加，即，較靠近基座145的環(huán)可以比較靠近頂端146的環(huán)有更大數(shù)量的多個(gè)孔148。再參照?qǐng)D2，清潔組件100可以進(jìn)一步包括用于供給空氣至網(wǎng)狀電極110的氣體注入口 150。具體而言，氣體注入口 150可形成在高壓封閉件20中并與高壓封閉件20的第一清潔空間22流體連通。在一種實(shí)施方式中，氣體注入口 150可以供應(yīng)清潔干燥的空氣到高壓封閉件20的第一清潔空間22。再參照?qǐng)D4，氣體注入口 150可以與氣體供給組件154流體連通。氣體供給組件154可包括與電磁閥158流體連通的氣體供給源156。氣體供給源156可包括用于提供加壓氣體的一個(gè)或多個(gè)容器和/或裝置。電磁閥158配置為選擇性地打開和關(guān)閉，以使得氣體(例如，空氣或CDA)可以選擇性地輸送到高壓封閉件20的第一清潔空間22 (圖2)。氣體供給組件154可進(jìn)一步包括單向閥130，其配置為允許流體流向模塊化電極密封殼體10，并基本上防止流體從模塊化電極密封殼體10回流。集中參照?qǐng)D2、圖6A和圖6B，氣體注入口 150可以與氣體分散件152流體連通，以引導(dǎo)氣體在第一清潔空間22中的流動(dòng)。例如，氣體分散件152可以配置為擴(kuò)散加壓氣體到第一清潔空間22，使得加壓氣體間接供給到網(wǎng)狀電極110。在一種實(shí)施方式中，氣體分散件152包括具有基本呈倒角圓柱狀或基本呈梯形形狀的橫截面的倒角體155。因此，在倒角體155可包括第一周界157，第一周界157比第二周界159相對(duì)較小。倒角體從第二周界159內(nèi)朝第一周界157可以逐漸變小。氣體分散件152可以進(jìn)一步包括與中央流道162流體連通的多個(gè)氣體出口 160。多個(gè)氣體出口 160是穿過氣體分散件152的倒角體155形成的并布置在多個(gè)同心環(huán)中的管道。該同心環(huán)可以以中央流道162的中心線164為中心。在一些實(shí)施方式中，多個(gè)氣體出口 160中的每一個(gè)是基本呈線性的管道，其被定位成與中央流道162的中心線164成銳角α。在一種實(shí)施方式中，銳角α從約25°C (約0.44弧度)至約50°C(約0.87弧度)。再參照?qǐng)D2，模塊化電極密封殼體10可進(jìn)一步包括供給純化水到網(wǎng)狀電極110的第二流體注入口 166。具體而言，第二流體注入口 166可以形成在高壓封閉件20中，并與高壓封閉件20的第一清潔空間22流體連通。在一種實(shí)施方式中，第二流體注入口 166可以提供去離子水至高壓封閉件20的第一清潔空間22中。再參照?qǐng)D4，第二流體注入口 166可以與水供給組件134流體連通。水供給組件134可進(jìn)一步包括與泵138流體連通的電磁閥165。電磁閥165配置為選擇性地打開和關(guān)閉，以使得純化水可以選擇性地輸送到高壓封閉件20的第一清潔空間22中(圖2)。應(yīng)注意，雖然圖4中將水供給組件134描繪成將純化水供給到流體注入口 132和第二流體注入口 166，但流體注入口 132和第二流體注入口 166每個(gè)可以有自己的獨(dú)立的水源。集中參照?qǐng)D2、圖7A和7B，第二流體注入口 166可以與液體分散件168流體連通，以引導(dǎo)液體在第一清潔空間22中的流動(dòng)。例如，液體分散件168可以配置成將液體擴(kuò)散到第一清潔空間22，使得液體間接供給至網(wǎng)狀電極110。在一種實(shí)施方式中，液體分散件168包括具有基本呈圓柱狀的形狀的圓柱體170。液體分散件168可以進(jìn)一步包括與中央流道174流體連通的多個(gè)液體出口 172。多個(gè)液體出口 172是穿過液體分散件168的圓柱體170形成的管道。多個(gè)液體出口 172中的每一個(gè)可以是基本上呈線性的、從液體分散件168的中央流道174沿徑向向外延伸的管道。在一些實(shí)施方式中，多個(gè)氣體出口 160中的每一個(gè)是基本上呈線性的管道，該管道定位成相對(duì)于中央流道174的中心線176成平角β。平角β可以是具有基本徑向的分量的任何角度，諸如，例如從約75°C (約1.31弧度)至約105°C(約1.83弧度)。再參照?qǐng)D4，清潔組件100可以進(jìn)一步包括耦合到高壓封閉件20并與高壓封閉件20的第一清潔空間22流體連通的卸壓裝置178。卸壓裝置178可以與儲(chǔ)存容器180流體連通，以容納通過卸壓裝置178釋放的任何流體。卸壓裝置178可以是被配置為從第一清潔空間22釋放壓強(qiáng)的閥。當(dāng)?shù)谝磺鍧嵖臻g22中的壓強(qiáng)達(dá)到閾值時(shí)，卸壓裝置178可以打開(例如，卸壓閥)，或者卸壓裝置178可以通過電氣信號(hào)打開(例如，電磁閥)。