專利名稱：雙銀低輻射玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
雙銀低輻射玻璃技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及特種玻璃領(lǐng)域，尤其涉及一種雙銀低輻射玻璃。背景技術(shù)：
低輻射玻璃是一種在玻璃表面沉積一層紅外線反射材料，使太陽光中的可見光能 夠透過，又像紅外線反射鏡一樣，將太陽光中的紅外線排除在外同時將物體二次輻射熱反 射回去的特種玻璃。通過使用低輻射玻璃，可以達到控制陽光、節(jié)約能源、熱量控制調(diào)節(jié)及 改善環(huán)境的效果。在傳統(tǒng)的低輻射玻璃加工中，由于在熱處理過程中Ag層容易被氧化等原因，導(dǎo)致 低輻射玻璃無法進行后續(xù)的熱處理，不能被鋼化，只能先鋼化再鍍膜，這種方式具有以下缺占.^ \\\ ·1.不能實現(xiàn)彎弧玻璃鍍膜現(xiàn)代建筑和汽車風(fēng)擋廣泛采用彎鋼化和熱彎玻璃，傳統(tǒng)離線低輻射鍍膜玻璃不能 進行彎鋼化和熱彎等后續(xù)的熱加工處理。傳統(tǒng)的建筑鍍膜玻璃生產(chǎn)線不能在彎鋼化和熱彎 玻璃基片上鍍膜。2.鍍膜運行效率低鋼化玻璃鍍膜的裝載率只有75%左右，也就是只能發(fā)揮鍍膜線產(chǎn)能的75%。鋼化 玻璃鍍膜靠人工裝片和卸片，需配置足夠的操作工，增加了人工工資支出，同時人工裝、卸 片的速度又制約了鍍膜走速，鍍膜線運行不經(jīng)濟。定單管理工作量大，從生產(chǎn)制單、下單到生產(chǎn)統(tǒng)計的全過程，均要專門的機構(gòu)去運 行，耗費大量的資源。各種補片的生產(chǎn)周期長，鍍膜和中空工序中出現(xiàn)的廢品要補片，玻璃在安裝現(xiàn)場 的損壞也要補片。這些補片再次納入生產(chǎn)定單來安排生產(chǎn)，補片周期長。3.玻璃運輸成本高離線低輻射鍍膜必須合成中空玻璃后使用，中空玻璃的運輸增加了運輸支出。例 如6mm低輻射玻璃+12mm空氣層+6mm白玻的中空玻璃，運輸貨物的體積是單片玻璃的兩倍。傳統(tǒng)低輻射玻璃先鋼化再鍍膜的方式大大妨礙了它的應(yīng)用。
實用新型內(nèi)容基于此，有必要提供一種可先鍍膜后鋼化的雙銀低輻射玻璃。一種雙銀低輻射玻璃，膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃、第一基層電介質(zhì)組合層、第二基層 電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、第一 AgCu層、第二阻擋層、第一上層電介質(zhì)組合層、第一隔層 電介質(zhì)組合層、第二隔層電介質(zhì)組合層、第三隔層電介質(zhì)組合層、第三阻擋層、第二 AgCu 層、第四阻擋層、上層電介質(zhì)組合層；其中，所述第一阻擋層、第二阻擋層、第三阻擋層、第四 阻擋層膜層材質(zhì)為還原性大于AgCu的材料。[0015]優(yōu)選的，所述第一基層電介質(zhì)組合層厚度為20 25nm。優(yōu)選的，所述第二隔層電介質(zhì)組合層厚度為45 50nm。優(yōu)選的，所述第二基層電介質(zhì)組合層、第一隔層電介質(zhì)組合層、第三隔層電介質(zhì)組 合層厚度10 15nm。優(yōu)選的，所述上層電介質(zhì)組合層厚度為35 45nm。優(yōu)選的，所述第一阻擋層、第二阻擋層、第三阻擋層、第四阻擋層厚度分別為1 1. 5nm0優(yōu)選的，所述第一 AgCu層、第二 AgCu層厚度為10 13nm。[0021 ] 優(yōu)選的，所述上層電介質(zhì)組合層包括沉積于所述第四阻擋層上的第一上層電介質(zhì) 組合層和沉積于所述第一上層電介質(zhì)組合層上的第二上層電介質(zhì)組合層。優(yōu)選的，所述第一上層電介質(zhì)組合層的厚度為10 15nm。優(yōu)選的，所述第二上層電介質(zhì)組合層的厚度為25 30nm。上述雙銀低輻射玻璃用AgCu層取代傳統(tǒng)的銀層，通過設(shè)計膜層厚度和材料，讓 AgCu層兩邊的膜層材料還原性比AgCu強，對氧具有高親合力，在產(chǎn)品的熱處理過程中， AgCu層兩邊的膜層材料比AgCu更快得到氧，起到保護AgCu層的作用，從而使得AgCu層在 熱處理過程中不被氧化，能夠被鋼化。
圖1為一實施方式的雙銀低輻射玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一實施方式的雙銀低輻射玻璃的制造流程圖。
具體實施方式
