玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供一種可在熔融玻璃的澄清步驟中抑制異物混入至熔融玻璃中的玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置。玻璃基板的制造方法包括熔融步驟、澄清步驟、及成形步驟。在澄清步驟中，熔融玻璃(G)在鉑制或鉑合金制的澄清管(41)的內(nèi)部以形成氣相空間(41c)的方式流動(dòng)。氣相空間(41c)在澄清管(41)的內(nèi)部為較熔融玻璃(G)的液面(LS)更靠上方的空間。澄清管(41)包括：通氣管(41a)，其從澄清管(41)的外壁面向外側(cè)突出；以及接收部(41d)，其設(shè)置在較熔融玻璃(G)的液面(LS)更靠上方。通氣管(41a)使氣相空間(41c)與澄清管(41)的外部空間連通。接收部(41d)在沿通氣管(41a)的長度方向觀察通氣管(41a)的情形時(shí)，覆蓋通氣管(41a)的截面的一部分。
【專利說明】玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]一般而言，玻璃基板的制造方法如專利文獻(xiàn)I (日本專利特表2006-522001號(hào)公報(bào))所記載般包括:熔融步驟，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成熔融玻璃；以及成形步驟，自熔融玻璃成形玻璃基板。玻璃基板的制造方法在熔融步驟與成形步驟之間，還包括將熔融玻璃中所含的微小氣泡除去的澄清步驟。在澄清步驟中，通過使調(diào)配有As2O3等澄清劑的熔融玻璃通過高溫的澄清管，而利用澄清劑的氧化還原反應(yīng)來將熔融玻璃中的氣泡除去。具體而言，首先，通過提高熔融玻璃的溫度來使澄清劑發(fā)揮功能，而使熔融玻璃中所含的氣泡上浮至澄清管內(nèi)的熔融玻璃的液面而除去。其次，降低熔融玻璃的溫度而使殘留在熔融玻璃中的微小氣泡被熔融玻璃吸收而除去。熔融玻璃所通過的澄清管在上側(cè)的內(nèi)壁面與熔融玻璃的液面之間具有氣相空間。氣相空間經(jīng)由連接于澄清管的通氣管而與作為澄清管的外部空間的外部氣體連通。
[0003]為自高溫的熔融玻璃量產(chǎn)高品質(zhì)的玻璃基板，較理想的是不使成為玻璃基板的缺陷的因素的異物混入至熔融玻璃中。因此，與熔融玻璃接觸的構(gòu)件的內(nèi)壁，必須根據(jù)與該構(gòu)件接觸的熔融玻璃的溫度、以及所要求的玻璃基板的品質(zhì)等而以適當(dāng)?shù)牟牧蠘?gòu)成。對(duì)與熔融玻璃接觸的構(gòu)件的內(nèi)壁通常使用鉬族金屬。以下，“鉬族金屬”是指包含單一的鉬族元素的金屬、以及包含鉬族元素的金屬的合金。鉬族元素為鉬(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、釕(Ru)、鋨(Os)以及銥(Ir)的6種元素。鉬族金屬雖然昂貴，但熔點(diǎn)較高，對(duì)熔融玻璃的耐腐蝕性優(yōu)異。
[0004]通過澄清管的內(nèi)部的熔融玻璃的溫度根據(jù)所成形的玻璃基板的組成而不同，在平板顯示器(FPD，flat panel display)用的玻璃基板的情形時(shí)為1000°C~1700°C。近年來，從降低環(huán)境負(fù)荷的觀點(diǎn)考慮，使用SnO2來代替As2O3作為澄清劑。51102與么8203相比澄清效果較小，為獲得與As2O3同等的澄清效果而必須提高熔融玻璃的溫度。具體而言，在使用SnO2作為澄清劑的情形時(shí)，通過澄清管的內(nèi)部的熔融玻璃的溫度被設(shè)定為1500°C~1700°C。
[0005][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0006][專利文獻(xiàn)]
[0007][專利文獻(xiàn)I]日本專利特表2006-522001號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008][發(fā)明所要解決的問題]
[0009]在使用SnOJt為澄清劑的玻璃基板的制造方法中，澄清管的內(nèi)壁與高溫的熔融玻璃接觸。因此，因長期使用澄清管而使得鉬族金屬從澄清管的內(nèi)壁慢慢揮發(fā)。該鉬族金屬的揮發(fā)物與熔融玻璃中的氣泡一同經(jīng)由澄清管的氣相空間以及通氣管而排出至外部氣體中。然而，鉬族金屬的揮發(fā)物在向外部氣體排出的過程中溫度降低而成為過飽和狀態(tài)。因此，易于在澄清管以及通氣管的內(nèi)壁析出凝固的揮發(fā)物。以下，析出在澄清管以及通氣管的內(nèi)壁的物質(zhì)稱作“鉬異物”。通氣管的內(nèi)部因與外部氣體連通而溫度易于降低，從而鉬異物尤其易于析出在通氣管的內(nèi)壁。鉬異物如果隨著時(shí)間的經(jīng)過而成長，則有可能因自重而從澄清管以及通氣管的內(nèi)壁剝落，并下落至澄清管內(nèi)的熔融玻璃中。此外，在將析出在通氣管的內(nèi)壁的鉬異物除去時(shí)，鉬異物有可能下落至澄清管內(nèi)的熔融玻璃中。而且，如果鉬異物混入至熔融玻璃中，則難以量產(chǎn)高品質(zhì)的玻璃基板。
[0010]本發(fā)明的目的是提供一種可在熔融玻璃的澄清步驟中抑制異物混入至熔融玻璃中的玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置。
[0011][解決問題的技術(shù)手段]
[0012]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法包括:熔融步驟，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成熔融玻璃；澄清步驟，將熔融玻璃澄清；以及成形步驟，從已澄清的熔融玻璃成形玻璃基板。在澄清步驟中，熔融玻璃在鉬制或鉬合金制的澄清管的內(nèi)部以形成氣相空間的方式流動(dòng)。氣相空間在澄清管的內(nèi)部為較熔融玻璃的液面更靠上方的空間。澄清管包括:通氣管，其從澄清管的外壁面向外側(cè)突出；以及接收部，其設(shè)置在較熔融玻璃的液面更靠上方。通氣管使氣相空間與澄清管的外部空間連通。接收部在沿通氣管的長度方向觀察通氣管的情形時(shí)，覆蓋通氣管的截面的一部分。
[0013]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法中，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成的熔融玻璃，利用通過高溫的澄清管的內(nèi)部而被加熱。在澄清管的內(nèi)部，熔融玻璃中所含的氣泡吸收通過調(diào)配在熔融玻璃中的澄清劑的還原反應(yīng)而產(chǎn)生的氧來成長。成長的氣泡上浮至熔融玻璃的液面并破裂而消失。消失的氣泡中所含的氣體釋放至澄清管內(nèi)的氣相空間，并經(jīng)由通氣管而從澄清管排出。
[0014]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法中，澄清管為鉬制或鉬合金制。鉬或鉬合金的熔點(diǎn)較高，對(duì)熔融玻璃的耐腐蝕性優(yōu)異，因此適于作為與高溫的熔融玻璃接觸的澄清管的材質(zhì)。然而，因長期使用澄清管而導(dǎo)致鉬成分從澄清管的內(nèi)壁慢慢揮發(fā)。包含鉬的揮發(fā)物與熔融玻璃中的氣泡一同經(jīng)由通氣管而從澄清管排出。包含鉬的揮發(fā)物如果在通過通氣管的過程中溫度降低，則易于成為過飽和狀態(tài)。因此，存在凝固的揮發(fā)物作為鉬異物附著在通氣管的內(nèi)壁的情形。
[0015]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法中，在通氣管的內(nèi)部空間或澄清管的氣相空間設(shè)置有接收部。附著在通氣管的內(nèi)壁上的鉬異物如果隨著時(shí)間的經(jīng)過而成長，則有可能因自重而從內(nèi)壁面剝離并下落。此外，在澄清管的維護(hù)作業(yè)中，當(dāng)從通氣管的內(nèi)壁面除去鉬異物時(shí)，鉬異物有可能下落。接收部接收從通氣管的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物。由此，通過接收部而抑制附著在通氣管的內(nèi)壁上的鉬異物混入至熔融玻璃中。
