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      一種新型低輻射玻璃的制作方法

      文檔序號:2451207閱讀:291來源:國知局
      一種新型低輻射玻璃的制作方法
      【專利摘要】本實用新型公開了一種新型低輻射玻璃,其特征在于:包括玻璃基板,在所述玻璃基板上磁控濺射有TiO2介質(zhì)層,在所述TiO2介質(zhì)層上磁控濺射有CrNx阻擋層,在所述CrNx阻擋層上磁控濺射有AZO平整層,在所述AZO平整層上磁控濺射有Ag功能層,在所述Ag功能層上磁控濺射有(NiCr)xOy層,在所述(NiCr)xOy層上磁控濺射有SnO2保護(hù)層,在所述SnO2保護(hù)層上磁控濺射有C層。本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處,提供一種結(jié)構(gòu)簡單,生產(chǎn)成本相對較低的新型低輻射玻璃。
      【專利說明】一種新型低輻射玻璃

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本實用新型涉及一種新型低輻射玻璃。

      【背景技術(shù)】
      [0002] 低輻射玻璃是指對紅外輻射具有高反射率,對可見光具有良好透射率的平板鍍膜 玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能,廣泛應(yīng)用于窗戶、爐門、冷藏柜門等地 方。
      [0003] 現(xiàn)有的低輻射玻璃其強(qiáng)度不夠很容易遭受損壞,影響正常的使用,不能滿足使用 者的需求,故此,現(xiàn)有的低輻射玻璃有待于進(jìn)步完善。 實用新型內(nèi)容
      [0004] 本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處,提供一種結(jié)構(gòu)簡單,生產(chǎn) 成本相對較低的新型低輻射玻璃。
      [0005] 為了達(dá)到上述目的,本實用新型采用以下方案:
      [0006] -種新型低輻射玻璃,其特征在于:包括玻璃基板,在所述玻璃基板上磁控濺射 有Ti02介質(zhì)層,在所述Ti02介質(zhì)層上磁控濺射有CrNx阻擋層,在所述CrNx阻擋層上磁控 濺射有ΑΖ0平整層,在所述ΑΖ0平整層上磁控濺射有Ag功能層,在所述Ag功能層上磁控濺 射有(NiCr)xOy層,在所述(NiCr)xOy層上磁控溉射有Sn02保護(hù)層,在所述Sn02保護(hù)層上 磁控溉射有C層。
      [0007] 如上所述的一種新型低輻射玻璃,其特征在于所述1102介質(zhì)層的厚度為10? 30nm〇
      [0008] 如上所述的一種新型低輻射玻璃,其特征在于所述CrNx阻擋層的厚度為0.5? 2nm〇
      [0009] 如上所述的一種新型低輻射玻璃,其特征在于所述ΑΖ0平整層的厚度為5?20nm。
      [0010] 如上所述的一種新型低輻射玻璃,其特征在于所述Ag功能層的厚度為7?10nm。
      [0011] 如上所述的一種新型低輻射玻璃,其特征在于所述(NiCr)X〇y層的厚度為0. 5? 5nm〇
      [0012] 如上所述的一種新型低輻射玻璃,其特征在于所述Sn02保護(hù)層的厚度為20? 50nm〇
      [0013] 如上所述的一種新型低輻射玻璃,其特征在于所述C層的厚度為10?20nm。
      [0014] 綜上所述,本實用新型的有益效果:
      [0015] 本實用新型結(jié)構(gòu)簡單,生產(chǎn)成本相對較低。本實用新型中(NiCr)x0y能提高膜層耐 磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。
      [0016] 本實用新型中C層代替PE保護(hù)膜或隔離粉,防止鍍膜玻璃在處理過程中被劃傷; 此膜層在鋼化過程中會被完全燃燒,從而不影響鍍膜玻璃的光學(xué)性能。
      [0017] 本實用新型產(chǎn)品特點:透過率達(dá)83%,輻射率小于0. 08,膜層不易被劃傷。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0018] 圖1為本實用新型的示意圖。

