專利名稱:一種led封裝材料及其制備方法與應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明特別涉及一種LED封裝材料及其制備方法與應(yīng)用,屬于發(fā)光材料領(lǐng)域。
背景技術(shù):
LED作為一種新型的照明光源以其節(jié)能、環(huán)保、發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)正越來(lái)越廣泛地應(yīng)用于各種場(chǎng)合。采用LED應(yīng)用在燈具中現(xiàn)在已經(jīng)可以作為路燈、廣告燈等大型、小型燈具使用。LED發(fā)光二極管由于節(jié)約能源成為研究和應(yīng)用的熱點(diǎn)。LED發(fā)光二極管中的重要部件為芯片。LED封裝是指發(fā)光芯片的封裝,該封裝不僅要求能夠保護(hù)燈芯,而且還要能夠透光,因此在LED封裝中對(duì)封裝材料有特殊的要求。過(guò)去LED的封裝常采用熒光粉與環(huán)氧樹(shù)脂或與有機(jī)硅膠進(jìn)行混合制得的方法。其中,熒光粉材料是制約LED性能的重要環(huán)節(jié)。目前用于LED封裝材料的熒光粉多選用球磨機(jī)制得的熒光粉,此類熒光粉在涂料時(shí),容易從熒光漿料中析出并沉淀,造成涂層不均勻,易導(dǎo)致產(chǎn)生白光的色調(diào)漂移,使發(fā)光二極管的顏色出現(xiàn)藍(lán)色或黃色斑點(diǎn)。而且, 由于現(xiàn)有球磨機(jī)制得的熒光粉粒度分布較寬,外貌呈不規(guī)格狀,容易聚集,這就使得在制備封裝材料時(shí),需要與剛玉磨珠一起置于球磨機(jī)中球磨混合至少2小時(shí)、干燥,然后還需要將干燥后的復(fù)合粉體進(jìn)行目篩,接著進(jìn)行高溫?zé)釅?、燒結(jié)等處理,最后還得將燒結(jié)體進(jìn)行平面磨削、拋光,方可完成制備,具體參閱申請(qǐng)?zhí)枮?00910154360、申請(qǐng)日為2009年11月30日, 名稱為“一種應(yīng)用于半導(dǎo)體照明的熒光粉/玻璃復(fù)合體及其制備方法”的中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)。采用上述熒光粉進(jìn)行LED材料的制備,主要存在以下缺點(diǎn)需要采用球磨機(jī),并與剛玉磨珠進(jìn)行球磨混合,混合時(shí)間過(guò)長(zhǎng);需要將干燥后的復(fù)合粉體進(jìn)行目篩,而后還需要進(jìn)行平面磨削、拋光,整個(gè)制備過(guò)程工藝復(fù)雜、效率低、成本較高。另一方面,采用環(huán)氧樹(shù)脂的缺陷為環(huán)氧樹(shù)脂在光線的長(zhǎng)期照射、空氣當(dāng)水分、氧氣及環(huán)境溫度的長(zhǎng)期影響下,易于老化、裂解、黃變,造成LED芯片的熱傳導(dǎo)不出來(lái),LED芯片光衰甚至被擊穿。而且環(huán)氧樹(shù)脂的透明度為80%左右,光的利用率不高,所以采用環(huán)氧樹(shù)脂封裝LED,其發(fā)光效率較低,氣密性差。相比于環(huán)氧樹(shù)脂,更為先進(jìn)的封裝是改用耐候性、耐光性更為優(yōu)秀的硅膠封裝,硅膠克服了環(huán)氧樹(shù)脂的大部分缺點(diǎn),但是仍不能適用于嚴(yán)苛的環(huán)境中,如(1)室外使用如路燈,在高溫、紫外線長(zhǎng)期照射環(huán)境中;(2)應(yīng)用于以提高主照明LED亮度的紫外光LED芯片中,等等。這是由于硅膠與熒光粉的混合,很難避免分子間造成通路,水汽仍會(huì)經(jīng)由此通路進(jìn)入,而在使用紫外光作為L(zhǎng)ED發(fā)光源時(shí),硅膠的耐紫外線仍會(huì)快速裂解,氣密性差。