[0016]此外，接收部較佳為在通氣管中，設(shè)置在較具有存在于氣相空間中的包含鉬的氣體凝固的溫度的部分更靠下方。為更有效地接收從通氣管的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物，接收部較佳為在通氣管的內(nèi)部空間中，盡可能設(shè)置在高溫的揮發(fā)物通過的位置。即，接收部較佳為設(shè)置在盡可能靠近澄清管內(nèi)的氣相空間的位置。
[0017]此外，熔融玻璃較佳為包含SnO2作為澄清劑。使用SnO2作為澄清劑的玻璃基板的制造方法與使用As2O3作為澄清劑的情形相比，必須提高通過澄清管的內(nèi)部的熔融玻璃的溫度。因此，在使用SnO2作為澄清劑的情形時(shí)，鉬成分易于從澄清管的內(nèi)壁揮發(fā)，從而易于在通氣管的內(nèi)壁附著鉬異物。因此，本發(fā)明的玻璃基板的制造方法適于將SnO2用作澄清劑的玻璃基板的制造方法。
[0018]此外，本發(fā)明的玻璃基板的制造方法適于對(duì)粘度為IO2 5Poise (泊)時(shí)具有1500°C以上的溫度的熔融玻璃等高溫粘性較高的熔融玻璃進(jìn)行澄清的情形。高溫粘性較高的熔融玻璃與通常的堿性玻璃的熔融玻璃相比，必須提高澄清步驟中的溫度。因此，鉬成分從澄清管的內(nèi)壁揮發(fā)的問題變得顯著，從而易于在通氣管的內(nèi)壁附著鉬異物。
[0019]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法適于使用具有較高的高溫粘性的熔融玻璃、即在澄清步驟中必須較通常的熔融玻璃為更高溫的熔融玻璃的玻璃基板的制造方法。
[0020]本發(fā)明的玻璃基板的制造裝置包括:熔融槽，其對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成熔融玻璃；澄清管，其將在熔融槽中生成的熔融玻璃澄清；以及成形裝置，其從在澄清管中澄清的熔融玻璃成形玻璃基板。澄清管為以形成有氣相空間的方式在內(nèi)部流動(dòng)熔融玻璃的鉬制或鉬合金制的管。氣相空間在澄清管的內(nèi)部為較熔融玻璃的液面更靠上方的空間。澄清管包括:通氣管，其從澄清管的外壁面向外側(cè)突出；以及接收部，其設(shè)置在較熔融玻璃的液面更靠上方。通氣管使氣相空間與澄清管的外部空間連通。接收部在沿通氣管的長度方向觀察通氣管的情形時(shí)，覆蓋通氣管的截面的一部分。
[0021]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法包括:熔融步驟，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成熔融玻璃；澄清步驟，將熔融玻璃澄清；以及成形步驟，從已澄清的熔融玻璃成形玻璃基板。在澄清步驟中，熔融玻璃在鉬制或鉬合金制的澄清管的內(nèi)部以形成有氣相空間的方式流動(dòng)。氣相空間在澄清管的內(nèi)部為較熔融玻璃的液面更靠上方的空間。澄清管具有從澄清管的外壁面向外側(cè)突出的通氣管。通氣管使氣相空間與澄清管的外部空間連通。通氣管設(shè)置在澄清管的長度方向上的澄清管的溫度分布的最高溫度區(qū)域。最高溫度區(qū)域在將澄清管的最高溫度設(shè)為Tmax°C的情形時(shí)，較佳為(Tmax-20) V~Tmax°C的范圍內(nèi)的溫度區(qū)域，更佳為(Tmax-1O) V~Tmax°C的范圍內(nèi)的溫度區(qū)域，尤其佳為(Tmax-5) V~Tmax°C的范圍內(nèi)的溫度區(qū)域z
[0022]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法中，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成的熔融玻璃，利用通過高溫的澄清管的內(nèi)部而被加熱。在澄清管的內(nèi)部，熔融玻璃中所含的氣泡吸收通過調(diào)配在熔融玻璃中的澄清劑的還原反應(yīng)而產(chǎn)生的氧來成長。成長的氣泡上浮至熔融玻璃的液面并破裂而消失。消失的氣泡中所含的氣體釋放至澄清管內(nèi)的氣相空間中，并經(jīng)由通氣管而自澄清管排出。
[0023]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法中，澄清管為鉬制或鉬合金制。鉬或鉬合金的熔點(diǎn)較高，對(duì)熔融玻璃的耐腐蝕性優(yōu)異，因此適于作為與高溫的熔融玻璃接觸的澄清管的材質(zhì)。然而，因長期使用澄清管而導(dǎo)致鉬成分從澄清管的內(nèi)壁慢慢揮發(fā)。包含鉬的揮發(fā)物與熔融玻璃中的氣泡一同經(jīng)由通氣管而從澄清管排出。包含鉬的揮發(fā)物如果在通過澄清管的氣相空間以及通氣管的過程中溫度降低，則易于成為過飽和狀態(tài)。因此，存在凝固的揮發(fā)物作為鉬異物附著在澄清管以及通氣管的內(nèi)壁的情形。
[0024]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法中，通氣管連結(jié)于澄清管的外壁面。在澄清管的兩端部安裝有用以對(duì)澄清管進(jìn)行電熱加熱而使用的電極。通常，電極具有散熱效果較大的凸緣形狀，因此澄清管的兩端部`與澄清管的兩端部之間的中間部相比更易于散熱。因此，澄清管的長度方向的溫度分布具有呈現(xiàn)出澄清管的中間部的溫度較澄清管的兩端部的溫度高的傾向的向上凸出的形狀。通氣管設(shè)置在澄清管的長度方向上的溫度最高的部分、即澄清管的溫度分布的最高溫度區(qū)域。由此，在澄清管內(nèi)產(chǎn)生的包含鉬的揮發(fā)物，經(jīng)由氣相空間內(nèi)具有最高溫度的空間而流入至通氣管的內(nèi)部。因此，包含鉬的揮發(fā)物在氣相空間中，從低溫部向高溫部流動(dòng)并從通氣管排出，因此可抑制氣相空間中的包含鉬的揮發(fā)物的過飽和狀態(tài)。由此，可抑制在澄清管的氣相空間中的內(nèi)壁、以及通氣管的內(nèi)壁附著鉬異物。由此，可抑制鉬異物從澄清管的內(nèi)壁以及通氣管的內(nèi)壁下落并混入至熔融玻璃中。[0025]此外，熔融玻璃較佳為包含SnO2作為澄清劑。使用SnO2作為澄清劑的玻璃基板的制造方法與使用As2O3作為澄清劑的情形相比，必須提高通過澄清管的內(nèi)部的熔融玻璃的溫度。因此，在使用SnO2作為澄清劑的情形時(shí)，鉬成分易于從澄清管的內(nèi)壁揮發(fā)，從而鉬異物易于附著在澄清管的內(nèi)壁以及通氣管的內(nèi)壁。因此，本發(fā)明的玻璃基板的制造方法適于將SnO2用作澄清劑的玻璃基板的制造方法。
[0026]此外，本發(fā)明的玻璃基板的制造方法適于對(duì)粘度為IO2 5Poise時(shí)具有1500°C以上的溫度的熔融玻璃等高溫粘性較高的熔融玻璃進(jìn)行澄清的情形。高溫粘性較高的熔融玻璃與通常的堿性玻璃的熔融玻璃相比，必須提高澄清步驟中的溫度。因此，鉬成分從澄清管的內(nèi)壁揮發(fā)的問題變得顯著，從而鉬異物易于附著在澄清管的內(nèi)壁以及通氣管的內(nèi)壁。
[0027]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法適于使用具有較高的高溫粘性的熔融玻璃、即在澄清步驟中必須較通常的熔融玻璃為更高溫的熔融玻璃的玻璃基板的制造方法。
[0028]本發(fā)明的玻璃基板的制造裝置包括:熔融槽，其對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成熔融玻璃；澄清管，其將在熔融槽中生成的熔融玻璃澄清；以及成形裝置，其從在澄清管中澄清的熔融玻璃成形玻璃基板。澄清管為以形成有氣相空間的方式在內(nèi)部流動(dòng)熔融玻璃的鉬制或鉬合金制的管。氣相空間在澄清管的內(nèi)部為較熔融玻璃的液面更靠上方的空間。澄清管具有從澄清管的外壁面向外側(cè)突出的通氣管。通氣管使氣相空間與澄清管的外部空間連通。通氣管設(shè)置在澄清管的長度方向上的澄清管的溫度分布的最高溫度區(qū)域。
[0029][發(fā)明的效果]