在一些實(shí)施方式中，卸壓裝置178可包括卸壓閥和電磁閥。在進(jìn)一步的實(shí)施方式中，低壓封閉件40的出口通道50 (圖2)可以與電磁閥183流體連通。電磁閥183可以與儲(chǔ)存容器180流體連通。電磁閥183被配置為選擇性地打開和關(guān)閉，從而使得可以從低壓封閉件40的第二清潔空間42選擇性地除去流體(圖2)，并將其輸送到儲(chǔ)存容器180中。再參照?qǐng)D1，清潔組件100可以包括垂直致動(dòng)器182，以基本沿Y軸向模塊化電極密封殼體10施加力。具體而言，垂直致動(dòng)器182包括耦合到安裝件186的移動(dòng)件184。安裝件186可以耦合到模塊化電極密封殼體10的高壓封閉件20。垂直致動(dòng)器182可以是可操作的，以在關(guān)閉位置(圖1)和打開位置(圖8)之間轉(zhuǎn)移高壓封閉件20。在一些實(shí)施方式中，垂直致動(dòng)器182配置為移動(dòng)模塊化電極密封殼體10，并且不提供任何夾緊壓力給模塊化電極密封殼體10?？商娲鼗蚋郊拥兀怪敝聞?dòng)器182可以被配置為提供夾緊壓力以在關(guān)閉位置密封模塊化電極密封殼體10。例如，垂直致動(dòng)器182可以移動(dòng)高壓封閉件20和壓縮O形環(huán)188 (圖2)。應(yīng)注意，盡管將垂直致動(dòng)器182描繪為可操作以移動(dòng)高壓封閉件20，但垂直致動(dòng)器182也可操作以導(dǎo)致在高壓封閉件20和低壓封閉件40之間的任何類型的相對(duì)移動(dòng)，例如，但不限于，移動(dòng)低壓封閉件40。本文所使用的術(shù)語“致動(dòng)器”是指伺服機(jī)構(gòu)，其供給和傳輸所測(cè)得的數(shù)量的能量用于另一種機(jī)構(gòu)的運(yùn)行，諸如，例如，氣動(dòng)伺服機(jī)構(gòu)、電伺服機(jī)構(gòu)、和類似物?，F(xiàn)在參照?qǐng)D9A，其描繪了用于提供夾緊壓力來密封模塊化電極密封殼體10的替代實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中，清潔組件100可以包括第一水平致動(dòng)器190和第二水平致動(dòng)器192，其基本沿X-軸移動(dòng)，以密封模塊化電極密封殼體10。第一水平致動(dòng)器190耦合到第一夾緊叉194，使得第一水平致動(dòng)器190可操作以基本沿X軸移動(dòng)第一夾緊叉194。第二水平致動(dòng)器192耦合到第二夾緊叉196，使得第二水平致動(dòng)器192可操作以沿X軸移動(dòng)第二夾緊叉196。第一水平致動(dòng)器190和第二水平致動(dòng)器192可以相互配合以將第一夾緊叉194和第二夾緊叉196從關(guān)閉位置(圖9A)移動(dòng)到打開位置(圖9B),和從打開位置移動(dòng)到關(guān)閉位置。因此，第一夾緊叉194和第二夾緊叉196可以選擇性地施加夾緊力至模塊化電極密封殼體10?？擅芊馇皇?02可以與第一水平致動(dòng)器190和第二水平致動(dòng)器192耦合。在一些實(shí)施方式中，支撐支架198可以用于將第一水平致動(dòng)器190耦合到可密封腔室102。同樣，支撐支架198 (圖9A不可見)可以用于將第二水平致動(dòng)器192耦合到可密封腔室102。在一些實(shí)施方式中，可以提供左導(dǎo)向塊200和右導(dǎo)向塊202以沿一個(gè)或多個(gè)X-Z平面支撐和對(duì)齊第一水平致動(dòng)器190和第二水平致動(dòng)器192?，F(xiàn)在參照?qǐng)D10，第一夾緊叉194可以設(shè)置成在輪廓上與模塊化電極密封殼體10互補(bǔ)。在一種實(shí)施方式中，第一夾緊叉194設(shè)置成這樣的輪廓:在第一夾緊叉194從初始接觸位置206相對(duì)于高壓封閉件20的凸緣件204移動(dòng)到向內(nèi)位置208時(shí)，容納高壓封閉件20的凸緣件204并且向模塊化電極密封殼體10施加漸增的夾緊力。具體而言，第一夾緊叉194可包括傾斜的凸緣嚙合表面210，使得當(dāng)?shù)谝粖A緊叉194與高壓封閉件20在初始接觸位置206初始接觸時(shí)，凸緣嚙合表面210定位成與凸緣件204成嚙合角Θ。在一些實(shí)施方式中，嚙合角Θ小于約45° (約0.79弧度)，諸如，在一種實(shí)施方式中，例如，約20° (約0.35弧度)。此外，可以以基本等同于第一夾緊叉194的如上所述的方式，設(shè)置第二夾緊叉196以容納凸緣件204。應(yīng)注意，雖然圖9A和9B中描繪了兩個(gè)夾緊叉，但可以使用任意數(shù)量的夾緊叉，使得可以向高壓封閉件20的整個(gè)凸緣件204施加基本均勻的夾緊力。
