專利名稱：：氧化物燒結(jié)體、靶、用它制得的透明導(dǎo)電膜以及透明導(dǎo)電性基材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及氧化物燒結(jié)體、靶、用它制得的透明導(dǎo)電膜、以及透明導(dǎo)電性基材，更具體地說，涉及以氧化鋅為主要成分，進(jìn)一步含有鎂的氧化物燒結(jié)體、用其加工而成的靶、用其通過直流濺射法或離子電鍍法制得的耐化學(xué)試劑性優(yōu)良的小電阻透明導(dǎo)電膜、以及透明導(dǎo)電性基材。
背景技術(shù)：
：透明導(dǎo)電膜具有高導(dǎo)電性和可見光區(qū)域的高透光率。透明導(dǎo)電膜除了被用于太陽能電池、液晶顯示元件和其他各種感光元件的電極等以外，還被用作為汽車窗和建筑用的熱線反射膜、抗靜電膜、冷凍陳列拒等的各種防模糊用的透明發(fā)熱體。在透明導(dǎo)電膜中，已知氧化錫(Sn02)類、氧化鋅(ZnO)類、氧化銦(111203)類薄膜。在氧化錫類中，已被使用的有含銻作為摻雜劑的薄膜(ATO)和含氟作為摻雜劑的薄膜(FTO)。在氧化鋅類中，已被使用的有含鋁作為摻雜劑的薄膜(AZO)和含鎵作為摻雜劑的薄膜(GZO)。工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的透明導(dǎo)電膜是氧化銦類薄膜。其中含錫作為摻雜物的氧化銦被稱作為ITO(銦錫氧化物)膜，特別由于其易于制得小電阻的膜而一直被廣泛地應(yīng)用。小電阻的透明導(dǎo)電膜適用于太陽能電池、液晶、有機(jī)電致發(fā)光和無機(jī)電致發(fā)光等的表面元件和接觸面板。作為這些透明導(dǎo)電5膜的制造方法，較多采用濺射法和離子電鍍法。特別是濺射法，是低蒸氣壓材料成膜時(shí)以及需要控制精密膜厚時(shí)的有效方法，由于其操作非常簡(jiǎn)便，因而在工業(yè)上被廣泛地應(yīng)用。濺射法是采用濺射靶作為薄膜原料的成膜法。靶是構(gòu)成所要形成薄膜的含金屬元素的固體，其采用金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物等的燒結(jié)體或者根據(jù)情況釆用單晶。在該方法中，通常一旦使真空裝置形成高真空后，通入氬氣等稀有氣體，在約10Pa以下的氣壓下，以基板為陽極、'踐射耙作為陰極，在它們之間引起輝光放電，產(chǎn)生氬等離子體，并使等離子體中的氬陽離子轟擊陰極的濺射靶，使如此彈出的靶成分粒子堆積在基板上、形成膜。另外，濺射法以氬等離子體的發(fā)生方法而進(jìn)行分類，采用高頻等離子體的稱作為高頻濺射法，采用直流等離子體的稱作為直流賊射法。通常，直流濺射法由于與高頻濺射法相比成膜速率更快、電源設(shè)備更廉價(jià)、成膜操作更簡(jiǎn)便等原因而在工業(yè)上被廣泛地應(yīng)用。但是，與采用絕緣性靶也能成膜的高頻濺射法相比，直流濺射法中必須采用導(dǎo)電性靶。采用濺射法成膜時(shí)，成膜速率與靶物質(zhì)的化學(xué)鍵有密切的關(guān)系。濺射法是利用具有動(dòng)能的氬陽離子沖擊靶表面，使靶表面物質(zhì)獲取能量而彈出的現(xiàn)象的方法，靶物質(zhì)的離子間的鍵或者原子間的鍵越弱，則由賊射彈出的概率就越高。在ITO等氧化物的透明導(dǎo)電膜的濺射法的成膜方法中，包括使用作為膜構(gòu)成元素的合金靶(對(duì)于ITO膜的情況為In-Sn合金)，在氬氣和氧氣的混合氣體中通過反應(yīng)性濺射法形成氧化物膜的方法，和使用作為膜構(gòu)成元素的氧化物燒結(jié)體靶(對(duì)于ITO膜的情況為In-Sn-O燒結(jié)體)，在氬氣和氧氣的混合氣體中通過反應(yīng)性濺射法形成氧化物膜的方法。其中使用合金靶的方法中，濺射中的氧氣供給量很大，而成膜速率和膜的性能(電阻率、透光率)對(duì)成膜過程中通入的氧氣量的依賴性極大，因而難以穩(wěn)定地制造具有一定厚度和所需性能的透明導(dǎo)電膜。相比之下，在釆用氧化物靶的方法中，一部分供給膜的氧是通過濺射由靶提供的，剩下的不足的氧量由以氧氣的方式提供。因此，與使用合金靶時(shí)相比，成膜速率和膜的性能(電阻率、透光率)對(duì)成膜過程中通入的氧氣量的依賴性較小，能夠更穩(wěn)定地制造具有一定厚度、性能的透明導(dǎo)電膜，因此，工業(yè)上采用的是使用氧化物靶的方法。若考慮生產(chǎn)力和制造成本，直流濺射法比高頻'減射法更容易高速成膜。也就是說，如果在對(duì)相同的靶輸入相同的電力的情況下對(duì)成膜速率進(jìn)行比較，直流濺射法要快23倍。并且，在直流濺射法中，由于輸入的直流電力越大，則成膜速率越快，因而對(duì)于生產(chǎn)力來說也是有利的。因此，在工業(yè)上，輸入高直流電力也能夠穩(wěn)定地成膜的濺射靶是很有用的。一方面，離子電鍍法是通過使要成膜的靶材料表面電弧放電而進(jìn)行局部加熱，使其升華、離子化，并使其附著在帶負(fù)電的工件上而成膜的方法。其均具有在低溫下能夠獲得粘合性好的膜、對(duì)基板性質(zhì)和膜的性質(zhì)能夠有非常多的選擇、能夠進(jìn)行合金和化合物的成膜、對(duì)環(huán)境友好的工藝特征。離子電鍍法與'踐射法同樣，采用氧化物靶的方法也能夠穩(wěn)定地制造具有一定膜厚、性能的透明導(dǎo)電膜。如上所述，ITO等氧化銦類材料在工業(yè)上已,皮廣泛地應(yīng)用，但是由于稀有金屬銦的成本較高等，因而近年來需要非銦類材7料。作為非銦類材料，如上所述，已知GZO和AZO等氧化鋅類材料、FTO和ATO等氧化錫類材料。特別是氧化鋅類，由于其具有豐富的礦藏資源，因而成本較低，作為可以與ITO相媲美的小電阻率、高透光率材料而令人注目。然而，用其制得的氧化鋅類透明導(dǎo)電膜，雖然通常具有容易溶于酸或堿的優(yōu)點(diǎn)，但反過來由于缺乏耐酸性、耐^s威性，并且難以控制侵蝕速度，因此，難以進(jìn)行液晶顯示器用途等中必不可少的通過濕法刻蝕形成高精密圖案的處理。因此，其用途僅限于無需形成圖案的太陽能電池等。由于這種原因，氧化鋅類材料的耐化學(xué)試劑性的改善已成為研究課題。作為改善氧化鋅類透明導(dǎo)電膜耐化學(xué)試劑性的嘗試，有以下的例子。在專利文獻(xiàn)1中，提出了共添加新的雜質(zhì)的透明導(dǎo)電膜、用于制造該薄膜的靶材料以及圖案形成技術(shù)的方案，其目的是通過在氧化鋅(ZnO)中共添加選自III族元素的鋁(Al)等或IV族元素的硅(Si)等施主雜質(zhì)和鉻(Cr),而在不損害可見光透射性和電阻率的情況下使ZnO類透明導(dǎo)電膜的化學(xué)性能容易控制。但是，由于已知Cr的毒性強(qiáng)，因而必須考慮不能對(duì)環(huán)境和人體產(chǎn)生不良的影響。并且，由于侵蝕液必須控制在205'C這種比通常更低的溫度范圍，因而難以在工業(yè)上應(yīng)用。另外，專利文獻(xiàn)2中提出了共添加鈷(Co)或釩(V)代替鉻(Cr)的共添加雜質(zhì)的ZnO透明導(dǎo)電膜、制造該薄膜所使用的靶材料等的方案。但是，鈷(Co)與銦(In)同樣屬于稀有金屬。并且，由于釩(V)具有毒性，因而必須考慮不能對(duì)環(huán)境和人體產(chǎn)生不良的影響。另外，不管添加哪一種，與專利文獻(xiàn)l同樣，由于侵蝕液必須控制在205。C這種比通常更低的溫度范圍，因而難以在工業(yè)上應(yīng)8用。另外，還提出了不會(huì)由于分散了離子化雜質(zhì)而降低遷移率，能夠改善結(jié)晶性和侵蝕性能，能夠制得電阻小、加工性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜的方法(參見專利文獻(xiàn)3)。其中例示了采用RF磁控管濺射法作為成膜方法，通過使用在ZnO:A12032wt%的燒結(jié)體上貼合鎂片的耙，形成添加Mg的AZO膜(實(shí)施例2)。據(jù)此，有這樣的記載，在基板溫度為300°C下成膜的膜中，含有以Zn來計(jì)含5。/0原子濃度Mg的AZO膜，與在相同條件下制作的不含鎂的膜相比，電阻率由300nQcm降至200pQcm,由HC1侵蝕的速率提高至3倍。換句話說，通過添加Mg,作為耐化學(xué)試劑性之一的耐酸性，反而顯示有所下降。而且，對(duì)于耐堿性，沒有任何涉及。在此情況下，需要能夠用于以下的靶，其制得不含具有對(duì)環(huán)境和人體產(chǎn)生不良影響的毒性的成分、且耐酸性、耐堿性等耐化學(xué)試劑性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜。專利文獻(xiàn)1:特開2002-075061號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開2002—075062號(hào)公才艮專利文獻(xiàn)3:特開平8-199343號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是，鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，提供以氧化鋅作為主要成分，并含有鎂的氧化物燒結(jié)體，由其加工而成的靶，以及用其通過直流濺射法或離子電鍍法制得的耐化學(xué)試劑性優(yōu)良的小電阻透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明者們?yōu)榻鉀Q上述現(xiàn)有技術(shù)的問題反復(fù)進(jìn)行專心的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如果在以氧化鋅為主要成分、并含有鎂的氧化物燒結(jié)體中，使鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.020.30,將其作為直流濺射法等的靶使用，則能夠制得對(duì)酸、堿的化學(xué)試劑耐受性高的小電阻的氧化鋅類透明導(dǎo)電膜，并且，通過使用進(jìn)一步含有特定量的鎵和/或鋁的氧化物燒結(jié)體作為靶，可以進(jìn)一步提高所得氧化鋅類透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性，從而完成了本發(fā)明。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的第l項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于含有氧化鋅和鎂，并且鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.020.30。另外，根據(jù)本發(fā)明的第2項(xiàng)發(fā)明，提供第l項(xiàng)中所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于，在第1項(xiàng)發(fā)明中，鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.05~0.18。另外，根據(jù)本發(fā)明的第3項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于在第1或2項(xiàng)發(fā)明中，電阻率為50kncm以下。一方面，根據(jù)本發(fā)明的第4項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于，含有氧化鋅、鎂、以及鎵和/或鋁，并且鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)大于0并為0.09以下，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.020.30。另外，根據(jù)本發(fā)明的第5項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于，在第4項(xiàng)發(fā)明中，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.05-0.18。另外，根據(jù)本發(fā)明的第6項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于，在第4項(xiàng)發(fā)明中，鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.010.08。另外，根據(jù)本發(fā)明的第7項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于，在第4項(xiàng)發(fā)明中，鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.035~0.08,并且，鎂的含10說明書第7/60頁量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.098~0.18。另外，根據(jù)本發(fā)明的第8項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于，在第47任一項(xiàng)發(fā)明中，由下述式(A)表示的采用X射線衍射測(cè)定法測(cè)得的峰強(qiáng)度比為15%以下，I[MgGa2O4(311)+MgAl2O4(311)]/I[ZnO(101)]x100(%)...(A)式中，1[MgGa204(311)+MgAl204(311)]為呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度與MgAl204相的(311)峰強(qiáng)度之和，1[ZnO(101)]表示呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(101)峰強(qiáng)度。另外，根據(jù)本發(fā)明的第9項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于，在第48任一項(xiàng)發(fā)明中，電阻率為5kQcm以下。另外，根據(jù)本發(fā)明的第10項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于，在第19任一項(xiàng)發(fā)明中，實(shí)質(zhì)上不含氧化鎂相。根據(jù)本發(fā)明的第11項(xiàng)發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于，在第110任一項(xiàng)發(fā)明中，其通過熱壓法成形、燒結(jié)而制3曰付。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的第12項(xiàng)發(fā)明，提供一種靶，其由第111任一項(xiàng)發(fā)明的氧化物燒結(jié)體加工制得。另外，根據(jù)本發(fā)明的第13項(xiàng)發(fā)明，提供一種靶，其特征在于，在第12項(xiàng)發(fā)明中，其密度為5.0g/cm3以上，并用于濺射法。另外，根據(jù)本發(fā)明的第14項(xiàng)發(fā)明，提供一種靶，其特征在于，在第12項(xiàng)發(fā)明中，其密度為3.5~4.5g/cm3,并用于離子電鍍法。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的第15項(xiàng)發(fā)明，提供一種采用第12~14任一項(xiàng)發(fā)明所述的耙通過賊射法或離子電鍍法在基板上形成的透明導(dǎo)電膜。