晶片清洗裝置及晶片清洗方法
【專利摘要】提供一種晶片清洗裝置及晶片清洗方法，提高預備的清洗性。清洗裝置具有：存積清洗液的水槽；對切片底座以多個晶片處于下方且浸漬于水槽的清洗液的方式進行保持的保持部；向多個相鄰的晶片的間隙噴出清洗液的多個噴嘴；對多個晶片實施超聲波清洗處理的超聲波裝置。特別是具有如下特征：多個噴嘴沿水平方向且等間隔地至少配置一列，從超聲波裝置產生的超聲波的方向以與從多個噴嘴噴出的噴流的方向平行的方式設置。
【專利說明】晶片清洗裝置及晶片清洗方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及對用粘接劑粘接于切片底座的晶片進行清洗的晶片清洗裝置及晶片清洗方法。

【背景技術】
[0002]對現(xiàn)有的硅片等晶片的制造工序進行說明。
[0003]首先如圖1(A)所示，經(jīng)由粘接劑3將稱為結晶塊I的塊狀物固定于稱為切片底座2的保持體。接著，如圖1(B)所示，將固定于該切片底座2的結晶塊I用鋼絲鋸4等進行切割從而形成為晶片狀態(tài)。用鋼絲鋸4進行切割時，在晶片上附著切削油、淤渣(切屑)，因此，如圖2所示，在固定于切片底座2的狀態(tài)下，對晶片5預備地進行清洗。
[0004]此時，在現(xiàn)有的構成中，如圖2(A)所示，首先在用清洗液6充滿的水槽7中用噴嘴8對晶片5進行淋浴清洗(此時水槽7不一定被清洗液6充滿也可以)。接著，如圖2 (B)所示，在用清洗液6充滿的水槽7中通過超聲波裝置9對晶片5進行超聲波清洗。
[0005]接著，如圖3(A)及圖3(B)所示，將固定于切片底座2的晶片5浸潰于用藥液或熱水10充滿的水槽11中，使將晶片5固定于切片底座2的粘接劑3軟化或溶解，使晶片5從切片底座2分離。
[0006]接著，如圖4(A)及圖4(B)所示，將從切片底座分離后的晶片5在料盤上沿橫方向或縱方向層疊后，使用未圖示的單片處理裝置(枚葉裝置)而逐片使用搬送臂搬送，收納于清洗用的盒。
[0007]進而，收納于清洗用盒的晶片經(jīng)過最終清洗、干燥、晶片檢查而成為成品晶片。
[0008]另外，如圖5所示，作為預備地對固定于切片底座2的晶片5進行清洗的其他方法，報告了如下方法:使用在水槽7具有噴嘴8及超聲波裝置9的裝置，噴嘴8配置成與水槽7的長軸平行且各個的流向成為相反方向，用超聲波對松動的粒子進行沖洗(參照專利文獻I)。
[0009]【在先技術文獻】
[0010]【專利文獻】
[0011]【專利文獻I】日本專利第4763061號公報


【發(fā)明內容】

[0012]但是，上述現(xiàn)有的構成中，具有如下問題:僅利用淋浴清洗的話無法除去固著于晶片表面的淤渣，而僅利用超聲波清洗的話，相鄰的晶片的間隙存在偏差，而無法除去未產生充足的間隙的晶片表面的淤渣。
[0013]另外，專利文獻I記載的構成中，具有如下問題:在水槽7內，由于從噴嘴8噴射的清洗液6的噴流而產生波，該波使超聲波的波衰減，無法得到充分的超聲波清洗的效果，從而無法除去晶片5表面的淤渣。
[0014]上述現(xiàn)有的構成及專利文獻I記載的構成中，都有如下問題:如圖6所示，特別是將切片底座2和晶片5固定的一側的晶片5表面(以下稱為晶片頂部)的清洗性低，在晶片頂部固著有淤渣13而流向后工序。
[0015]通常，由一根結晶塊I能得到1000片以上的晶片5，因此如果在晶片頂部固著有厚度方向20 μ m的淤渣13，則會產生20 μ mX 1000片X2(正反面)=40mm的厚度差。因此，如圖7(A)及圖7(B)所示，在料盤12上將晶片5沿橫方向或縱方向層疊時，由于晶片頂部的淤渣13，晶片5的排列性變差，不能用單片處理裝置搬送，或者如圖7(C)所示，在層疊的晶片5的下部產生偏載荷，而還具有晶片5會破裂等品質問題(參照標號X)。而且，在最終清洗工序中，為了除去淤渣13而需要很多的時間等，成為生產率低下的原因，或者不能完全除去淤渣13，而也成為晶片的成品率低下的原因。