[0030]本發(fā)明的玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置可在熔融玻璃的澄清步驟中抑制異物混入至熔融玻璃中。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1是表示第I實(shí)施方式的玻璃基板制造方法的步驟的流程圖。
[0032]圖2是表示第I實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置的構(gòu)成的示意圖。
[0033]圖3是第I實(shí)施方式的澄清管的外觀圖。
[0034]圖4是第I實(shí)施方式的澄清管在長度方向上的剖視圖。
[0035]圖5是沿圖4所示的箭頭V的方向觀察的通氣管的外觀圖。
[0036]圖6是第I實(shí)施方式的變化例A的澄清管在長度方向上的剖視圖。
[0037]圖7是沿圖6所示的箭頭VII的方向觀察的通氣管的外觀圖。
[0038]圖8是第I實(shí)施方式的變化例B的澄清管在長度方向上的剖視圖。
[0039]圖9是沿圖8所示的箭頭IX的方向觀察的通氣管的外觀圖。
[0040]圖10是第I實(shí)施方式的變化例C的澄清管在長度方向上的剖視圖。
[0041]圖11是沿圖10所示的箭頭XI的方向觀察的通氣管的外觀圖。[0042]圖12是表示第2實(shí)施方式的玻璃基板制造方法的步驟的流程圖。
[0043]圖13是表示第2實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置的構(gòu)成的示意圖。
[0044]圖14是第2實(shí)施方式的澄清管的外觀圖。
[0045]圖15是第2實(shí)施方式的澄清管在長度方向上的剖視圖。
[0046]圖16是表示第2實(shí)施方式的澄清管的側(cè)視圖與澄清管的溫度分布的對(duì)應(yīng)關(guān)系的圖。
[0047][符號(hào)的說明]
[0048]41 澄清管
[0049]41a通氣管
[0050]41b 加熱電極
[0051]41c氣相空間
[0052]41d接收部
[0053]200玻璃基板制造裝置
[0054]G 熔融玻璃
[0055]LS 熔融玻璃的液面
[0056]R 最高溫度區(qū)域
【具體實(shí)施方式】
[0057]-第I實(shí)施方式-
[0058](I)玻璃基板制造裝置的整體構(gòu)成
[0059]參照?qǐng)D式對(duì)本發(fā)明的玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置的第I實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是表示本實(shí)施方式的玻璃基板制造方法的步驟的一例的流程圖。
[0060]玻璃基板制造方法如圖1所示般，主要包括熔解步驟S1、澄清步驟S2、攪拌步驟S3、成形步驟S4、緩冷步驟S5、及切斷步驟S6。
[0061]熔解步驟SI中，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而獲得熔融玻璃。熔融玻璃貯存在熔解槽中，且以具有所期望的溫度的方式進(jìn)行通電加熱。玻璃原料中添加有澄清劑。從降低環(huán)境負(fù)荷的觀點(diǎn)考慮，使用SnO2作為澄清劑。
[0062]澄清步驟S2中，熔融玻璃在澄清管的內(nèi)部流動(dòng)。首先，使熔融玻璃的溫度上升。澄清劑通過升溫而產(chǎn)生還原反應(yīng)從而釋放氧。熔融玻璃中所含的包含co2、n2、so2等氣體成分的氣泡吸收通過澄清劑的還原反應(yīng)而產(chǎn)生的氧。吸收氧而成長的氣泡上浮至熔融玻璃的液面并破裂而消失。消失的氣泡中所含的氣體釋放至澄清管內(nèi)的氣相空間，最終排出至外部氣體。其次，澄清步驟S2中，使熔融玻璃的溫度降低。由此，經(jīng)還原的澄清劑產(chǎn)生氧化反應(yīng)而吸收殘留在熔融玻璃中的氧等氣體成分。
[0063]攪拌步驟S3中，對(duì)已澄清的熔融玻璃進(jìn)行攪拌而使熔融玻璃的成分均質(zhì)化。由此，作為導(dǎo)致玻璃基板產(chǎn)生條紋等的原因的熔融玻璃的組成不均降低。均質(zhì)化的熔融玻璃被輸送至成形步驟S4。
[0064]成形步驟S4中，通過溢流下拉法或浮式法而從熔融玻璃連續(xù)地成形玻璃帶。
[0065]緩冷步驟S5中，對(duì)在成形步驟S4中連續(xù)地成形而得的玻璃帶以具有所期望的厚度、且不產(chǎn)生應(yīng)變以及翹曲的方式慢慢地冷卻。[0066]切斷步驟S6中，將已在緩冷步驟S5中緩冷的玻璃帶切斷為特定的長度而獲得玻璃片。進(jìn)而將玻璃片切斷為特定的尺寸而獲得玻璃基板。其后，進(jìn)行玻璃基板的端面的磨削以及研磨、及玻璃基板的清洗。進(jìn)而，檢查玻璃基板的損傷等缺陷的有無，將檢查為合格的玻璃基板打包并作為制品出貨。
[0067]圖2是表示本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200的構(gòu)成的一例的示意圖。玻璃基板制造裝置200包括熔解槽40、澄清管41、攪拌裝置100、成形裝置42、及移送管43a、43b、43c。移送管43a連接熔解槽40與澄清管41。移送管43b連接澄清管41與攪拌裝置100。移送管43c連接攪拌裝置100與成形裝置42。
[0068]在熔解槽40生成的熔融玻璃G通過移送管43a而流入至澄清管41。已在澄清管41澄清的熔融玻璃G通過移送管43b而流入至攪拌裝置100。已在攪拌裝置100攪拌的熔融玻璃G通過移送管43c而流入至成形裝置42。在成形裝置42中，通過溢流下拉法而從熔融玻璃G成形玻璃帶GR。玻璃帶GR在其后的步驟中被切斷為特定的大小而制造出玻璃基板。玻璃基板的寬度方向的尺寸為例如500_~3500_。玻璃基板的長度方向的尺寸為例如 500mm ~3500mm。
[0069]通過本發(fā)明的玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置而制造的玻璃基板尤其適于用作液晶顯示器、等離子顯示器、有機(jī)EL (electroluminescence,電致發(fā)光)顯示器等平板顯示器(FPD)用的玻璃基板。作為FH)用的玻璃基板，使用無堿玻璃、或含有微量堿的玻璃。FH)用的玻璃基板在高溫時(shí)的粘性較高。例如，具有IO2 5泊的粘性的熔融玻璃的溫度為1500°C以上。
[0070]熔解槽40包括燃燒爐等加熱機(jī)構(gòu)(未圖示)。熔解槽40中，通過加熱機(jī)構(gòu)使玻璃原料熔解而生成熔融玻璃G。玻璃原料是以實(shí)質(zhì)上可獲得所期望的組成的玻璃的方式制備。作為玻璃組成的一例，就適于作為Fro用的玻璃基板的無堿玻璃而言，含有SiO2:50質(zhì)量％~70質(zhì)量％、A1203:0質(zhì)量％~25質(zhì)量％、B203:1質(zhì)量％~15質(zhì)量％、MgO:0質(zhì)量％~10質(zhì)量％、CaO:0質(zhì)量％~20質(zhì)量％、SrO:0質(zhì)量％~20質(zhì)量％、BaO:0質(zhì)量％~10質(zhì)量％。于此，MgO、CaO、SrO以及BaO的合計(jì)含量為5質(zhì)量％~30質(zhì)量％。
[0071]此外，作為Fro用的玻璃基板，也可使用包含微量的堿金屬的含有微量堿的玻璃。含有微量堿的玻璃，作為成分而包含0.1質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％的V 20，較佳為包含0.2質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％的1?' 20。于此，R'是選自L1、Na以及K中的至少I種。另外，R' 20的合計(jì)含量也可低于0.1質(zhì)量％。
[0072]此外，作為FPD用的玻璃基板，也可不使用非晶硅而使用多晶硅(低溫多晶硅)。例如，以質(zhì)量％表示時(shí)，可例示含有以下成分的玻璃板。(I)SiO2:52%~78% ； (2)Al2O3:3%~25% ； (3)B2O3:3%~15% ; (4) RO(其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 以及 BaO 中的包含于玻璃板中的所有成分的合計(jì)量):3%~ 20% ;以及(4)質(zhì)量比(Si02+Al203)/B203:7~20。