11另外，根據(jù)本發(fā)明的第16項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于，在第15項(xiàng)發(fā)明中，含有氧化鋅和鎂，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.020.30。另外，根據(jù)本發(fā)明的第17項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于，在第15項(xiàng)發(fā)明中，含有氧化鋅、鎂、以及鎵和/或鋁，其含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)大于0并為0.09以下，并且，4美的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30。另外，根據(jù)本發(fā)明的第18項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于，在第17項(xiàng)發(fā)明中，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.05~0.18。另外，根據(jù)本發(fā)明的第19項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于，在第17或18項(xiàng)發(fā)明中，鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.01~0.08。另外，根據(jù)本發(fā)明的第20項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于，在第17項(xiàng)發(fā)明中，鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.035~0.08,并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.0980.18。另外，根據(jù)本發(fā)明的第21項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于，在第1520任一項(xiàng)發(fā)明中，主要由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，由下述式(B)表示的采用X射線衍射測(cè)定法測(cè)得的峰強(qiáng)度比為50%以上，1[ZnO(002)]/(I[ZnO(002)]+I[ZnO(100)])x100(%)...(B)式中，1[ZnO(002)]為呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(002)峰強(qiáng)度，1[ZnO(100)]表示呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(100)峰強(qiáng)度。12另外，根據(jù)本發(fā)明的第22項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于，在第1521任一項(xiàng)發(fā)明中，實(shí)質(zhì)上不含呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相。另外，根據(jù)本發(fā)明的第23項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電性基材，其特征在于具有透明基板和在所述透明基板的一面或兩面上形成的第15~22項(xiàng)發(fā)明的任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜，上述透明基板為玻璃板、石英板、一面或兩面覆蓋有阻氣膜的樹脂板或樹脂膜、內(nèi)部嵌入有阻氣膜的樹脂板或樹脂膜中的任意一種。另外，根據(jù)本發(fā)明的第24項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電性基材，其特征在于，在第23項(xiàng)發(fā)明中，上述阻氣膜為選自氧化硅膜、氧化氮化硅膜、鋁酸鎂膜、氧化錫類膜以及金剛石狀碳膜中的至少一種。另外，根據(jù)本發(fā)明的第25項(xiàng)發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電性基材，其特征在于，在第23項(xiàng)發(fā)明中，上述樹脂板或樹脂膜由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚醚砜、多芳基化合物、聚碳酸酯或者在它們的表面上覆蓋有丙烯酸類有機(jī)物的疊層結(jié)構(gòu)體構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，由于氧化物燒結(jié)體以氧化鋅作為主要成分，并含有特定量的鎂，若將其作為濺射靶使用，則即使采用直流濺射法，也不會(huì)發(fā)生電弧放電，并能夠形成耐化學(xué)試劑性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜。并且，通過制成進(jìn)一步含有特定量鎵和/或鋁的氧化物燒結(jié)體，可以進(jìn)一步改善所得透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性。本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體同樣可以作為離子電鍍法用的靶使用，并能夠高速成膜。由其制得的本發(fā)明氧化鋅類透明導(dǎo)電膜，由于控制為最佳組成和晶相，不會(huì)顯著損害其可見光透光率和電阻率方面的性能，作為顯示優(yōu)良耐化學(xué)試劑性且不使用比較昂貴的銦的透明導(dǎo)電膜，在工業(yè)上很有價(jià)值，可適用于采用這種透明導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電性基材。圖1是顯示透明導(dǎo)電膜的生成相采用X射線衍射測(cè)定法鑒定的結(jié)果的譜圖。具體實(shí)施例方式以下，對(duì)本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體、靶、用其制得的透明導(dǎo)電膜以及透明導(dǎo)電性基材進(jìn)行詳細(xì)的說明。1、氧化物燒結(jié)體本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體特征在于含有氧化鋅和鎂，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.020.30(以下也將其稱為第一氧化物燒結(jié)體)。另外，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體特征在于含有氧化鋅、鎂、以及鎵和/或鋁，并且鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)大于0并為0.08以下，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30(以下也將其稱為第二氧化物燒結(jié)體)。(l)第一氧化物燒結(jié)體本發(fā)明的第一氧化物燒結(jié)體是以氧化鋅作為主要成分，并含有特定量的鎂的氧化物。鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30的比率。由于含有上述組成范圍的鎂，當(dāng)將該氧化物燒結(jié)體作為靶的原料使用時(shí)，可以提高通過濺射法等形成的以氧化鋅為主要成分的透明導(dǎo)電膜的耐化學(xué)試劑性。這里將透明導(dǎo)電膜的耐化學(xué)試劑性分為耐酸性和耐堿性，闡述其與鎂含量之間的關(guān)系。當(dāng)鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)不足0.02時(shí)，所得透明導(dǎo)電膜的耐酸性、耐堿性均不夠好，14當(dāng)超過0.30時(shí)，如下所述由于膜的結(jié)晶性下降而不能獲得足夠的耐酸性。不過，對(duì)于耐堿性，鎂的含量越多則越好，因而即使超過0.30時(shí)也非常好。另外，如果鎂的含量超過0.30，則由于膜的結(jié)晶性下降，電阻率也會(huì)增大。為了能夠進(jìn)行直流(DC)濺射，電阻率需要為50kQcm以下，因此電阻率增大的傾向是不優(yōu)選的。為了減小電阻率，在氧化物燒結(jié)體的制造時(shí)，需要增加例如在還原氛圍氣體下的燒結(jié)或熱處理等。由此，特別優(yōu)選的鎂含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.050.18的比率。本發(fā)明中氧化物燒結(jié)體主要由氧化鋅相構(gòu)成，而該氧化鋅相，是指JCPDS卡36-1451中記載的六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，也包括氧缺失、鋅缺失的非化學(xué)計(jì)量組成的氧化鋅相。作為添加元素的鎂，通常固溶于上述氧化鋅相的鋅位點(diǎn)處。對(duì)于本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，優(yōu)選該氧化物燒結(jié)體中不含JCPDS卡45-0946中記載的氧化鎂相。如果鎂不是固溶于氧化鋅相中，而是作為不良導(dǎo)體的氧化鎂含于氧化物燒結(jié)體中，則在濺射時(shí)會(huì)因氬離子照射而帶電，導(dǎo)致絕緣的破壞而引起電弧放電，從而難以采用直流(DC)賊射穩(wěn)定地成膜。對(duì)于氧化物燒結(jié)體的密度，不必進(jìn)行特別的限制，當(dāng)用于濺射用靶時(shí)，優(yōu)選為5.0g/cm3以上。若密度低于5.0g/cm3,則不用說難以進(jìn)行直流濺射，并會(huì)出現(xiàn)顯著發(fā)生結(jié)瘤等的問題。結(jié)瘤說成是隨濺射在靶表面的侵蝕部位產(chǎn)生的微小突起，該結(jié)瘤的起因是發(fā)生異常放電或飛濺，其導(dǎo)致濺射室內(nèi)粗大粒子(顆粒)漂浮，該粒子在成膜過程中附著在膜上，成為導(dǎo)致品質(zhì)下降的原因。另外，當(dāng)通過離子電鍍法成膜時(shí)，如果燒結(jié)體密度過高，則由于會(huì)發(fā)生開裂，因而優(yōu)選3.5~4.5g/cm3范圍的較小密度。本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體主要由固溶了鎂的氧化鋅相構(gòu)成，具有50kQcm以下、優(yōu)選30kQcm以下、更優(yōu)選10kQcm以下的電阻率，能夠通過直流(DC)濺射穩(wěn)定地成膜。另外，除了鎂以外，在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，還可以含有其他添加元素(例如銦、鈦、鎢、鉬、銥、釕、錸等)。另外，為了提高氧化物燒結(jié)體的燒結(jié)密度的目的，還可以添加例如少量的氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺、氧化銦、氧化錫等燒結(jié)助劑。但是，燒結(jié)助劑必須在不影響膜的各種性能的范圍內(nèi)添加，優(yōu)選為氧化物組成的0.1~0.3wt%。(2)第二氧化物燒結(jié)體本發(fā)明的第二氧化物燒結(jié)體特征在于含有氧化鋅、鎂、以及鎵和/或鋁，并且鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)大于0并為0.09以下，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30。上述氧化物燒結(jié)體中，用于提高導(dǎo)電性的鎵和/或鋁的含量必須落在上述組成范圍內(nèi)。如果鎵和/或鋁的總含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)超過0.09,則由于采用以本發(fā)明氧化物燒結(jié)體作為原料的靶形成的透明導(dǎo)電膜的結(jié)晶性下降，會(huì)導(dǎo)致電阻率增大，同時(shí)耐化學(xué)試劑性，特別是耐酸性也下降。另外，當(dāng)氧化物燒結(jié)體中同時(shí)含有鋁和鎵時(shí)，優(yōu)選鋁和鎵的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)的原子數(shù)比計(jì)為3.26.5原子％,并且鋁與鎵的含量以Al/(A1+Ga)的原子數(shù)比計(jì)為3070原子％,氧化物燒結(jié)體中形成的尖晶石型氧化物相中的鋁含量，以Al/(A1+Ga)的原子數(shù)比計(jì)為10~90原子％。因?yàn)?，如果將不滿足該組成范圍的氧化物燒結(jié)體，即鋁和鎵過量的氧化物燒結(jié)體作為直流濺射靶使用的話，對(duì)于鋁則會(huì)容易發(fā)生異常放電，或者對(duì)于鎵則會(huì)容易產(chǎn)生顆粒。特別是在輸入高直流電力時(shí)或者進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間濺射時(shí)，這些情況的發(fā)生很顯著。對(duì)于鋁來說，引起異常放電的原因被認(rèn)為是上述氧化物燒結(jié)體中形成的尖晶石型氧化物相，其可以通過使該相中鋁和鎵以上述組成范圍共存而解決。對(duì)于鎵來說，產(chǎn)生的顆粒的問題也可以通過同樣的方法解決。另外，如上所述，當(dāng)鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)不足0.02時(shí)，則透明導(dǎo)電膜不能獲得足夠好的耐酸性和耐堿性，當(dāng)超過0.30時(shí)，則不能獲得足夠的耐酸性，不僅如此，電阻率也會(huì)增大，因此不優(yōu)選。并且，為了獲得低電阻率，以及優(yōu)良的耐酸性和耐石咸性，更優(yōu)選4家和/或鋁的總含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.010.08，4美的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.050.18。另外，為了獲得更加小的電阻率以及更加優(yōu)良的耐酸性和耐堿性，使鎵和/或鋁的總含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.035~0.08,且鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.0980.18很重要。這種限制的組成區(qū)間很有利的理由將在下述的透明導(dǎo)電膜一項(xiàng)中進(jìn)行闡述。本發(fā)明中氧化物燒結(jié)體主要由氧化鋅相構(gòu)成，而該氧化鋅相，是指JCPDS卡36-1451中記載的六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，也包括氧缺失、鋅缺失的非化學(xué)計(jì)量組成的氧化鋅相。作為添加元素的鎵、鋁和鎂，通常固溶于上述氧化鋅相的鋅位點(diǎn)處。當(dāng)主要由以上述組成范圍固溶了鎵和/或鋁以及鎂的氧化鋅相構(gòu)成時(shí)，由于可以獲得5kQcm以下、更優(yōu)選lkQcm以下的電阻率，在通過直流(DC)賊射成膜時(shí)，可以施加更大的電力，從而可以高速的成膜。