[0016]本申請為了解決上述現(xiàn)有的問題，目的在于提供能夠提聞晶片的品質、后工序的生產率及成品率的晶片清洗裝置及晶片清洗方法。
[0017]本發(fā)明涉及實施固定于以下所示的切片底座的晶片的預備清洗的晶片清洗裝置及晶片清洗方法。
[0018]本發(fā)明的晶片清洗裝置是對用粘接劑粘接于切片底座的多個晶片進行清洗的清洗裝置，為以下的構成。
[0019](I)存積清洗液的水槽。
[0020]〔2〕對切片底座以多個晶片處于下方且浸潰于水槽的所述清洗液的方式進行保持的保持部。
[0021]〔3〕向多個相鄰的晶片的間隙噴出清洗液的多個噴嘴。
[0022]〔4〕對多個晶片實施超聲波清洗處理的超聲波裝置。
[0023]在這種構成中，多個噴嘴沿水平方向且等間隔地至少配置一列，從超聲波裝置產生的超聲波的方向以與從多個噴嘴噴出的噴流的方向平行的方式設置。
[0024]另外，本發(fā)明的晶片清洗方法是將用粘接劑粘接于切片底座的多個晶片在浸潰于存積清洗液的水槽的狀態(tài)下使用超聲波進行清洗的清洗方法，包括以下的工序。
[0025]〔I〕在相比多個晶片的中央靠上側，且朝向所述多個相鄰的晶片的間隙，將所述清洗液從多個噴嘴沿水平方向噴出。
[0026]〔2〕將所述多個相鄰的晶片的間隙擴大，并且使用與從所述多個噴嘴噴出的噴流平行的方向的所述超聲波，對所述多個晶片的表面進行清洗。
[0027]〔3〕在相比所述多個晶片的中央靠下側，且朝向所述多個相鄰的晶片的間隙，將所述清洗液從多個噴嘴沿水平方向噴出。
[0028]〔4〕將所述多個相鄰的晶片的間隙擴大，并且使用與從所述多個噴嘴噴出的噴流平行的方向的所述超聲波，對所述多個晶片的表面進行清洗。
[0029]【發(fā)明效果】
[0030]如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗裝置及清洗方法，能夠充分地除去附著于切割后的晶片的?於禮:，能夠提聞晶片的品質并且提聞后工序的生廣率及成品率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1是表示現(xiàn)有的晶片制造工序的概要的圖；
[0032]圖2是表示現(xiàn)有的晶片制造工序的概要的圖；
[0033]圖3是表示現(xiàn)有的晶片制造工序的概要的圖；
[0034]圖4是表示現(xiàn)有的晶片制造工序的概要的圖；
[0035]圖5是表示專利文獻I記載的現(xiàn)有的晶片清洗裝置的圖；
[0036]圖6是表示現(xiàn)有的晶片清洗狀態(tài)及料盤層疊狀態(tài)的圖；
[0037]圖7是表示現(xiàn)有的晶片清洗狀態(tài)及料盤層疊狀態(tài)的圖；
[0038]圖8是表示實施方式I的清洗裝置的圖；
[0039]圖9是表示實施方式I的吸水機構的圖；
[0040]圖10是表示實施方式I的保持部的傾斜機構的圖；
[0041]圖11是表示實施方式I的噴嘴的噴流和超聲波的方向相同的方式的圖；
[0042]圖12是表示實施方式2的清洗裝置的圖。
[0043]【標號說明】
[0044]2切片底座
[0045]5 晶片
[0046]6清洗液
[0047]7，7a，7b，11，71，72，73，74 水槽
[0048]8，8a，8b，81，82，83，84 噴嘴
[0049]9，9a，9b，91，92，93，94 超聲波裝置