[0073]通過本發(fā)明制造的玻璃除上述成分以外，還可包含有SnO2:0.01質(zhì)量％~I質(zhì)量％ (較佳為0.01質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％ ) ,Fe2O3:0質(zhì)量％~0.2質(zhì)量％ (較佳為0.01質(zhì)量％~0.08質(zhì)量％ )。此外，通過本發(fā)明制造的玻璃，考慮到環(huán)境負(fù)荷而實(shí)質(zhì)上也可包含As203、5b203 以及 PbO。
[0074]如上述般制備的玻璃原料，使用原料投入機(jī)(未圖示)投入至熔解槽40中。原料投入機(jī)既可使用螺旋進(jìn)料器進(jìn)行玻璃原料的投入，也可使用鏟斗進(jìn)行玻璃原料的投入。熔解槽40中，玻璃原料被加熱至與其組成等對(duì)應(yīng)的溫度而熔解。由此，在熔解槽40中，獲得例如1500°C~1600°C的高溫的熔融玻璃G。另外，在熔解槽40中，也可通過在由鑰、鉬或氧化錫等成形的至少I對(duì)電極間流過電流，而對(duì)電極間的熔融玻璃G進(jìn)行通電加熱，此外，也可通過在進(jìn)行通電加熱之外還輔助性施加燃燒爐的火焰來對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱。
[0075]在熔解槽40獲得的熔融玻璃G從熔解槽40通過移送管43a而流入至澄清管41。澄清管41以及移送管43a、43b、43c為鉬制或鉬合金制的管。與熔解槽40相同地，在澄清管41設(shè)置有加熱機(jī)構(gòu)。澄清管41中，通過使熔融玻璃G進(jìn)一步升溫而澄清。例如在澄清管41中，使熔融玻璃G的溫度上升至1500°C~1700°C。
[0076]在澄清管41中澄清的熔融玻璃G從澄清管41通過移送管43b而流入至攪拌裝置100。熔融玻璃G在通過移送管43b時(shí)被冷卻。在攪拌裝置100中，以較通過澄清管41的熔融玻璃G的溫度低的溫度對(duì)熔融玻璃G進(jìn)行攪拌。例如在攪拌裝置100中，熔融玻璃G的溫度為1250°C~1450°C。例如在攪拌裝置100中，熔融玻璃G的粘度為500泊~1300泊。熔融玻璃G在攪拌裝置100中進(jìn)行攪拌而均質(zhì)化。
[0077]在攪拌裝置100中均質(zhì)化的熔融玻璃G從攪拌裝置100通過移送管43c而流入至成形裝置42。熔融玻璃G在通過移送管43c時(shí)，以成為適于熔融玻璃G的成形的粘度方式被冷卻。例如，熔融玻璃G被冷卻至1200°C附近。在成形裝置42中，通過溢流下拉法而使熔融玻璃G成形。具體而言，流入至成形裝置42的熔融玻璃G被供給至設(shè)置在成形爐(未圖示)的內(nèi)部的成形體52。成形體52由耐火磚成形，且具有楔形的截面形狀。在成形體52的上表面，沿成形體52 的長度方向而形成有槽。熔融玻璃G供給至成形體52的上表面的槽中。從槽溢出的熔融玻璃G沿著成形體52的一對(duì)側(cè)面而向下方流下。向下游過成形體52的側(cè)面的一對(duì)熔融玻璃G在成形體52的下端合流，從而連續(xù)地成形玻璃帶GR。玻璃帶GR隨著向下方流動(dòng)而慢慢地冷卻，其后切斷為所期望的長度的玻璃片。
[0078](2)澄清管的構(gòu)成
[0079]其次，對(duì)澄清管41的詳細(xì)構(gòu)成進(jìn)行說明。圖3是澄清管41的外觀圖。圖4是沿澄清管41的長度方向垂直切斷澄清管41而得的剖視圖。澄清管41具有例如0.5mm~1.5mm的厚度，且具有300mm~500mm的內(nèi)徑。在澄清管41安裝有通氣管41a、以及一對(duì)加熱電極41b。在澄清管41的內(nèi)部，在上方形成有氣相空間41c的狀態(tài)下游動(dòng)熔融玻璃G。即，在澄清管41的內(nèi)部，如圖4所示般存在熔融玻璃G的液面LS。通氣管41a的內(nèi)部空間與氣相空間41c連通。此外，通過在一對(duì)加熱電極41b之間流動(dòng)電流而對(duì)澄清管41進(jìn)行通電加熱。由此，通過澄清管41的內(nèi)部的熔融玻璃G被加熱而澄清。在熔融玻璃G的澄清過程中，熔融玻璃G中所含的包含C02、N2、S02等氣體成分的氣泡吸收通過澄清劑的還原反應(yīng)而產(chǎn)生的氧。吸收氧而成長的氣泡上浮至熔融玻璃G的液面LS而破裂并消失。消失的氣泡中所含的氣體，釋放至澄清管41內(nèi)的氣相空間41c中，并經(jīng)由通氣管41a而排出至外部氣體。
[0080]通氣管41a安裝在澄清管41的外壁面，且向澄清管41的外側(cè)突出。本實(shí)施方式中，如圖4所示般，通氣管41a安裝在澄清管41的外壁面的上端部，且向澄清管41的上方呈煙囪狀突出。通氣管41a使作為澄清管41的內(nèi)部空間的一部分的氣相空間41c、與作為澄清管41的外部空間的外部氣體連通。通氣管41a與澄清管41相同地由鉬或鉬合金成形。通氣管41a具有例如0.5mm~1.5mm的厚度，且具有IOmm~IOOmm的內(nèi)徑。
[0081]通氣管41a具有接收部41d。如圖4所示般，接收部41d位于較熔融玻璃G的液面LS更靠上方，且安裝于通氣管41a的內(nèi)壁面。接收部41d與通氣管41a相同地由鉬或鉬合金成形。圖5是沿圖4所示的箭頭V的方向觀察的通氣管41a的外觀圖。圖5表示沿通氣管41a的長度方向、即沿鉛直方向從上方朝下方觀察通氣管41a的狀態(tài)。換言之，圖5表示在從通氣管41a觀察澄清管41的內(nèi)部的情形時(shí)如何觀察。接收部41d覆蓋通氣管41a的截面的一部分。接收部41d為在中央部形成有孔的圓形板。接收部41d的外周接合于通氣管41a的內(nèi)壁面。澄清管41的氣相空間41c通過接收部41d的中央部的孔而與外部氣體連通。
[0082]加熱電極41b為分別安裝在澄清管41的兩端部的凸緣形狀的電極板。加熱電極41b與電源(未圖示)連接。通過對(duì)加熱電極41b供給電力而使電流流過一對(duì)加熱電極41b之間的澄清管41來對(duì)澄清管41進(jìn)行通電加熱。由此，澄清管41被加熱至例如1700°C，在澄清管41的內(nèi)部流動(dòng)的熔融玻璃G被加熱至熔融玻璃G中所含的澄清劑即SnO2產(chǎn)生還原反應(yīng)的溫度、例如1600°C~1650°C。通過對(duì)流過澄清管41的電流進(jìn)行控制，而可控制在澄清管41的內(nèi)部流動(dòng)的熔融玻璃的溫度。另外，安裝在澄清管41的加熱電極41b的數(shù)量以及位置，也可根據(jù)澄清管41的材質(zhì)、內(nèi)徑以及長度、或通氣管41a的位置等而適當(dāng)決定。
[0083]此外，雖未示于圖3以及圖4中，但在澄清管41的外壁面設(shè)置有包含高鋁水泥等的耐火保護(hù)層。在耐火保護(hù)層的外壁面還設(shè)置有耐火磚。耐火磚載置在基座(未圖示)上。即，澄清管41由耐火保護(hù)層以及耐火磚從下方支撐。
[0084](3)特征
[0085](3-1)
[0086]本實(shí)施方式的玻璃基板制造方法中，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成的熔融玻璃G在通過澄清管41的內(nèi)部時(shí)被加熱。在澄清管41的內(nèi)部，通過添加至熔融玻璃G中的澄清劑即SnO2的氧化還原反應(yīng)，而將熔融玻璃G中所含的包含CO2或SO2的氣泡除去。具體而言，首先通過提高熔融玻璃G的溫度使澄清劑還原，而在熔融玻璃G中產(chǎn)生氧氣泡。熔融玻璃G中所含的包含C02、N2、S02等氣體成分的氣泡吸收通過澄清劑的還原反應(yīng)而產(chǎn)生的氧。吸收氧而成長的氣泡上浮至熔融玻璃G的液面LS而破裂并消失。消失的氣泡中所含的氣體釋放至氣相空間41c中，并經(jīng)由通氣管41a而排出至外部氣體。其次，降低熔融玻璃G的溫度而使經(jīng)還原的澄清劑氧化。由此，殘留在熔融玻璃G中的氧氣泡被熔融玻璃G吸收。如此，通過澄清劑的氧化還原反應(yīng)而將熔融玻璃G中所含的氣泡除去。