另外，除了鎂以外，在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，還可以含有其他添加元素(例如銦、鈥、鶴、鉬、銥、釕、17錸等)。另外，為了提高氧化物燒結(jié)體的燒結(jié)密度的目的，還可以添加例如少量的氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺、氧化銦、氧化錫等燒結(jié)助劑。但是，燒結(jié)助劑必須在不影響膜的各種性能的范圍內(nèi)添加，優(yōu)選為氧化物組成的0.1~0.3wt%。另外，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體中，JCPDS卡10-0113中記載的含鎂與鎵的復(fù)合氧化物MgGa2Ods，以及JCPDS卡21-1152中記載的含鎂與鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相，優(yōu)選由下述式(A)定義的X射線衍射測(cè)得的、呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(101)峰強(qiáng)度與呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度和MgAl204相的(311)峰強(qiáng)度的比率為15%以下，更優(yōu)選為10%以下的范圍。最優(yōu)選不含復(fù)合氧化物MgGa204相和復(fù)合氧化物MgAl2(M目。I[MgGa2O4(311)+MgAl2O4(311)]/I[ZnO(101)]x100(%)...(A)這里，1[MgGa2。4(311)+MgAl204(311)]表示X射線衍射測(cè)得的呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的復(fù)合氧化物MgGa204相的(31l)峰強(qiáng)度與MgAl204相的(311)峰強(qiáng)度之和，1[ZnO(101)]表示由X射線衍射測(cè)得的呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(101)峰強(qiáng)度。當(dāng)氧化物燒結(jié)體中含鎂與鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相和含鎂與鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相超過上述強(qiáng)度比范圍存在時(shí)，則由于膜中產(chǎn)生呈立方晶系巖鹽構(gòu)造氧化鋅相，而使耐酸性顯著降低。另外，當(dāng)鎂的含量多時(shí)，特別是Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比達(dá)到0.10~0.30的范圍時(shí)，由于容易生成氧化鎂相或者含鎂與鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相以及含鎂與鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相，因而必須釆用下一項(xiàng)所述的設(shè)定了適當(dāng)條件的工藝來制造氧化物燒結(jié)體。對(duì)于氧化物燒結(jié)體的密度，不必進(jìn)行特別的限制，如上述理由，當(dāng)用于濺射用靶時(shí)，優(yōu)選為5.0g/cm3以上。當(dāng)用于離子電鍍法用靶時(shí)，優(yōu)選3.5~4.5g/cm3范圍的較小密度。2、氧化物燒結(jié)體的制造本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，對(duì)制造方法沒有特別的限制。例如，可以采用包括由原料粉末形成成形體的工序和將該成形體置于燒結(jié)爐中燒結(jié)的工序的方法。本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體中，當(dāng)然希望沒有上述氧化鎂相生成，而在制造條件中，以在很大程度上依賴于例如原料粉末的粒徑、混合條件和焙燒條件。(l)成形體的形成在由原料粉末形成成形體的工序中，如果是第一氧化物燒結(jié)體，向作為原料的氧化鋅粉末中添加氧化鎂粉末，如果是第二氧化物燒結(jié)體，向其中加入含元素周期表第III族元素的氧化鎵粉末和/或氧化鋁粉末并混合。元素周期表第III族的元素對(duì)于獲得高密度且高導(dǎo)電性的燒結(jié)體有很大的作用。原料粉末對(duì)平均粒徑?jīng)]有特別的限制，但優(yōu)選使用所有平均粒徑均為3pm以下，特別優(yōu)選為lpm以下的粉末。采用例如平均粒徑為l|iim以下的氧化鋅粉末、平均粒徑為1(im以下的氧化鎂粉末以及平均粒徑為lpm以下的氧化鎵粉末和/或平均粒徑為1pm以下的氧化鋁粉末，進(jìn)行24小時(shí)以上球磨機(jī)混合，采用該混合粉末，能夠有效地抑制氧化物燒結(jié)體中氧化鎂相的生成。特別是，當(dāng)Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比為0.10~0.30的范圍時(shí)，由于不僅容易產(chǎn)生氧化鎂相，而且容易產(chǎn)生含鎂與鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相以及含鎂與鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相，因此，根據(jù)原料粉末的形態(tài)，優(yōu)選進(jìn)行36小時(shí)以上球磨機(jī)混合。當(dāng)平均粒徑超過3pm或者混合時(shí)間不足24小時(shí)時(shí)，不能使各成分均勻地混合，難以使鎵和/或鋁以及鎂以上述組成范圍固溶于氧19化鋅相中，由此使所得氧化物燒結(jié)體的氧化鋅相中存在氧化鎂相或者含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相以及含鎂與鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相，因此是不優(yōu)選的。通常，對(duì)于氧化鋅類氧化物燒結(jié)體，當(dāng)用作為能夠穩(wěn)定成膜的靶用氧化物燒結(jié)體時(shí)，優(yōu)選采用氧化鋅中所添加的元素的氧化物作為原料粉末，但是也可以由氧化鋅粉末與所添加的其他元素的金屬粉末組合的原料粉末制造。但是，如果氧化物燒結(jié)體中存在所添加的金屬粉末(顆粒)，則由于在成膜過程中靶表面的金屬顆粒熔融，而使靶與膜的組成產(chǎn)生很大差異，因此不優(yōu)選。原料粉末采用公知的裝置進(jìn)行混合、攪拌、添加粘合劑(例如PVA)等進(jìn)行制粒后，制成10100jim的范圍，將如此制得的顆粒采用例如1000kg/cm3以上的壓力進(jìn)行加壓成形，制成成形體。然后，將原料粉末在模具中進(jìn)行加壓成形使粉末壓縮，可以制成密度大的壓縮顆粒，提高體積密度，獲得密度更大的成形體。當(dāng)采用低于1000kg/cm3的壓力時(shí)，不能充分提高體積密度，不能期望獲得滿意的提高密度的效果。(2)成形體的燒結(jié)成形工序之后的燒結(jié)工序是將該成形體置于燒結(jié)爐中燒結(jié)的工序，燒結(jié)法可以采用簡(jiǎn)便的常壓燒結(jié)法，也可以采用熱壓法。對(duì)于常壓燒結(jié)法，例如，向燒結(jié)爐內(nèi)的大氣中通入氧氣作為氛圍氣體，在1100。C1500。C，優(yōu)選120(K1500。C下燒結(jié)1030小時(shí)，優(yōu)選1525小時(shí)。當(dāng)溫度低于IIOO'C時(shí)，則燒結(jié)不能進(jìn)行充分，燒結(jié)體的密度下降，電阻值增大。并且，由所得燒結(jié)體制作的靶的成膜速率變慢，會(huì)發(fā)生異常放電等濺射時(shí)的不好狀況，因此不優(yōu)選。在將溫度升至燒結(jié)溫度的情況，為了防止燒結(jié)體開裂，并除去粘合劑，升溫速率優(yōu)選為0.25。C/分鐘的范圍。并且，為了使鎂充分地固溶于氧化鋅晶格中，使燒結(jié)體中沒有氧化鎂相形成，更優(yōu)選0.2。c/分鐘以上、不足rc/分鐘的范圍。當(dāng)不足0.2。C/分鐘時(shí)，不僅不適合于實(shí)際操作，還會(huì)出現(xiàn)燒結(jié)體的晶體顯著增長(zhǎng)的問題。另外，根據(jù)需要，還可以采用不同的升溫速率的組合使其升溫至燒結(jié)溫度。在升溫過程中，為了除去粘合劑和燒結(jié)的目的，還可以在特定溫度下保持一定時(shí)間。燒結(jié)后，在冷卻時(shí)停止通入氧氣，優(yōu)選以0.25。C/分鐘，特別是0.2。C/分鐘以上不足rc/分鐘的降溫速率降溫至IOO(TC。按照以上所述的工序，采用微細(xì)的原料粉末，進(jìn)行充分混合，同時(shí)，在可充分進(jìn)行擴(kuò)散的燒結(jié)溫度下進(jìn)行燒結(jié)，則不會(huì)有氧化鎂粉末殘留，也就是說氧化物燒結(jié)體中不會(huì)存在氧化鎂相。但是，根據(jù)組成等的不同，會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)生復(fù)合氧化物等的情形。對(duì)于熱壓法，與上述常壓燒結(jié)法相比，由于其在還原性氛圍氣體下將氧化物燒結(jié)體的原料粉末成形、燒結(jié)，因此可以減少燒結(jié)體中氧的含量。氧化鋅類的透明導(dǎo)電膜，由于鋅與氧的親和力非常高，當(dāng)燒結(jié)體中氧含量高時(shí)，以電阻率為代表的各種性能會(huì)下降。從制造成本等角度考慮，熱壓法不如常壓燒結(jié)法，但是在對(duì)透明導(dǎo)電膜的性能要求高的情況下是很有利的。在本發(fā)明中，為了獲得強(qiáng)結(jié)晶取向的透明導(dǎo)電膜，采用熱壓法制造氧化物燒結(jié)體特別有利。現(xiàn)列舉本發(fā)明采用熱壓法制造氧化物燒結(jié)體的條件的一例。即，以平均粒徑為l|im以下的氧化鋅粉末、平均粒徑為lpm以下的氧化鎂粉末以及平均粒徑為lnm以下的氧化鎵粉末和/或平均粒徑為lpm以下的氧化鋁粉末作為原料，將這些粉末以預(yù)定的比例進(jìn)行調(diào)配。將調(diào)配好的原料采用干法球磨機(jī)、V混煉機(jī)等混合均勾，向碳容器中供給粉末，通過熱壓法進(jìn)行燒結(jié)。燒結(jié)溫度為10001200°C,壓力為2.45MPa~29.40MPa(25kgf/cm2300kgf/cmO,燒結(jié)時(shí)間為110小時(shí)即可。熱壓法的氛圍氣體優(yōu)選為氬氣等不活潑氣體或者真空中。當(dāng)作為濺射用靶時(shí)，更優(yōu)選燒結(jié)溫度為10501150°C，壓力為9.80MPa29.40MPa(100kgf/cm2~300kgf/cm2),燒結(jié)時(shí)間為1~3小時(shí)即可。另外，當(dāng)作為離子電鍍法用靶時(shí)，更優(yōu)選燒結(jié)溫度為1000~1100°C,壓力為2.45MPa9.80MPa(25kgf/cm2~100kgf/cm2)，燒結(jié)時(shí)間為13小時(shí)即可。3、耙將由上述方法制造的氧化物燒結(jié)體通過平面磨削等進(jìn)行加工，制成預(yù)定的尺寸后，貼附在墊板上，即可制成靶(也稱作為單靶)。也可以根據(jù)需要將幾塊燒結(jié)體以分割狀并置，制成大面積靶(也稱作為復(fù)合靶)。靶包括濺射用靶和離子電鍍用靶。另外，在離子電鍍法中，這種材料也稱作為小片，在本發(fā)明中統(tǒng)稱為靶。其密度，當(dāng)作為濺射用靶時(shí)，優(yōu)選為5.0g/cm3以上，當(dāng)作為離子電^l度用靶時(shí)，優(yōu)選為3.54.5g/cm3。當(dāng)作為濺射用靶時(shí)，如果密度小于5.0g/cm3,則不用說難以進(jìn)行直流賊射，并會(huì)出現(xiàn)顯著發(fā)生結(jié)瘤等的問題。靶是以氧化鋅為主要成分，以主要由固溶了鎂的氧化鋅相構(gòu)成的氧化鋅燒結(jié)體為基體，或者，以氧化鋅為主要成分，以主要由固溶了鎵和/或鋁以及鎂的氧化鋅相構(gòu)成的氧化物燒結(jié)體為基體。4、透明導(dǎo)電膜的制造本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜是采用上述本發(fā)明的靶，在成膜裝置中通過濺射法或者離子電鍍法在基板上形成的。特別是直流(DC)濺射法，由于在成膜時(shí)受熱影響較小，能夠高速成膜，因此在工業(yè)上是有利的，是優(yōu)選的。22也就是說，在本發(fā)明透明導(dǎo)電膜的制造中，采用的方法是使用由上述氧化物燒結(jié)體制得的靶，采用特定的基板溫度、氣體壓力、輸入的電力等濺射或離子電鍍條件，在基板上形成由含鎂的氧化鋅、或者含鎵和/或鋁以及鎂的氧化鋅構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜。在由本發(fā)明形成透明導(dǎo)電膜時(shí)，優(yōu)選使用釆用氬氣等不活潑氣體作為濺射氣體的直流濺射法。另外，在濺射裝置中，可以在0.11Pa,特別是0.20.8Pa的壓力下進(jìn)行賊射。在本發(fā)明中，例如，可以在抽真空至5xl(T5Pa以下以后，通入純氬氣至氣壓為0.2~0.5Pa，施力口100~300W的直流電力，使其產(chǎn)生直流等離子體，進(jìn)行預(yù)濺射。優(yōu)選進(jìn)行5~30分鐘這種預(yù)濺射后，根據(jù)需要調(diào)整基板位置后再進(jìn)行濺射。在本發(fā)明中，可以不加熱基板而進(jìn)行成膜，也可以將基板加熱至50~300°C,特別是80200°C。當(dāng)基板為樹脂板、樹脂膜等低熔點(diǎn)基板時(shí)，需要在不加熱的條件下成膜。若采用由上述本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體制作的賊射耙，則可以通過直流濺射法在基板上制造耐化學(xué)試劑性、導(dǎo)電'性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜。這樣可以大幅降低制造成本。另外，當(dāng)使用由上述氧化物燒結(jié)體制作的離子電鍍用把(也稱為小片或小丸)時(shí)，也能形成同樣的透明導(dǎo)電膜。在離子電鍍法中，對(duì)作為蒸發(fā)源的耙照射電子束或電弧放電產(chǎn)生的熱等，則被照射的部分局部形成高溫，使蒸發(fā)顆粒蒸發(fā)而堆積在基板上。此時(shí)，蒸發(fā)顆粒通過電子束或電弧放電離子化。對(duì)于離子化方法，有各種方法，但采用等離子體發(fā)生裝置(等離子體槍)的高密度等離子體促進(jìn)蒸鍍法(HDPE法)適用于形成優(yōu)良質(zhì)量的透明導(dǎo)電膜。在該方法中，應(yīng)用采用等離子體槍的電弧放電。該等離子體槍內(nèi)置的陰極與蒸發(fā)源坩鍋(陽極)之間保持電弧放電。從陰極放出的電23子通過磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)導(dǎo)入到蚶鍋中，局部集中地照射投入坩鍋中的靶。由該電子束局部形成高溫的部分，蒸發(fā)顆粒蒸發(fā)并堆積在基板上。由于氣化的蒸發(fā)顆?；蜃鳛榉磻?yīng)氣體而導(dǎo)入的氧氣在該等離子內(nèi)離子化并活化，因而可以制造優(yōu)良品質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。