專利名稱：：含鑭系元素的氧化物靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種形成導(dǎo)電膜或半導(dǎo)體時(shí)使用的氧化物的耙。更具體而言，涉及一種由含有鑭系元素的氧化物燒結(jié)體構(gòu)成的氧化物耙。
背景技術(shù)：
：在以銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜中，通常使用摻雜了錫的氧化銦(ITO)。這是因?yàn)椋缅a的摻雜(doping),可以得到提高了載流子(carrier)的濃度、導(dǎo)電性出色的透明導(dǎo)電膜。但是，ITO膜在蝕刻(etching)加工時(shí)必需使用強(qiáng)酸(例如王水等)，在TFT液晶用的電極中使用的情況下，具有有時(shí)會(huì)腐蝕襯底層的金屬布線等難點(diǎn)。進(jìn)而，在利用濺射制作ITO膜時(shí)使用的ITO靶容易在還原時(shí)黑化，所以其特性的經(jīng)時(shí)變化成為問題。作為蝕刻比ITO膜出色且具有與ITO膜同等的導(dǎo)電性及光透過率的透明導(dǎo)電膜及為了獲得其而優(yōu)選的濺射靶(spatteringtarget),提出了由氧化銦和氧化鋅構(gòu)成的靶或透明導(dǎo)電膜(專利文獻(xiàn)l、2)。但是，這些由氧化銦和氧化鋅構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜由于利用弱酸的蝕刻速度高，所以也可以被金屬薄膜的蝕刻液蝕刻。因此，在蝕刻在透明導(dǎo)電膜上形成的金屬薄膜的情況下，有時(shí)由氧化銦和氧化鋅構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜也被同時(shí)蝕刻，不適合只選擇性地蝕刻透明導(dǎo)電膜上的金屬薄膜的情況。另外，還已知由氧化銦和氧化鋅構(gòu)成的透明薄膜由于在利用濺射法的成膜中大量存在氧而可以用作氧化物半導(dǎo)體(專利文獻(xiàn)3)。另外，還報(bào)道了含有銦和鑭系元素的透明導(dǎo)電膜可以用作有機(jī)EL用電極或半透過半反射LCD電極(專利文獻(xiàn)412)。但是，鑭系元素的氧化物沒有導(dǎo)電性，在將這些氧化物混合于氧化銦中來制作靶的情況下，絕緣性的粒子仍然在靶中存在，可能會(huì)在濺射中發(fā)生異常放電或者靶表面黑化，從而發(fā)生濺射速度下降等不良情形。對(duì)l纖l:特肝6—234565號(hào)公報(bào)鐘爐2:特肝7—235219號(hào)公報(bào)鍋U彌3:美國么^JF2005/199959鋪爐4:特開2004—68054號(hào)公報(bào)5:特開2004—119272號(hào)公報(bào)鐘爐6:特開2004—139780號(hào)公報(bào)鍋117:特開2004—146136號(hào)公報(bào)鐘雄8:特開2004—158315號(hào)公報(bào)鍋U彌9:特開2004—240091號(hào)公報(bào)鍋lj，10:特開2004—294630號(hào)公報(bào)鐘纖ll:特開2004—333882號(hào)公報(bào)鍋U彌12:特開2005—314734號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明正是鑒于上述的問題而提出的，其目的在于提供一種沒有異常放電或靶的表面黑化的氧化物靶。另外，其目的還在于提供一種導(dǎo)電性高的氧化物耙。如果利用本發(fā)明，則可以提供以下的氧化物耙(以下簡稱為耙)等。1.一種氧化物靶，其是含有銦(In)和從下述A組中選擇的元素(A)的氧化物的靶，其特征在于，含有由Aln03表示的氧化物。A組鑭(La)、釹(Nd)、鐿(Yb)、鉺(Er)及鏑(Dy)。2.—種氧化物耙，其是含有錫(Sn)和從下述A組中選擇的元素(A)的氧化物的靶，其特征在于，含有由A2Sll207表示的氧化物。A組鑭(La)、釹(Nd)、鐿(Yb)、鉺(Er)及鏑(Dy)。3.—種氧化物靶，其是含有銦(In)及錫(Sn)和從下述B組中選擇的元素(B)的氧化物的靶，其特征在于，含有由B2Sll207表示的氧化物。B組鑭(La)、軋(Gd)、釹(Nd)、鐿(Yb)、鉺(Er)及鏑(Dy)。4.根據(jù)3所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(B)為Gd，Gd相對(duì)In、Sn及Gd的含量的總和的比例[Gd/(Gd+Sn+In):原子比]為0.0010.5。5.根據(jù)3或4所述的氧化物靶，其特征在于，相對(duì)全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬元素)原子比]多于元素(B)的含量[B/(全部陽離子金屬元素)原子比]。6.根據(jù)15中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)為Nd、Yb及Dy的任意一種，所述元素(B)為Gd、Nd、Yb及Dy的任意一種，密度為6.5g/cm3以上。7.根據(jù)l所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)為La，La相對(duì)In和La的含量的總和的比例[La/(La十In):原子比]為0.0010.5。8.根據(jù)2所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)為La，La相對(duì)Sn和La的含量的總和的比例[La/(La+Sn):原子比]為0,0010.5。9.根據(jù)3所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(B)為La，La相對(duì)In、Sn和La的含量的總和的比例[La/(La+Sn+In):原子比]為0.0010.5。10.根據(jù)13、5、79中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)或元素(B)為La，密度為6.5g/cm3以上。11.根據(jù)權(quán)利要求13、5、710中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)或元素(B)為La，體電阻為lQcm以下。12.根據(jù)36中任意一項(xiàng)所述的氧化物耙，其特征在于，所述元素(A)或元素(B)為Gd，體電阻為lQcm以下。13.根據(jù)13、5中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)或(B)為Er，密度為4.5g/cm3以上。另外，所述的發(fā)明包括含有下述各鑭系元素的氧化物靶。1.一種氧化物靶，其是含有銦(In)及鑭(La)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Laln03表示的氧化物。2.根據(jù)l所述的氧化物耙，其特征在于，La相對(duì)所述In和La的含量的總和的比例[La/(La+In):原子比]為0.0010.5。3.—種氧化物靶，其是含有錫(Sn)及鑭(La)的氧化物的耙，其特征在于，含有由La2Sn207表示的氧化物。4.根據(jù)3所述的氧化物靶，其特征在于，La相對(duì)所述Sn和La的含量的總和的比例[La/(La+Sn):原子比]為0.0010.5。5.—種氧化物靶，其是含有銦(In)、錫(Sn)及鑭(La)的氧化物的靶，其特征在于，含有由La2Sri207及/或Laln03表示的氧化物。6.根據(jù)5所述的氧化物靶，其特征在于，La相對(duì)所述In、Sn和La的含量的總和的比例[La/(La+Sn+In):原子比]為0.0010.5。7.根據(jù)16中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，密度為6.5g/ci^以上。8.根據(jù)17中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，體電阻為1Qcm以下。1.一種氧化物靶，其是含有銦(In)、錫(Sn)及釓(Gd)的氧化物的靶，其特征在于，含有由Gd2Sn207及/或Gdln03表示的氧化物。2.根據(jù)l所述的氧化物靶，其特征在于，Gd相對(duì)所述In、Sn和Gd的含量的總和的比例[Gd/(Gd+Sn+In):原子比]為0.0010.5。3.根據(jù)1或2所述的氧化物靶，其特征在于，相對(duì)于In、Sn及Gd含量的總和的Sn的比例[Sn/(Gd+Sn+In):原子比]和Gd的比例[Gd/(Gd+Sn+In):原子比]滿足下述關(guān)系式。[Sn/(Gd+Sn+In)]>[Gd/(Gd+Sn+In)]4.根據(jù)13中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，密度為6.5g/cm3以上。5.根據(jù)14中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，體電阻為1Qcm以下。1.一種氧化物靶，其是含有銦(In)及釹(Nd)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Ndln03表示的氧化物。2.—種氧化物靶，其是含有錫(Sn)及釹(Nd)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Nd2Sri207表示的氧化物。3.—種氧化物靶，其是含有銦(In)、錫(Sn)及釹(Nd)的氧化物的靶，其特征在于，含有由Nd2Sri207及/或Ndln03表示的氧化物。4.根據(jù)3所述的氧化物靶，其特征在于，相對(duì)于全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬元素)原子比]多于Nd的含量[Nd/(全部陽離子金屬元素)原子比]。5.根據(jù)14中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，密度為6.5g/cm3以上。1.一種氧化物靶，其是含有銦(In)及鐿(Yb)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Ybln03表示的氧化物。2.—種氧化物靶，其是含有錫(Sn)及鐿(Yb)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Yb2Sn207表示的氧化物。3.—種氧化物靶，其是含有銦(In)、錫(Sn)及鐿(Yb)的氧化8物的靶，其特征在于，含有由Yb2Sll207表示的氧化物。4.根據(jù)3所述的氧化物靶，其特征在于，相對(duì)全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬元素)原子比]多于Yb的含量[Yb/(全部陽離子金屬元素)原子比]。5.根據(jù)14中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，密度為6.5g/cn^以上。1.一種氧化物靶，其是含有銦(In)及鉺(Er)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Erln03表示的氧化物。2.—種氧化物靶，其是含有錫(Sn)及鉺(Er)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Er2Sri207表示的氧化物。3.—種氧化物靶，其是含有銦(In)、錫(Sn)及鉺(Er)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Er2Sn207表示的氧化物。4.根據(jù)3所述的氧化物靶，其特征在于，相對(duì)全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬元素)原子比]多于Er的含量[Er/(全部陽離子金屬元素)原子比]。5.根據(jù)14中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，密度為4.5g/cm3以上。1.一種氧化物靶，其是含有銦(In)及鏑(Dy)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Dyln03表示的氧化物。2.—種氧化物靶，其是含有錫(Sn)及鏑(Dy)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Dy2Sn207表示的氧化物。3.—種氧化物靶，其是含有銦(In)、錫(Sn)及鏑(Dy)的氧化物的靶，其特征在于，含有由Dy2Sn207表示的氧化物。4.根據(jù)3所述的氧化物靶，其特征在于，相對(duì)全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬元素)原子比]多于Dy的含量[Dy/(全部陽離子金屬元素)原子比]。5.根據(jù)14中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，密度為6.5g/cm3以上。本發(fā)明的氧化物靶由于含有含鑭系元素的規(guī)定結(jié)構(gòu)的氧化物而導(dǎo)電性出色，所以成為沒有異常放電的氧化物靶。該氧化物靶可以用作濺射耙、電子束(electronbeam)用靶或離子鍍(ionplating)用靶，成為薄膜形成用原料。圖1是在實(shí)施例l一l中制作的靶的X射線圖表。圖2是在實(shí)施例l一2中制作的靶的X射線圖表。圖3是在實(shí)施例l一3中制作的靶的X射線圖表。圖4是在實(shí)施例l一4中制作的靶的X射線圖表。圖5是在實(shí)施例l一5中制作的靶的X射線圖表。圖6是在實(shí)施例1一6中制作的靶的X射線圖表。圖7是在實(shí)施例l一7中制作的靶的X射線圖表。圖8是在實(shí)施例l一8中制作的靶的X射線圖表。圖9是在實(shí)施例l一9中制作的靶的X射線圖表。圖IO是在實(shí)施例1一10中制作的耙的X射線圖表。圖ll是在實(shí)施例l一ll中制作的靶的X射線圖表。圖12是在實(shí)施例1一12中制作的靶的X射線圖表。圖13是在比較例l一l中制作的燒結(jié)體的X射線圖表。圖14是在實(shí)施例2—1中制作的靶的X射線圖表。圖15是在實(shí)施例2—2中制作的耙的X射線圖表。圖16是在實(shí)施例2—3中制作的耙的X射線圖表。圖17是在實(shí)施例2_4中制作的靶的X射線圖表。10圖18是在實(shí)施伊圖19是在實(shí)施伊圖20是在實(shí)施伊圖21是在實(shí)施伊圖22是在實(shí)施伊圖23是在實(shí)施伊圖24是在實(shí)施伊圖25是在實(shí)施例圖26是在實(shí)施伊圖27是在實(shí)施伊，圖28是在實(shí)施伊，圖29是在實(shí)施例圖30是在實(shí)施例圖31是在實(shí)施例圖32是在實(shí)施例圖33是在實(shí)施例圖34是在實(shí)施例圖35是在實(shí)施例圖36是在實(shí)施例圖37是在實(shí)施例圖38是在實(shí)施例圖39是在實(shí)施例圖40是在實(shí)施伊:圖41是在實(shí)施伊圖42是在實(shí)施例圖43是在實(shí)施伊，圖44是在實(shí)施伊，圖45是在實(shí)施伊，圖46是在實(shí)施伊圖47是在實(shí)施伊2—5中制作的靶的X射線圖表。2—6中制作的靶的X射線圖表。2—7中制作的靶的X射線圖表。2—8中制作的靶的X射線圖表。2—9中制作的靶的X射線圖表。2—10中制作的靶的X射線圖表。3—1中制作的靶的X射線圖表。3—3中制作的靶的X射線圖表。3—5中制作的靶的X射線圖表。3—6中制作的靶的X射線圖表。3—7中制作的靶的X射線圖表。3—8中制作的靶的X射線圖表。3—9中制作的靶的X射線圖表。