[0087]澄清管41為鉬制或鉬合金制。鉬或鉬合金的熔點(diǎn)較高，對(duì)熔融玻璃G的耐腐蝕性優(yōu)異，因此適于作為與高溫的熔融玻璃G接觸的澄清管41的材質(zhì)。然而，因長期使用澄清管41而導(dǎo)致鉬成分從澄清管41的內(nèi)壁慢慢揮發(fā)。包含鉬的揮發(fā)物與熔融玻璃G中所含的氣泡一同釋放至氣相空間41c中，并經(jīng)由通氣管41a而排出至外部氣體。然而，包含鉬的揮發(fā)物在通過通氣管41a的過程中溫度降低而易于成為過飽和狀態(tài)。因此，凝固的揮發(fā)物作為鉬異物而附著在通氣管41a的內(nèi)壁。而且，附著在通氣管41a的內(nèi)壁的鉬異物隨著時(shí)間的經(jīng)過而成長。成長的鉬異物有可能因自重從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落。此外，在澄清管41的維護(hù)作業(yè)時(shí)，在從通氣管41a的內(nèi)壁面除去鉬異物時(shí)，鉬異物有可能下落。
[0088]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200中，在作為澄清管41的排氣管的通氣管41a的內(nèi)壁面設(shè)置有接收部41d。接收部41d為用以接收從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物的構(gòu)件。在通氣管41a`不具有接收部41d的情形時(shí)，從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離的鉬異物，有下落至澄清管41的內(nèi)部空間而混入至通過澄清管41的熔融玻璃G的顧慮。如果鉬異物混入至熔融玻璃G中，則有成為制造的玻璃基板的品質(zhì)缺陷的顧慮。接收部41d抑制從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物下落至澄清管41內(nèi)的熔融玻璃G的液面LS0由此，通過接收部41d而抑制鉬異物混入至熔融玻璃G，因此可高產(chǎn)率地量產(chǎn)高品質(zhì)的玻璃基板。
[0089](3-2)
[0090]本實(shí)施方式中，接收部41d在通氣管41a中，較佳為設(shè)置在較具有存在于澄清管41的氣相空間41c中的包含鉬的揮發(fā)物凝固的溫度的部分更靠下方。即，接收部41d在通氣管41a的內(nèi)部空間中，較佳為盡可能設(shè)置在高溫的揮發(fā)物通過的位置。換言之，接收部41d較佳為設(shè)置在盡可能靠近澄清管41內(nèi)的氣相空間41c的位置。
[0091]通氣管41a的溫度表現(xiàn)出如下傾向，即澄清管41與通氣管41a的連結(jié)部的溫度最高，且隨著從該連結(jié)部朝向上方而溫度降低。即，通氣管41a的內(nèi)部空間的溫度也表現(xiàn)出如下傾向，即與氣相空間41c連通的部分的溫度最高，且隨著朝向上方而溫度降低。由此，包含從澄清管41的內(nèi)壁慢慢揮發(fā)的鉬的氣體在向上方流過通氣管41a的過程中慢慢冷卻而成為過飽和狀態(tài)。因此，通氣管41a的內(nèi)部空間沿通氣管41a的長度方向而具有表現(xiàn)出包含鉬的揮發(fā)物凝固的溫度的點(diǎn)即鉬凝固點(diǎn)。由此，在較鉬凝固點(diǎn)更靠上方，包含鉬的揮發(fā)物易于凝固而使鉬異物附著在通氣管41a的內(nèi)壁。
[0092]因此，通過將接收部41d設(shè)置在較鉬凝固點(diǎn)更靠下方，而可由接收部41d更有效地接收從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物。在接收部41d設(shè)置在較鉬凝固點(diǎn)更靠上方的情形時(shí)，在較接收部41d更靠下方，鉬異物易于附著在通氣管41a的內(nèi)壁。該情形時(shí)，有無法通過接收部41d接收從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物的顧慮。
[0093](3-3)
[0094]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200，在鉬制或鉬合金制的澄清管41使用SnO2作為澄清劑的情形時(shí)尤其有效。近年來，從環(huán)境負(fù)荷的觀點(diǎn)考慮，使用SnO2代替As2O3來作為澄清劑。在使用SnO2的情形時(shí)，相較于使用As2O3的情形，在澄清管41中必須使熔融玻璃G為更高溫，因此鉬或鉬合金的揮發(fā)的問題變得顯著。而且，如果促進(jìn)鉬或鉬合金的揮發(fā)，則鉬異物易于附著在通氣管41a的內(nèi)壁。
[0095]本實(shí)施方式中，即便在鉬異物易于附著在通氣管41a的內(nèi)壁的狀況下，因可由接收部41d接收從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物，由此也可抑制鉬異物混入至熔融玻璃G。由此，本實(shí)施方式的玻璃基板制造方法，對(duì)使用SnO2作為澄清劑的玻璃基板的制造步驟尤其有效。
[0096](3-4)
[0097]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200對(duì)如下情形尤其有效，即在鉬制或鉬合金制的澄清管41中，對(duì)適于制造液晶顯示器、等離子顯示器以及有機(jī)EL顯示器等FPD用玻璃基板的由玻璃原料生成的熔融玻璃進(jìn)行澄清。
[0098]澄清管41中，通過將熔融玻璃G的粘度調(diào)節(jié)為熔融玻璃G中所含的氣泡易于上浮至液面的值，而對(duì)熔融玻璃G進(jìn)行澄清。然而，適于FPD用玻璃基板的無堿玻璃以及含有微量堿的玻璃在高溫時(shí)具有高粘度。因此，在澄清步驟中，必須將熔融玻璃的溫度提高得高于通常的堿性玻璃的熔融玻璃的溫度，因此上述的鉬或鉬合金的揮發(fā)的問題變得顯著。而且，如果促進(jìn)鉬或鉬合金的揮發(fā)，則鉬異物易于附著在通氣管41a的內(nèi)壁。
[0099]本實(shí)施方式中，即便在鉬異物易于附著在通氣管41a的內(nèi)壁的狀況下，由于可由接收部41d接收從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物，因此也可抑制鉬異物混入至熔融玻璃G中。由此，本實(shí)施方式的玻璃基板制造方法對(duì)FH)用玻璃基板的制造步驟尤其有效。
[0100](4)變化例
[0101](4-1)變化例 A
[0102]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200中，通氣管41a具有接收從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物的接收部41d。接收部41d為如圖5所示般安裝在通氣管41a的內(nèi)壁面的環(huán)狀板。然而，接收部41d只要為可接收從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物的形狀，則也可為其他形狀。
[0103]圖6以及圖7是表示接收部41d的另一實(shí)施方式的圖。圖6與圖4相同地為沿澄清管141的長度方向垂直地切斷澄清管141而得的剖視圖。圖7與圖5相同地為沿圖6所示的箭頭VII的方向觀察的通氣管141a的外觀圖。圖7表示沿通氣管141a的長度方向從上方朝向下方觀察通氣管141a的狀態(tài)。
[0104]如圖7所示般，接收部141d設(shè)置在通氣管141a的內(nèi)壁面。接收部141d包括上接收部141dl、及下接收部141d2。上接收部141dl以及下接收部141d2分別具有半圓形狀。上接收部141dl以及下接收部141d2沿通氣管141a的長度方向而設(shè)置在互不相同的位置。具體而言，上接收部141dl設(shè)置在較下接收部141d2更高的位置。上接收部141dl以及下接收部141d2分別覆蓋通氣管141a的截面的一部分。因此，澄清管141內(nèi)的氣相空間141c的氣體通過通氣管141a而排出至外部氣體。
[0105]本變化例中，也通過接收部141d抑制鉬異物混入至熔融玻璃G中，因此可高產(chǎn)率地量產(chǎn)高品質(zhì)的玻璃基板。此外，與本實(shí)施方式相同地，接收部141d較佳為設(shè)置在較鉬凝固點(diǎn)更靠下方。由此，接收部141d可更有效地防止從通氣管141a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物。
[0106](4_2)變化例 B