5、透明導(dǎo)電膜本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜是釆用上述靶，通過濺射法或離子電鍍法在基板上形成的。也就是說，是采用由上述氧化物燒結(jié)體加工而成的靶，通過濺射法或離子電鍍法制造的透明導(dǎo)電膜，其特征在于(1)是以氧化鋅為主要成分，并含有鎂的透明導(dǎo)電膜，鎂的含量比率以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30,或者(2)是以氧化鋅為主要成分，并含有鎂以及鎵和/或鋁的透明導(dǎo)電膜，含量比率以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)大于0并為0.09以下，鎂的含量比率以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30。談到現(xiàn)有的氧化鋅類透明導(dǎo)電膜，通常存在對(duì)于酸和堿容易溶解，缺乏耐酸性、耐堿性，難以控制侵蝕速率，從而難以進(jìn)行液晶顯示器用途等中必不可少的通過濕法刻蝕形成高精密圖案的處理的問題。本發(fā)明由于采用了能夠用于工業(yè)上有利的直流濺射法或離子電鍍法的高速成膜、難以產(chǎn)生電弧放電的濺射靶或離子電鍍小片，因而可以制得不損害電學(xué)、光學(xué)性能、對(duì)酸、堿具有高的試劑耐受性的氧化鋅類透明導(dǎo)電膜。特別是通過控制膜的組成和結(jié)晶相，可以獲得顯示高耐化學(xué)試劑性的氧化鋅類透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜由于用上述氧化物燒結(jié)體作為原料進(jìn)行成膜，優(yōu)選能夠反映氧化物燒結(jié)體的組成。也就是說，需要是以氧化鋅作為主要成分，并含有鎂的透明導(dǎo)電膜，鎂的含量比率以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30，或者是以氧化鋅為主要成分，并含有鎂以及鎵和/或鋁的透明導(dǎo)電膜，含量比率以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)大于0并為0.09以下，鎂的含量比率以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.020.30。本發(fā)明透明導(dǎo)電膜通過以氧化鋅為主要成分，并含有上述組成范圍的鎂，而顯示出優(yōu)良的耐化學(xué)試劑性。當(dāng)鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)不足0.02時(shí)，透明導(dǎo)電膜不能表現(xiàn)足夠好的耐酸性、耐堿性，當(dāng)超過0.30時(shí)，由于膜的結(jié)晶性下降而不能獲得足夠的耐酸性。不過，對(duì)于耐堿性，鎂的含量越多則越好，因而即使超過0.30時(shí)也非常好。當(dāng)^:的含量超過0.30而使膜的結(jié)晶性下降時(shí)，導(dǎo)電性也受到損害。透明導(dǎo)電膜進(jìn)一步含有上述組成范圍的鎵和/或鋁，可以顯示出更高的導(dǎo)電性。而當(dāng)鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)超過0.09,則由于膜的結(jié)晶性下降而不能獲得足夠好的耐酸性。另外，為了使透明導(dǎo)電膜顯示顯示優(yōu)良的耐化學(xué)試劑性和低電阻率，更優(yōu)選上述鎵和/或鋁的總含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.01~0.08，4美的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.05~0.18。另外，為了獲得更加小的電阻率以及更加優(yōu)良的耐酸性和耐堿性，透明導(dǎo)電膜的組成進(jìn)一步優(yōu)選鎵和/或鋁的總含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.0350.08,且鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.0980.18的范圍。已知氧化鋅類透明導(dǎo)電膜即使是室溫形成，也可獲得結(jié)晶膜，取向于c面(002),而現(xiàn)在獲悉上述組成范圍的透明導(dǎo)電膜顯示出顯著強(qiáng)的取向。由本發(fā)明可知，與采用通常所用的含鎵或鋁的氧化鋅燒結(jié)25體作為靶而形成的透明導(dǎo)電膜相比，C面(002)反射的峰強(qiáng)度最大顯示出2.5倍的顯著大的值，基于這一效果，可以獲得更低的電阻率和更優(yōu)良的耐化學(xué)試劑性。另外，為了獲得這種強(qiáng)結(jié)晶取向，僅僅鎂落在上述組成范圍內(nèi)是不能實(shí)現(xiàn)的。同時(shí)鎵的量也必須落在上述組成范圍內(nèi)。另外，為了獲得上述強(qiáng)結(jié)晶取向，膜中的氧含量越低越優(yōu)選。也就是說，氧化物燒結(jié)體中，即成形一燒結(jié)工序中應(yīng)用HP法的靶中氧含量的降低，以及盡可能地在還原氛圍氣下成膜是有效的。上述專利文獻(xiàn)3中例示了采用RF磁控管濺射法作為成膜方法，使用在ZnO:A1203為2wt。/。的燒結(jié)體靶上貼合MgO芯片的靶，即通過所謂片裝賊射形成的添加Mg的AZO膜(實(shí)施例2)。但是，已知通常MgO非常穩(wěn)定，在該方法中，ZnO:Al203為2wt。/。的燒結(jié)體部分會(huì)優(yōu)先濺射。根據(jù)本發(fā)明者們的試驗(yàn)，在ZnO:Al203為2wt%的燒結(jié)體靶中，即使高效'賊射的侵蝕區(qū)域大部分被MgO芯片覆蓋，也幾乎沒有添加上鎂，獲悉其相對(duì)于Zn僅達(dá)到5%原子濃度水平。若要使鎂不以MgO存在，如果不使用ZnO晶格中固溶了Mg的上述本發(fā)明的耙，則要獲得添加超過1%量的Mg的AZO膜是非常困難的。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜主要由JCPDS卡36-1451中記載的六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，而為了獲得高導(dǎo)電性和優(yōu)異的耐酸性，如上所述的膜的結(jié)晶性非常重要。也就是說，呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的c面相對(duì)于基板平行地取向是很重要的。特別是由下述式(B)定義的、由X射線衍射測(cè)得的呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的c面(002)與a面(100)的峰強(qiáng)度比，優(yōu)選為50%以上，更優(yōu)選為70%以上，進(jìn)一步優(yōu)選為90%以上。1[ZnO(002)]/(I[ZnO(002)]+I[ZnO(100)])x100(o/o)...(B)這里，1[ZnO(002)]為由X射線衍射測(cè)得的呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(002)峰強(qiáng)度，并且，I[ZnO(lOO)]表示由X射線衍射測(cè)得的呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(100)峰強(qiáng)度。當(dāng)峰強(qiáng)度比不足50%時(shí)，會(huì)損害導(dǎo)電性，同時(shí)，也不能獲得足夠好的耐酸性。另外，當(dāng)鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為多于0.30時(shí)，或者當(dāng)作為原料的氧化物燒結(jié)體中含有氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相以及含鎂與鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相時(shí)，則呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相以及含鎂與鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相作用增大，使透明導(dǎo)電膜中形成了呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相。呈立方晶系構(gòu)造的氧化鋅相不僅導(dǎo)致透明導(dǎo)電膜的電阻率增大，并且還會(huì)使耐酸性降低，因此，優(yōu)選在膜中不存在該相。即使式(B)的X射線衍射強(qiáng)度比為50%以上，只要含有立方晶系構(gòu)造的氧化鋅相，則不能獲得足夠好的耐酸性。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜可以用作為液晶顯示器等的布線材料，為此能夠進(jìn)行采用光敏抗蝕劑的濕法刻蝕以形成圖案是很重要的。也就是說，為了能夠通過濕法刻蝕形成圖案，必須要對(duì)于弱酸性的有機(jī)酸(關(guān)東化學(xué)制備的ITO-06N)能夠顯示30~100nm/min范圍的適度侵蝕速率，并且對(duì)于弱堿則不能進(jìn)行侵蝕。另外，當(dāng)作為具有抗靜電用途等功能的透明導(dǎo)電膜使用時(shí)，最低限度的耐候性是很重要的。也就是說，對(duì)于弱酸來說為與上述同等水平，且對(duì)于弱堿(5%KOH)來說，必須只能顯示20nm/min以下的侵蝕速率。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜，如上所述，是采用由氧化鋅中添加鎂或者進(jìn)一步添加適當(dāng)組成范圍鎵和/或鋁的氧化物燒結(jié)體加工而成的靶，對(duì)膜的結(jié)構(gòu)和結(jié)晶性進(jìn)行適當(dāng)控制而制得的，其具有優(yōu)良的耐酸性和耐堿性。因此，能夠充分滿足上述侵蝕性能。本發(fā)明中透明導(dǎo)電膜的膜厚由于根據(jù)用途而不同，因此無法特另'J地規(guī)定，可以為20500nm,優(yōu)選100300nrn。若不足20證，則不能確保足夠的電阻率，另一方面，若超過500nm,則會(huì)出現(xiàn)膜著色的問題，因此不優(yōu)選。另外，透明導(dǎo)電膜的可見光區(qū)域(400800nm)的平均透光率為80%以上，優(yōu)選為85%以上，更優(yōu)選為90%以上。若平均透光率不足80%，則難以適用于有機(jī)EL元件等。6、透明導(dǎo)電性基材在本發(fā)明中，上述透明導(dǎo)電膜通常是在選自玻璃板、石英板、樹脂板或者樹脂薄膜的任意一種基材(基板)上成膜而成的透明導(dǎo)電性基材。該透明導(dǎo)電性基材將上述透明導(dǎo)電膜作為L(zhǎng)CD、PDP或者EL元件等的顯示面板的陽極和/或陰極而發(fā)揮作用。作為基材，由于兼?zhèn)渫腹庑灾С煮w的作用，因此必須具有一定的強(qiáng)度和透明度。作為構(gòu)成樹脂板或者樹脂膜的材料，例如，可以列舉聚對(duì)苯二曱酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、多芳基化合物(PAR)、聚碳酸酯(PC)等，還可以是在它們的表面上覆蓋有丙烯酸樹脂的結(jié)構(gòu)的樹脂板或樹脂膜。對(duì)基材的厚度不必進(jìn)行特別的限制，若是玻璃板或石英板，則為0.5~10mm,優(yōu)選為l~5mm,對(duì)于樹脂板或樹脂膜的情況，為0.1~5mm，優(yōu)選為l~3mm。若比該范圍更薄，則強(qiáng)度較弱，并28且也難以處理。另一方面，若比該范圍更厚，則不僅透明性差，重量也增大，因此不優(yōu)選。上述基材上還可以形成單層或多層的絕緣層、半導(dǎo)體層、阻氣層或者保護(hù)層中的任意一種。作為絕緣層，包括氧化硅(Si-O)膜或氮化氧化硅(Si-O-N)膜等；作為半導(dǎo)體層，包括薄膜晶體管(TFT)等，主要是在玻璃基板上形成的；阻氣層，作為阻水蒸氣膜等，由氧化硅(Si-O)膜、氮化氧化硅(Si-O-N)膜、鋁酸鎂(Al-Mg-O)膜或氧化錫類(例如Sn-Si-O)膜等在樹脂板或樹脂膜上形成。保護(hù)層是防止基材表面受損或受沖擊的層，使用Si類、Ti類、丙烯酸樹脂類等各種涂層。另外，只要是能在基材上形成的層，則并不局限于這些，還可以形成具有導(dǎo)電性的薄金屬膜等。根據(jù)本發(fā)明制得的透明導(dǎo)電性基材，由于形成了電阻率、透光率、表面平坦性等方面具有優(yōu)良性能的透明導(dǎo)電膜，因此作為各種顯示面板的構(gòu)成部件非常有價(jià)值。并且，具有上述透明導(dǎo)電性基材的電路裝置部件，可以列舉有機(jī)EL元件以外的激光部件等。實(shí)施例以下，通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體的說明，但是本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。(氧化物燒結(jié)體的評(píng)價(jià))所得氧化物燒結(jié)體的電阻率，通過四探針法對(duì)其研磨面進(jìn)行測(cè)定。另外，將所得氧化物燒結(jié)體的邊角料進(jìn)行粉碎，進(jìn)行粉末X射線衍射測(cè)定，鑒定生成相。(透明導(dǎo)電膜的基本性能評(píng)價(jià))所得透明導(dǎo)電膜的膜厚采用表面粗糙度計(jì)(亍y3—》公司制造)測(cè)定。膜的電阻率通過由四探針法測(cè)得的表面電阻與膜的厚度的乘積求出。膜的光學(xué)性能采用分光光度計(jì)(日立制作所公司制造)測(cè)定。膜的生成相通過X射線衍射測(cè)定法(PANalytical公司制造)進(jìn)行鑒定。另外，是否有呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相生成，通過采用X射線衍射的倒易晶格空間映射測(cè)定而進(jìn)行判斷。(透明導(dǎo)電膜的耐化學(xué)試劑性評(píng)價(jià))形成膜厚約為200nm的透明導(dǎo)電膜，耐化學(xué)試劑性按照以下的程序調(diào)查。對(duì)于耐酸性，在設(shè)置為30'C的ITO用有機(jī)蝕液ITO-06N(關(guān)東化學(xué)制備)中浸漬20秒鐘，通過由浸漬前后膜厚度差求出的每分鐘的侵蝕速率而進(jìn)行判定。對(duì)于耐^咸性，同樣地，在5%的KOH水溶液中浸漬1分鐘，由求出的每分鐘的侵蝕速率進(jìn)行判定。(實(shí)施例1)以氧化鋅為主要成分并含鎂的氧化物燒結(jié)體按下述方法制備。分別用平均粒徑為3|im以下的氧化鋅粉末和平均粒徑為l|im以下的氧化鎂粉末作為起始原料，將氧化鎂以鎂的含量Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比為0.10的比率進(jìn)行調(diào)配，將原料粉末與水一起加入到樹脂制釜中，通過濕法球磨機(jī)進(jìn)行混合。這時(shí)，采用硬質(zhì)Zr02小球，混合時(shí)間為36小時(shí)?；旌虾?，取出漿液，過濾、干燥、并制粒。向該制粒物施加冷軋靜水壓為3ton/cm2的壓力進(jìn)行成形。接著，將成形體如下進(jìn)行燒結(jié)。燒結(jié)爐內(nèi)的氛圍氣體為大氣，以0.5。C/分鐘的升溫速率升溫至IOO(TC。升溫至1000。C后，以每0.1m3爐內(nèi)容積5升/分的比率向燒結(jié)爐內(nèi)大氣中通入氧氣，在IOOO'C下保持3小時(shí)。然后，再次以0.5。