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      一種剝釉古代琉璃構(gòu)件施釉復(fù)燒技術(shù)的制作方法

      文檔序號(hào):1978566閱讀:575來源:國知局
      專利名稱:一種剝釉古代琉璃構(gòu)件施釉復(fù)燒技術(shù)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種剝釉古琉璃構(gòu)件的施釉復(fù)燒方法,具體涉及一種可用于剝釉古琉 璃構(gòu)件施釉復(fù)燒、仿古琉璃構(gòu)件、建筑琉璃及低溫釉陶等釉底料結(jié)合熔塊釉的制備方法。
      背景技術(shù)
      傳統(tǒng)的琉璃釉為高鉛含量的生鉛釉,釉中鉛丹含量高達(dá)60 70%之多。鉛釉熱 膨脹系數(shù)較大、難以與坯體形成很好的匹配關(guān)系,釉層表面布滿了貫穿整個(gè)釉層的裂紋,致 使坯體吸收環(huán)境中的水份,造成釉層的剝落。同時(shí)鉛釉的物理性能較差、釉面硬度較小不耐 磨;化學(xué)性能較差,易在使用中發(fā)生光澤變差、顏色改變等現(xiàn)象。根據(jù)“最小干預(yù)”的文物 保護(hù)原則,在古建維修中,將剝釉嚴(yán)重的古代琉璃構(gòu)件進(jìn)行施釉重?zé)Wo(hù)處理。在施釉重?zé)?的過程中,為了改善坯體顯氣孔率等物理性能,通常的做法是對(duì)古代剝釉琉璃構(gòu)件進(jìn)行高 溫復(fù)燒,但在高溫復(fù)燒時(shí),胎體所具有的原始?xì)v史信息將不可避免地受到損失(苗建民、王 時(shí)偉《紫禁城清代剝釉琉璃瓦件施釉重?zé)难芯俊饭蕦m學(xué)刊,2004,(1) :472 488;苗建民 等《清代剝釉琉璃瓦件施釉重?zé)脑傺芯俊饭蕦m博物院院刊,2008年(6) :106 124)。同 時(shí),在施釉重?zé)^程中,經(jīng)過打磨的胎面出現(xiàn)大量的小孔洞,影響復(fù)燒后琉璃構(gòu)件的釉面質(zhì) 量。若以陶泥修補(bǔ)胎面,在短時(shí)期內(nèi)會(huì)產(chǎn)生較好的釉面外觀,但這種做法會(huì)因陶土與胎體結(jié) 合性差在使用中更易產(chǎn)生剝釉缺陷。為了解決生鉛的毒性問題,人們開始了無鉛琉璃釉或低鉛熔塊琉璃釉的探索。但 現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)是(1)為了提高胎體的物理性能,復(fù)燒溫度通常要高于胎體的始燒 溫度,其復(fù)燒結(jié)果將會(huì)造成胎體原有歷史信息的改變;(2)高堿金屬含量原料制備的低溫 釉,熱膨脹系數(shù)較大,不適合用于膨脹系數(shù)較低的古琉璃構(gòu)件胎體的復(fù)燒;(3)不合氧化鉛 的熔塊釉,不僅燒成溫度較高,而且光澤度較低,難以復(fù)仿古代高鉛琉璃釉的光澤與質(zhì)感。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供了一種釉底料與熔塊面釉相結(jié) 合的剝釉古代琉璃構(gòu)件施釉復(fù)燒技術(shù)。該方法的特點(diǎn)是采用了既不同于化妝土(含較高熔 劑成分,遠(yuǎn)低于胎體燒結(jié)溫度),也不同于底釉(含較高胎質(zhì)粘土成分)的釉底料技術(shù),該釉 底料既有較好的遮蓋能力,也可以達(dá)到與坯體相似的外觀質(zhì)感效果;其燒結(jié)性能,熱膨脹性 能均介于胎和釉之間,在琉璃制品高膨脹的低溫釉與低膨脹的難燒結(jié)胎體之間的各種性能 方面,起一個(gè)緩沖過渡層的作用。