4一1中制作的靶的X射線圖表。4一2中制作的靶的X射線圖表。4一3中制作的靶的X射線圖表。4一4中制作的靶的X射線圖表。4一5中制作的靶的X射線圖表。4一6中制作的靶的X射線圖表。4一7中制作的靶的X射線圖表。4一8中制作的靶的X射線圖表。4一9中制作的靶的X射線圖表。5—1中制作的靶的X射線圖表。5—2中制作的靶的X射線圖表。5—3中制作的靶的X射線圖表。5—4中制作的靶的X射線圖表。5—5中制作的靶的X射線圖表。5—6中制作的靶的X射線圖表。5—7中制作的靶的X射線圖表。5—8中制作的靶的X射線圖表。ii圖48是在實(shí)施例5—9中制作的靶的X射線圖表。圖49是在實(shí)施例5—10中制作的靶的X射線圖表。圖50是在實(shí)施例5—11中制作的靶的X射線圖表。圖51是在實(shí)施例5—12中制作的靶的X射線圖表。圖52是在實(shí)施例6—1中制作的靶的X射線圖表。圖53是在實(shí)施例6—2中制作的靶的X射線圖表。圖54是在實(shí)施例6—3中制作的靶的X射線圖表。圖55是在實(shí)施例6—4中制作的靶的X射線圖表。圖56是在實(shí)施例6—5中制作的靶的X射線圖表。圖57是在實(shí)施例6—6中制作的靶的X射線圖表。圖58是在實(shí)施例6—7中制作的靶的X射線圖表。圖59是在實(shí)施例6—8中制作的靶的X射線圖表。圖60是在實(shí)施例6—9中制作的靶的X射線圖表。圖61是在實(shí)施例6—10中制作的靶的X射線圖表。圖62是在實(shí)施例6—11中制作的靶的X射線圖表。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的氧化物靶的特征在于滿足以下13必要條件。1.一種氧化物靶，其是含有銦(In)和從鑭(La)、釹(Nd)、鐿(Yb)、鉺(Er)及鏑(Dy)構(gòu)成的組(A組)中選擇的元素(A)的氧化物的耙，其特征在于，含有由Aln03表示的氧化物(靶I)。2.—種氧化物耙，其是含有錫(Sn)和從所述A組中選擇的元素(A)的氧化物的耙，其特征在于，含有由八2811207表示的氧化物(靶n)。3.—種氧化物靶，其是含有銦(In)及錫(Sn)和從鑭(La)、釓(Gd)、釹(Nd)、鐿(Yb)、鉺(Er)及鏑(Dy)構(gòu)成的組(B組)中選擇的元素(B)的氧化物的靶，其特征在于，含有由82811207表示的氧化物(靶III)。以下按照每個(gè)構(gòu)成A組或B組的鑭系元素對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。12[鑭(La)]本發(fā)明的氧化物耙的第一方式是由含有銦(In)及鑭(La)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Laln03表示的氧化物(耙I)。在使用該靶I的情況下，與單純地由111203及1^203構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持靶表面的黑化少、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。這樣，可以穩(wěn)定地得到具有與ITO膜同等的光透過率的透明導(dǎo)電膜。靶I含有由Laln03表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成耙的氧化物的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Laln03(b)Laln03與ln203的混合物(c)Laln03與La203的混合物其中，優(yōu)選(b)的燒結(jié)體。另外，從利用X射線衍射測定得到的圖表鑒定靶中的氧化物的結(jié)構(gòu)。后述的靶II、III及其他含鑭系元素的氧化物靶也同樣。在該靶中，La在La和In的總和中所占的比例[原子比La/(La+In)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得La原子的添加效果，如果超過0.5，則變成La203單獨(dú)存在，存在靶的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，還存在靶自身的強(qiáng)度下降從而在靶制造工序中的燒結(jié)工序中發(fā)生裂開或變形的問題?？梢酝ㄟ^調(diào)整作為燒結(jié)前的原料的銦化合物與鑭化合物的混合比來控制靶中的La與In的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的銦化合物和鑭化合物構(gòu)成的Laln03等鑭銦化合物，剩余的銦化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶I的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物與含有鑭原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物，可以舉出氧化銦、氫氧化銦等。優(yōu)選氧化銦。作為含有鑭原子的化合物，可以舉出氧化鑭、氫氧化鑭等。優(yōu)選為氧13化鑭。所述出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)(beadsmill)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑最大為3)im以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8pm以下。如果超過3pm，則由于例如1^203仍然在靶中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因?？梢岳肵射線衍射確認(rèn)Laln03的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到1000°C，則1^203的反應(yīng)性較低，有時(shí)沒有生成Laln03。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生ln203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Laln03發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Laln03，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述的燒結(jié)形成?？梢岳肊PMA的測繪(mapping)測定生成的Laln03的粒徑。Laln03的粒徑為lOpim以下，優(yōu)選為5pm以下。在存在超過10|im的Laln03的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為10)am以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第二方式是由含有錫(Sn)和鑭(La)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由La2Sri207表示的氧化物(靶II)。在使用該靶II的情況下，與單純地由Sn02及1^203構(gòu)成的靶的情況相比，可以保持靶表面的黑化少、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。靶II含有由La2Sn207表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成耙的氧化物的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)La2Sn207(b)La2Sn207與Sn02的混合物(c)La2Sn207與La203的混合物其中，優(yōu)選(b)的燒結(jié)體。在該靶中，La在La和Sn的總和中所占的比例[原子比La/(La+Sn)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得La的添加效果，如果超過0.5，則變成La203單獨(dú)存在，成為在靶中存在絕緣性的粒子，從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題?？梢酝ㄟ^調(diào)整燒結(jié)前的錫化合物與鑭化合物的混合比來控制所述的La與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和鑭化合物構(gòu)成的La2Sn207的氧化物，剩余的錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶II的制造方法，例如可以舉出使用含有錫原子的化合物與含有鑭原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有錫原子的化合物，可以舉出氧化錫(氧化亞錫、氧化錫)、偏錫酸等。優(yōu)選氧化錫(氧化錫)。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑最大為3阿以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8,以下。如果超過3pm，則由于例如"203仍然在靶中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因?？梢岳肵射線衍射確認(rèn)La2Sn207的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為1000歸0。Co優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到IOO(TC，則La203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見生成La2Sn207。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生La203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的La2Sn207發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有La2Sn207，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述的燒結(jié)形成。可以利用EPMA的測繪測定生成的La2Sn207的粒徑。La2Sn207的粒徑為10|im以下，優(yōu)選為5|im以下。在存在超過10jam的La2Sri207的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為l(Hmi以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第三方式是由含有銦(In)、錫(Sn)和鑭(La)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由La2Sri207及/或Laln03表示的氧化物(靶m)。15在使用該靶III的情況下，與單純地由111203、Sn02及La203構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持沒有靶表面的黑化、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。、靶III含有由La2Sri207及/或Laln03表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成耙的氧化物的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)1^2811207與111203的混合物(b)La2Sn207與ln203與Sn02的混合物(c)La2Sn207與Laln03與ln203的混合物(d)La2Sn207與Laln03與Sn02的混合物其中，優(yōu)選由(a)、(b)或(c)構(gòu)成的燒結(jié)體。在該耙中，La的原子比(La/(La+In+Sn))優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.3，特別優(yōu)選為0.010.25。如果不到0.001，則可能不能獲得La的添加效果，如果超過0.5，則變成1^203單獨(dú)存在，耙的強(qiáng)度變得過小，有時(shí)在濺射時(shí)的熱引起的應(yīng)力的作用下發(fā)生裂開。另外，靶自身的強(qiáng)度下降，從而有時(shí)在靶制造工序中發(fā)生裂開等問題。另外，靶中的La與Sn的含量的比(原子比)優(yōu)選滿足下述式的關(guān)系。La/(La+In+Sn二全部陽離子金屬元素)<Sn/(La+In+Sn)這是因?yàn)椋琇a與Sn容易反應(yīng)，所以容易生成La2Sn207。即，在與Sn相比La過剩地存在的情況下，Sn的大致全部被La消耗，所以主要生成Laln03。結(jié)果，Sn在Iri203中的摻雜量減少，所以有時(shí)靶的體電阻上升。另一方面，為了滿足所述式而使Sn的含量多于La的含量的情況下，La被Sn消耗，而在In203中摻雜過剩的Sn。這樣，靶的電阻值變小，從而成為可以保持穩(wěn)定的濺射的狀態(tài)。另外，Sn的含量[原子比Sn/(La+In+Sn)]優(yōu)選滿足所述的關(guān)系，而且處于0.030.45的范圍，特別優(yōu)選處于0.050.3的范圍。可以通過調(diào)整燒結(jié)前的銦化合物與錫化合物與鑭化合物的混合比來獲得所述的La、In與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和鑭化合物構(gòu)成的La2Sn207化合物，生成由銦化合物和鑭化合物構(gòu)成的Laln03化合物，剩余的銦化合物和錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶m的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有鑭原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有鑭原子的化合物的具體例，與所述的靶I或II同樣。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到100(TC，則1^203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見La2Sri207的生成或Laln03的生成。如果超過160(TC，則有時(shí)發(fā)生111203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的La2Sn207、Laln03發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有La2Sn207及減Laln03，而該形態(tài)的氧化物可以利用燒結(jié)反應(yīng)(熱反應(yīng))形成。構(gòu)成本發(fā)明的靶的燒結(jié)體在濺射中的黑化少，導(dǎo)電性高。具體而言，可以使燒結(jié)體的體電阻為1Qcm以下。進(jìn)而，也可以為0.1Qcm以下。在本發(fā)明中，尤其可以通過成為La/(La+Sn+In)<Sn/(La+Sn+In)的組成，來減小體電阻。本發(fā)明的氧化物靶是由含有銦(In)、錫(Sn)和釓(Gd)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Gd2Sii207及域GdlnCb表示的氧化物(靶in)。