C/分鐘的升溫速率升溫至140(TC的燒結(jié)溫度，到達(dá)該溫度后，保持15小時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。在燒結(jié)后的冷卻時(shí)，停止通入氧氣，以0.5。C/分鐘的速率降溫至IOO(TC，制得由氧化鋅和鎂構(gòu)成的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為50kQcm以下。另夕卜，密度為5.5g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相的衍射峰。在氧化物燒結(jié)體中，由于不含鎵和鋁，因而不存在含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相和含鎂和鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的峰強(qiáng)度比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體用金屬銦粘接在無氧銅制墊板上，制成濺射靶。將其加工成直徑為152mm、厚度為5mm的尺寸，在杯形砂輪上將濺射面研磨成最大高度Rz為3.0pm以下。將其作為濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。在裝有無電弧抑制功能的直流電源的直流磁控管濺射裝置(了才、少A制造)的非磁性耙用陰極上，裝上賊射耙。對(duì)于基板，采用無堿玻璃基板(-一二y夕"#7059)，使靶-基板間的距離固定為46mm。抽真空至7x10,Pa以下后，通入純氬氣，使氣壓達(dá)到0.2Pa,輸入300W的直流電，產(chǎn)生直流等離子體，進(jìn)行預(yù)濺射。進(jìn)行充分的預(yù)濺射后，將基板設(shè)置在濺射靶的正上部，即靜態(tài)對(duì)向的位置，在不加熱的情況下進(jìn)行濺射，形成透明導(dǎo)電膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠進(jìn)行穩(wěn)定的成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系31纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由C面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率，為2.7xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min,顯示出對(duì)酸的適度侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。(比較例1)制作現(xiàn)有技術(shù)的摻雜了鎵的氧化鋅的氧化物燒結(jié)體。使用氧化鋅粉末和氧化鎵粉末作為起始原料，以鎵的含量Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比為0.05進(jìn)行調(diào)配。測(cè)定所得氧化物燒結(jié)體的電阻率，確認(rèn)為lkQcm以下。另夕卜，密度為5.7g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相。將該氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶。通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)所得透明導(dǎo)電膜的生成相進(jìn)行鑒定，結(jié)果如圖l所示。其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，測(cè)定膜的電阻率，為8.3x10-4Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為560nm/min,顯示出比適度侵蝕速率顯著高的值，可見耐酸性差。對(duì)于5%的KOH，侵蝕速率為180nm/min，可見耐堿性也差。結(jié)果列于表1。(實(shí)施例2)以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分制作氧化物燒結(jié)體。使用平均粒徑為lpm以下的氧化鋅粉末、平均粒徑為lpm以下的氧化鎵粉末和平均粒徑為lpm以下的氧化鎂粉末作為起始原料，將氧化鎵以鎵的含量以Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比為0.005、氧化鎂以鎂的含量Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比為0.02的比率進(jìn)行調(diào)配。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行燒結(jié)，對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為5kQcm以下。另外，密度為5.7g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率，為2.0xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為90nm/min，顯示出對(duì)酸的適度侵蝕速率。當(dāng)浸漬于5%的KOH中時(shí)，為20nm/min,具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表1。(實(shí)施例3)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.08以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分、鎂含量以Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比計(jì)為0.02的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為5kQcm以下。另外，密度為5.7g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率為1.9xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為90nm/min,顯示出對(duì)酸的適度^[曼蝕速率。當(dāng)浸漬于5%的KOH中時(shí)，為20nm/min，具有足夠的耐石威性。結(jié)果列于表1。(比較例2)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.10以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分、鎂含量以Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比計(jì)為0.02的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)為5kQcm以下。另夕卜，密度為5.6g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成'踐射耙，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，雖然僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，但是與實(shí)施例2相比，氧化鋅相的峰強(qiáng)度減小，暗示了鎵的過量引起結(jié)晶性降低。即便如此，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比仍為100%。測(cè)定膜的電阻率，為6,1xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為420nm/min,顯示出比適度侵蝕速率顯著高的值，可見耐酸性差。當(dāng)浸漬于5%的KOH中時(shí)，侵蝕速率高達(dá)120nm/min,可見耐堿性也不夠好。可以推出，受4家含量過量引起的呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相結(jié)晶性下降的影響，耐化學(xué)試劑性有所下降。結(jié)果列于表l。35(比較例3)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.08,Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比改為0.01以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)為5kQcm以下。另外，密度為5.6g/cm3。對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率，為1.6xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為250nm/min，顯示出比適度侵蝕速率更高的值，可見耐酸性不夠好。當(dāng)浸漬于5%的KOH中時(shí)，侵蝕速率高達(dá)100nm/min，可見耐^5咸性也不夠好?？梢酝瞥?，由于鎂的含量不足，因而不能獲得足夠好的耐化學(xué)試劑性。結(jié)果列于表l。(實(shí)施例4)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.05，Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比改為0.05以外，與實(shí)施例2同樣的操作，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)4亍測(cè)定，確i/v電阻率為lkQcm以下。另外，密度為5.6g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成賊射l巴，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，結(jié)果如圖l所示。其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。另夕卜，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，顯示出沒有添加鎂的比較例1的約1.5倍的高強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為9.7x10-4Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min，顯示出對(duì)酸的適度侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5。/。的K0H的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為50。C的更苛刻條件下的試驗(yàn)。結(jié)果，有一定程度的侵蝕，侵蝕速率為20nm/min。(實(shí)施例5)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.01，Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比改為0.10以外，與實(shí)施例2同樣的操作，制造以含^t家和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另外，密度為5.5g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成賊射耙，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率，為9.8xl(T4Dcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。(實(shí)施例6)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.03,Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比改為0.10以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另夕卜，密度為5,5g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的011)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行筌定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率，為9.6xlO"Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH，完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。(實(shí)施例7)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.05,Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比改為0.10以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另外，密39度為5.5g/cm。通過x射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確i人出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，結(jié)果如圖l所示。其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，顯示出沒有添加鎂的比較例1的約2.0倍的高強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為9.8x10"Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為5(TC的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。若與實(shí)施例4的結(jié)果一并考察，可以認(rèn)為是由于鎵的量和鎂的量均為適量的組成，基于與具有優(yōu)良結(jié)晶性的協(xié)同效果，而進(jìn)一步提高了耐酸性和耐》威性。(實(shí)施例8)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.05,Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比改為0.18以外，與實(shí)施例2同樣地操作，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkDcm以下。另外，密度為5.4g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，顯示出沒有添加鎂的比較例1的約2.2倍的高強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為1.0x10-3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為5(TC的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。