目前,最為前沿的技術(shù)是采用玻璃微粉與熒光粉混合制作LED封裝材料,粘連效果更好,氣密性能更高,可有效防止采用環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠所存在的氣密性、透光性不足,是 LED封裝的理想材料。但鑒于前述熒光粉所存在的不足,其與前述熒光粉混合后,還存在發(fā)光效率較低、發(fā)光性能不穩(wěn)定等缺點(diǎn),不能適應(yīng)人們對(duì)LED高可靠性、超長(zhǎng)壽命、高透光率的要求,以及對(duì)LED制備、封裝方法、效率、成本的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的首要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)與不足,提供一種LED封裝材料,本發(fā)明LED封裝材料透光率高、發(fā)光性能穩(wěn)定,而且,氣密性好。本發(fā)明的另一目的在于提供所述LED封裝材料的制備方法,該方法工藝簡(jiǎn)單、效率高、成本低。本發(fā)明的再一目的在于提供所述LED封裝材料的應(yīng)用。本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種LED封裝材料,由以下按質(zhì)量百分比計(jì)的成分組成玻璃微粉 80 95%
熒光粉 5 20%;所述的熒光粉為圓球形的不聚集型熒光粉體。所述的玻璃微粉是具有以下特點(diǎn)的玻璃微粉透光率為85 95%,軟化溫度Tg為 300 500°C,燒結(jié)溫度為350 600°C,粒徑為微米、亞微米或納米級(jí);所述熒光粉優(yōu)選采用噴霧熱解法或溶膠凝膠法制得,為市售的Y203:Eu、Gd203:Eu、 (Y, Gd) 203Eu、(Y, Gd) BO2 Eu、Y3Al5O12Eu、Sr5 (PO4) 3C1 Eu 紅色熒光粉;或者為 Y3Al5O12 Ce、 Y2Si05:Ce、BaAl12019:Mn 藍(lán)色熒光粉,或者為 Ce1-JbxMgAl11O19J2SiO3:Tb、Y3Al5012Tb 綠色熒光粉等。所述的熒光粉為微米、亞微米或納米級(jí);優(yōu)選粒度為0. 1 μ m 8 μ m的熒光粉。所述LED封裝材料的制備方法,包含以下步驟(1)將質(zhì)量百分比80 95%的玻璃微粉和質(zhì)量百分比5 20%的熒光粉作為起始材料,與無(wú)水乙醇進(jìn)行攪拌混合,得到復(fù)合粉體;(2)將步驟⑴得到的復(fù)合粉體進(jìn)行過(guò)濾,再于100 150°C干燥,得到復(fù)合粉末;(3)將步驟(2)得到的復(fù)合粉末置于高溫高壓模具中,采用連續(xù)沖壓高溫成型技術(shù),具體條件為于200 1500Kg/m2沖壓,在抽真空脫氣后,由室溫升至燒結(jié)溫度進(jìn)行燒結(jié),該燒結(jié)溫度為Tg+(30 80°C ),Tg為玻璃微粉的軟化溫度;燒結(jié)0. 5 2小時(shí)后退火至 100 150°C保溫1 3小時(shí)以消除應(yīng)力,之后冷卻至室溫,得到LED封裝材料,該LED封裝材料是成型的。步驟(1)中所述無(wú)水乙醇的用量?jī)?yōu)選為相當(dāng)于復(fù)合粉體質(zhì)量的20 70% ;步驟(1)中所述攪拌的速度優(yōu)選為1300 1800rpm ;步驟(3)中所述沖壓次數(shù)為3 10次。所述的LED封裝材料應(yīng)用于LED芯片封裝,其具體操作如下①于LED芯片固晶、焊線完成后,涂布一層薄層透明膠,接著覆蓋上述LED封裝材料;透明膠的作用是作為密封劑和接著劑;②加熱至100 150°C,使透明膠硬化即可;步驟①中所述的透明膠,優(yōu)選透光率為88 92%的光學(xué)硅膠;所涂透明膠層的厚度優(yōu)選為0. 5 5 μ m。本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)具有如下的優(yōu)點(diǎn)及效果