另外,該釉底料的使用,可提高胎面致密度、平整度,且含 有高于胎體的玻璃相,使釉的成熟溫度因此而降低,燒成溫度范圍擴(kuò)大。這一特點(diǎn)為使用無 鉛釉或低鉛熔塊釉在剝釉古代琉璃構(gòu)件施釉重?zé)械膽?yīng)用,創(chuàng)造了條件。該釉底料具有的 化妝土作用,在仿古琉璃構(gòu)件生產(chǎn)中,可使含鐵量較高的劣質(zhì)原料得以應(yīng)用,降低了生產(chǎn)成 本,有利于對(duì)有限自然資源的合理開發(fā)與使用。為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是1)首先制備一種琉璃釉用熔塊。采用少量生鉛與多種堿金屬和堿土金屬氧化物或其可溶性鹽類物質(zhì)配料制備成低溫釉用熔塊,此熔快既可用于配制釉底料,也可以配制成 仿古琉璃釉。2)采用以胎料與釉用熔塊相結(jié)合的方法制備釉底料生成釉與胎之間的過渡層,既 能產(chǎn)生較好的結(jié)合性,也能緩沖胎釉之間的熱膨脹系數(shù)、熱應(yīng)力匹配等問題,同時(shí)獲得遮蓋 胎面缺陷、降低釉的燒成溫度,擴(kuò)大釉的成熟溫度范圍之目的,獲得與生鉛琉璃釉相近的色 彩、光澤等質(zhì)感效果。該釉底料既可用于熔塊釉也可用于生鉛釉琉璃的生產(chǎn),因其具有阻水性,故能夠 阻擋釉面裂紋造成的滲水現(xiàn)象。下面結(jié)合實(shí)施實(shí)例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例11)首先按化學(xué)組成質(zhì)量百分比將將Si02 45. 0%, A1203 10.0%, Ti02 1. 2%, CaO :1. 5%, MgO :1. 0%, K20 2. 9%, Na20 4. 0%, PbO 12. 2%, BaO 8. 3%, ZnO 3. 9%, Li20 2. 0%和B203 :8. 0%進(jìn)行混合研磨,后將混合料于高溫爐中在1250°C熔化后水淬,再 將水淬后的塊料細(xì)磨至250目制備成釉用熔塊備用;2)按照質(zhì)量百分比將90%熔塊,5%的蘇州土,5%的著色氧化物與占原料量60% 的水、0. 2%的Na5P3010和0. 5%的0PTAPIX KG6混合研磨至全部料漿過250目制成釉漿備 用;3)按照質(zhì)量百分比將30.0%的坯料,70.0%的釉用熔塊,外加占原料量60%的 水、0. 2 %的Na5P3010和0. 5 %的0PTAPIX KG6混合研磨至全部通過200目制成釉底料料 漿,備用;4)將打磨平整的古瓦胎吹灰、擦水后施敷釉底料,施敷厚度0. 2mm左右,在1100°C 燒成后,再施以2)制備的熔塊釉在1000°C或生鉛釉在950°C燒成即可。實(shí)施例21)按照化學(xué)組成百分比將 Si02 43. 6%,A1203 9. 6%,Ti02 1. 3%,CaO 1. 3%, MgO :1. 1%,K20 2. 5%,Na20 :3. 8%, PbO :13. 8%, BaO :8. 2%, ZnO :3. 5%,Li20 8%禾口 B203 9. 5%進(jìn)行混合研磨,后將混合料于高溫爐中在1250°C熔化后水淬,再將水淬后的塊 料細(xì)磨至250目制備成釉用熔塊備用;2)按照質(zhì)量百分比將91 %熔塊,4%的蘇州土,5%的著色氧化物與占原料量60% 的水、0. 2%的Na5P3010和0. 5%的0PTAPIX KG6混合研磨至全部通過250目制成釉漿備 用;3)按照質(zhì)量百分比將20.0%的坯料,2. 5%的長石,2. 5%的石英,75.0%的釉用 熔塊,外加占原料量60%的水、0. 