獲得這種更優(yōu)異的各種性能的原因，與實(shí)施例7同樣地可認(rèn)為是由于鎵量的組成，與具有優(yōu)良結(jié)晶性產(chǎn)生了協(xié)同效果。(實(shí)施例9)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.005，Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比改為0.30以外，與實(shí)施例2同樣地搡作，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為5kQcm以下。另外，密度為5.1g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。作為該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，不僅觀察到c面(002)的峰，還觀察到了a面(100)的峰。但是，其峰強(qiáng)度較小，c面(002)相對(duì)于a面(100)的比率為90%。接著，測(cè)定膜的電阻率，為2.3x10。Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為80nm/min,顯示出適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH的情況，為10nm/min，僅輕微被侵蝕，因而具有足夠的耐42堿性。結(jié)果列于表1。(實(shí)施例10)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.08，Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比改為0.30以外，與實(shí)施例2同樣地操作，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為5kQcm以下。另外，密度為5.1g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa2CU相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，不僅觀察到c面(002)的峰，還觀察到了a面(100)的峰，c面(002)相對(duì)于a面(100)的比率為50%。測(cè)定膜的電阻率，為2.5xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為100nm/min，顯示出適度的侵蝕速率。當(dāng)浸漬于5。/。的K0H時(shí)，侵蝕速率為20nm/min,雖僅輕微被侵蝕，但具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表1。(比較例4)除了將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.08,Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比改為0.32(0.27時(shí)，與比較例5同樣，落入了權(quán)利要求4的范圍內(nèi))以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確i人電阻率為5kQcm以下。另外，密度為5.lg/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相和含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為25%。另夕卜，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相的衍射峰。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。在靶使用初始階段，發(fā)生了輕微的電弧放電，能夠較穩(wěn)定的成膜。但是，若繼續(xù)使用，電弧放電的頻率增大，不能穩(wěn)定地成膜。在靶使用初始階段，可確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與耙相同。除了通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定以外，還通過倒易晶格空間映射測(cè)定進(jìn)行鑒定，除了呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相以外，還確認(rèn)有呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。對(duì)于呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，不僅觀察到c面(002)的峰，還觀察到了a面(100)的峰，c面(002)相對(duì)于a面(100)的比率為40%。測(cè)定膜的電阻率，顯示6.7x10'3Qcm的高值。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為310nm/min,顯示出比適度侵蝕速率更高的值，可見耐酸性不夠好。同樣地，當(dāng)浸漬于對(duì)于5%的KOH中時(shí)，侵蝕速率為20nm/min,并不是太高，可見對(duì)于耐堿性來說還是足夠好的。推測(cè)是由于鎂的含量過量的原因?qū)е鲁柿⒎骄祹r鹽構(gòu)造的氧化鋅相的產(chǎn)生以及呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相結(jié)晶性下降，在其影響下使耐酸性下降。結(jié)果列于表l。(實(shí)施例11)除了用濕法球磨機(jī)混合的時(shí)間縮短至24小時(shí)以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分、各自含量分別是以Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比計(jì)為0.03、或以Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比計(jì)為0.10的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另夕卜，密度為5.0g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，除了確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相以外，雖然沒有確認(rèn)出氧化鎂相，但是確認(rèn)出了呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為15%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。雖然發(fā)生了極為稀少的電弧放電，但在使用上還不成問題，基本上能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。作為該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，不僅觀察到c面(002)的峰，還觀察到了很小的a面(100)的峰，c面(002)相對(duì)于a面(100)的比率為90%。測(cè)定膜的電阻率，為1.2xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為90nm/min，雖然比實(shí)施例6快，但仍屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5。/。的K0H,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表1。(比較例5)采用平均粒徑約為5pm的氧化鎂粉末作為原料粉末，通過濕法球磨機(jī)混合的時(shí)間縮短為2小時(shí)，將Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比改為0.08，Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比改為0.32，除此以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為5kQcm以下。另夕卜，密度為4.8g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，除了確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相以外，還確認(rèn)出了呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相以及含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為45%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，進(jìn)行直流濺射。雖然氧化物燒結(jié)體的電阻率小，但是由于頻繁發(fā)生電弧放電，因而不能穩(wěn)定地成膜。結(jié)果列于表l。(實(shí)施例12)因?yàn)榇骀壎砑愉X，不使用氧化鎵粉末，而使用氧化鋁粉末作為起始原料，除此以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鋁和鎂的氧化鋅為主要成分、鋁的含量以Al/(Zn+Al)原子數(shù)比計(jì)為0.005、鎂的含量以Mg/(Zn+Al+Mg)原子數(shù)比計(jì)為0.02的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為5kQcm以下。另夕卜，密度為5.6g/cm3。46通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鋁的復(fù)合氧化物MgA1204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgAl204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率，為2.1xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為90nm/min,屬于適度的侵蝕速率。另外，當(dāng)浸漬于5%的KOH時(shí)，侵蝕速率為20nm/min，僅輕微被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表1。(實(shí)施例13)因?yàn)榇骀壎砑愉X，不使用氧化鎵粉末，而使用氧化鋁粉末作為起始原料，除此以外，采用與實(shí)施例6同樣的制造方法，按照Al/(Zn+Al)原子數(shù)比為0.03、Mg/(Zn+Al+Mg)原子數(shù)比為0.10的組成，制造以含鋁和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkDcm以下。另外，密度為5.4g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgAl204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流';賤射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與耙相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率，為9.9x10"ncm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。(實(shí)施例14)因?yàn)榇骀壎砑愉X，不使用氧化鎵粉末，而使用氧化鋁粉末作為起始原料，除此以外，釆用與實(shí)施例8同樣的制造方法，制造以含鋁和鎂的氧化鋅為主要成分、Al/(Zn+Al)原子數(shù)比為0.05、Mg/(Zn+Al+Mg)原子數(shù)比為0.18的組成的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氡化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkncm以下。另外，密度為5.3g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgAl204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，顯示出沒有添加鎂的比較例1的約2.1倍的高強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為1.0x10-3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH，完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為5(TC的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。若與實(shí)施例4的結(jié)果一并考慮，可以認(rèn)為是由于鋁的量和鎂的量均為適量的組成，基于與具有優(yōu)良結(jié)晶性的協(xié)同效果，而進(jìn)一步提高了耐酸性和A于》咸性。(實(shí)施例15)將實(shí)施例6中添加的#1的一部分替換為鋁，<吏Ga/(Zn+Ga)的原子數(shù)比為0.025，Al/(Zn+Al)的原子數(shù)比為0.005,除此以外，采用與實(shí)施例6同樣的制造方法，制造以含鎵、鋁和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另外，密度為5.4g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或者含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相以及含鎂和鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度與MgAl204相的(31l)峰強(qiáng)度之和相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率，為l.lxl(T3Qcm。略高于實(shí)施例6。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min，屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH，完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。(實(shí)施例16)將成膜方法改為離子電鍍法，采用與實(shí)施例6相同的組成，即由Ga/(Zn+Ga)的原子數(shù)比為0.03,Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比為0.10的氧化物燒結(jié)體制成的靶進(jìn)行成膜。氧化物燒結(jié)體的制作方法是基本與實(shí)施例1相同的制作方法，但如上所述，由于當(dāng)作50說明書第47/60頁為離子電鍍用靶使用時(shí)，必須降低密度，因此，燒結(jié)溫度為IIO(TC。預(yù)先形成小片，使燒結(jié)后的尺寸為直徑30mm，高40mm。