在使用該靶III的情況下，與單純地由ln203、Sn02及0(1203構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持沒有靶表面的黑化、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。本發(fā)明的靶含有由0(12811207及/或Gdln03表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成靶的氧化物的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)0(12811207與111203的混合物(b)Gd2Sn207與ln203與Sn02的混合物(c)Gd2Sri207與Gdln03與In203的混合物(d)Gd2Sn207與Gdln03與Sn02的混合物其中，優(yōu)選由(a)、(b)或(c)構(gòu)成的燒結(jié)體。17在該革巴中，Gd的原子比(Gd/(Gd+In+Sn))優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.3，特別優(yōu)選為0.010.25。如果不到0.001，則可能不能獲得Gd的添加效果，如果超過0.5，則變成Gd203單獨(dú)存在，靶的強(qiáng)度變得過小，有時(shí)在濺射時(shí)的熱引起的應(yīng)力的作用下發(fā)生裂開。另外，靶自身的強(qiáng)度下降，從而有時(shí)在靶制造工序中發(fā)生裂開等問題。另外，靶中的Gd與Sn的含量的比(原子比)優(yōu)選滿足下述式的關(guān)系。Sn/(Gd+In+Sn二全部陽離子金屬元素)>Gd/(Gd+In+Sn)這是因?yàn)?，Gd與Sn容易反應(yīng)，所以容易生成Gd2Sn207。即，在與Sn相比Gd過剩地存在的情況下，Sn的大致全部被Gd消耗，所以主要生成Gdln03。結(jié)果，Sn在1!1203中的摻雜量減少，所以有時(shí)靶的體電阻上升。另一方面，為了滿足所述式而使Sn的含量多于Gd的含量的情況下，Gd被Sn消耗，而在In203中摻雜過剩的Sn。這樣，靶的電阻值變小，從而成為可以保持穩(wěn)定的濺射的狀態(tài)。另夕卜，Sn的含量[原子比Sn/(Gd+In+Sn)]優(yōu)選滿足所述的關(guān)系，而且處于0.030.45的范圍，特別優(yōu)選處于0.050.4的范圍?？梢酝ㄟ^調(diào)整燒結(jié)前的銦化合物與錫化合物與釓化合物的混合比來獲得所述的Gd、In與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和釓化合物構(gòu)成的Gd2Sll207化合物，生成由銦化合物和釓化合物構(gòu)成的Gdln03化合物，剩余的銦化合物和錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有釓原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物，可以舉出氧化銦、氫氧化銦等。優(yōu)選為氧化銦。作為含有釓原子的化合物，可以舉出氧化釓、氫氧化釓等。優(yōu)選為氧化釓。作為含有錫原子的化合物，可以舉出氧化錫(氧化亞錫、氧化錫)、18偏錫酸等。優(yōu)選為氧化錫(氧化錫)。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑最大為3拜以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8pm以下。如果超過3)im，則由于例如0(1203仍然在靶中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因?？梢岳肵射線衍射確認(rèn)Gd2Sri207的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到100(TC，則Gd203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見Gd2Sri207的生成或Gdln03的生成。如果超過160(TC，則有時(shí)發(fā)生111203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Gd2Sn207、Gdln03發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Gd2Sri207及/或Gdln03，而該形態(tài)的氧化物可以利用燒結(jié)反應(yīng)(熱反應(yīng))形成。構(gòu)成本發(fā)明的靶的燒結(jié)體在濺射中的黑化少，導(dǎo)電性高。具體而言，可以使燒結(jié)體的體電阻為lQcm以下。進(jìn)而，也可以為0.1Qcm以下。在本發(fā)明中，尤其可以通過成為Gd/(Gd+Sn+In)<Sn/(Gd+Sn+In)的組成，來減小體電阻。本發(fā)明的氧化物靶的第一方式是由含有銦(In)及釹(Nd)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Ndln03表示的氧化物(靶I)。在使用該靶I的情況下，與單純地由111203及Nd203構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持靶表面的黑化少、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。這樣，可以穩(wěn)定地得到具有與ITO膜同等的光透過率的透明導(dǎo)電膜或具有與由氧化銦，氧化鋅構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體膜同等的光透過性的氧化物半導(dǎo)體膜。靶I含有由Ndln03表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成靶的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Ndln03(b)Ndln03與ln203的混合物(c)Ndln03與Nd203的混合物其中，優(yōu)選(b)的燒結(jié)體。在該靶中，Nd在Nd和In的總和中所占的比例[原子比Nd/(Nd+In)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2,特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Nd原子的添加效果，如果超過0.5，則變成Nd203單獨(dú)存在，變成作為絕緣物的Nd203以粒狀在耙中存在，電阻值變得過大，從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，還存在靶自身的強(qiáng)度下降從而在靶制造工序中的燒結(jié)工序中發(fā)生裂開或變形的問題。可以通過調(diào)整作為燒結(jié)前的原料的銦化合物與釹化合物的混合比來控制靶中的Nd與In的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的銦化合物和釹化合物構(gòu)成的Ndln03等釹銦化合物，剩余的銦化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶I的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物與含有釹原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物，可以舉出氧化銦、氫氧化銦等。優(yōu)選氧化銦。作為含有釹原子的化合物，可以舉出氧化釹、碳酸釹、氯化釹、硝酸釹、硫酸釹等。優(yōu)選為氧化釹。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑最大為3(im以下，優(yōu)選為lpm以下，更優(yōu)選為0.8pm以下。如果超過3pm，則由于例如Nd203仍然在靶中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因?？梢岳肵射線衍射確認(rèn)Ndln03的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到1000'C，則Nd203的反應(yīng)性較低，有時(shí)沒有生成Ndln03。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生ln203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Ndln03發(fā)生分解。，在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Ndln03，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述20的燒結(jié)形成?？梢岳肊PMA的測繪測定生成的Ndln03的粒徑。Ndln03的粒徑為10pm以下，優(yōu)選為5pm以下。在存在超過10|_im的Ndln03的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為10,以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第二方式是由含有錫(Sn)和釹(Nd)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Nd2Sll207表示的氧化物(耙11)。在使用該靶II的情況下，與單純地由Sn02及Nd203構(gòu)成的靶的情況相比，可以保持沒有濺射中的異常放電、也沒有靶表面的黑化的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。靶II含有由Nd2Sll207表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成耙的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Nd2Sn207(b)Nd2Sn207與Sn02的混合物(c)Nd2Sn207與Nd203的混合物(d)Nd2Sn207與Sn02與Nd203的混合物其中，優(yōu)選(b)的燒結(jié)體。在該靶中，Nd在Nd和Sn的總和中所占的比例[原子比Nd/(Nd十Sn)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Nd的添加效果，如果超過0.5，則變成Nd203單獨(dú)存在，存在靶的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另夕卜，在這樣的情況下，有時(shí)可以通過采用RF濺射法來抑制異常放電?？梢酝ㄟ^調(diào)整燒結(jié)前的錫化合物與釹化合物的混合比來控制所述的Nd與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和釹化合物構(gòu)成的Nd2Sn207的氧化物，剩余的錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶II的制造方法，例如可以舉出使用含有錫原子的化合物與含有釹原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有錫原子的化合物，可以舉出氧化錫(氧化亞錫、氧化錫)、21偏錫酸等。優(yōu)選氧化錫(氧化錫)。作為含有釹原子的化合物，與所述的靶I同樣。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑最大為3,以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8pm以下。如果超過3pm，則由于例如Nd203仍然在靶中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因?？梢岳肵射線衍射確認(rèn)Nd2Sn207的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到100(TC，則Nd203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見生成Nd2Sn207。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生Nd203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Nd2Sll207發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Nd2Sn207，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述的燒結(jié)形成?？梢岳肊PMA的測繪測定生成的Nd2Sn207的粒徑。Nd2Sn207的粒徑為10pm以下，優(yōu)選為5pm以下。在存在超過10pm的Nd2Sn207的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為l(Him以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第三方式是由含有銦(In)、錫(Sn)和釹(Nd)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Nd2Sn207及/或雨ln03表示的氧化物(靶m)。在使用該靶III的情況下，與單純地由ln203、Sn02及Nd203構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持沒有濺射中的異常放電、進(jìn)而也沒有靶表面的黑化的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。靶III含有由Nd2Sn207及減Ndln03表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成耙的氧化物的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Nd2Sn207與Iri203的混合物(b)Nd2Sn207與ln203與Sn02的混合物(c)Nd2Sn207與Ndln03與ln203的混合物(d)Nd2Sn207與Ndln03與Sn02的混合物其中，優(yōu)選由(a)、(b)或(c)構(gòu)成的燒結(jié)體。更優(yōu)選由(a)構(gòu)成的燒結(jié)體。在該革巴中，Nd的原子比(麗(Nd+In+Sn))優(yōu)選為0.0010.5,更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Nd的添加效果，如果超過0.5，則變成Nd203單獨(dú)存在，存在靶的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，存在靶自身的強(qiáng)度下降從而有時(shí)在濺射時(shí)發(fā)生靶裂開等問題。另外，優(yōu)選相對(duì)全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬)原子比]多于相對(duì)全部陽離子金屬元素的Nd的含量[Nd/(全部陽離子金屬)原子比]。即優(yōu)選滿足下述式的關(guān)系。Nd/(全部陽離子金屬元素)<Sn/(全部陽離子金屬元素)這是因?yàn)?，Nd與Sn容易反應(yīng)，所以容易生成Nd2Sn207。艮卩，在與Sn相比Nd過剩地存在的情況下，Sn的大致全部被Nd消耗，所以主要生成Ndln03。