本發(fā)明熒光粉采用圓球形的 不聚集型熒光粉體,光學(xué)性能更好;在制備LED封裝材料過(guò)程中,只需要用攪拌機(jī)進(jìn)行高速攪拌,攪拌混合時(shí)間短,效率高,而且不需要進(jìn)過(guò)目篩、平面磨削、拋光等處理,加工工藝更為簡(jiǎn)單、成本更低,所制得的LED封裝材料透光率更好,且氣密性優(yōu)越;將制得的LED封裝材料應(yīng)用于LED芯片封裝時(shí),只需采用硅膠將LED封裝材料粘貼至芯片上,封裝操作更為簡(jiǎn)便,且氣密性、透光性更為優(yōu)越,散熱性能良好,壽命長(zhǎng)。本發(fā)明尤其適用于紫外線LED的封裝。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述,但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例1(1)將800g玻璃微粉(透光率為85 95%,軟化溫度Tg為3001,燒結(jié)溫度為 350 0C )和 200g 熒光粉(Y2O3 = Eu 紅色熒光粉、BaAl12O19: Mn 藍(lán)色熒光粉,Ce1-JbxMgAl11O19 綠色熒光粉,三種熒光粉的質(zhì)量比為1 2 3,且粒徑均為0.1 Ιμπι,均熒光粉體為圓球形的不聚集型)作為起始材料,與250g無(wú)水乙醇在攪拌機(jī)中以ISOOrpm的速度進(jìn)行攪拌混合,得到復(fù)合粉體;(2)將步驟(1)得到的復(fù)合粉體進(jìn)行過(guò)濾,再于100°C干燥,得到復(fù)合粉末;(3)將步驟(2)得到的復(fù)合粉末置于高溫高壓模具中,采用連續(xù)沖壓高溫成型技術(shù),具體條件為于200Kg/m2沖壓10次,在抽真空脫氣后,由室溫升至燒結(jié)溫度進(jìn)行燒結(jié), 該燒結(jié)溫度為350°C;燒結(jié)1小時(shí)后退火至150°C保溫1小時(shí)以消除應(yīng)力,之后冷卻至室溫, 得到LED封裝材料,該LED封裝材料是成型的。(4)于LE D芯片(臺(tái)灣晶電公司的藍(lán)光LED芯片)固晶、焊線完成后,涂布透光率為88%的光學(xué)硅膠,厚度為0.5μπι,接著覆蓋步驟(3)得到的LED封裝材料;(5)加熱至100°C,使透明膠硬化即可得到封裝好的LED。實(shí)施例2(1)將950g玻璃微粉(透光率為85 95%,軟化溫度Tg為5001,燒結(jié)溫度為 5800C )和50g熒光粉(市售的舍乙鋁石榴石白光系列熒光粉,Y3Al5O12IEu紅色熒光粉、 Y2SiO5 = Ce藍(lán)色熒光粉、Y3Al5O12 = Tb綠色熒光粉,三種熒光粉的質(zhì)量比為1 1 2,且粒徑均為2 3 μ m,熒光粉體均為圓球形的不聚集型)作為起始材料,與430g無(wú)水乙醇在攪拌機(jī)中以1300rpm的速度進(jìn)行攪拌混合,得到復(fù)合粉體;(2)將步驟(1)得到的復(fù)合粉體進(jìn)行過(guò)濾,再于150°C干燥,得到復(fù)合粉末;(3)將步驟(2)得到的復(fù)合粉末置于高溫高壓模具中,采用連續(xù)沖壓高溫成型技術(shù),具體條件為于1500Kg/m2沖壓3次,在抽真空脫氣后,由室溫升至燒結(jié)溫度進(jìn)行燒結(jié), 該燒結(jié)溫度為580°C ;燒結(jié)0. 5小時(shí)后退火至100°C保溫3小時(shí)以消除應(yīng)力,之后冷卻至室溫,得到LED封裝材料,該LED封裝材料是成型的。(4)于LED芯片(臺(tái)灣晶電公司的藍(lán)光LED芯片)固晶、焊線完成后,涂布透光率為92%的光學(xué)硅膠,厚度為5μπι,接著覆蓋步驟(3)得到的LED封裝材料;(5)加熱至150°C,使透明膠硬化即可得到封裝好的LED。