      【具體實施方式】
      [0019] 下面結(jié)合【具體實施方式】對本實用新型做進(jìn)一步描述:
      [0020] 本實用新型一種新型低輻射玻璃,包括玻璃基板1,在所述玻璃基板1上磁控濺射 有Ti02介質(zhì)層2,在所述Ti02介質(zhì)層2上磁控濺射有CrNx阻擋層3,在所述CrNx阻擋層3 上磁控濺射有ΑΖ0平整層4,在所述ΑΖ0平整層4上磁控濺射有Ag功能層5,在所述Ag功 能層5上磁控溉射有(NiCr)xOy層6,在所述(NiCr)xOy層6上磁控溉射有Sn02保護(hù)層7, 在所述Sn02保護(hù)層7上磁控濺射有C層8。
      [0021] 本實用新型所述Ti02介質(zhì)層的厚度為10?30nm。所述CrNx阻擋層的厚度為 0.5?2nm。所述ΑΖ0平整層的厚度為5?20nm。所述Ag功能層的厚度為7?10nm。所 述(NiCr)xOy層的厚度為0· 5?5nm。所述Sn02保護(hù)層的厚度為20?50nm。所述C層的 厚度為10?20nm。
      [0022] 本實用新型低輻射玻璃,可以通過以下制備方法制備:
      [0023]A、采用氬氣作為反應(yīng)氣體,交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶,在玻璃基板上磁控濺射 Ti02介質(zhì)層;所述氬氣的氣體流量lOOOsccm,,濺射功率為30KW;
      [0024]B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體,氬氣作為保護(hù)氣體,直流電源濺射鉻平面靶,在步驟A 中Ti02介質(zhì)層上磁控濺射CrNx阻擋層;,氬氣與氮?dú)獾捏w積流量比為1 :2,即氬氣與氮?dú)?的體積流量比為500sccm:1000sccm;CrNx阻擋層有效防止Ag層被氧化;
      [0025] C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體,交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶,在步驟B中的 Ti02介質(zhì)層上磁控濺射ΑΖ0平整層;ΑΖ0平整層為Ag層作鋪墊,降低輻射率;
      [0026] D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體,直流電源濺射銀平面靶,在步驟C中AZ0平整層上磁控 溉射Ag功能層;
      [0027] E、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體,滲少量氧氣,直流電源濺射,在步驟D中的Ag功能層上 磁控濺射(NiCr)xOy層;(NiCr)xOy層能有效提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗 高溫氧化性;
      [0028]F、采用氧氣作為反應(yīng)氣體,交流中頻電源溉射錫祀,在步驟E中的(NiCr)xOy層上 磁控濺射Sn02保護(hù)層;Sn02保護(hù)層耐腐蝕性好;
      [0029] G、直流電流濺射石墨靶,在步驟F中的Sn02保護(hù)層上磁控濺射C層。此層不是 L0W-E玻璃的功能層,是用來代替鍍完L0W-E膜后的TO保護(hù)膜或隔離粉,防止鍍膜玻璃在處 理過程中被劃傷;此膜層在鋼化過程中會被完全燃燒,從而不影響鍍膜玻璃的光學(xué)性能。
      [0030] 本實用新型產(chǎn)品透過率達(dá)83%,輻射率小于0. 08,膜層不易被劃傷。
      [0031] 以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行 業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本實用新型不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述 的只是說明本實用新型的原理,在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下,本實用新型還 會有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型 要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
      【權(quán)利要求】
      1. 一種新型低輻射玻璃,其特征在于:包括玻璃基板(1),在所述玻璃基板(1)上磁 控濺射有Ti02介質(zhì)層(2),在所述Ti02介質(zhì)層(2)上磁控濺射有CrNx阻擋層(3),在所述 CrNx阻擋層(3)上磁控濺射有AZO平整層(4),在所述AZO平整層(4)上磁控濺射有Ag功 能層(5),在所述Ag功能層(5)上磁控溉射有(NiCr)xOy層(6),在所述(NiCr)xOy層(6) 上磁控濺射有Sn02保護(hù)層(7),在所述Sn02保護(hù)層(7)上磁控濺射有C層(8),所述1102介 質(zhì)層的厚度為10?30nm,所述CrNx阻擋層的厚度為0. 5?2nm,所述AZ0平整層的厚度為 5?20nm,所述Ag功能層的厚度為7?10nm,所述(NiCr)xOy層的厚度為0· 5?5nm,所述 Sn02保護(hù)層的厚度為20?50nm,所述C層的厚度為10?20nm。
      【文檔編號】B32B33/00GK203864111SQ201320854827
      【公開日】2014年10月8日 申請日期:2013年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月21日
      【發(fā)明者】魏佳坤 申請人:揭陽市宏光鍍膜玻璃有限公司
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