結(jié)果，Sn在111203中的摻雜量減少，所以有時(shí)靶的體電阻上升。另一方面，為了滿足所述式而使Sn的含量多于Nd的含量的情況下，Nd被Sn消耗，而在In203中摻雜過剩的Sn。這樣，靶的電阻值變小，從而成為可以保持穩(wěn)定的濺射的狀態(tài)。另外，Sn的含量[原子比Sn/(Nd+In+Sn)]優(yōu)選滿足所述的關(guān)系，而且處于0.030.45的范圍，特別優(yōu)選處于0.050.3的范圍?？梢酝ㄟ^調(diào)整燒結(jié)前的銦化合物與錫化合物與釹化合物的混合比來獲得所述的Nd、In與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和釹化合物構(gòu)成的Nd2Sn207等釹錫化合物，生成由銦化合物和釹化合物構(gòu)成的Ndln03化合物，剩余的銦化合物和錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶III的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有釹原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有釹原子的化合物的具體例，與所述的靶i或n同樣。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到100(TC，則Nd203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見Nd2Sn207的生成或Ndln03的生成。如果超過1600。C，則有時(shí)發(fā)生111203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Nd2Sri207、Ndln03發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Nd2Sn207及/或Ndln03，而該形態(tài)的氧化物可以利用燒結(jié)反應(yīng)(熱反應(yīng))形成。構(gòu)成本發(fā)明的靶的燒結(jié)體的導(dǎo)電性高。尤其所述的靶I及靶III具有高的導(dǎo)電性。具體而言，在耙I及耙III中，可以使體電阻為5Qcm以下。進(jìn)而，也可以為1Qcm以下。在本發(fā)明中，尤其可以通過成為Nd/(Nd+Sn+In)<Sn/(Nd+Sn+In)的組成，來減小體電阻。本發(fā)明的氧化物靶的第一方式是由含有銦(In)及鐿(Yb)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Ybln03表示的氧化物(靶I)。在使用該靶I的情況下，與單純地由111203及￥13203構(gòu)成的耙的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持靶表面的黑化少、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。這樣，可以穩(wěn)定地得到具有與ITO膜同等的光透過率的透明導(dǎo)電膜或具有與由氧化銦，氧化鋅構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體膜同等的光透過性的氧化物半導(dǎo)體膜。靶I含有由Ybln03表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成耙的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Ybln03(b)Ybln03與ln203的混合物(c)Ybln03與Yb203的混合物其中，優(yōu)選(a)、(b)的燒結(jié)體。這種情況下，Yb203不會(huì)單獨(dú)存在，可以抑制濺射中的異常放電。在為(c)的情況下，成為Yb203單獨(dú)存在，有時(shí)會(huì)發(fā)生異常放電。在該靶中，Yb在Yb和In的總和中所占的比例[原子比Yb/(Yb+In)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010,2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Yb原子的添加效果，如果超過0.5，則變成Yb203單獨(dú)存在，變成作為絕緣物的Yb203以粒狀在耙中存在，存在耙的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，還存在靶自身的強(qiáng)度下降從而在靶制造工序中的燒結(jié)工序中發(fā)生裂開或變形的問題。可以通過調(diào)整作為燒結(jié)前的原料的銦化合物與鐿化合物的混合比來控制靶中的Yb與In的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的銦化合物和鐿化合物構(gòu)成的Ybln03等鐿銦化合物，剩余的銦化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶I的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物與含有鐿原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物，可以舉出氧化銦、氫氧化銦等。優(yōu)選氧化銦。作為含有鐿原子的化合物，可以舉出氧化鐿、硝酸鐿等。優(yōu)選為氧化々血節(jié)息。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑為3,以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8pm以下。如果超過3iam，則由于例如Yb203仍然在耙中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因。可以利用X射線衍射確認(rèn)Ybln03的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到1000°C，則Yb203的反應(yīng)性較低，有時(shí)沒有生成Ybln03。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生ln203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的YblnCb發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Ybln03，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述的燒結(jié)形成。可以利用EPMA的測繪測定生成的Ybln03的粒徑。Ybln03的粒徑為10pm以下，優(yōu)選為5nm以下。在存在超過10pm的Ybln03的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為lOpm以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第二方式是由含有錫(Sn)和鐿(Yb)的氧化25物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Yb2Sri207表示的氧化物(耙11)。在使用該靶II的情況下，與單純地由Sn02及Yb203構(gòu)成的耙的情況相比，可以保持沒有靶表面的黑化、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。靶II含有由Yb2Sri207表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成耙的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Yb2Sn207(b)Yb2Sn207與Sn02的混合物(C)Yb2Sll207與Yb203的混合物(d)Yb2Sri207與Sn02與丫15203的混合物其中，優(yōu)選(b)的燒結(jié)體。在該靶中，Yb在Yb和Sn的總和中所占的比例[原子比Yb/(Yb+Sn)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Yb的添加效果，如果超過0.5，則變成Yb203單獨(dú)存在，存在靶的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題?？梢酝ㄟ^調(diào)整燒結(jié)前的錫化合物與鐿化合物的混合比來控制所述的Yb與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和鐿化合物構(gòu)成的Yb2Sn207等鐿錫的氧化物，剩余的錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶II的制造方法，例如可以舉出使用含有錫原子的化合物與含有鐿原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有錫原子的化合物，可以舉出氧化錫(氧化亞錫、氧化錫)、偏錫酸等。優(yōu)選氧化錫(氧化錫)。作為含有鐿原子的化合物，與所述的耙I同樣。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑為3拜以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8,以下。如果超過3(mi，則由于例如Yb203仍然在靶中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因?？梢岳肵射線衍射確認(rèn)Yb2Sll207的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到100(TC，則Yb203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見生成Yb2Sn207。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生Yb203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Yb2Sll207發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Yb2Sn207，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述的燒結(jié)形成。可以利用EPMA的測繪測定生成的Yb2Sn207的粒徑。Yb2Sn207的粒徑為lOjim以下，優(yōu)選為5pm以下。在存在超過10pm的Yb2Sll207的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為10pm以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第三方式是由含有銦(In)、錫(Sn)和鐿(Yb)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Yb2Sn207表示的氧化物(耙III)。在使用該靶III的情況下，與單純地由ln203、Sn02及Yb203構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持沒有濺射中的異常放電、進(jìn)而也沒有靶表面的黑化的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。靶III含有由Yb2Sll207表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成靶的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)￥132811207與111203的混合物(b)Yb2Sn207與ln203與Sn02的混合物(c)Yb2Sn207與Ybln03與ln203的混合物(d)Yb2Sn207與Ybln03與Sn02的混合物其中，優(yōu)選由(a)或(b)構(gòu)成的燒結(jié)體。在該靶中，Yb的原子比(Yb/(Yb+In+Sn))優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Yb的添加效果，如果超過0.5，則變成Yb2Cb單獨(dú)存在，存在靶的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，存在靶自身的強(qiáng)度下降從而有時(shí)在濺射時(shí)發(fā)生靶裂開等問題。另外，優(yōu)選相對(duì)全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬)原子比]多于相對(duì)全部陽離子金屬元素的Yb的含量[Yb/(全部陽離子金屬)原子比]。即優(yōu)選滿足下述式的關(guān)系。Yb/(全部陽離子金屬元素)<Sn/(全部陽離子金屬元素)這是因?yàn)?，Yb與Sn容易反應(yīng)，所以容易生成Yb2Sn207。艮卩，在與Sn相比Yb過剩地存在的情況下，Sn的大致全部被Yb消耗，所以主要生成Ybln03。結(jié)果，Sn在1!1203中的摻雜量減少，所以有時(shí)靶的體電阻上升。另一方面，為了滿足所述式而使Sn的含量多于Yb的含量的情況下，Yb被Sn消耗，而在In203中摻雜過剩的Sn。這樣，靶的電阻值變小，從而成為可以保持穩(wěn)定的濺射的狀態(tài)。另外，Sn的含量[原子比Sn/(Yb+In+Sn)]優(yōu)選滿足所述的關(guān)系，而且處于0.030.45的范圍，特別優(yōu)選處于0.050.3的范圍?？梢酝ㄟ^調(diào)整燒結(jié)前的銦化合物與錫化合物與鐿化合物的混合比來獲得所述的Yb、In與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和鐿化合物構(gòu)成的Yb2Sri207等鐿錫化合物，剩余的銦化合物和錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶III的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有鐿原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有鐿原子的化合物的具體例，與所述的靶I或II同樣。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到1000。C，則Yb203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見Yb2Sn207的生成。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生111203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Yb2Sn207發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Yb2Sn207，而該形態(tài)的氧化物可以利用燒結(jié)反應(yīng)(熱反應(yīng))形成?？梢岳肊PMA的測繪測定生成的Yb2Sn207的粒徑。Yb2Sn207的粒徑為lO(im以下，優(yōu)選為5|im以下。在存在超過lO(im的Yb2Sn207的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為10pm以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。