2%的Na5P3010和0. 5%的0PTAPIX KG6混合研磨至全部 通過200目制成釉底料料漿,備用;4)將打磨平整的古瓦胎吹灰、擦水后施敷釉底料,施敷厚度0.25mm左右,在 1080°C燒成后,施以2)制備的熔塊釉在980°C或生鉛釉930°C燒成即可。實(shí)施例31)按照化學(xué)組成百分比將 Si02 42. 0%,A1203 8. 6%,Ti02 1. 5%,CaO 1. 0%, MgO 0. 8%,K20 2. 3%,Na20 :3. 5%, PbO :16. 5%, BaO :7. 5%, ZnO :3. 5%,Li20 8%禾口 B203 :11. 0%進(jìn)行混合研磨,后將混合料于高溫爐中在1250°C熔化后水淬,再將水淬后的塊料細(xì)磨至250目制備成釉用熔塊備用2)按照質(zhì)量百分比將92%熔塊,3%的蘇州土,5%的著色氧化物與占原料量60% 的水、0. 2%的Na5P3010和0. 6%的OPTAPIX KG6混合研磨至全部通過250目制成釉漿備 用;3)按照質(zhì)量百分比將15%的坯料,2. 5%的長石,2. 5%的石英,80.0%的釉用熔 塊,外加占原料量60%的水、0. 2%的Na5P3010和0. 5%的OPTAPIX KG6混合研磨至全部通 過200目制成釉底料料漿,備用;4)將打磨平整的古瓦胎吹灰、擦水后施敷釉底料,施敷厚度0. 3mm左右,在1060°C 燒成后,施以熔塊釉在960°C或生鉛釉900°C燒成即可。實(shí)施例41)按照化學(xué)組成百分比將 Si02 41. 8%,A1203 7. 8%,Ti02 1. 5%,Ca0 0. 8%, MgO 0. 6%,K20 2. 0%,Na20 :3. 0%,Pb0 :18. 5%,Ba0 :6. 0%,Zn0 :4. 5%,Li20 5%禾口 B203 :12. 0%進(jìn)行混合研磨,后將混合料于高溫爐中在1250°C熔化后水淬,再將水淬后的 塊料細(xì)磨至250目制備成釉用熔塊備用;2)按照質(zhì)量百分比將93%熔塊,2%的蘇州土,5%的著色氧化物與占原料量60% 的水、0. 2%的Na5P3010和0. 6%的OPTAPIX KG6混合研磨至全部通過250目制成釉漿備 用;3)按照質(zhì)量百分比將7.0的坯料,5.0%的長石,5.0%的石英,2.0%的ZrSi04, 3. 0% Sn02, 78. 0 %的釉用熔塊,外加占原料量60 %的水、0. 2 %的Na5P3010和0. 5 %的 OPTAPIX KG6混合研磨至全部通過200目制成釉底料料漿,備用;4)將打磨平整的古瓦胎吹灰、擦水后施敷釉底料,施敷厚度0. 3mm左右,在1050°C 燒成后,施以熔塊釉在930°C或生鉛釉在860°C )燒成即可。實(shí)施例51)按照化學(xué)組成百分比將 Si02 41. 5、A1203 7. 5、Ti02 1. 5、Ca0 0. 5,MgO 0. 5、 K20 :1. 5、Na20 2. 5、Pb0 19. 0、Ba0 5. 0、Zn0 5. 0、Li20 1. 0 和 B203 14. 5 進(jìn)行混合研磨,
      后將混合料于高溫爐中在1250°C熔化后水淬,再將水淬后的塊料細(xì)磨至250目制備成釉用 熔塊備用;2)按照質(zhì)量百分比將95%熔塊,5%的著色氧化物與占原料量60%的水、0.2%的 Na5P3010和0. 8%的OPTAPIX KG6混合研磨至全部通過250目制成釉漿備用;3)按照質(zhì)量百分比將10%的長石,10%的石英,5.0%的&Si04,2.0% Sn02, 73. 0 %的釉用熔塊,外加占原料量60 %的水、0. 2 %的Na5P3010和0. 5 %的OPTAPIX KG6混 合研磨至全部料過200目制成釉底料料漿,備用;4)將打磨平整的古瓦胎吹灰、擦水后施敷釉底料,施敷厚度0. 3mm左右,在1040°C 燒成后,施以熔塊釉在900°C或生鉛釉在830°C燒成。