[0050]14，14a，14b，141，142，143，144 保持部

【具體實施方式】
[0051]以下對本發(fā)明的實施方式使用圖8?圖12進行說明。
[0052](實施方式I)
[0053]如圖8(A)及圖8(B)所示，本發(fā)明的實施方式I的清洗裝置是對用粘接劑3粘接于切片底座2的多個晶片5進行清洗的清洗裝置。
[0054]本實施方式的清洗裝置具有:存積清洗液6的水槽7 ;對切片底座2以多個晶片5處于下方且浸潰于水槽7的清洗液6的方式進行保持的保持部14 ;向多個相鄰的晶片5的間隙噴出清洗液6的多個噴嘴8 ;對多個晶片5實施超聲波清洗處理的超聲波裝置9。
[0055]此時，多個噴嘴8沿水平方向且等間隔地配置一列，從超聲波裝置9產生的超聲波的方向以與從多個噴嘴8噴出的噴流的方向平行且成為相反方向的方式設置。而且，多個晶片5以位于多個噴嘴8與超聲波裝置9之間的方式配置。
[0056]另外，多個噴嘴8具有在水平方向擺動的機構(圖8(C))和在縱方向擺動的機構(圖8(D))。此外，多個噴嘴8也可以在上下方向具有2列以上。
[0057]接著，對使用本發(fā)明的實施方式I中的清洗裝置的清洗方法進行說明。
[0058]首先，將固定于切片底座2的多個晶片5完全浸潰于用清洗液6充滿的水槽7。此時多個噴嘴8的上下方向的位置配置于相比多個晶片5的中央靠上側處。
[0059]接著，朝向多個晶片5從多個噴嘴8噴出清洗液6，并且從超聲波裝置9激發(fā)超聲波。在此處，從多個噴嘴8噴出的清洗液6的流量沒有特別限定，但優(yōu)選例如分別為1.5?3.0L/分。另外，在超聲波裝置9的頻率沒有特別限定，但優(yōu)選例如40kHz、100kHz。
[0060]由此，通過從多個噴嘴8噴出的清洗液6的噴流，多個相鄰的晶片5的間隙被擴大，且在相比多個晶片5的中央靠下側處，不接觸清洗液6的噴流，因此從超聲波裝置9發(fā)出的超聲波不會衰減而高效地傳遞。因此，能夠高效地除去附著于相比多個晶片5的中央靠下側處的表面的淤渣。
[0061]此時，如圖8 (C)所示，通過使多個噴嘴8在水平方向擺動，不遍及地擴大多個相鄰的晶片5的間隙，能夠提高清洗性。另外，為了逐片可靠地清洗多個相鄰的晶片5，多個噴嘴8在水平方向擺動的速度優(yōu)選為低速，雖然沒有特別限定，但優(yōu)選為0.3?3.0mm/秒。
[0062]接著，使多個噴嘴8相比多個晶片5的中央向下側移動。因此，從超聲波裝置9激發(fā)的超聲波能夠高效地除去附著于通過被多個噴嘴8噴出的所述清洗液6的噴流而擴大的多個晶片5的表面且相比多個晶片5的中央靠上側處的淤渣。
[0063]此時如圖8(C)所示，通過使多個噴嘴8在水平方向擺動，能夠不遍及地擴大多個相鄰的晶片5的間隙，提高清洗性。
[0064]此處，關于多個噴嘴8的縱方向的位置，位于相比多個晶片5的中央靠上側處的工序不一定需要成為目標，重要的是具有位于相比多個晶片5的中央靠上側處的工序和位于相比多個晶片5的中央靠下側處的工序。由此，能夠高效地除去附著于相比多個晶片5的中央靠上側及下側處的淤渣。
[0065]而且，更優(yōu)選將多個噴嘴8位于相比多個晶片5的中央靠上側處的工序和位于多個晶片的下側的工序反復多次。這是因為，從多個噴嘴8噴出的清洗液6的噴流不僅具有將多個相鄰的晶片5的間隙擴大的功能，還具有在通過從所述超聲波裝置9發(fā)出的超聲波將附著于多個晶片5的表面的淤渣除去后，將其從多個相鄰的晶片5的間隙排出的功能。
[0066]另外，圖9所示的清洗裝置在與多個噴嘴8相對的位置具有吸引從多個噴嘴8噴出的清洗液6的噴流的吸水機構15，多個晶片5位于多個噴嘴8與吸水機構15之間。通過吸水機構15，從多個噴嘴8噴出的清洗液6的噴流在多個相鄰的晶片5的間隙中被整流，直進性提高(參照標號Y)。