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確i人電阻率為lkQcm以下。另外，密度為3.9g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅鑒定到呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有鑒定到呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。采用該氧化物燒結(jié)體作為小片，采用離子電鍍法進(jìn)行成膜。在成膜時(shí)，高密度等離子體促進(jìn)蒸鍍法(HDPE法)采用能夠反應(yīng)性的等離子體蒸鍍裝置。作為成膜條件，蒸發(fā)源與基板之間的距離為0.6m,等離子體槍的放電電流為100A,Ar流量為30sccm，02流量為10sccm。當(dāng)采用本發(fā)明氧化物燒結(jié)體作為小片時(shí)，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與小片相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。測(cè)定膜的電阻率，為7.2x10-4Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為60nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH，完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。51(實(shí)施例17)除了Ga/(Zn+Ga)的原子數(shù)比改為0.065,Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比改為0.115以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)4亍測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另夕卜，密度為5.4g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成賊射耙，通過直流賊射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，結(jié)果如圖l所示。其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，表現(xiàn)出比同樣示于圖1的實(shí)施例4更高的強(qiáng)度，顯示為沒有添加鎂的比較例1的約2.4倍的高強(qiáng)度。測(cè)定該膜的電阻率，為8.8xl(T4Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，顯示出更優(yōu)異的耐酸性，為40nm/min的適度侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH，完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5。/o的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為5(TC的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。獲得這種更優(yōu)異的各種性能的原因，可認(rèn)為是由于鎵的量和鎂的量均為適量的組成，與具有優(yōu)良結(jié)晶性產(chǎn)生了協(xié)同效果，而進(jìn)一步提高了耐酸性和耐堿性。(實(shí)施例18)除了Ga/(Zn+Ga)的原子數(shù)比改為0.06，Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比改為0.098以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另夕卜，密度為5.5g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。結(jié)果如圖l所示。其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，表現(xiàn)出比同樣示于圖1的實(shí)施例4更高的強(qiáng)度，顯示為沒有添加鎂的比較例1的約2.1倍的高強(qiáng)度。53測(cè)定膜的電阻率，為8.9xl(T4Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為50nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為50°C的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。獲得這種更優(yōu)異的各種性能的原因，可認(rèn)為是由于鎵的量和鎂的量均為適量的組成，與具有優(yōu)良結(jié)晶性產(chǎn)生了協(xié)同效果，而進(jìn)一步提高了耐酸性和耐4^性。(實(shí)施例19)除了Ga/(Zn+Ga)的原子數(shù)比改為0.035，Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比改為0.15以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另外，密度為5.3g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流賊射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有鑒定到呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由C面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，表現(xiàn)出比同樣示于圖l的實(shí)施例4更高的強(qiáng)度，顯示為沒有添加鎂的比較例1的約1.9倍的高強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為9.7xlO"Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為60nm/min，屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH，完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為50°C的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。獲得這種更優(yōu)異的各種性能的原因，可認(rèn)為是由于鎵的量和鎂的量均為適量的組成，與具有優(yōu)良結(jié)晶性產(chǎn)生了協(xié)同效果，而進(jìn)一步提高了耐酸性和耐A咸性。(實(shí)施例20)除了Ga/(Zn+Ga)的原子數(shù)比改為0.08,Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比改為0.18以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另外，密度為5.3g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由C面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，表現(xiàn)出比同樣示于圖1的實(shí)施例4更高的強(qiáng)度，顯示為沒有添加鎂的比較例1的約2,1倍的高強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為9.8xl(T4Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH，完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為50。C的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。獲得這種更優(yōu)異的各種性能的原因，可認(rèn)為是由于鎵的量和鎂的量均為適量的組成，與具有優(yōu)良結(jié)晶性產(chǎn)生了協(xié)同效果，而進(jìn)一步提高了耐酸性和耐^5威性。(實(shí)施例21)除了Ga/(Zn+Ga)的原子數(shù)比改為0.09,Mg/(Zn+Ga+Mg)的原子數(shù)比改為0.18,并添加0.2wt。/。氧化鈦?zhàn)鳛闊Y(jié)助劑以外，采用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鎵和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另夕卜，密度為5.2g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅鑒定到呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系56巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成'踐射耙，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)出所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，顯示為沒有添加鎂的比較例1的約1.4倍的強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為1.2xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為70nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為50。C的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果是僅輕微地被侵蝕，侵蝕速率為20nm/min。另外，沒有檢測(cè)到燒結(jié)助劑對(duì)膜的各種性能產(chǎn)生了顯著的影響。(實(shí)施例22)因?yàn)榇骀壎砑愉X，不使用氧化鎵粉末，而使用氧化鋁粉末作為起始原料，除此以外，釆用與實(shí)施例2同樣的制造方法，制造以含鋁和鎂的氧化鋅為主要成分、鋁的含量以Al/(Zn+Al)原子數(shù)比計(jì)為0.05、鎂的含量以Mg/(Zn+Al+Mg)原子數(shù)比計(jì)為0.098的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為5kQcm以下。另夕卜，密度為5.4g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確i人出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鋁的復(fù)合氧化物MgA1204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgAl204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(IOO)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，顯示為沒有添加鎂的比較例1的約2.2倍的高強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為2.1xl(T3Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為50nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為5(TC的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。獲得這種更優(yōu)異的各種性能的原因，可認(rèn)為是由于鋁的量和鎂的量均為適量的組成，與具有優(yōu)良結(jié)晶性產(chǎn)生了協(xié)同效果，而進(jìn)一步提高了耐酸性和耐》咸性。(實(shí)施例23)除了使Al/(Zn+Al)原子數(shù)比為0.025以外，采用與實(shí)施例15同樣的制造方法，制造以含鎵、鋁和鎂的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另外，密度為5.3g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或者含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相以及含鎂和鋁的復(fù)合氧化物MgAl204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度與MgAl204相的(311)峰強(qiáng)度之和相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射耙，通過直流賊射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。另外，將輸入電力提高至500W，每10分鐘測(cè)定異常放電的次數(shù)時(shí)，根本沒有發(fā)生。測(cè)定后，調(diào)查靶非侵蝕部分顆粒產(chǎn)生情況，根本沒有產(chǎn)生。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與輩巴相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，顯示為沒有添加鎂的比較例1的約2.0倍的高強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為9.1xl(T4Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為50nm/min,屬于適度的侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐堿性。結(jié)果列于表l。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為5(TC的更哿刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。獲得這種更優(yōu)異的各種性能的原因，與實(shí)施例7添加鎵的情況同樣地，可認(rèn)為是由于鎵的量、鋁的量和鎂的量均為適量的組成，與具有優(yōu)良結(jié)晶性產(chǎn)生了協(xié)同效果。(實(shí)施例24)除了制造方法由常壓燒結(jié)法改為熱壓法以外，采用與實(shí)施例17同樣的制造方法，制造以鎵含量Ga/(Zn+Ga)原子數(shù)比為0.065、鎂含量Mg/(Zn+Ga+Mg)原子數(shù)比為0.115的氧化鋅為主要成分的氧化物燒結(jié)體。熱壓法的條件為在氬氣氛圍氣體中，溫度為IIOO'C,壓力為19.60MPa(200kgf/cm2),加壓時(shí)間為1小時(shí)。對(duì)所得氧化物燒結(jié)體的組成進(jìn)行分析，確認(rèn)基本上與調(diào)配的組成相同。對(duì)氧化物燒結(jié)體的電阻率進(jìn)行測(cè)定，確認(rèn)電阻率為lkQcm以下。另外，密度為5.6g/cm3。