集中參照?qǐng)D1和圖8，清潔組件100可以包括一個(gè)或多個(gè)位置傳感器212，其被配置為檢測(cè)模塊化電極密封殼體10的高壓封閉件20和低壓封閉件40相對(duì)于彼此的相對(duì)定位。在一種實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)位置傳感器212可以被配置為基本沿Y軸檢測(cè)高壓封閉件20的位置。高壓封閉件20的位置可以通過使用處理器185 (圖4)自動(dòng)地與所施加的將模塊化電極密封殼體10的高壓封閉件20和低壓封閉件40推壓到一起的夾緊力的量相關(guān)聯(lián)。值得注意的是，這里所使用的術(shù)語“傳感器”指的是測(cè)量物理量并將該物理量轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)信號(hào)的設(shè)備，該數(shù)據(jù)信號(hào)與該物理量的測(cè)定值相關(guān)聯(lián)，諸如，例如，電氣信號(hào)、電磁信號(hào)、光信號(hào)、機(jī)械信號(hào)或其他類似信號(hào)。因此，一個(gè)或多個(gè)位置傳感器212可以包括諸如例如叉形光障傳感器或穿透光束傳感器等光傳感器，或能夠檢測(cè)模塊化電極密封殼體10的高壓封閉件20和低壓封閉件40的相對(duì)定位的任何其他的傳感器。根據(jù)本文描述的實(shí)施方式，電磁閥140、電磁閥158、電磁閥165、卸壓裝置178和電磁閥183中的每一個(gè)可以通信地耦合到一個(gè)或多個(gè)處理器185 (在圖4中用虛線箭頭概括表示)。因此，通過由一個(gè)或多個(gè)處理器185執(zhí)行機(jī)器可讀指令，可以自動(dòng)地控制清潔組件100的操作。本文所用的術(shù)語“通信地耦合”是指元器件之間能夠彼此交換數(shù)據(jù)信號(hào)，例如，通過導(dǎo)電介質(zhì)交換電氣信號(hào)、通過空氣交換電磁信號(hào)、通過光學(xué)波導(dǎo)交換光信號(hào)、以及類似情形。處理器185可以是能夠執(zhí)行機(jī)器可讀指令的任何設(shè)備。因此，處理器185可以是控制器、集成電路、微芯片、計(jì)算機(jī)、或任何其它計(jì)算設(shè)備。此外，處理器可通信地耦合到存儲(chǔ)器中，該存儲(chǔ)器諸如，例如，RAM、ROM、閃存、硬盤驅(qū)動(dòng)器、或能夠存儲(chǔ)機(jī)器可讀指令的任何設(shè)備。如本文進(jìn)一步詳細(xì)解釋的，處理器185可通過執(zhí)行任何代的任何編程語言(例如，1GL，2GL，3GL，4GL，或5GL)編寫的機(jī)器可讀指令或算法使得任何過程自動(dòng)履行，該語言諸如，例如，可直接由處理器執(zhí)行的語言、或匯編語言、面向?qū)ο缶幊?OOP)、腳本語言、微碼等，其可以編譯或匯編成機(jī)器可讀指令并存儲(chǔ)在機(jī)器可讀介質(zhì)上?？商鎿Q地，邏輯或算法可用硬件描述語言(HDL)編寫，諸如通過現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)實(shí)現(xiàn)的邏輯、和其等同物。因此，該邏輯可以用任何常規(guī)的計(jì)算機(jī)編程語言，作為預(yù)編程的硬件元件，或作為硬件和軟件組件的組合來實(shí)現(xiàn)。再參照?qǐng)D2，模塊化電極密封殼體10可以設(shè)置在可密封腔室102內(nèi)，使得模塊化電極密封殼體10暴露于內(nèi)部空間104的環(huán)境條件下。正如上文所述，通過空氣入口 106可以向內(nèi)部空間104供給清潔空氣，并且通過空氣出口 108可以排出模塊化電極密封殼體10的副產(chǎn)物。模塊化電極密封殼體10可以包括高壓封閉件20、低壓封閉件40、和經(jīng)由多個(gè)O形環(huán)188密封到網(wǎng)狀電極110上的電極載體板60。具體而言，高壓封閉件20可以用O形環(huán)188密封到網(wǎng)狀電極的第一側(cè)112。高壓封閉件20和網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112可以一起定義第一清潔空間22。高壓封閉件20可以包含位于網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112上的第一清潔空間22?？梢杂肙形環(huán)188將低壓封閉件40密封到電極載體板60上。可以用O形環(huán)188將電極載體板60密封到網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114上。低壓封閉件40、電極載體板60、和網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114可以一起定義第二清潔空間42。低壓封閉件40可以包含位于網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114上的第二清潔空間42。