[0067]因此，在多個噴嘴8位于相比多個晶片5的中央靠下側處的工序中，提高了超聲波向相比多個晶片5的中央靠上側處的多個晶片5的表面的傳遞性，而在多個噴嘴8相比多個晶片5的中央靠上側處的工序中，能夠提高超聲波向相比多個晶片5的中央靠下側處的多個晶片5的表面的傳遞性。即，能夠進一步提高多個晶片5的清洗性。吸水機構也可以與多個噴嘴8連動而在水平方向或縱方向擺動。
[0068]另外，圖10所示的清洗裝置具有使保持切片底座2的保持部14相對于從多個噴嘴8噴出的清洗液6的噴流的行進方向向下降的方向傾斜的機構。從多個噴嘴8噴出的清洗液6的噴流的方向向下方下降很多，因此特別是滯留在切片底座2和固定有多個晶片5的上端部的淤渣的排出困難。但是通過使保持切片底座2的保持部14與噴流下降的方向同樣地傾斜，能夠高效地排出將切片底座2和多個晶片5固定的上端部的淤渣，提高多個晶片5的清洗性。
[0069]另外，如圖11所示，從超聲波裝置9產生的超聲波的方向與從多個噴嘴8噴出的清洗液6的噴流的方向為相同方向，多個噴嘴8在位于超聲波裝置9與多個晶片5之間的情況下也能得到同樣的效果。
[0070]如以上所述，根據(jù)使用本發(fā)明的實施方式I的清洗裝置的清洗方法，能夠高效地除去附著于多個晶片5的表面的游禮:，能夠提聞成品晶片的品質，并且提聞后工序的生廣率。
[0071](實施方式2)
[0072]如圖12(A)所示，本發(fā)明的實施方式2中的清洗裝置是對固定于切片底座2的多個晶片5進行清洗的清洗裝置。
[0073]本實施方式的清洗裝置具有:存積清洗液6的第I水槽7a ;存積清洗液6的第2水槽7b ;將固定于切片底座2的多個晶片5從第I水槽7a向第2水槽7b搬送的搬送機構(參照標號T)。
[0074]第I水槽7a和第2水槽7b分別具有:將切片底座2以多個晶片5處于下方的方式保持的第I保持部14a及第2保持部14b ;向多個相鄰的晶片5的間隙噴出清洗液6的多個噴嘴8a及多個噴嘴8b ;對多個晶片5實施超聲波處理的超聲波裝置9a、超聲波裝置％。此時，多個噴嘴8a及多個噴嘴Sb沿水平方向且等間隔地配置一列。另外，多個噴嘴8a的縱方向的設置位置相比多個晶片5的中央靠下側，多個噴嘴Sb的縱方向的設置位置相比多個晶片5的中央靠上側。
[0075]另外，從超聲波裝置9a及超聲波裝置9b產生的超聲波的方向分別以與從多個噴嘴8a和多個噴嘴Sb噴出的噴流的方向平行且成為相反方向的方式設置，多個晶片5分別以位于多個噴嘴8a與超聲波裝置9a之間、多個噴嘴Sb與超聲波裝置9b之間的方式配置。
[0076]此外，多個噴嘴8a及多個噴嘴Sb也可以在上下方向具有2列以上。
[0077]接著，對使用本發(fā)明的實施方式2的清洗裝置的清洗方法進行說明。
[0078]首先，將固定于切片底座2的多個晶片5完全浸潰于用清洗液6充滿的第I水槽7a。
[0079]接著，朝向多個晶片5從多個噴嘴8a噴出清洗液6并且從超聲波裝置9a激發(fā)超聲波。在此處，從多個噴嘴8a噴出的清洗液6的流量并沒有特別限定，但例如為1.5?3.0L/分。另外，超聲波裝置9a的頻率也沒有特別限定，但例如為40kHz、100kHz。
[0080]由此，通過從多個噴嘴8a噴出的清洗液6的噴流，多個相鄰的晶片5的間隙被擴大，且在相比多個晶片5的中央靠上側處，清洗液6的噴流不接觸，因此從超聲波裝置9a發(fā)出的超聲波不會衰減而高效地傳遞。因此，能夠高效地除去附著于相比多個晶片5的中央靠上側處的表面的淤渣。此時，通過使多個噴嘴8a在水平方向擺動，能夠不遍及地擴大多個相鄰的晶片5的間隙，提高清洗性。