[0107]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200中，接收部41d設(shè)置在通氣管41a的內(nèi)壁面。然而，接收部41d設(shè)置在較熔融玻璃G的液面LS更靠上方即可，例如，也可設(shè)置在澄清管41的氣相空間41c中。
[0108]圖8以及圖9是表示接收部41d的又一實(shí)施方式的圖。圖8與圖4相同地為沿澄清管241的長度方向垂直切斷澄清管241而得的剖視圖。圖9與圖5相同地為沿圖8所示的箭頭IX的方向觀察的通氣管241a的外觀圖。圖9表示沿通氣管241a的長度方向從上方朝向下方觀察通氣管241a的狀態(tài)。
[0109]如圖8所示般，接收部241d安裝在澄清管241的上方的內(nèi)壁面。接收部241d位于較熔融玻璃G的液面LS更靠上方。此外，如圖9所示般，接收部241d在俯視的情形時(shí)為具有多個(gè)孔的網(wǎng)狀板。在沿通氣管241a的長度方向從上方朝向下方觀察通氣管241a的情形時(shí)，通氣管241a的截面覆蓋接收部241d的網(wǎng)狀的板構(gòu)件。接收部241d覆蓋通氣管241a的截面的一部分。因此，澄清管241內(nèi)的氣相空間241c的氣體通過通氣管241a而排出至外部氣體。[0110]本變化例中，也通過接收部241d抑制鉬異物混入至熔融玻璃G中，因此可高產(chǎn)率地量產(chǎn)高品質(zhì)的玻璃基板。
[0111](4-3)變化例 C
[0112]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200中，通氣管41a具有接收從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物的接收部41d。接收部41d為如圖5所示般安裝在通氣管41a的內(nèi)壁面的環(huán)狀的板。然而，接收部41d也可由澄清管41的一部分構(gòu)成。
[0113]圖10以及圖11是表示接收部41d的再一實(shí)施方式的圖。圖10與圖4相同地為沿澄清管341的長度方向垂直切斷澄清管341而得的剖視圖。圖11與圖5相同地為沿圖10所示的箭頭XI的方向觀察的通氣管341a的外觀圖。圖11表示沿通氣管341a的長度方向從上方朝向下方觀察通氣管341a的狀態(tài)。
[0114]如圖11所示般，澄清管341具有圓形的排氣孔341e。排氣孔341e形成在澄清管341的上端部。排氣孔341e使澄清管341內(nèi)的氣相空間341c與安裝在澄清管341上的通氣管341a的內(nèi)部空間連通。如圖11所示般，排氣孔341e的內(nèi)徑小于通氣管341a的內(nèi)徑。此外，在沿通氣管341a的長度方向觀察通氣管341a的情形時(shí)，通氣管341a的圓形的截面形狀的中心位于與排氣孔341e的中心相同的位置。圖11中，澄清管341的外壁的一部分即位于較排氣孔341e的外周更靠外側(cè)、且位于較通氣管341a的內(nèi)壁面更靠內(nèi)側(cè)的部分，具有接收從通氣管341a的內(nèi)壁剝離的鉬異物的接收部341d的功能。澄清管341內(nèi)的氣相空間341c的氣體通過通氣管341a排出至外部氣體。
[0115]本變化例中，也通過由澄清管341的一部分構(gòu)成的接收部341d抑制鉬異物混入至熔融玻璃G中，因此可 高產(chǎn)率地量產(chǎn)高品質(zhì)的玻璃基板。
[0116](4-4)變化例 D
[0117]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200中，澄清管41、通氣管41a以及接收部41d由鉬或鉬合金成形，但也可由其他鉬族金屬成形。“鉬族金屬”是指包含單一的鉬族元素的金屬、以及包含鉬族元素的金屬的合金。鉬族元素為鉬(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、釕(Ru)、鋨(Os)以及銥(Ir)的6種元素。鉬族金屬雖然昂貴，但熔點(diǎn)較高，對(duì)熔融玻璃的耐腐蝕性優(yōu)
巳升。
[0118]-第2實(shí)施方式-
[0119](I)玻璃基板制造裝置的整體構(gòu)成
[0120]參照?qǐng)D式對(duì)本發(fā)明的玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖12是表示本實(shí)施方式的玻璃基板制造方法的步驟的一例的流程圖。
[0121]玻璃基板制造方法如圖12所示般，主要包括熔解步驟S1、澄清步驟S2、攪拌步驟S3、成形步驟S4、緩冷步驟S5、及切斷步驟S6。
[0122]熔解步驟SI中，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而獲得熔融玻璃。熔融玻璃貯存在熔解槽中，且以具有所期望的溫度的方式進(jìn)行通電加熱。在玻璃原料中添加有澄清劑。從降低環(huán)境負(fù)荷的觀點(diǎn)考慮，使用SnO2作為澄清劑。
[0123]澄清步驟S2中，熔融玻璃在澄清管的內(nèi)部流動(dòng)。首先，使熔融玻璃的溫度上升。澄清劑通過升溫產(chǎn)生還原反應(yīng)而釋放氧。熔融玻璃中所含的包含co2、n2、so2等氣體成分的氣泡吸收通過澄清劑的還原反應(yīng)而產(chǎn)生的氧。吸收氧而成長的氣泡上浮至熔融玻璃的液面而破裂并消失。消失的氣泡中所含的氣體釋放至澄清管內(nèi)的氣相空間，最終排出至外部氣體。其次，澄清步驟S2中，使熔融玻璃的溫度降低。由此，經(jīng)還原的澄清劑產(chǎn)生氧化反應(yīng)而吸收殘留在熔融玻璃中的氧等氣體成分。
[0124]攪拌步驟S3中，對(duì)已澄清的熔融玻璃進(jìn)行攪拌而使熔融玻璃的成分均質(zhì)化。由此，作為導(dǎo)致玻璃基板產(chǎn)生條紋等的原因的熔融玻璃的組成不均降低。均質(zhì)化的熔融玻璃被輸送至成形步驟S4。
[0125]成形步驟S4中，通過溢流下拉法或浮式法而從熔融玻璃連續(xù)地成形玻璃帶。
[0126]緩冷步驟S5中，對(duì)在成形步驟S4中連續(xù)地成形而得的玻璃帶以具有所期望的厚度、且不產(chǎn)生應(yīng)變以及翹曲的方式慢慢地冷卻。
[0127]切斷步驟S6中， 將已在緩冷步驟S5中緩冷的玻璃帶切斷為特定的長度而獲得玻璃片。進(jìn)而將玻璃片切斷為特定的尺寸而獲得玻璃基板。其后，進(jìn)行玻璃基板的端面的磨削以及研磨、及玻璃基板的清洗。進(jìn)而，檢查玻璃基板的損傷等缺陷的有無，將檢查為合格的玻璃基板打包并作為制品出貨。
[0128]圖13是表示本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200的構(gòu)成的一例的示意圖。玻璃基板制造裝置200包括熔解槽40、澄清管41、攪拌裝置100、成形裝置42、及移送管43a、43b、43c。移送管43a連接熔解槽40與澄清管41。移送管43b連接澄清管41與攪拌裝置100。移送管43c連接攪拌裝置100與成形裝置42。
[0129]在熔解槽40生成的熔融玻璃G通過移送管43a而流入至澄清管41。已在澄清管41澄清的熔融玻璃G通過移送管43b而流入至攪拌裝置100。已在攪拌裝置100攪拌的熔融玻璃G通過移送管43c而流入至成形裝置42。在成形裝置42中，通過溢流下拉法而從熔融玻璃G成形玻璃帶GR。玻璃帶GR在其后的步驟中被切斷為特定的大小而制造出玻璃基板。玻璃基板的寬度方向的尺寸為例如500_~3500_。玻璃基板的長度方向的尺寸為例如 500mm ~3500mm。
[0130]通過本發(fā)明的玻璃基板的制造方法、以及玻璃基板的制造裝置而制造的玻璃基板尤其適于用作液晶顯示器、等離子顯示器、有機(jī)EL顯示器等平板顯示器(FPD)用的玻璃基板。作為FPD用的玻璃基板，使用無堿玻璃、或含有微量堿的玻璃。FPD用的玻璃基板在高溫時(shí)的粘性較高。例如，具有IO2 5泊的粘性的熔融玻璃的溫度為1500°C以上。
[0131]熔解槽40包括燃燒爐等加熱機(jī)構(gòu)(未圖示)。熔解槽40中，通過加熱機(jī)構(gòu)使玻璃原料熔解而生成熔融玻璃G。玻璃原料是以實(shí)質(zhì)上可獲得所期望的組成的玻璃的方式制備。作為玻璃組成的一例，就適于作為Fro用的玻璃基板的無堿玻璃而言，含有SiO2:50質(zhì)量％~70質(zhì)量％、A1203:0質(zhì)量％~25質(zhì)量％、B203:1質(zhì)量％~15質(zhì)量％、MgO:0質(zhì)量％~10質(zhì)量％、CaO:0質(zhì)量％~20質(zhì)量％、SrO:0質(zhì)量％~20質(zhì)量％、BaO:0質(zhì)量％~10質(zhì)量％。于此，MgO、CaO、SrO以及BaO的合計(jì)含量為5質(zhì)量％~30質(zhì)量％。