模塊化電極密封殼體10可以可選地包括用于將供給到第一清潔空間22的流體進(jìn)行擴(kuò)散的流體擴(kuò)散器90。例如，流體擴(kuò)散器90可以耦合到高壓封閉件20的搭接限定壁34，使得流體擴(kuò)散器90劃定第一清潔空間22的第一部分26和第一清潔空間22的第二部分28。流體擴(kuò)散器可以包括:暴露到第一清潔空間22的第一部分26的湍流面表面92、暴露到第一清潔空間22的第二部分28的均衡面表面94以及位于湍流面表面92和均衡面表面94之間的多個(gè)擴(kuò)散流道96。因此，引入到第一清潔空間22的第一部分26的加壓流體流過擴(kuò)散流道96并進(jìn)入第一清潔空間22的第二部分28。在一種實(shí)施方式中，酸注入口 120、氣體注入口 150、和第二流體注入口 166可以穿過高壓封閉件20的深度限定壁24形成。氣體注入口 150可以與氣體分散件152流體連通以向第一清潔空間22供給凈化的空氣。第二流體注入口 166可以與液體分散件168流體連通以向第一清潔空間22供給純化水。在一些實(shí)施方式中，酸注入口 120、氣體分散件152的氣體出口 160以及液體分散件168的液體出口 172可以與流體擴(kuò)散器90的多個(gè)擴(kuò)散流道96中的每一個(gè)都不對(duì)準(zhǔn)。具體而言，酸注入口 120可以與多個(gè)擴(kuò)散流道96中的每一個(gè)不直接對(duì)準(zhǔn)。因此，通過酸注入口 120供給的基本上所有的酸性溶液在第一清潔空間22的第一部分26中要重新定向，然后才行進(jìn)通過多個(gè)擴(kuò)散流道96。氣體分散件152的氣體出口 160可以朝向高壓封閉件20的深度限定壁24。因此，通過氣體分散件152供給的基本上所有的加壓氣體可以在第一清潔空間22的第一部分26內(nèi)通過深度限定壁24重定向，然后才行進(jìn)通過多個(gè)擴(kuò)散流道96。液體分散件168的液體出口 172可以朝向高壓封閉件20的第一外壁30。因此，通過液體分散件168供給的基本上所有的純化水可以在第一清潔空間22的第一部分26通過第一外壁30重定向，然后才行進(jìn)通過擴(kuò)散流道96。因此，沒有受到任何特定理論的束縛，可以相信，任何酸性溶液、加壓氣體與純化水以基本均勻的方式排出由高壓封閉件20所包含的第一清潔空間22的第二部分28。具體而言，可以相信，基本上沿X-Z平面向網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112施加了基本恒定的壓強(qiáng)。集中參照?qǐng)D2和3，低壓封閉件40和電極載體板60可以配合以支撐網(wǎng)狀電極110。在一種實(shí)施方式中，低壓封閉件40的上部支撐表面52可以與電極載體板60的底面78哨合。具體而言，電極載體板60的外圍電極接觸部62可以基本上沿Y軸與低壓封閉件40的外圍支撐區(qū)域44對(duì)準(zhǔn)，并由其支撐。電極載體板60的水平支撐件64可以基本沿Y軸與低壓封閉件40的突出的支撐件48對(duì)準(zhǔn)，并由其支撐。低壓封閉件40可以進(jìn)一步包括基本包繞外圍支撐區(qū)域44的外部對(duì)準(zhǔn)輪緣54。外部對(duì)準(zhǔn)輪緣54基本沿負(fù)Y方向從外圍支撐區(qū)域44突出。低壓封閉件40的外部對(duì)準(zhǔn)輪緣54可以被配置為接收電極載體板60。因此，當(dāng)?shù)蛪悍忾]件40的上部支撐表面52能夠與電極載體板60的底面78嚙合時(shí)，外部對(duì)準(zhǔn)輪緣54就能限制電極載體板60的橫向移動(dòng)(例如，沿X-Z平面移動(dòng))。在一些實(shí)施方式中，電極載體板60可以包括一個(gè)或多個(gè)柄82并且外部對(duì)準(zhǔn)輪緣54可包括切口區(qū)域58，以容納一個(gè)或多個(gè)柄82。電極載體板60可以與網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114嚙合，使得基本上所有的氣體通道116暴露。