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)氧化物燒結(jié)體的相進(jìn)行鑒定，僅確認(rèn)出呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鎂相或含鎂和鎵的復(fù)合氧化物MgGa204相的衍射峰。也就是說，上述式(A)定義的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度相對(duì)于氧化鋅相(101)的峰強(qiáng)度的比為0%。將這種氧化物燒結(jié)體進(jìn)行粘結(jié)，制成濺射靶，通過直流濺射進(jìn)行成膜。沒有發(fā)生電弧放電，能夠穩(wěn)定地成膜。確認(rèn)所得透明導(dǎo)電膜的組成基本上與靶相同。通過X射線衍射測(cè)定法對(duì)膜的生成相進(jìn)行鑒定，結(jié)果如圖l所示。其僅由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，沒有確認(rèn)出呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相的存在。該呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的衍射峰，僅僅觀察到由c面(002)反射的峰，上述式(B)定義的上述氧化鋅相c面(002)相對(duì)于a面(100)的峰強(qiáng)度比為100%。另外，由c面(002)反射的峰強(qiáng)度，表現(xiàn)出比同樣示于圖1的實(shí)施例4更高的強(qiáng)度，顯示為沒有添加鎂的比較例1的約2.7倍的高強(qiáng)度。測(cè)定膜的電阻率，為7.8x10-4Dcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電膜浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，顯示出更優(yōu)異的耐酸性，為30nm/min的適度侵蝕速率。對(duì)于5%的KOH,完全不被侵蝕，具有足夠的耐^5咸性。結(jié)果列于表1。另外，對(duì)5%的KOH的耐堿性，還進(jìn)行了液體溫度為5(TC的更苛刻條件下的試驗(yàn)。其結(jié)果也是完全不被侵蝕，顯示出優(yōu)異的耐堿性。這樣，獲得比實(shí)施例17更加優(yōu)異的各種性能的原因，可認(rèn)為是由于鎵的量和鎂的量均為適量的組成，與具有優(yōu)良結(jié)晶性產(chǎn)生了協(xié)同效果，并且氧化物燒結(jié)體和所得膜的氧含量降低的緣故。(實(shí)施例25)在厚度為100|am的PES膜基板上，預(yù)先形成厚度為100nm的氧化氮化硅膜作為阻氣膜，在該阻氣膜上與實(shí)施例17同樣地形成膜厚為200nm的透明導(dǎo)電膜，制造透明導(dǎo)電性基材。所得透明導(dǎo)電性基材，具有與實(shí)施例17同等的結(jié)晶性，其電阻率為8.5xl(T4Qcm。然后，在將所得透明導(dǎo)電性基材浸漬于ITO-06N的情況下，測(cè)定侵蝕速率，為40nm/min的適度侵蝕速率。對(duì)于5。/。的K0H，完全不被侵蝕，并且在液體溫度為5(TC的更苛刻條件下也沒有被侵蝕，確認(rèn)與實(shí)施例17同樣地具有足夠好的耐堿性。<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>在上述實(shí)施例1中，由于氧化物燒結(jié)體以氧化鋅作主要成分，并含有特定量的鎂，因此當(dāng)將其用作為濺射靶時(shí)，即使是直流濺射也不會(huì)發(fā)生電弧放電，能夠形成耐化學(xué)試劑性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜。另外，由實(shí)施例210、實(shí)施例1215、實(shí)施例17~24可知，由于制成進(jìn)一步含有特定量的鎵和/或鋁的氧化物燒結(jié)體，因此能夠進(jìn)一步改善透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性。特別是在實(shí)施例7~8、實(shí)施例14、實(shí)施例17~19、22~23中，通過j吏4家和/或鋁以及4美落在特定組成范圍內(nèi)，并且在實(shí)施例24中，通過采用熱壓法作為燒結(jié)方法，可以顯著地提高膜的結(jié)晶性，結(jié)果，不僅是導(dǎo)電性，耐化學(xué)試劑性也能得到進(jìn)一步改善。另外，由實(shí)施例ll可知，為改變?cè)戏勰┑幕旌蠒r(shí)間，所得氧化物燒結(jié)體密度有了一定的減小，而對(duì)所得透明導(dǎo)電膜的耐化學(xué)試劑性、導(dǎo)電性則沒有那么大影響。另外，在實(shí)施例16中，采用含有特定量鎂和鎵的氧化物燒結(jié)體作為離子電鍍靶使用，與濺射法同樣可以形成耐化學(xué)試劑性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜。另外，在實(shí)施例25中，可以制得采用耐化學(xué)試劑性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電性基材。相比之下，在比較例1中，是沒有添加鎂的現(xiàn)有技術(shù)中的添加鎵的氧化鋅燒結(jié)體，比較例2~5雖然添加了鎂和鎵，但由于其添加量在本發(fā)明的范圍之外，因而采用它制得的透明導(dǎo)電膜的耐化學(xué)試劑性、導(dǎo)電性不夠好。在比較例5中，由于采用平均粒徑大的原料粉末，混合時(shí)間非常短，使得氧化物燒結(jié)體中產(chǎn)生了氧化鎂相，在賊射過程中發(fā)生了電弧放電而不能形成透明導(dǎo)電膜。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，可以用作為濺射靶，即使是直流濺射，也不會(huì)發(fā)生電弧放電，能夠形成耐化學(xué)試劑性優(yōu)良的透明導(dǎo)電膜。另外，進(jìn)一步含有特定量鎵和/或鋁的氧化物燒結(jié)體，能夠進(jìn)一步改善所得透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性。另外，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體同樣也可以用作為離子電鍍用的小片，并能夠高速成膜。由其制得的本發(fā)明氧化鋅類透明導(dǎo)電膜，由于控制了最佳組成和結(jié)晶相，而不會(huì)顯著地?fù)p害可見光透光性和電阻率，并顯示出優(yōu)良的耐化學(xué)試劑性、作為沒有使用價(jià)格比較昂貴的銦的透明導(dǎo)電膜，以及具有它的透明導(dǎo)電性基權(quán)利要求1.一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于含有氧化鋅和鎂，并且鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02～0.30。2.權(quán)利要求1所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.05-0.18。3.權(quán)利要求1或2所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于電阻率為50kQcm以下。4.一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于含有氧化鋅、鎂、以及鎵和/或鋁，并且鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)大于0并為0.09以下，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga十Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30。5.權(quán)利要求4所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.050.18。6.權(quán)利要求4所迷的氧化物燒結(jié)體，其特征在于鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.01~0.08。7.權(quán)利要求4所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.0350.08,并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.098~0.18。8.權(quán)利要求47任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于由下述式(A)表示的采用X射線衍射測(cè)定法測(cè)得的峰強(qiáng)度比為15%以下，I[MgGa2O4(311)+MgAl2O4(311)]/I[ZnO(101)]x100(%)...(A)式中，1[MgGa204(311)+MgAl204(311)]為呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的復(fù)合氧化物MgGa204相的(311)峰強(qiáng)度與MgAl204相的(311)峰強(qiáng)度之和，I[ZnO(lOl)]表示呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(101)峰強(qiáng)度。9.權(quán)利要求4~8任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于電阻率為5kQcm以下。10.權(quán)利要求1~9任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于實(shí)質(zhì)上不含氧化鎂相。11.權(quán)利要求1~10任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體，其特征在于氧化物燒結(jié)體通過熱壓法成形、燒結(jié)而制得。12.—種靶，由權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的氧化物燒結(jié)體加工制得。13.權(quán)利要求12所述的靶，其特征在于其密度為5.0g/cm3以上，并且用于濺射法。14.權(quán)利要求12所述的靶，其特征在于其密度為3.54.5g/cm3，并且用于離子電鍍法。15.—種透明導(dǎo)電膜，它是采用權(quán)利要求1214任一項(xiàng)所述的耙通過;賤射法或離子電鍍法在基板上形成的。16.權(quán)利要求15所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于含有氧化鋅和鎂，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30。17.權(quán)利要求15所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于含有氧化鋅、鎂、以及鎵和/或鋁，其含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)大于0并為0.09以下，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02~0.30。18.權(quán)利要求17所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.05~0.18。19.權(quán)利要求17或18所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.01~0.08。20.權(quán)利要求17所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于鎵和/或鋁的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)為0.035~0.08，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.098~0.18。21.權(quán)利要求1520任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于主要由呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相構(gòu)成，由下述式(B)表示的采用X射線衍射測(cè)定法測(cè)得的峰強(qiáng)度比為50%以上，1[ZnO(002)]/(I[ZnO(002)]+I[ZnO(100)])x100(%)...(B)式中，1[ZnO(002)]為呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(002)峰強(qiáng)度，1[ZnO(100)]表示呈六方晶系纖鋅礦構(gòu)造的氧化鋅相的(100)峰強(qiáng)度。22.權(quán)利要求15~21任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于實(shí)質(zhì)上不含呈立方晶系巖鹽構(gòu)造的氧化鋅相。23.—種透明導(dǎo)電性基材，其特征在于具有透明基板和在上述透明基板的一面或兩面上形成的權(quán)利要求15~22任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜，上述透明基板為玻璃板、石英板、一面或兩面覆蓋有阻氣膜的樹脂板或樹脂膜、或者內(nèi)部嵌入有阻氣膜的樹脂板或樹脂膜中的任意一種。24.權(quán)利要求23所述的透明導(dǎo)電性基材，其特征在于上述阻氣膜為選自氧化硅膜、氧化氮化硅膜、鋁酸鎂膜、氧化錫類膜以及金剛石狀碳膜中的至少一種。25.權(quán)利要求23所述的透明導(dǎo)電性基材，其特征在于上述樹脂板或樹脂膜由聚對(duì)苯二曱酸乙二酯、聚醚砜、多芳基化合物、聚碳酸酯或者在它們的表面上覆蓋有丙烯酸類有機(jī)物的疊層結(jié)構(gòu)體構(gòu)成。全文摘要本發(fā)明提供以氧化鋅為主要成分，進(jìn)一步含有鎂的氧化物燒結(jié)體、用其加工而成的靶、用其通過直流濺射法或離子電鍍法制得的耐化學(xué)試劑性優(yōu)良的小電阻透明導(dǎo)電膜、以及透明導(dǎo)電性基材。通過以下方案達(dá)成含有氧化鋅和鎂，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02～0.30的氧化物燒結(jié)體；進(jìn)一步含有鎵和/或鋁，其含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子數(shù)比計(jì)大于0并為0.08以下，并且，鎂的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子數(shù)比計(jì)為0.02～0.30的氧化物燒結(jié)體；用這些氧化物燒結(jié)體加工制得的靶；用該靶通過濺射法或離子電鍍法在基板上形成的透明導(dǎo)電膜等。文檔編號(hào)C04B35/453GK101460425SQ20078002092公開日2009年6月17日申請(qǐng)日期2007年5月11日優(yōu)先權(quán)日2006年6月8日發(fā)明者中山德行,阿部能之申請(qǐng)人:住友金屬礦山株式會(huì)社