實(shí)施例3(1)將900g玻璃微粉(透光率為85 95%,軟化溫度Tg為4201,燒結(jié)溫度為450°C )和 IOOg 熒光粉(Sr5(PO4)3Cl = Eu 紅色熒光粉、Y2SiO5: Ce 藍(lán)色熒光粉、Y3Al5O12: Tb 綠色熒光粉,三種熒光粉的質(zhì)量比為1 1 2,且粒徑為2 3μπι,熒光粉體均為圓球形的不聚集型)作為起始材料,與700g無(wú)水乙醇在攪拌機(jī)中以1500rpm的速度進(jìn)行攪拌混合, 得到復(fù)合粉體;(2)將 步驟(1)得到的復(fù)合粉體進(jìn)行過(guò)濾,再于120°C干燥,得到復(fù)合粉末;(3)將步驟(2)得到的復(fù)合粉末置于高溫高壓模具中,采用連續(xù)沖壓高溫成型技術(shù),具體條件為于1000Kg/m2沖壓5次,在抽真空脫氣后,由室溫升至燒結(jié)溫度進(jìn)行燒結(jié), 該燒結(jié)溫度為450°C;燒結(jié)2小時(shí)后退火至120°C保溫3小時(shí)以消除應(yīng)力,之后冷卻至室溫, 得到LED封裝材料,該LED封裝材料是成型的。(4)于LE D芯片(臺(tái)灣旭明公司的藍(lán)光LED芯片)固晶、焊線完成后,涂布透光率為90%的光學(xué)硅膠,厚度為3μπι,接著覆蓋步驟(3)得到的LED封裝材料;(5)加熱至120°C,使透明膠硬化即可得到封裝好的LED。測(cè)試結(jié)果對(duì)實(shí)施例1 3制備的封裝好的LED進(jìn)行測(cè)試將封裝好的LED接500mA、3. 2v 3. 8v的電源置于85 100°C的烘箱內(nèi)烘烤,烘烤1000小時(shí)后,未觀察到實(shí)施例1 3制備的封裝好的LED芯片存在任何異常,LED依然保持正常工作狀態(tài)。對(duì)照組用硅膠和熒光粉組成的LED封裝材料對(duì)臺(tái)灣晶電公司的藍(lán)光LED芯片進(jìn)行封裝,其中硅膠采用美國(guó)道化學(xué)公司所生產(chǎn)的任意一種光學(xué)硅膠,熒光粉分別選用 BaAl12O19 = Mn藍(lán)色熒光粉、Y3Al5O12 = Eu紅色熒光粉;硅膠和熒光粉分別按質(zhì)量比8 2混合, 用LED點(diǎn)膠機(jī)進(jìn)行封裝,將封裝好的LED接500mA、3. 2v 3. 8v的電源置于85 100°C的烘箱內(nèi)烘烤,烘烤200小時(shí)后,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)硅膠和熒光粉組成的封裝材料出現(xiàn)燒焦或龜裂,光衰達(dá)到30% 50%。由于玻璃微粉相對(duì)于硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂具有更好的氣密性,因此本發(fā)明制備得到LED 封裝材料氣密性更好。實(shí)施例1 3制備的LED在烘烤1000小時(shí)后,依然正常,說(shuō)明其壽命更長(zhǎng),發(fā)光性能更為穩(wěn)定。上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式,但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制,其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化, 均應(yīng)為等效的置換方式,都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED封裝材料,其特征在于由以下按質(zhì)量百分比計(jì)的成分組成玻璃微粉80 95%熒光粉 5 20%;所述的熒光粉為圓球形的不聚集型熒光粉體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述LED封裝材料,其特征在于所述的玻璃微粉是具有以下特點(diǎn)的玻璃微粉透光率為85 95%,軟化溫度Tg為300 500°C,燒結(jié)溫度為350 600°C, 