具體而言，鄰近氣體通道116的網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114的部分可以與電極載體板60的環(huán)形電極接觸脊66和弧形電極接觸脊70接觸。網(wǎng)狀電極110的外部118可以與電極載體板60的外圍電極接觸部62接觸。網(wǎng)狀電極110的氣體通道116可以與電極載體板60的切口區(qū)域74和由電極載體板60的一個(gè)或多個(gè)水平支撐件64與弧形電極接觸脊70形成的釋放口(relief )對(duì)準(zhǔn)。因此，電極載體板60可以基本上沿Y軸支撐網(wǎng)狀電極110，而不阻止流體從網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112流過氣體通道116到達(dá)網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114。電極載體板60可以進(jìn)一步包括基本上圍繞著外圍電極接觸部62的電極對(duì)準(zhǔn)輪緣80。電極對(duì)準(zhǔn)輪緣80可以基本上沿負(fù)Y方向從支撐表面68突出。電極載體板60的電極對(duì)準(zhǔn)輪緣80可以被配置為使網(wǎng)狀電極與模塊化電極密封殼體10對(duì)準(zhǔn)。因此，當(dāng)電極載體板60的支撐表面68與網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114嚙合時(shí)，電極對(duì)準(zhǔn)輪緣80限制網(wǎng)狀電極110的橫向移動(dòng)(例如，沿X-Z平面移動(dòng))。此外，低壓封閉件40、電極載體板60和網(wǎng)狀電極110在彼此嚙合時(shí)，就可以在網(wǎng)狀電極Iio的第二側(cè)114上劃定第二清潔空間42。在所描繪的實(shí)施方式中，低壓封閉件40可以包含第二清潔空間42的最低部分(沿Y正方向最遠(yuǎn)的部分)。正如上面所提及的，穿過低壓封閉件40的流體收集表面46而形成的一個(gè)或多個(gè)圓錐形噴射件142可以與第二流體注入口 166流體連通。一個(gè)或多個(gè)圓錐形噴射件142中的每一個(gè)可以基本上沿Y軸與電極載體板60的切口區(qū)域74對(duì)準(zhǔn)。因此，可以將純化水注入，使其通過第二清潔空間42并與網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114接觸。為了可以更容易地理解這里所描述的實(shí)施方式，參考下面的示例，這些示例意在說明這里所描述的實(shí)施方式，但不限制其范圍。圖11描繪了用于確定預(yù)定的路徑的方法220。方法220的每個(gè)過程可以通過一個(gè)或多個(gè)處理器185 (圖4)自動(dòng)執(zhí)行。具體而言，應(yīng)當(dāng)指出，盡管將各過程描述為根據(jù)特定的順序執(zhí)行，但應(yīng)注意，這里所描述的每一個(gè)過程可以以任何順序執(zhí)行。此外，多個(gè)過程可以同時(shí)進(jìn)行和/或刪除。集中參照?qǐng)D2和圖11，網(wǎng)狀電極110可以密封在清潔組件100內(nèi)，如上面所描述的那樣。一般情況下，網(wǎng)狀電極Iio包括多個(gè)氣體通道116，多個(gè)氣體通道116從網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112延伸穿過網(wǎng)狀電極110到達(dá)網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114。在過程222中，可以將一定數(shù)量的純化水推進(jìn)通過網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112上的第一清潔空間22并與網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112接觸。因此，可以推動(dòng)純化水穿過網(wǎng)狀電極110的多個(gè)氣體通道116。例如，可以通過液體分散件168將純化水注入第一清潔空間22。在一些實(shí)施方式中，在過程222，先進(jìn)行初始的清洗，然后再將酸性溶液加載到第一清潔空間22，這可能是理想的。因此，第一清潔空間22和第二清潔空間42可以被用純化水清洗一段時(shí)間，例如，在清潔網(wǎng)狀電極110前清洗約5秒。在過程224中，可注入一些空氣到網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112上的第一清潔空間22中。例如，氣體分散件152可以向第一清潔空間22提供加壓空氣，使得第一清潔空間22中的壓強(qiáng)比第二清潔空間42中的壓強(qiáng)相對(duì)較高。因此，能將在第一清潔空間22和網(wǎng)狀電極110的氣體通道116中的任何純化水推動(dòng)到第二清潔空間42。然后可以通過低壓封閉件40的流體收集表面46收集純化水，并通過出口通道50將其從清潔組件100排出。例如，當(dāng)在Y-軸與重力方向基本上對(duì)齊時(shí)，純化水可以在重力的作用下通過出口通道排出。在一些實(shí)施方式中，在過程222后執(zhí)行過程224，以使在將酸性溶液加載到第一清潔空間22之前網(wǎng)狀電極110變干，這可能是理想的。