如圖1所示的一種雙銀低輻射玻璃，包括依次排列的如下結(jié)構(gòu)玻璃、第一基層電 介質(zhì)組合層、第二基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、第一 AgCu層、第二阻擋層、第一上層電 介質(zhì)組合層、第一隔層電介質(zhì)組合層、第二隔層電介質(zhì)組合層、第三隔層電介質(zhì)組合層、第 三阻擋層、第二 AgCu層、第四阻擋層、上層電介質(zhì)組合層；其中，第一阻擋層、第二阻擋層、 第三阻擋層、第四阻擋層膜層材質(zhì)為還原性大于AgCu的材料。第一基層電介質(zhì)組合層、第二隔層電介質(zhì)組合層由包含NbOx、TiOx、NiCrOx和 ZnO:Al中至少一種的金屬氧化物構(gòu)成；第二基層電介質(zhì)組合層、第一隔層電介質(zhì)組合層、 第三隔層電介質(zhì)組合層由包含AZO的金屬氧化物構(gòu)成；上層電介質(zhì)組合層由包含AZO和 SiOxNy中至少一種的氧化物或氮化物或氮氧化物構(gòu)成；第一基層電介質(zhì)組合層厚度為25 30nm ；第二隔層電介質(zhì)組合層厚度為45 50nm ；第二基層電介質(zhì)組合層、第一隔層電介質(zhì) 組合層、第三隔層電介質(zhì)組合層厚度為10 15nm ；上層電介質(zhì)組合層的厚度為35 45nm ； 其中，AZO為摻雜了 Al2O3的ZnO0第一阻擋層、第二阻擋層、第三阻擋層、第四阻擋層由包含Nb和Nb的不完全氧化 物中至少一種的金屬或金屬氧化物構(gòu)成；第一阻擋層、第二阻擋層、第三阻擋層、第四阻擋 層厚度為ι 1. 5nm ；第一 AgCu層、第二 AgCu層由質(zhì)量比Ag為70 80%，Cu為30 20% 的銀銅合金構(gòu)成。優(yōu)選的，兩銀銅層厚度關(guān)系滿足產(chǎn)品外觀顏色如下表內(nèi)的顏色值范圍[0031]
權(quán)利要求1.一種雙銀低輻射玻璃，其特征在于，該玻璃膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃、第一基層電介質(zhì) 組合層、第二基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、第一 AgCu層、第二阻擋層、第一上層電介質(zhì) 組合層、第一隔層電介質(zhì)組合層、第二隔層電介質(zhì)組合層、第三隔層電介質(zhì)組合層、第三阻 擋層、第二 AgCu層、第四阻擋層、上層電介質(zhì)組合層；其中，所述第一阻擋層、第二阻擋層、 第三阻擋層、第四阻擋層膜層材質(zhì)為還原性大于AgCu的材料。
2.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述第一基層電介質(zhì)組合層厚 度為20 25nm。
3.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述第二隔層電介質(zhì)組合層厚 度為45 50nm。
4.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述第二基層電介質(zhì)組合層、第 一隔層電介質(zhì)組合層、第三隔層電介質(zhì)組合層厚度10 15nm。
5.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述上層電介質(zhì)組合層厚度為 35 45nm。
6.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述第一阻擋層、第二阻擋層、 第三阻擋層、第四阻擋層厚度分別為1 1. 5nm。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述第一AgCu層、 第二 AgCu層厚度為10 13nm。
8.如權(quán)利要求1所述的雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述上層電介質(zhì)組合層包括沉 積于所述第四阻擋層上的第一上層電介質(zhì)組合層和沉積于所述第一上層電介質(zhì)組合層上 的第二上層電介質(zhì)組合層。
9.如權(quán)利要求8所述的雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述第一上層電介質(zhì)組合層的 厚度為10 15nm。
10.如權(quán)利要求8或9所述的雙銀低輻射玻璃，其特征在于，所述第二上層電介質(zhì)組合 層的厚度為25 30nm。
專利摘要本實用新型公開了一種雙銀低輻射玻璃，膜層結(jié)構(gòu)依次為玻璃、第一基層電介質(zhì)組合層、第二基層電介質(zhì)組合層、第一阻擋層、第一AgCu層、第二阻擋層、第一上層電介質(zhì)組合層、第一隔層電介質(zhì)組合層、第二隔層電介質(zhì)組合層、第三隔層電介質(zhì)組合層、第三阻擋層、第二AgCu層、第四阻擋層、上層電介質(zhì)組合層；其中，第一阻擋層、第二阻擋層、第三阻擋層、第四阻擋層膜層材質(zhì)為還原性大于AgCu的材料。采用獨特的膜層結(jié)構(gòu)、新工藝、新方法，使該雙銀低輻射玻璃具有低輻射率、高耐熱性的優(yōu)點，能在700℃高溫下進行鋼化、熱彎和彎鋼化等強化處理。
文檔編號C03C17/36GK201825869SQ20102050311
公開日2011年5月11日 申請日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月24日
發(fā)明者曾小綿, 陳可明 申請人:中國南玻集團股份有限公司