粒徑為微米、亞微米或納米級(jí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述LED封裝材料,其特征在于所述熒光粉為Y2O3:Eu、Gd2O3: Eu、 (Y, Gd) 203:Eu、(Y, Gd) BO2: Eu, Y3Al5O12: Eu, Sr5 (PO4) 3C1 Eu、Y3Al5012:Ce、Y2Si05:Ce、 BaAl12O19 Mn、Ce1^xTbxMgAl11O19, Y2SiO3 Tb 或 Y3Al5O12 Tb 中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述LED封裝材料,其特征在于所述的熒光粉的粒徑為0.1 8 μ m0
5.權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述LED封裝材料的制備方法,其特征在于包含以下步驟(1)將質(zhì)量百分比80 95%的玻璃微粉和質(zhì)量百分比5 20%的熒光粉作為起始材料,與無(wú)水乙醇進(jìn)行攪拌混合,得到復(fù)合粉體;(2)將步驟(1)得到的復(fù)合粉體進(jìn)行過(guò)濾,再于100 150°C干燥,得到復(fù)合粉末;(3)將步驟(2)得到的復(fù)合粉末置于高溫高壓模具中,采用連續(xù)沖壓高溫成型技術(shù),具體條件為于200 1500Kg/m2沖壓,在抽真空脫氣后,由室溫升至燒結(jié)溫度進(jìn)行燒結(jié),該燒結(jié)溫度為Tg+(30 80°C ),Tg為玻璃微粉的軟化溫度;燒結(jié)0. 5 2小時(shí)后退火至100 150°C保溫1 3小時(shí),之后冷卻至室溫,得到LED封裝材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于步驟(1)中所述無(wú)水乙醇的用量是使用相當(dāng)于復(fù)合粉體質(zhì)量的20 70% ;步驟(1)中所述攪拌的速度為1300 1800rpm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于步驟(3)中所述沖壓次數(shù)為3 10次。
8.權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述LED封裝材料的應(yīng)用。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的應(yīng)用,其特征在于所述的LED封裝材料應(yīng)用于LED芯片封裝,其具體操作如下①于LED芯片固晶、焊線完成后,涂布一層薄層透明膠,接著覆蓋上述LED封裝材料;②加熱至100 150°C,使透明膠硬化即可。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的應(yīng)用,其特征在于步驟①中所述的透明膠為透光率為 88 92%的光學(xué)硅膠;所述薄層透明膠的厚度為0. 5 5 μ m。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種LED封裝材料及其制備方法與應(yīng)用。該LED封裝材料由質(zhì)量百分比80~95%的玻璃微粉和質(zhì)量百分比5~20%的熒光粉組成,該熒光粉為圓球形的不聚集型熒光粉體。將玻璃微粉和熒光粉作為起始材料,與無(wú)水乙醇進(jìn)行攪拌混合,得到復(fù)合粉體;復(fù)合粉體過(guò)濾,于100~150℃干燥,得到復(fù)合粉末,再置于高溫高壓磨具中,采用連續(xù)沖壓高溫成型技術(shù),之后冷卻至室溫,得到LED封裝材料。該LED封裝材料透光率更好、氣密性優(yōu)越,散熱性能良好,有利于保護(hù)LED芯片的使用性能。
文檔編號(hào)C03C8/24GK102442781SQ201010298630
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者李啟智, 諸平 申請(qǐng)人:惠州晶寶光電科技有限公司