在過程226中，可以將酸性溶液加載到網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112上的第一清潔空間22。例如，酸注入口 120可以提供酸性溶液到第一清潔空間22。應(yīng)當(dāng)注意，由于通常將酸性溶液注入(例如，通過描繪于圖4的泵126)，因此，第一清潔空間22中的壓強(qiáng)比第二清潔空間42中的壓強(qiáng)會(huì)相對(duì)較高。此外，在過程226中，酸性溶液與網(wǎng)狀電極110之間會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。該化學(xué)反應(yīng)會(huì)是放熱反應(yīng)，并產(chǎn)生氣體，從而也會(huì)增大第一清潔空間22中的壓強(qiáng)。由此，在加載酸性溶液時(shí)，第一清潔空間22可以通風(fēng)。具體而言，卸壓裝置178可以自動(dòng)打開，即，打開可以基于一個(gè)或多個(gè)處理器185 (圖4)的指令，或由于過壓驅(qū)動(dòng)引起。在過程228中，向第一清潔空間供給酸性溶液后，第一清潔空間22會(huì)被加壓，使得至少一部分的酸性溶液流經(jīng)網(wǎng)狀電極110的多個(gè)氣體通道116中的一個(gè)或多個(gè)。在一種實(shí)施方式中，氣體分散件152可以向第一清潔空間22供應(yīng)加壓空氣，使得第一清潔空間22中的壓強(qiáng)比第二清潔空間42的壓強(qiáng)相對(duì)較高。因此，可以促使第一清潔空間22中的酸性溶液通過網(wǎng)狀電極110的氣體通道116并被壓入第二清潔空間42。在一些實(shí)施方式中，基本所有的酸性溶液的流動(dòng)會(huì)占用約5秒鐘。在過程230，可將加壓空氣供給至第一清潔空間22以使網(wǎng)狀電極110變干。例如，在酸性溶液的流動(dòng)已經(jīng)消退后，氣體分散件152可以將空氣連續(xù)注入第一清潔空間22，以確保網(wǎng)狀電極110是干的。在一些實(shí)施方式中，干燥網(wǎng)狀電極110的時(shí)間是在過程228中推動(dòng)酸性溶液流動(dòng)的時(shí)間的兩倍長。在過程232中，可以將一定數(shù)量的純化水推進(jìn)通過第一清潔空間22并與網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112接觸。因此，可以推動(dòng)純化水穿過網(wǎng)狀電極110的多個(gè)氣體通道116。例如，可以由液體分散件168將一定數(shù)量的純化水注入到第一清潔空間22。在一些實(shí)施方式中，可以連續(xù)地供給該一定數(shù)量的純化水約5秒鐘。在過程234中，可以將一些純化水推進(jìn)通過網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114上的第二清潔空間42，并且與網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114接觸。例如，可以由圓錐形噴射件142將純化水朝網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114推進(jìn)。在一些實(shí)施方式中，圓錐形噴射件142可以向網(wǎng)狀電極110提供純化水維持約5秒鐘。在過程236中，可以將第二數(shù)量的純化水推進(jìn)通過第一清潔空間22并與網(wǎng)狀電極110的第一側(cè)112接觸。例如，在圓錐形噴射件142提供了接觸網(wǎng)狀電極110的第二側(cè)114的純化水后，可以由液體分散件168將一定數(shù)量的純化水推動(dòng)到第一清潔空間22。在過程238中，可以將一些空氣注入到第一清潔空間22。在一種實(shí)施方式中，在用純化水對(duì)網(wǎng)狀電極Iio的第一側(cè)112漂洗兩次并且用純化水對(duì)第二側(cè)漂洗一次后，氣體分散件152可以向第一清潔空間22供給加壓空氣，使得在第一清潔空間22的壓強(qiáng)比第二清潔空間42的壓強(qiáng)相對(duì)較高。因此，可以將在第一清潔空間22和網(wǎng)狀電極110的氣體通道116中的任何純化水壓入第二清潔空間42?？梢岳脠D4中描繪的清潔組件100實(shí)現(xiàn)方法220的自動(dòng)化。例如，在上述過程的每一個(gè)中，一個(gè)或多個(gè)處理器185可以執(zhí)行機(jī)器可讀指令，以打開和關(guān)閉各種電磁閥，如下表I所示。表I