[0081]此外，為了逐片可靠地清洗多個晶片5，多個噴嘴8a的在水平方向擺動的速度優(yōu)選為低速，沒有特別限定，但例如為0.3?3.0mm/秒。
[0082]接著，使用搬送機構(參照標號T)，將固定于切片底座2的多個晶片5完全浸潰于用清洗液6充滿的第2水槽7b。
[0083]接著，朝向多個晶片5，從多個噴嘴8b噴出清洗液6，并且從超聲波裝置9b激發(fā)超聲波。在此處，從多個噴嘴8b噴出的清洗液6的流量沒有特別限定，但優(yōu)選為例如1.5?3.0L/分。另外，在超聲波裝置9b的頻率沒有特別限定，但優(yōu)選為例如40kHz、100kHz。
[0084]由此，通過從多個噴嘴8b噴出的清洗液6的噴流，多個相鄰的晶片5的間隙被擴大，且在相比多個晶片5的中央靠下側處，清洗液6的噴流不接觸，因此從超聲波裝置9b發(fā)出的超聲波不會衰減而高效地傳遞。因此，能夠高效地除去附著于相比多個晶片5的中央靠下側處的表面的淤渣。
[0085]此時，同時使多個噴嘴8b在水平方向擺動，能夠不遍及地擴大多個相鄰的晶片5的間隙，提高清洗性。為了逐片可靠地清洗多個晶片5，多個噴嘴Sb的在水平方向擺動的速度優(yōu)選為低速，沒有特別限定，但優(yōu)選為例如0.3?3.0mm/秒。
[0086]如以上所述，通過第I水槽7a及第2水槽7b中的清洗，能夠高效地除去多個晶片5的整體的淤渣。
[0087]另外，通過具有第I水槽7a和第2水槽7b這兩個槽，能夠加快循環(huán)時間，得到生產率也提高的效果。
[0088]而且，如圖12⑶所示,具有存積清洗液6的第I水槽71、第2水槽72、第3水槽73和第4水槽74，并具有將固定于切片底座2的多個晶片5從水槽71向水槽72搬送、從水槽72向水槽73搬送、從水槽73向水槽74搬送的搬送機構(參照標號T)。示出了第I水槽71具有第I保持部141、第2水槽72具有第2保持部142、第3水槽73具有第3保持部143、第4水槽74具有第4保持部144的清洗裝置。
[0089]第I水槽71和第2水槽72中，多個噴嘴81和多個噴嘴82相比多個晶片5的中央靠下側，且噴出清洗液6的方向成為相反方向，而從超聲波裝置91和超聲波裝置92發(fā)出超聲波的方向分別以與從多個噴嘴81及多個噴嘴82噴出的清洗液6的方向平行且成為相反方向的方式設置。
[0090]另外，在第3水槽73和第4水槽74中，多個噴嘴83和多個噴嘴84相比多個晶片5的中央靠上側，且噴出清洗液6的方向成為相反方向，而從超聲波裝置93和超聲波裝置94發(fā)出超聲波的方向分別以與從多個噴嘴83及多個噴嘴84噴出的清洗液的方向平行且成為相反方向的方式設置。
[0091]如以上所述，通過第I水槽71及第2水槽72，超聲波在多個晶片5的上方且從多個晶片5的兩側傳遞，因此能夠更高效地除去淤渣。而通過第3水槽73及第4水槽74，超聲波在多個晶片5的下方且從多個晶片5的兩側傳遞，因此能夠更高效地除去淤渣，并且能夠加快循環(huán)時間，能夠進一步提聞生廣率。
[0092]而且，在本發(fā)明的實施方式2的清洗裝置的各水槽中，通過圖9所示的吸水機構15的設置、圖10所示的保持部14的傾斜機構的設置，能夠進一步提高清洗性。
[0093]另外，即使如圖11所示從多個噴嘴8噴出的噴流的方向與從超聲波裝置9產生的超聲波的方向平行且處于相同方向，也能得到同樣的效果。
[0094]如以上所述，根據(jù)使用本發(fā)明的實施方式2的清洗裝置的清洗方法，能夠高效地除去附著于多個晶片5的表面的淤渣，能夠提高成品晶片的品質，并且提高預備的清洗工序及后工序的生產率。
[0095]【產業(yè)實用性】