構(gòu)成本發(fā)明的靶的燒結(jié)體的導(dǎo)電性高。具體而言，可以使體電阻為5Qcm以下。進(jìn)而，也可以為lQcm以下。在本發(fā)明中，尤其可以通過成為Yb/(Yb+Sn+In)<Sn/(Yb+Sn+In)的組成，來減小體電阻。另外，為了減低異常放電等故障，優(yōu)選體電阻不到2MQcm。本發(fā)明的氧化物靶的第一方式是由含有銦(In)及鉺(Er)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由ErlnCb表示的氧化物(靶I)。在使用該靶I的情況下，與單純地由111203及El"203構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持耙表面的黑化少、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。這樣，可以穩(wěn)定地得到具有與ITO膜同等的光透過率的透明導(dǎo)電膜或具有與由氧化銦，氧化鋅構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體膜同等的光透過性的氧化物半導(dǎo)體膜。靶I含有由Erln03表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成靶的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Erln03(b)Erln03與ln203的混合物(c)Erln03與Er203的混合物其中，優(yōu)選(a)、(b)的燒結(jié)體。這種情況下，Er203不會(huì)單獨(dú)存在，可以抑制濺射中的異常放電。在為(C)的情況下，成為El"203單獨(dú)存在，有時(shí)會(huì)發(fā)生異常放電。在該靶中，Er在Er和In的總和中所占的比例[原子比Er/(Er+In)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Er原子的添加效果，如果超過0.5，則變成Er203單獨(dú)存在，變成作為絕緣物的Er203以粒狀在耙中存在，存在靶的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，還存在耙自身的強(qiáng)度下降從而在耙制造工序中的燒結(jié)工序中發(fā)生裂開或變形的問題?？梢酝ㄟ^調(diào)整作為燒結(jié)前的原料的銦化合物與鉺化合物的混合比來控制靶中的Er與In的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的銦化合物和鉺化合物構(gòu)成的Erln03等鉺銦化合物，剩余的銦化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為耙I的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物與含有鉺原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物，可以舉出氧化銦、氫氧化銦等。優(yōu)選氧化銦。作為含有鉺原子的化合物，可以舉出氧化鉺、草酸鉺、硝酸鉺等。優(yōu)選為氧化鉺。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑為3,以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8,以下。如果超過3(im，則由于例如Er203仍然在靶中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因?？梢岳肵射線衍射確認(rèn)Erln03的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到1000°C，則Er203的反應(yīng)性較低，有時(shí)沒有生成Erln03。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生ln203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Erln03發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Erln03，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述的燒結(jié)形成?？梢岳肊PMA的測繪測定生成的Erln03的粒徑。Erln03的粒徑為10pm以下，優(yōu)選為5pm以下。在存在超過10,的Erln03的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為10pm以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第二方式是由含有錫(Sn)和鉺(Er)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Er2Sn207表示的氧化物(靶II)。在使用該靶II的情況下，與單純地由Sn02及Er203構(gòu)成的靶的情況相比，可以保持沒有靶表面的黑化、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。耙II含有由Er2Sri207表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成靶的氧化物的30優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Er2Sn207(b)Er2Sn20與Sn02的混合物(c)Er2Sn207與Ef203的混合物(d)Er2Sn207與Sn02與Er203的混合物其中，優(yōu)選(a)、(b)的燒結(jié)體。在該靶中，Er在Er和Sn的總和中所占的比例[原子比Er/(Er+Sn)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Er的添加效果，如果超過0.5，則變成Er2Cb單獨(dú)存在，存在靶的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題?？梢酝ㄟ^調(diào)整燒結(jié)前的錫化合物與鉺化合物的混合比來控制所述的Er與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和鉺化合物構(gòu)成的Er2Sn207等鉺*錫的氧化物，剩余的錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶II的制造方法，例如可以舉出使用含有錫原子的化合物與含有鉺原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有錫原子的化合物，可以舉出氧化錫(氧化亞錫、氧化錫)、偏錫酸等。優(yōu)選氧化錫(氧化錫)。作為含有鉺原子的化合物，與所述的靶I同樣。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑為3,以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8〖an以下。如果超過3pm，則由于例如Er203仍然在耙中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因。可以利用X射線衍射確認(rèn)Et2Sll207的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到1000°C，則Er203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見生成Er2Sn207。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生Er203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Er2Sri207發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Er2Sn207，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述的燒結(jié)形成?？梢岳肊PMA的測繪測定生成的Er2Sri207的粒徑。Er2Sn207的粒徑為10pm以下，優(yōu)選為5|im以下。在存在超過10pm的Er2Sn207的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為10pm以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第三方式是由含有銦(In)、錫(Sn)和鉺(Er)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Ei"2Sri207表示的氧化物(耙in)。在使用該靶III的情況下，與單純地由111203、Sn02及E&03構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持沒有濺射中的異常放電、進(jìn)而也沒有靶表面的黑化的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。靶III含有由Er2Sri207表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成靶的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Er2Sn207與In203的混合物(b)Er2Sn207與ln203與Sn02的混合物(c)Er2Sn207與Erln03與In203的混合物(d)Er2Sn207與Erln03與Sn02的混合物其中，優(yōu)選由(a)或(b)構(gòu)成的燒結(jié)體。在該革巴中，Er的原子比(Er/(Er+In+Sn))優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Er的添加效果，如果超過0.5，則變成Ef203單獨(dú)存在，存在靶的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，存在耙自身的強(qiáng)度下降從而有時(shí)在濺射時(shí)發(fā)生靶裂開等問題。另外，優(yōu)選相對(duì)全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬)原子比]多于相對(duì)全部陽離子金屬元素的Er的含量[Er/(全部陽離子金屬)原子比]。即優(yōu)選滿足下述式的關(guān)系。Er/(全部陽離子金屬元素)<Sn/(全部陽離子金屬元素)這是因?yàn)?，Er與Sn容易反應(yīng)，所以容易生成Er2Sn207。艮P，在與Sn相比Er過剩地存在的情況下，Sn的大致全部被Er消耗，所以主要生成32Erln03。結(jié)果，Sn在Iri203中的摻雜量減少，所以有時(shí)靶的體電阻上升。另一方面，為了滿足所述式而使Sn的含量多于Er的含量的情況下，Er被Sn消耗，而在Iri203中摻雜過剩的Sn。這樣，靶的電阻值變小，從而成為可以保持穩(wěn)定的濺射的狀態(tài)。另外，Sn的含量[原子比Sn/(Er+In+Sn)]優(yōu)選滿足所述的關(guān)系，而且處于0.030.45的范圍，特別優(yōu)選處于0.050.3的范圍?？梢酝ㄟ^調(diào)整燒結(jié)前的銦化合物與錫化合物與鉺化合物的混合比來獲得所述的Er、In與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和鉺化合物構(gòu)成的Er2Sn207等鉺錫化合物，剩余的銦化合物和錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為耙III的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有鉺原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有鉺原子的化合物的具體例，與所述的靶I或II同樣。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到100(TC，則Er203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見Er2Sri207的生成。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生ln203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Er2Sri207發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Er2Sn207，而該形態(tài)的氧化物可以利用燒結(jié)反應(yīng)(熱反應(yīng))形成?？梢岳肊PMA的測繪測定生成的Er2Sn207的粒徑。Er2Sn207的粒徑為10pm以下，優(yōu)選為5pm以下。在存在超過10|im的Er2Sn207的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為l(Him以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。構(gòu)成本發(fā)明的靶的燒結(jié)體的導(dǎo)電性高。具體而言，可以使體電阻為5Qcm以下。進(jìn)而，也可以為lQcm以下。在本發(fā)明中，尤其可以通過成為Er/(Er+Sn+In)<Sn/(Er+Sn+In)的組成，來減小體電阻。另外，為了減低異常放電等故障，優(yōu)選體,電阻不到2MQcm。[鏑(Dy)]本發(fā)明的氧化物靶的第一方式是由含有銦(In)及鏑(Dy)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Dyln03表示的氧化物(靶I)。在使用該靶I的情況下，與單純地由111203及Dy203構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持靶表面的黑化少、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。這樣，可以穩(wěn)定地得到具有與ITO膜同等的光透過率的透明導(dǎo)電膜或具有與由氧化銦，氧化鋅構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體膜同等的光透過性的氧化物半導(dǎo)體膜。靶I含有由Dyln03表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成靶的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Dyln03(b)Dyln03與ln203的混合物(c)Dyln03與Dy203的混合物其中，優(yōu)選(a)、(b)的燒結(jié)體。這種情況下，Dy203不會(huì)單獨(dú)存在，可以抑制濺射中的異常放電。在為(c)的情況下，成為Dy203單獨(dú)存在，有時(shí)會(huì)發(fā)生異常放電。