權(quán)利要求
1.一種清潔組件，其包括模塊化電極密封殼體、酸注入口和流體注入口，其中: 所述模塊化電極密封殼體包括含有第一清潔空間的高壓封閉件和含有第二清潔空間的低壓封閉件； 所述酸注入口形成于所述高壓封閉件中，并與所述高壓封閉件中的所述第一清潔空間流體連通； 所述酸注入口將酸性溶液供給到所述高壓封閉件中的所述第一清潔空間中； 所述流體注入口形成于所述低壓封閉件中，并與所述低壓封閉件中的第二清潔空間流體連通；所述流體注入口將純化水注入到所述低壓封閉件中的所述第二清潔空間中；并且在正常操作過程中，將網(wǎng)狀電極密封在所述模塊化電極密封殼體內(nèi)，使得所述第一清潔空間位于所述網(wǎng)狀電極的第一側(cè)并且所述第二清潔空間位于所述網(wǎng)狀電極的第二側(cè)，并且所述高壓封閉件中的所述第一清潔空間以比所述低壓封閉件中的所述第二清潔空間相對(duì)較高的壓強(qiáng)運(yùn)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔組件，其中: 所述低壓封閉件 包括外圍支撐區(qū)域、流體收集表面、和一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件； 所述外圍支撐區(qū)域繞所述流體收集表面和所述一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件形成； 所述流體收集表面相對(duì)于所述外圍支撐區(qū)域凹陷；并且 所述一個(gè)或多個(gè)突出的支撐件從所述流體收集表面突出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清潔組件，其中所述流體注入口穿過所述低壓封閉件的所述流體收集表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔組件，其中: 所述模塊化電極密封殼體包括與所述低壓封閉件接觸的電極載體板； 所述電極載體板包括外圍電極接觸部、一個(gè)或多個(gè)水平支撐件、以及環(huán)形電極接觸脊； 所述外圍電極接觸部環(huán)繞所述一個(gè)或多個(gè)水平支撐件和所述環(huán)形電極接觸脊形成；所述一個(gè)或多個(gè)水平支撐件中的每一個(gè)從所述環(huán)形電極接觸脊延伸至所述外圍電極接觸部；并且 所述一個(gè)或多個(gè)水平支撐件中的每一個(gè)包括從所述一個(gè)或多個(gè)水平支撐件突出的弧形電極接觸脊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清潔組件，其中所述弧形電極接觸脊繞中央孔形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清潔組件，其中所述外圍電極接觸部和所述一個(gè)或多個(gè)水平支撐件在所述電極載體板中劃定切口區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清潔組件，其中所述流體注入口與所述電極載體板的所述切口區(qū)域?qū)?zhǔn)并供應(yīng)所述純化水穿過所述電極載體板的所述切口區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔組件，還包括氣體注入口和第二流體注入口，其中所述氣體注入口和所述第二流體注入口在所述高壓封閉件中形成，并且與所述高壓封閉件中的所述第一清潔空間流體連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清潔組件，其中所述氣體注入口供應(yīng)清潔干燥的空氣到所述高壓封閉件的所述第一清潔空間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清潔組件，其中所述第二流體注入口供應(yīng)去離子水至所述高壓封閉件的所述第一清潔空間中。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清潔組件，其中所述氣體注入口與氣體分散件流體連通,所述氣體分散件包括具有基本呈梯形形狀的橫截面的倒角體和形成于該倒角體中的多個(gè)氣體出口