      權(quán)利要求
      剝釉古代琉璃構(gòu)件施釉復(fù)燒技術(shù),其特征在于首先制備一種琉璃釉用熔塊,然后采用以胎料與釉用熔塊相結(jié)合的方法制備釉底料生成釉與胎之間的過渡層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1剝釉古代琉璃構(gòu)件施釉復(fù)燒技術(shù),其特征在于制備熔塊及釉料1)首先按化學(xué)組成質(zhì)量百分比將Si0241. 5 45. 0%, A1203 7. 5 10. 0%、Τ 02 1. 2 1. 5%,CaO 0. 5 1. 5%,MgO 0. 5 1. 5%,K20 1. 5 3. 0%,Na20 2. 0 4. 0%, PbO 12. 0 19. 0%、BaO 5. 0 8. 3%、ZnO 3. 0 5. 0%、Li20 1. 0 2. 0 % 和 B203 8. 0 14. 5%進(jìn)行混合研磨,后將混合料于高溫爐中在1250°C熔化后水淬,再將水淬后的 塊料細(xì)磨至250目制備成釉用熔塊備用;2)按照質(zhì)量百分比將90 95%熔塊,0 5%的蘇州土,5%左右的著色氧化物與占原 料量60%的水、0. 2%的Na5P3010和0. 2 0. 8%的OPTAPIX KG6混合研磨至全部料漿通 過250目篩,制成釉漿備用。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1剝釉古代琉璃構(gòu)件施釉復(fù)燒技術(shù),其特征在于制備釉底料及施釉 復(fù)燒古琉璃構(gòu)件1)按照質(zhì)量百分比將0 30.0%的坯料、0 10. 0%的長石、0 10.0%的石英, 70. 0 80. 0%的釉用熔塊,0 5. 0%的ZrSi04,0 3. 0%的Sn02,外加占原料量60%的 水、0. 2的Na5P3010和0. 2 0. 5%的OPTAPIX KG6混合研磨至全部通過200目制成釉底 料料漿,備用;2)將打磨平整的古琉璃構(gòu)件胎體表面灰塵除去、擦水后先施敷釉底料漿,施敷厚度 0.2 0.3mm,后在1040 1100°C素?zé)偈┮粤鹆в栽?00 1000°C (低鉛熔塊釉)或 830 950°C (生鉛釉)燒成即可。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種剝釉古代琉璃構(gòu)件施釉復(fù)燒技術(shù)。具體涉及一種應(yīng)用于剝釉古代琉璃構(gòu)件施釉重?zé)?、仿古琉璃?gòu)件以及仿唐三彩等所用釉底料及熔塊釉的制備技術(shù)。該技術(shù)制備的釉底料由坯料和熔劑原料配制而成,所制釉底料的熱膨脹系數(shù)和熔融溫度等性能介于坯與釉之間,并具有阻水的作用。
      文檔編號(hào)C03C8/12GK101851119SQ20091013150
      公開日2010年10月6日 申請(qǐng)日期2009年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月2日
      發(fā)明者丁銀忠, 侯佳鈺, 康葆強(qiáng), 李合, 李媛, 段鴻鶯, 王時(shí)偉, 竇一村, 苗建民, 趙蘭 申請(qǐng)人:故宮博物院
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