在該靶中，Dy在Dy和In的總和中所占的比例[原子比Dy/(Dy+In)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Dy原子的添加效果，如果超過0.5，則變成Dy2Cb單獨(dú)存在，變成作為絕緣物的D》0;以粒狀在耙中存在，存在耙的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，還存在靶自身的強(qiáng)度下降從而在靶制造工序中的燒結(jié)工序中發(fā)生裂開或變形的問題?？梢酝ㄟ^調(diào)整作為燒結(jié)前的原料的銦化合物與鏑化合物的混合比來控制靶中的Dy與In的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的銦化合物和鏑化合物構(gòu)成的Dyln03等鏑銦化合物，剩余的銦化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為靶I的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物與含有鏑原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物，可以舉出氧化銦、氫氧化銦等。優(yōu)選氧化銦。作為含有鏑原子的化合物，可以舉出氧化鏑、草酸鏑、碳酸鏑、硝酸鏑等。優(yōu)選為氧化鏑。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑為3,以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8,以下。如果超過3pm，則由于例如Dy203仍然在靶中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因?？梢岳肵射線衍射確認(rèn)Dyln03的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到1000°C，則Dy203的反應(yīng)性較低，有時(shí)沒有生成Dyln03。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生ln203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Dyln03發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Dyln03，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述的燒結(jié)形成?？梢岳肊PMA的測繪測定生成的Dyln03的粒徑。Dyln03的粒徑為lO^im以下，優(yōu)選為5[im以下。在存在超過10pm的Dyln03的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為10pm以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第二方式是由含有錫(Sn)和鏑(Dy)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的靶，其特征在于，含有由Dy2Sn207表示的氧化物(耙11)。在使用該靶II的情況下，與單純地由Sn02及Dy203構(gòu)成的靶的情況相比，可以保持沒有靶表面的黑化、也沒有濺射中的異常放電的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。靶II含有由Dy2Sri207表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成耙的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Dy2Sn207(b)Dy2Sn207與Sn02的混合物(c)Dy2Sn207與Dy203的混合物(d)Dy2Sn207與Sn02與Dy203的混合物35其中，優(yōu)選(b)的燒結(jié)體。在該靶中，Dy在Dy和Sn的總和中所占的比例[原子比Dy/(Dy十Sn)]優(yōu)選為0.0010.5，更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Dy的添加效果，如果超過0.5，則變成Dy2Cb單獨(dú)存在，存在耙的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，在這樣的情況T，有時(shí)可以通過采用RF濺射法來抑制異常放電。可以通過調(diào)整燒結(jié)前的錫化合物與鏑化合物的混合比來控制所述的Dy與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和鏑化合物構(gòu)成的0》811207等鏑*錫的氧化物，剩余的錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為耙II的制造方法，例如可以舉出使用含有錫原子的化合物與含有鏑原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有錫原子的化合物，可以舉出氧化錫(氧化亞錫、氧化錫)、偏錫酸等。優(yōu)選氧化錫(氧化錫)。作為含有鏑原子的化合物，與所述的靶I同樣。所述的出發(fā)原料優(yōu)選利用珠磨機(jī)等粉碎混合。這樣，可以均一地混合原料，另外，還可以減小原料的粒徑。原料的平均粒徑為3拜以下，優(yōu)選為1,以下，更優(yōu)選為0.8,以下。如果超過3,，則由于例如Dy203仍然在靶中作為絕緣性的粒子存在，所以有時(shí)成為異常放電的原因?？梢岳肵射線衍射確認(rèn)Dy2Sn207的生成。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到1000。C，則Dy203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見生成Dy2Sn207。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生Dy203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Dy2Sn207發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Dy2Sn207，而該形態(tài)的氧化物可以利用所述的燒結(jié)形成?？梢岳肊PMA的測繪測定生成的Dy2Sn207的粒徑。Dy2Sn207的粒徑為lO(im以下，優(yōu)選為5(am以下。在存在超過lOpm的Dy2Sri207的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為10pm以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。本發(fā)明的氧化物靶的第三方式是由含有銦(In)、錫(Sn)和鏑(Dy)的氧化物的燒結(jié)體構(gòu)成的耙，其特征在于，含有由Dy2Sti207表示的氧化物(耙ni)。在使用該靶III的情況下，與單純地由ln203、SnCb及D》03構(gòu)成的靶的情況相比，靶的導(dǎo)電性高，另外，可以保持沒有濺射中的異常放電、進(jìn)而也沒有靶表面的黑化的穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。靶III含有由Dy2Sn207表示的形態(tài)的氧化物，作為構(gòu)成靶的燒結(jié)體的優(yōu)選例，可以舉出以下例子。(a)Dy2Sri207與ln203的混合物(b)Dy2Sn207與ln203與Sn02的混合物(c)Dy2Sn207與Dyln03與ln203的混合物(d)Dy2Sn207與Dyln03與Sn02的混合物其中，優(yōu)選由(a)或(b)構(gòu)成的燒結(jié)體。在該耙中，Dy的原子比(Dy/(Dy+In+Sn))優(yōu)選為0扁0.5'更優(yōu)選為0.010.2，特別優(yōu)選為0.010.15。如果不到0.001，則可能不能獲得Dy的添加效果，如果超過0.5，則變成Dy203單獨(dú)存在，存在靶的電阻值變得過大從而有時(shí)會(huì)在濺射時(shí)發(fā)生異常放電等問題。另外，存在靶自身的強(qiáng)度下降從而有時(shí)在濺射時(shí)發(fā)生靶裂開等問題。另外，優(yōu)選相對(duì)全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬)原子比]多于相對(duì)全部陽離子金屬元素的Dy的含量[Dy/(全部陽離子金屬)原子比]。即優(yōu)選滿足下述式的關(guān)系。Dy/(全部陽離子金屬元素)<Sn/(全部陽離子金屬元素)這是因?yàn)?，Dy與Sn容易反應(yīng)，所以容易生成Dy2Sn207。艮卩，在與Sn相比Dy過剩地存在的情況下，Sn的大致全部被Dy消耗，所以主要生成Dyln03。結(jié)果，Sn在111203中的摻雜量減少，所以有時(shí)靶的體電阻上升。另一方面，為了滿足所述式而使Sn的含量多于Dy的含量的情況下，Dy被Sn消耗，而在In203中摻雜過剩的Sn。這樣，靶的電阻值變小，從37而成為可以保持穩(wěn)定的濺射的狀態(tài)。另外，Sn的含量[原子比Sn/(Dy+In+Sn)]優(yōu)選滿足所述的關(guān)系，而且處于0.030.45的范圍，特別優(yōu)選處于0.050.3的范圍?？梢酝ㄟ^調(diào)整燒結(jié)前的銦化合物與錫化合物與鏑化合物的混合比來獲得所述的Dy、In與Sn的原子比。推測根據(jù)燒結(jié)前的混合比，生成由適合于化學(xué)計(jì)算比率的錫化合物和鏑化合物構(gòu)成的Dy2Sii207等鏑錫化合物，剩余的銦化合物和錫化合物作為結(jié)晶性物質(zhì)或非晶質(zhì)物質(zhì)等存在。作為耙III的制造方法，例如可以舉出使用含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有鏑原子的化合物作為原料物質(zhì)，對(duì)這些混合物進(jìn)行燒結(jié)的方法。作為含有銦原子的化合物、含有錫原子的化合物及含有鏑原子的化合物的具體例，與所述的靶I或II同樣。對(duì)將原料粉體成形為規(guī)定的形狀而成的物體進(jìn)行燒成。燒成條件為10001600°C。優(yōu)選為12001500°C，更優(yōu)選為12501450°C。如果不到100(TC，則Dy203的反應(yīng)性較低，有時(shí)未見Dy2Sn207的生成。如果超過1600°C，則有時(shí)發(fā)生ln203的升華或熱分解從而組成發(fā)生變化或者生成的Dy2Sri207發(fā)生分解。在本發(fā)明中，燒結(jié)體含有Dy2Sn207，而該形態(tài)的氧化物可以利用燒結(jié)反應(yīng)(熱反應(yīng))形成。可以利用EPMA的測繪測定生成的Dy2Sn207的粒徑。Dy2Sn207的粒徑為10pm以下，優(yōu)選為5pm以下。在存在超過lO(im的Dy2Sn207的粒子的情況下，粒子周邊的導(dǎo)電性的差有時(shí)會(huì)引起異常放電。在為10pm以下時(shí)，可以抑制這些異常放電，從而可以進(jìn)行穩(wěn)定的濺射。構(gòu)成本發(fā)明的靶的燒結(jié)體的導(dǎo)電性高。具體而言，可以使體電阻為5Qcm以下。進(jìn)而，也可以為lQcm以下。在本發(fā)明中，尤其可以通過成為Dy/(Dy+Sn+In)<Sn/(Dy+Sn+In)的組成，來減小體電阻。另外，為了減低異常放電等故障，優(yōu)選體電阻不到2MQcm。在所述的本發(fā)明的靶IIII中，除了A組或B組的元素為Er的情況以外，構(gòu)成靶的燒結(jié)體的密度優(yōu)選為6.5g/cm3以上，更優(yōu)選為6.67.2g/cm3。在燒結(jié)體的密度不到6.5g/cmH有時(shí)靶表面發(fā)生黑化或者發(fā)生異常放電。在A組或B組的元素為Er的情況下，密度優(yōu)選為4.5g/cr^以上，更優(yōu)選為4.67.0g/cm3。在燒結(jié)體的密度不到4.5g/cn^時(shí)，有時(shí)靶表面發(fā)生黑化或者發(fā)生異常放電。為了獲得密度高的燒結(jié)體，優(yōu)選在燒成前的成形工序中利用冷氣靜水壓(CIP)等進(jìn)行成形或者利用熱氣靜水壓(HIP)等進(jìn)行燒結(jié)?？梢允褂盟龅谋景l(fā)明的靶對(duì)導(dǎo)電性膜進(jìn)行成膜。作為成膜的方法，可以使用RF磁控濺射(magnetronsputtering)法、DC磁控濺射法、電子束蒸鍍法、離子鍍法等。其中，優(yōu)選使用RF磁控濺射。在靶的體電阻超過lQcm的情況下，如果采用RF磁控濺射法，則可以沒有異常放電地保持穩(wěn)定的濺射狀態(tài)。另外，在靶的體電阻為1Qcm以下的情況下，也可以采用在工業(yè)上有利的DC磁控濺射法。這樣，可以沒有異常放電地保持穩(wěn)定的濺射狀態(tài)，從而工業(yè)上連續(xù)地穩(wěn)定地成膜成為可能。另外，已知可以通過在利用濺射的成膜中存在大量的氧，來將由氧化銦和氧化鋅構(gòu)成的透明薄膜用作氧化物半導(dǎo)體(美國公開2005/199959)。在本發(fā)明中，可以通過在濺射成膜中存在大量的氧來控制該薄膜中的載流子密度，所以可以用作氧化物半導(dǎo)體。[實(shí)施例]以下示出在實(shí)施例及比較例中制作的靶的特性的測定方法。(1)密度利用切成一定尺寸的靶的重量和外形尺寸算出。(2)靶中的各元素的原子比利用ICP(電感耦合等離子(InductivelyCoupledPlasma))測定，測定各元素的存在量。(3)革巴的體電阻使用電阻計(jì)(三菱油化制，Loresta)，利用四探針法進(jìn)行測定。(4)在耙中存在的氧化物的結(jié)構(gòu)通過分析用X射線衍射得到的圖表來鑒定氧化物的結(jié)構(gòu)。以以下的條件進(jìn)行X射線衍射的測定。*裝置:(株)理嘎庫(Rigaku)制Ultima—III，X射線:Cu—Ka射線(波長1.5406A，利用石墨單色器(graphitemonochromater)進(jìn)行單色化)2e—e反射法、連續(xù)掃描(i.o。/分)，取樣間隔:0.02°縫隙(slit)DS、SS:2/3°、RS:0.6mm[鑭(La)]實(shí)施例1_1混合純度為99.99%以上的氧化銦700g和純度為99.99%以上的氧化鑭300g，利用干燥珠磨機(jī)(drybeadsmill)粉碎混合約5小時(shí)。接著，將在所述中得到的粉末插入到1Omm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cm2的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，得到燒結(jié)體。將該燒結(jié)體加工成耙(磨削、研磨、向背襯板(backingplate)的貼合)。對(duì)得到的靶，進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以Laln03及l(fā)n203為主要成分的氧化物構(gòu)成。圖1表示耙的X射線圖表。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[La/(La+In)]為0.27。利用EPMA(電子探針顯微分析(ElectronProbeMicroAnalyzer))測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、La的分散狀態(tài)。結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上均一。另外，靶的密度為6.78g/cm3，體電阻為260Qcm。實(shí)施例l一2混合氧化錫900g和氧化鑭100g，利用干燥珠磨機(jī)，粉碎混合約5小時(shí)。