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的清潔組件，其中所述氣體分散件包括與中心線對(duì)準(zhǔn)并與所述多個(gè)氣體出口流體連通的中央流道，其中所述多個(gè)氣體出口中的每一個(gè)定位成與所述中央流道的中心線成銳角。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清潔組件，其中所述第二流體注入口與液體分散件流體連通，所述液體分散件包含其中形成有中央流道的圓柱體以及在所述圓柱體中形成的多個(gè)液體出口，其中所述多個(gè)液體出口中的每一個(gè)是基本呈線性的管道，所述管道從所述中央流道向外徑向延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔組件，還包括耦合到所述高壓封閉件并與所述高壓封閉件的所述第一清潔空間流體連通的卸壓裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔組件，其中所述酸性溶液是包含體積比為約6:約1:約I的硝酸、氫氟酸和乙酸的混合酸溶液。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔組件，其中所述純化水是去離子水。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔組件，其中所述流體注入口與包含錐形件的圓錐形噴射件流體連通，所述錐形件具有比 該錐形件的頂端相對(duì)較大的基座和穿過該錐形件形成的并被設(shè)置在多個(gè)同心環(huán)中的多個(gè)孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔組件，其中所述多個(gè)同心環(huán)以所述錐形件的頂端為中心。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔組件，還包括包繞內(nèi)部空間的可密封腔室，所述內(nèi)部空間與氣體入口和氣體出口流體連通，其中所述模塊化電極密封殼體設(shè)置在所述可密封腔室內(nèi)并暴露于所述內(nèi)部空間的環(huán)境條件下。
20.一種清潔組件，其包括模塊化電極密封殼體、酸注入口、流體注入口、第二流體注入口、圓錐形噴射件以及液體分散件，其中: 所述模塊化電極密封殼體包括含有第一清潔空間的高壓封閉件和含有第二清潔空間的低壓封閉件； 所述酸注入口形成于所述高壓封閉件中，并與所述高壓封閉件中的所述第一清潔空間流體連通； 所述酸注入口將酸性溶液供給到所述高壓封閉件中的所述第一清潔空間中； 所述流體注入口形成于所述低壓封閉件中，并與所述低壓封閉件中的所述第二清潔空間流體連通； 所述第二流體注入口形成于所述高壓封閉件中，并與所述高壓封閉件中的所述第一清潔空間流體連通； 所述圓錐形噴射件包括錐形件，所述錐形件具有比所述錐形件的頂端相對(duì)較大的基座和穿過所述錐形件形成的并設(shè)置在多個(gè)同心環(huán)中的多個(gè)孔； 所述液體分散件包括其中形成有中央流道的圓柱體和形成于所述圓柱體中的多個(gè)液體出口，其中所述多個(gè)液體出口中的每一個(gè)是基本呈線性的管道，所述管道從所述中央流道向外徑向延伸； 所述流體注入口與所述圓錐形噴射件流體連通，使得所述圓錐形噴射件通過所述圓錐形噴射件的所述多個(gè)孔將純化水注入到所述低壓封閉件中的所述第二清潔空間中； 所述第二流體注入口與所述液體分散件流體連通，使得所述液體分散件通過所述液體分散件的所述多個(gè)液體出口將純化水注入到所述高壓封閉件中的所述第一清潔空間中；并且 在正常操作過程中，將網(wǎng)狀電極密封在所述模塊化電極密封殼體內(nèi)，使得所述第一清潔空間位于所述網(wǎng)狀電 極的第一側(cè)，并且所述第二清潔空間位于所述網(wǎng)狀電極的第二側(cè)。
全文摘要
在一種實(shí)施方式中，一種清潔組件可以包括模塊化電極密封殼體、酸注入口和流體注入口。該模塊化電極密封殼體可以包括含有第一清潔空間的高壓封閉件和含有第二清潔空間的低壓封閉件。該酸注入口能與該高壓封閉件中的第一清潔空間流體連通。該流體注入口能與該低壓封閉件中的第二清潔空間流體連通。在正常操作過程中，可以將網(wǎng)狀電極密封在該模塊化電極密封殼體內(nèi)，使得第一清潔空間位于該網(wǎng)狀電極的第一側(cè)，并且第二清潔空間位于該網(wǎng)狀電極的第二側(cè)。
文檔編號(hào)B08B13/00GK103084354SQ20121042471
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者阿爾曼·阿沃楊, 克利夫·拉克魯瓦, 石洪, 約翰·多爾蒂 申請(qǐng)人:朗姆研究公司