[0132]此外，作為Fro用的玻璃基板，也可使用包含微量的堿金屬的含有微量堿的玻璃。含有微量堿的玻璃作為成分而包含0.1質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％的R' 20，較佳為包含0.2質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％的1?' 20。于此，R'是選自L1、Na以及K中的至少I種。另外，R' 20的合計(jì)含量也可低于0.1質(zhì)量％。
[0133]此外，作為FPD用的玻璃基板，也可不使用非晶硅而使用多晶硅(低溫多晶硅)。例如，以質(zhì)量％表示時(shí)，可例示含有以下成分的玻璃板。(I)SiO2:52%~78% ； (2)Al2O3:3%~25% ； (3)B2O3:3%~15% ; (4) RO(其中，RO 為 MgO、CaO、SrO 以及 BaO 中的包含于玻璃板中的所有成分的合計(jì)量):3^-20% ;以及(4)質(zhì)量比(Si02+Al203)/B203:7~20。
[0134]通過本發(fā)明制造的玻璃除上述成分以外，還可包含有SnO2:0.01質(zhì)量％~I質(zhì)量％ (較佳為0.01質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％ ) ,Fe2O3:0質(zhì)量％~0.2質(zhì)量％ (較佳為0.01質(zhì)量％~0.08質(zhì)量％ )。此外，通過本發(fā)明制造的玻璃，考慮到環(huán)境負(fù)荷而實(shí)質(zhì)上也可包含As203、Sb2O3 以及 PbO。
[0135]如上述般制備的玻璃原料，使用原料投入機(jī)(未圖示)投入至熔解槽40中。原料投入機(jī)既可使用螺旋進(jìn)料器進(jìn)行玻璃原料的投入，也可使用鏟斗進(jìn)行玻璃原料的投入。熔解槽40中，玻璃原料被加熱至與其組成等對(duì)應(yīng)的溫度而熔解。由此，在熔解槽40中，獲得例如1500°C~1600°C的高溫的熔融玻璃G。另外，在熔解槽40中，也可通過在由鑰、鉬或氧化錫等成形的至少I對(duì)電極間流過電流，而對(duì)電極間的熔融玻璃G進(jìn)行通電加熱，此外，也可通過在進(jìn)行通電加熱之外還輔助性施加燃燒爐的火焰來對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱。[0136]在熔解槽40獲得的熔融玻璃G從熔解槽40通過移送管43a而流入至澄清管41。澄清管41以及移送管43a、43b、43c為鉬制或鉬合金制的管。與熔解槽40相同地，在澄清管41設(shè)置有加熱機(jī)構(gòu)。澄清管41中，通過使熔融玻璃G進(jìn)一步升溫而澄清。例如在澄清管41中，使熔融玻璃G的溫度上升至1500°C~1700°C。
[0137]在澄清管41中澄清的熔融玻璃G從澄清管41通過移送管43b而流入至攪拌裝置100。熔融玻璃G在通過移送管43b時(shí)被冷卻。在攪拌裝置100中，以較通過澄清管41的熔融玻璃G的溫度低的溫度對(duì)熔融玻璃G進(jìn)行攪拌。例如在攪拌裝置100中，熔融玻璃G的溫度為1250°C~1450°C。例如在攪拌裝置100中，熔融玻璃G的粘度為500泊~1300泊。熔融玻璃G在攪拌裝置100中進(jìn)行攪拌而均質(zhì)化。
[0138]在攪拌裝置100中均質(zhì)化的熔融玻璃G從攪拌裝置100通過移送管43c而流入至成形裝置42。熔融玻璃G在通過移送管43c時(shí)，以成為適于熔融玻璃G的成形的粘度方式被冷卻。例如，熔融玻璃G被冷卻至1200°C附近。在成形裝置42中，通過溢流下拉法而使熔融玻璃G成形。具體而言，流入至成形裝置42的熔融玻璃G供給至設(shè)置在成形爐(未圖示)的內(nèi)部的成形體52。成形體52由耐火磚成形，且具有楔形的截面形狀。在成形體52的上表面，沿成形體52的長度方向而形成有槽。熔融玻璃G供給至成形體52的上表面的槽中。從槽溢出的熔融玻璃G沿著成形體52的一對(duì)側(cè)面而向下方流下。向下游過成形體52的側(cè)面的一對(duì)熔融玻璃G在成形體52的下端合流，從而連續(xù)地成形玻璃帶GR。玻璃帶GR隨著向下方流動(dòng)而慢慢地冷卻，其后切斷為所期望的長度的玻璃片。
[0139](2)澄清管的構(gòu)成
[0140]其次，對(duì)澄清管41的詳細(xì)構(gòu)成進(jìn)行說明。圖14是澄清管41的外觀圖。圖15是沿澄清管41的長度方向垂直切斷澄清管41而得的剖視圖。澄清管41具有例如0.5mm~1.5mm的厚度，且具有300mm~500mm的內(nèi)徑。在澄清管41安裝有通氣管41a、以及一對(duì)加熱電極41b。在澄清管41的內(nèi)部，在上方形成有氣相空間41c的狀態(tài)下游動(dòng)熔融玻璃G。即，在澄清管41的內(nèi)部，如圖15所示般存在熔融玻璃G的液面LS。通氣管41a的內(nèi)部空間與氣相空間41c連通。此外，通過在一對(duì)加熱電極41b之間流動(dòng)電流而對(duì)澄清管41進(jìn)行通電加熱。由此，通過澄清管41的內(nèi)部的熔融玻璃G被加熱而澄清。在熔融玻璃G的澄清過程中，熔融玻璃G中所含的包含C02、N2, SO2等氣體成分的氣泡吸收通過澄清劑的還原反應(yīng)而產(chǎn)生的氧。吸收氧而成長的氣泡上浮至熔融玻璃G的液面LS而破裂并消失。消失的氣泡中所含的氣體，釋放至澄清管41內(nèi)的氣相空間41c中，并經(jīng)由通氣管41a而排出至外部氣體。
[0141]通氣管41a安裝在澄清管41的外壁面，且向澄清管41的外側(cè)突出。本實(shí)施方式中，如圖15所示般，通氣管41a安裝在澄清管41的外壁面的上端部，且向澄清管41的上方呈煙囪狀突出。通氣管41a使作為澄清管41的內(nèi)部空間的一部分的氣相空間41c、與作為澄清管41的外部空間的外部氣體連通。通氣管41a與澄清管41相同地由鉬或鉬合金成形。通氣管41a具有例如0.5mm~1.5mm的厚度，且具有IOmm~IOOmm的內(nèi)徑。
[0142]加熱電極41b為分別安裝在澄清管41的兩端部的凸緣形狀的電極板。加熱電極41b與電源(未圖示)連接。通過對(duì)加熱電極41b供給電力而使電流流過一對(duì)加熱電極41b之間的澄清管41來對(duì)澄清管41進(jìn)行通電加熱。由此，澄清管41被加熱至例如1700°C，在澄清管41的內(nèi)部流動(dòng)的熔融玻璃G被加熱至熔融玻璃G中所含的澄清劑即SnO2產(chǎn)生還原反應(yīng)的溫度、例如1600°C~1650°C。通過對(duì)流過澄清管41的電流進(jìn)行控制，而可控制在澄清管41的內(nèi)部流動(dòng)的熔融玻璃的溫度。
[0143]圖16是表示澄清管41的側(cè)視圖與澄清管41的溫度分布的對(duì)應(yīng)關(guān)系的圖。圖16的上段圖為澄清管41的側(cè)視圖。圖16的下段圖為表示澄清管41的溫度分布的曲線圖。在表示澄清管41的溫度分布的曲線圖中，橫軸表示澄清管41的長度方向的位置，縱軸表示澄清管41的溫度。
[0144]具有凸緣形狀的加熱電極41b具有較高的散熱效果，因此澄清管41的兩端部與澄清管41的兩端部之間的中間部相比更易于散熱。因此，如圖16所示般，澄清管41的兩端部、即一對(duì)加熱電極41b的附近在澄清管41的長度方向上為溫度最低的區(qū)域。另一方面，在澄清管41的中間部，在澄清管41的長度方向上存在溫度最高的區(qū)域。即，澄清管41的溫度分布具有表現(xiàn)出相較于澄清管41的兩端部的溫度而澄清管41的中間部的溫度較高的傾向的向上凸出的形狀。通氣管41a設(shè)置在澄清管41的長度方向上的澄清管41的溫度分布的最高溫度區(qū)域R。如圖16所示般，最高溫度區(qū)域R為澄清管41的溫度分布呈現(xiàn)最高溫度的點(diǎn)即最高溫度點(diǎn)P附近的區(qū)域。最高溫度區(qū)域R在將澄清管41的最高溫度、即最高溫度點(diǎn)P上的澄清管41的溫度示為Tmax°C的情形時(shí)，較佳為(Tmax-20) V~Tmax°C的范圍內(nèi)的溫度區(qū)域，更佳為(Tmax-1O) °C~Tmax°C的范圍內(nèi)的溫度區(qū)域，尤其佳為(Tmax-5) °C~T_C的范圍內(nèi)的溫度區(qū)域。