接著，將得到的粉末插入到10mmd)的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cr^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cn^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，加工成靶。對(duì)這樣地進(jìn)行得到的靶，進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以La2Sn207及Sn02為主要成分的氧化物構(gòu)成。圖2表示耙的X射線圖表。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[La/(La+Sn)]為0.09。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了Sn、La的分散狀態(tài)，其組成實(shí)質(zhì)上不均一。另外，耙的密度為6.64g/cr^，體電阻為950Qcm。實(shí)施例1一31一12將氧化銦、氧化錫及氧化鑭的各粉末混合成分別如表1的組成，用干燥珠磨機(jī)，粉碎"混合約5小時(shí)。接著，將得到的粉末插入到10mm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cn^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，加工成靶。<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>對(duì)這樣地進(jìn)行得到的耙，進(jìn)行x射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以111203及1^2811207、Laln03為主要成分的氧化物構(gòu)成。圖3—12分別表示在實(shí)施例1—31—12中制作的靶的X射線圖表。表2示出進(jìn)行ICP分析的結(jié)果、利用EPMA測定面內(nèi)的元素分布的結(jié)果、密度及體電阻。<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>比較例1—1混合氧化銦400g和氧化鑭600g，利用干燥珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)。接著，將在所述中得到的粉末插入到1Omm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cr^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cr^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)。在從爐中取出的狀態(tài)的燒結(jié)體中發(fā)生很多裂縫(crack)，另外，還觀察到裂開，從而不能實(shí)施靶(磨削、研磨、向背襯板的貼合)加工。對(duì)該燒結(jié)體進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)為由以LaM)3及La203為主要成分的氧化物構(gòu)成的燒結(jié)體。圖13表示該燒結(jié)體的X射線圖表。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[La/(La+In)]為0.56。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、La的分散狀態(tài)，結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上不均一。另外，體電阻為2MQcm以上，大致為絕緣材料。實(shí)施例2—12—10以表3所示的配合比，混合純度為99.9%以上的氧化銦和純度為99.9%以上的氧化釓和純度為99.9%以上的氧化錫，利用干燥珠磨機(jī)粉碎，混合約5小時(shí)。接著，將在所述中得到的粉末插入到lOmm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cr^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cn/的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，得到燒結(jié)體。將該燒結(jié)體加工成靶(磨削、研磨、向背襯板的貼合)。44[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>對(duì)這樣地進(jìn)行得到的靶，進(jìn)行x射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以111203及Gd2Sn207、Gdln03為主要成分的氧化物構(gòu)成。圖14—23分別表示在實(shí)施例2—12—10中制作的靶的X射線圖表。表4示出X射線衍射、靶的ICP分析的結(jié)果、利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布來確認(rèn)In、Gd的分散狀態(tài)的結(jié)果、密度及體電阻。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>*1:表中的值為相對(duì)(In+Sti+Gd)的各原子的比率(原子量比)*2:X射線衍射結(jié)果O鑒定為化合物，觀察到微小的峰，X:未觀察到峰200780029477.0勢s齒被43/593比較例2—1混合氧化銦400g和氧化釓600g，利用干燥珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)。接著，將在所述中得到的粉末插入到1Omm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/ci^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cm2的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在1350。C下燒成10小時(shí)。在從爐中取出的狀態(tài)的燒結(jié)體中發(fā)生很多裂縫，另外，還觀察到裂開，從而不能實(shí)施靶(磨削、研磨、向背襯板的貼合)加工。對(duì)該燒結(jié)體進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)為由以Gdln03及Gd203為主要成分的氧化物構(gòu)成的燒結(jié)體。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Gd/(Gd+In)]為0.56。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、Gd的分散狀態(tài)，結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上不均一。另外，體電阻為2MQcm以上，大致為絕緣材料。實(shí)施例3—1混合氧化銦460g和氧化釹540g，用干燥珠磨機(jī)粉碎*混合約5小時(shí)。接著，將在所述中得到的粉末插入到10mm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cm2的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，得到燒結(jié)體。將該燒結(jié)體加工成靶(磨削、研磨、向背襯板的貼合)。對(duì)得到的靶進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以Ndln03及l(fā)n203為主要成分的氧化物構(gòu)成。圖24示出制作的靶的X射線圖表。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Nd/(Nd+In)]為0.49。利用EPMA測定耙的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、Nd的分散狀態(tài)。結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上均一。另外，靶的密度為6.86g/cm3，體電阻為2MQcm以上。實(shí)施例3—2混合氧化銦950g和氧化釹50g，除此以外，與實(shí)施例3—1同樣地進(jìn)行，制作靶。對(duì)得到的靶進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以Ndln03及l(fā)n203為主要成分的氧化物構(gòu)成。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Nd/(Nd+In)]為0.04。利用EPMA測定靶的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、Nd的分散狀態(tài)。結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上均一。另外，靶的密度為6.5化/cm3，體電阻為0.026Qcm。實(shí)施例3—3混合氧化錫480g和氧化釹520g，利用干燥珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)。接著，將在所述中得到的粉末插入到1Omm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/(W的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cm2的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，加工成靶。對(duì)這樣地進(jìn)行得到的靶進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以Nd2Sri207為主要成分、Sn02和微量的Nd203構(gòu)成。圖25示出制作的靶的X射線圖表。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Nd/(Nd+Sn)]為0.49。利用EPMA測定靶的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了Sn、Nd的分散狀態(tài)，但其組成實(shí)質(zhì)上均一。另外，靶的密度為6.96g/cm3，體電阻為2MQcm以上。實(shí)施例3—43—9將氧化銦、氧化錫及氧化釹的各粉末混合成分別如表5所示的配合量，用干燥珠磨機(jī)，粉碎*混合約5小時(shí)。接著，將得到的粉末插入到10mm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cW的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cn^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，加工成靶。48[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table>對(duì)這樣地進(jìn)行得到的靶，進(jìn)行x射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)以Nd2Sn207及In203為主要成分，含有Ndln03。圖26—30分別表示在實(shí)施例3—53—9中制作的靶的X射線圖表。表6示出耙的ICP分析的結(jié)果、利用EPMA測定面內(nèi)的元素分布的結(jié)果、密度及體電阻。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula>干燥珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)。接著，將得到的粉末插入到10mm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cn^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，但燒結(jié)體裂開，不能加工成靶。對(duì)得到的燒結(jié)體進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以Ndln03及Nd2Sn207、Nd203為主要成分的氧化物構(gòu)成。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Nd/(Nd+In)]為0.67。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、Nd的分散狀態(tài)。結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上不均一。另夕卜，燒結(jié)體的密度為5.64g/cm3，體電阻為測定極限以上。實(shí)施例4一14一9將氧化銦、氧化錫及氧化鐿的各粉末混合成分別如表7所示的配合量，用干燥珠磨機(jī)，粉碎，混合約5小時(shí)。接著，將得到的粉末插入到lOmmd)的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/ci^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，加工成靶。51[表7]<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>對(duì)這樣地進(jìn)行得到的靶，進(jìn)行x射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)以Yb2Sn207及l(fā)n203為主要成分。圖31—39分別表示在實(shí)施例4—14一9中制作的靶的X射線圖表。表8示出耙的ICP分析的結(jié)果、利用EPMA測定面內(nèi)的元素分布的結(jié)果、密度及體電阻。<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>比較例4一1混合氧化銦150g和氧化鐿850g，利用濕式球磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)，然后利用噴霧干燥器(spraydryer)干燥。接著，將在所述中得到的粉末插入到1Omm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/ciV的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cm2的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)。在從爐中取出的狀態(tài)的燒結(jié)體中發(fā)生很多裂縫，另外，還觀察到裂開，從而不能實(shí)施靶(磨削、研磨、向背襯板的貼合)加工。對(duì)該燒結(jié)體進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)為以氧化鐿(Yb203)為主要成分的燒結(jié)體。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Yb/(Yb+In)]為0.81。