[0096]根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗裝置及晶片清洗方法，晶片的清洗性高，且生產率、晶片品質及成品率良好。因此本發(fā)明的晶片清洗裝置及晶片清洗方法可適宜地用于例如太陽能電池等的晶片制造。
【權利要求】
1.一種晶片清洗裝置，對用粘接劑粘接于切片底座的多個晶片進行清洗，具備: 存積清洗液的水槽； 以將所述切片底座及所述多個晶片浸潰于所述水槽的所述清洗液，且所述多個晶片處于下方的方式保持所述切片底座的保持部； 向所述多個晶片中的相鄰的晶片的間隙噴出所述清洗液的多個噴嘴；及 對所述多個晶片實施超聲波清洗處理的超聲波裝置， 所述多個噴嘴水平且等間隔地至少配置一列， 所述超聲波裝置以超聲波的方向與從所述多個噴嘴噴出的噴流的方向平行的方式設置。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶片清洗裝置，其中， 從所述超聲波裝置產生的超聲波的方向與從所述多個噴嘴噴出的噴流的方向為相反方向， 所述多個晶片配置在所述多個噴嘴與所述超聲波裝置之間。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的晶片清洗裝置，其中， 所述多個噴嘴具有在水平方向擺動的機構。
4.根據(jù)權利要求1?3中任一項所述的晶片清洗裝置，其中， 所述多個噴嘴具有在縱方向擺動的機構。
5.根據(jù)權利要求1?4中任一項所述的晶片清洗裝置，其中， 在與所述多個噴嘴相對的位置還具備吸引從所述多個噴嘴噴出的噴流的吸水機構， 所述多個晶片位于所述多個噴嘴與所述吸水機構之間。
6.根據(jù)權利要求5所述的晶片清洗裝置，其中， 所述吸水機構與所述多個噴嘴連動而在水平方向或縱方向擺動。
7.根據(jù)權利要求1?6中任一項所述的晶片清洗裝置，其中， 所述保持部具有相對于從所述多個噴嘴噴出的噴流的行進方向向下降的方向傾斜的機構。
8.根據(jù)權利要求1所述的晶片清洗裝置，其中， 從所述超聲波裝置產生的超聲波的方向與從所述多個噴嘴噴出的噴流的方向為相同方向， 所述多個噴嘴位于所述超聲波裝置與所述多個晶片之間。
9.根據(jù)權利要求1所述的晶片清洗裝置，其中， 所述水槽至少具有2個槽，所述多個噴嘴的高度方向的設置位置能夠任意選擇相比所述多個晶片的中央靠上側處、或相比所述多個晶片的中央靠下側處， 且所述多個噴嘴的高度方向的設置位置必定具有相比所述多個晶片的中央靠上側處和相比所述多個晶片的中央靠下側處這兩方。
10.一種晶片清洗方法，對用粘接劑粘接于切片底座的多個晶片在浸潰于存積清洗液的水槽的狀態(tài)下使用超聲波進行清洗，其中，包括如下工序: 在相比所述多個晶片的中央靠上側，且朝向所述多個相鄰的晶片的間隙，將所述清洗液從多個噴嘴沿水平方向噴出，從而擴大所述多個相鄰的晶片的間隙，并且， 對所述多個晶片的表面使用與從所述多個噴嘴噴出的噴流平行的方向的所述超聲波進行清洗?’及 在相比所述多個晶片的中央靠下側，且朝向所述多個相鄰的晶片的間隙，將所述清洗液從多個噴嘴沿水平方向噴出，從而擴大所述多個相鄰的晶片的間隙，并且， 對所述多個晶片的表面使用與從所述多個噴嘴噴出的噴流平行的方向的所述超聲波進行清洗。
【文檔編號】B08B3/12GK104347384SQ201410363842
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月28日 優(yōu)先權日:2013年7月30日
【發(fā)明者】吉野道朗, 高橋正行, 松野行壯, 久保隆志 申請人:松下電器產業(yè)株式會社