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、Yb的分散狀態(tài)，結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上不均一。另外，體電阻為2MQcm以上，判斷為絕緣體。實(shí)施例5_1混合氧化銦450g和氧化鉺550g，利用濕式珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)，然后進(jìn)行干燥造粒，得到0O.l數(shù)mm的粉體。接著，將在所述中得到的粉末插入到1Omm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cr^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cm2的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在1350。C下燒成10小時(shí)，得到燒結(jié)體。將該燒結(jié)體加工成靶(磨削、研磨、向背襯板的貼合)。對(duì)得到的靶，進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以Erln03及l(fā)n203為主要成分的氧化物構(gòu)成。圖40示出耙的X射線圖表。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Er/(Er+In)]為0.47。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、Er的分散狀態(tài)。結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上均一。另外，靶的密度為4.63g/cm3，體電阻為1.8MQcm。實(shí)施例5—2混合氧化錫450g和氧化鉺550g，利用濕式珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)，然后進(jìn)行干燥造粒。接著，將得到的粉末插入到lOmmc/)的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cr^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在41/,2的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，加工成靶。對(duì)這樣地進(jìn)行得到的靶，進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以Er2Sn207及Sn02為主要成分的氧化物構(gòu)成。圖41示出耙的X射線圖表。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Er/(Er+Sn)]為0.49。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了Sn、Er的分散狀態(tài)，但其組成實(shí)質(zhì)上均一。另外，靶的密度為4.52g/cm3，體電阻為l駕Qcm。實(shí)施例5—35—12將氧化銦、氧化錫及氧化鉺的各粉末混合成分別如表9所示的配合量，利用濕式珠磨機(jī)粉碎*混合約5小時(shí)，進(jìn)行干燥造粒。接著，將得到的粉末插入到1Omm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cr^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cn^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，加工成靶。實(shí)施例靶組成(加入)wt%In203Sn02Er2035—145.00.055.05—20.045.()55.05—380.05.015.05—470.010.020.05—570.()20.01().05—660.010.030.05—760.020.020.05—860.030.010.05—950.0L0.040.05—1050.020.030.05—1150.030.020.05—1250.040.010.0對(duì)這樣地進(jìn)行得到的靶，進(jìn)行x射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)以Er2Sn207及l(fā)n203為主要成分。圖42—51分別表示在實(shí)施例5—35—12中制作的靶的X射線圖表。表10示出耙的ICP分析的結(jié)果、利用EPMA測定面內(nèi)的元素分布的結(jié)果、密度及體電阻。56<table>tableseeoriginaldocumentpage57</column></row><table>比較例5—1混合氧化銦100g、氧化錫100g及氧化鉺800g，利用干燥珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)。接著，將在所述中得到的粉末插入到10mmd)的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cn^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)。在從爐中取出的狀態(tài)的燒結(jié)體中發(fā)生很多裂縫，另外，還觀察到裂開，從而不能實(shí)施靶(磨削、研磨、向背襯板的貼合)加工。對(duì)該燒結(jié)體進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)為由以氧化鉺為主要成分的氧化物構(gòu)成的燒結(jié)體。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Er/(Er+Sn+In)]為0.75。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、Sn、Er的分散狀態(tài)，結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上不均一。另外，體電阻為2MQcm以上，判斷為絕緣體。實(shí)施例6—1混合氧化銦450g和氧化鏑550g,利用濕式珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)，然后進(jìn)行干燥造粒，得到0O.l數(shù)mm的粉體。接著，將在所述中得到的粉末插入到lOmm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/ciT^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，得到燒結(jié)體。將該燒結(jié)體加工成靶(磨削、研磨、向背襯板的貼合)。對(duì)得到的靶，進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以Dyln03及l(fā)n203為主要成分的氧化物構(gòu)成。圖52示出耙的X射線圖表。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Dy/(Dy+In)]為0.47。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、Dy的分散狀態(tài)。結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上均一。另外，耙的密度為6.94g/cm3，體電阻為1.6MQcm。實(shí)施例6—2混合氧化錫450g和氧化鏑550g，利用濕式珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)，然后進(jìn)行干燥造粒。接著，將得到的粉末插入到10mm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cri^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，加工成靶。對(duì)這樣地進(jìn)行得到的靶，進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)由以Dy2Sn207及Sn02為主要成分的氧化物構(gòu)成。圖53示出耙的X射線圖表。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Dy/(Dy+Sn)]為0.49。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了Sn、Dy的分散狀態(tài)，但其組成實(shí)質(zhì)上均一。另外，靶的密度為6.87g/cm3，體電阻為1.2MQcm。實(shí)施例6—36—11將氧化銦、氧化錫及氧化鏑的各粉末混合成分別如表11所示的配合量，利用濕式珠磨機(jī)粉碎*混合約5小時(shí)，進(jìn)行干燥造粒。接著，將得到的粉末插入到1Omm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/crr^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)，成為燒結(jié)體，加工成靶。59[表ll]實(shí)施例靶組成(加入)wt%In203Sn02Dy2036—145.00.055.06—20.045.055.06—380.05.015.06—470.05.025.06—570.010.020.06—670.020.010.06—760.010.030.06—860.020.020.06—960.030.010.06—〗050.020.030.06—1150.030.020.0對(duì)這樣地進(jìn)行得到的耙，進(jìn)行x射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)以Dy2Sn207及l(fā)n203為主要成分。圖54—62分別表示在實(shí)施例6—36—11中制作的靶的X射線圖表。表12示出靶的ICP分析的結(jié)果、利用EPMA測定面內(nèi)的元素分布的結(jié)果、密度及體電阻。60<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>比較例6—1混合氧化銦100g、氧化錫100g及氧化鏑800g，利用干燥珠磨機(jī)粉碎混合約5小時(shí)，然后利用噴霧干燥器進(jìn)行干燥。接著，將在所述中得到的粉末插入到1Omm0的模具中，利用模具加壓成型機(jī)，在100kg/cn^的壓力下進(jìn)行預(yù)成型。接著，利用冷氣靜水壓加壓成型機(jī)，在4t/cn^的壓力下進(jìn)行壓緊化，然后在135(TC下燒成10小時(shí)。在從爐中取出的狀態(tài)的燒結(jié)體中發(fā)生很多裂縫，另外，還觀察到裂開，從而不能實(shí)施靶(磨削、研磨、向背襯板的貼合)加工。對(duì)該燒結(jié)體進(jìn)行X射線衍射測定，結(jié)果可以確認(rèn)為由以氧化鏑為主要成分的氧化物構(gòu)成的燒結(jié)體。進(jìn)行ICP分析，結(jié)果原子比[Dy/(Dy+Sn+In)]為0.76。利用EPMA測定燒結(jié)體的面內(nèi)的元素分布，確認(rèn)了In、Sn、Dy的分散狀態(tài)，結(jié)果，其組成實(shí)質(zhì)上不均一。另外，體電阻為2MQcm以上。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的靶可以很好地作為用于利用濺射法獲得液晶顯示裝置(LCD)用透明導(dǎo)電膜、電致發(fā)光(EL)顯示元件用透明導(dǎo)電膜、太陽電池用透明導(dǎo)電膜等各種用途的透明導(dǎo)電膜、氧化物半導(dǎo)體膜的靶。例如，可以得到有機(jī)EL元件的電極或半透過半反射LCD用的透明導(dǎo)電膜、液晶驅(qū)動(dòng)用氧化物半導(dǎo)體膜、有機(jī)EL元件驅(qū)動(dòng)用氧化物半導(dǎo)體膜。權(quán)利要求1.一種氧化物靶，其是含有銦(In)和從下述A組中選擇的元素(A)的氧化物的靶，其特征在于，含有由AInO3表示的氧化物，A組鑭(La)、釹(Nd)、鐿(Yb)、鉺(Er)及鏑(Dy)。2.—種氧化物靶，其是含有錫(Sn)和從下述A組中選擇的元素(A)的氧化物的耙，其特征在于，含有由A2Sn207表示的氧化物，A組鑭(La)、釹(Nd)、鐿(Yb)、鉺(Er)及鏑(Dy)。3.—種氧化物靶，其是含有銦(In)、錫(Sn)和從下述B組中選擇的元素(B)的氧化物的耙，其特征在于，含有由B2Sri207表示的氧化物，B組:鑭(La)、釓(Gd)、釹(Nd)、鐿(Yb)、鉺(Er)及鏑(Dy)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(B)為Gd，Gd相對(duì)In、Sn及Gd的含量的總和的比例[Gd/(Gd+Sn+In):原子比〗為0.0010.5。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的氧化物靶，其特征在于，相對(duì)全部陽離子金屬元素的Sn的含量[Sn/(全部陽離子金屬元素)原子比]多于元素(B)的含量[B/(全部陽離子金屬元素)原子比]。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任意一項(xiàng)所述的氧化物耙，其特征在于，所述元素(A)為Nd、Yb及Dy的任意一種，所述元素(B)為Gd、Nd、Yb及Dy的任意一種，密度為6.5g/cm3以上。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)為La，La相對(duì)In和La的含量的總和的比例[La/(La十In):原子比]為0.0010.5。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)為La，La相對(duì)Sn和La的含量的總和的比例[La/(La十Sn):原子比]為0.0010.5。9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(B)為La，La相對(duì)In、Sn和La的含量的總和的比例[La/(La+Sn+In):原子比]為0.0010.5。10.根據(jù)權(quán)利要求13、5、79中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)或元素(B)為La，密度為6.5g/cm3以上。11.根據(jù)權(quán)利要求13、5、710中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)或元素(B)為La，體電阻為1Qcm以下。12.根據(jù)權(quán)利要求36中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)或元素(B)為Gd，體電阻為1Qcm以下。13.根據(jù)權(quán)利要求13、5中任意一項(xiàng)所述的氧化物靶，其特征在于，所述元素(A)或(B)為Er，密度為4.5g/cm3以上。全文摘要本發(fā)明提供一種氧化物靶，其是含有銦(In)和從下述A組中選擇的元素(A)的氧化物的靶，其特征在于，含有由AInO₃表示的氧化物。A組鑭(La)、釹(Nd)、鐿(Yb)、鉺(Er)及鏑(Dy)。文檔編號(hào)C04B35/50GK101501240SQ20078002947公開日2009年8月5日申請日期2007年8月6日優(yōu)先權(quán)日2006年8月10日發(fā)明者井上一吉,田中信夫申請人:出光興產(chǎn)株式會(huì)社