[0145]另外，澄清管41的長度方向上的通過澄清管41的內(nèi)部的熔融玻璃G的溫度分布呈現(xiàn)與澄清管41的溫度分布相同的傾向而具有向上凸出的形狀。熔融玻璃G的溫度分布的峰值與澄清管41的溫度分布的峰值相比位于更靠熔融玻璃G的下游側(cè)。其原因在于，熔融玻璃G沿澄清管41的長度方向在澄清管41的內(nèi)部流動(dòng)，且一面與澄清管41進(jìn)行熱交換一面流動(dòng)。
[0146]此外，雖未示于圖14以及圖15中，但在澄清管41的外壁面設(shè)置有包含高鋁水泥等的耐火保護(hù)層。在耐火保護(hù)層的外壁面還設(shè)置有耐火磚。耐火磚載置在基座(未圖示)上。即，澄清管41由耐火保護(hù)層以及耐火磚從下方支撐。
[0147]此外，在澄清管41的沿長度方向的截面上，澄清管41的外壁面、澄清管41的內(nèi)壁面、澄清管41內(nèi)的熔融玻璃G、澄清管41內(nèi)的氣相空間41c各自的溫度不同，但澄清管41的溫度分布也可為澄清管41`的外壁面上的溫度分布、澄清管41的內(nèi)壁面上的溫度分布、澄清管41內(nèi)的熔融玻璃G的溫度分布、澄清管41內(nèi)的氣相空間41c的溫度分布的任一者。此外，與澄清管41的底面接觸的熔融玻璃G的溫度、與澄清管41內(nèi)的氣相空間41c接觸的熔融玻璃G的溫度、與澄清管41內(nèi)的熔融玻璃G接觸的氣相空間41c的溫度、及與澄清管41的內(nèi)壁面接觸的氣相空間41c的溫度各不相同，但也可使用通過測(cè)定任一溫度而形成的溫度分布。因此，也可將澄清管41設(shè)置在任一溫度分布的最高溫度點(diǎn)P附近的區(qū)域。
[0148](3)特征
[0149](3-1)
[0150]本實(shí)施方式的玻璃基板制造方法中，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成的熔融玻璃G在通過澄清管41的內(nèi)部時(shí)被加熱。在澄清管41的內(nèi)部，通過添加至熔融玻璃G中的澄清劑即SnO2的氧化還原反應(yīng)，而將熔融玻璃G中所含的包含CO2或SO2的氣泡除去。具體而言，首先通過提高熔融玻璃G的溫度使澄清劑還原，而在熔融玻璃G中產(chǎn)生氧氣泡。熔融玻璃G中所含的包含C02、N2、S02等氣體成分的氣泡吸收通過澄清劑的還原反應(yīng)而產(chǎn)生的氧。吸收氧而成長的氣泡上浮至熔融玻璃G的液面LS而破裂并消失。消失的氣泡中所含的氣體釋放至氣相空間41c中，并經(jīng)由通氣管41a而排出至外部氣體。其次，降低熔融玻璃G的溫度而使經(jīng)還原的澄清劑氧化。由此，殘留在熔融玻璃G中的氧氣泡被熔融玻璃G吸收。如此，通過澄清劑的氧化還原反應(yīng)而將熔融玻璃G中所含的氣泡除去。
[0151]澄清管41為鉬制或鉬合金制。鉬或鉬合金的熔點(diǎn)較高，對(duì)熔融玻璃G的耐腐蝕性優(yōu)異，因此適于作為與高溫的熔融玻璃G接觸的澄清管41的材質(zhì)。然而，因長期使用澄清管41而導(dǎo)致鉬成分從澄清管41的內(nèi)壁慢慢揮發(fā)。包含鉬的揮發(fā)物與熔融玻璃G中所含的氣泡一同釋放至氣相空間41c中，并經(jīng)由通氣管41a而排出至外部氣體。然而，包含鉬的揮發(fā)物在通過通氣管41a的過程中溫度降低而易于成為過飽和狀態(tài)。因此，凝固的揮發(fā)物作為鉬異物而附著在通氣管41a的內(nèi)壁。而且，附著在通氣管41a的內(nèi)壁的鉬異物隨著時(shí)間的經(jīng)過而成長。成長的鉬異物有可能因自重從通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落。此外，在澄清管41的維護(hù)作業(yè)時(shí)，在從通氣管41a的內(nèi)壁面除去鉬異物時(shí)，鉬異物有可能下落。
[0152]此外，包含鉬的揮發(fā)物在朝向通氣管41a通過澄清管41的氣相空間41c的過程中，存在隨著從高溫部流向低溫部而溫度降低的情形。該情形時(shí)，在氣相空間41c中，包含鉬的揮發(fā)物也易于成為過飽和狀態(tài)，凝固的揮發(fā)物有時(shí)作為鉬異物而附著在澄清管41的內(nèi)壁。而且，附著在澄清管41的內(nèi)壁的鉬異物隨著時(shí)間的經(jīng)過而成長，有可能因自重從澄清管41的內(nèi)壁面剝離而下落。
[0153]本實(shí)施方式中，通氣管41a設(shè)置在澄清管41的長度方向上溫度最高的部分、即澄清管41的溫度分布的最高溫度區(qū)域。由此，在澄清管41內(nèi)產(chǎn)生的包含鉬的揮發(fā)物經(jīng)由在氣相空間41c內(nèi)具有最高溫度的空間而流入至通氣管41a的內(nèi)部。因此，包含鉬的揮發(fā)物在氣相空間41c中從低溫部向高溫部流動(dòng)并從通氣管41a排出，因此抑制氣相空間41c中的包含鉬的揮發(fā)物的過飽和狀態(tài)。由此，抑制在澄清管41的氣相空間41c中的內(nèi)壁附著鉬異物。此外，流過通氣管41a的氣體的溫度保持得盡可能高，因此抑制在通氣管41a的內(nèi)壁附著鉬異物。由此，抑制鉬異物從澄清管41的內(nèi)壁以及通氣管41a的內(nèi)壁下落并混入至熔融玻璃G中。
[0154]在通氣管41a未設(shè)置在澄清管41的溫度分布的最高溫度區(qū)域的情形時(shí)，包含鉬的揮發(fā)物有可能在流入至通氣管41a的內(nèi)部之前溫度便降低。該情形時(shí)，存在包含鉬的揮發(fā)物凝固在通氣管41a的內(nèi)壁而在通氣管41a的內(nèi)壁附著鉬異物的顧慮。
[0155]此外，在通氣管41a未設(shè)置在澄清管41的溫度分布的最高溫度區(qū)域的情形時(shí)，在澄清管41的氣相空間41c中，包含鉬的揮發(fā)物從高溫部流向低溫部。由此，在氣相空間41c中，有溫度降低的包含鉬的揮發(fā)物成為過飽和狀態(tài)，而在澄清管41的內(nèi)壁以及通氣管41a的內(nèi)壁凝固并在該等內(nèi)壁附著鉬異物的顧慮。
[0156]而且，存在從澄清管41的內(nèi)壁面以及通氣管41a的內(nèi)壁面剝離而下落的鉬異物混入至熔融玻璃G的顧慮。如果鉬異物混入至熔融玻璃G中，則有成為制造的玻璃基板的品質(zhì)缺陷的顧慮。本實(shí)施方式中，通過通氣管41a設(shè)置在澄清管41的溫度分布的最高溫度區(qū)域，而抑制鉬異物混入至熔融玻璃G，從而可高產(chǎn)率地量產(chǎn)高品質(zhì)的玻璃基板。
[0157](3-2)
[0158]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200，在鉬制或鉬合金制的澄清管41使用SnO2作為澄清劑的情形時(shí)尤其有效。近年來，從環(huán)境負(fù)荷的觀點(diǎn)考慮，使用SnO2代替As2O3來作為澄清劑。在使用SnO2的情形時(shí)，相較于使用As2O3的情形，在澄清管41中必須使熔融玻璃G為更高溫，因此鉬或鉬合金的揮發(fā)的問題變得顯著。而且，如果促進(jìn)鉬或鉬合金的揮發(fā)，則鉬異物易于附著在澄清管41的內(nèi)壁以及通氣管41a的內(nèi)壁。
[0159]本實(shí)施方式中，即便在促進(jìn)鉬或鉬合金的揮發(fā)而易于在澄清管41的內(nèi)壁以及通氣管41a的內(nèi)壁附著鉬異物的狀況下，通過通氣管41a設(shè)置在澄清管41的溫度分布的最高溫度區(qū)域來抑制鉬或鉬合金的凝固，因此也可抑制鉬異物混入至熔融玻璃G。由此，本實(shí)施方式的玻璃基板制造方法對(duì)使用SnO2作為澄清劑的玻璃基板的制造步驟尤其有效。
[0160](3-3)
[0161]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200對(duì)如下情形尤其有效，即在鉬制或鉬合金制的澄清管41中，對(duì)適于制造液晶顯示器、等離子顯示器以及有機(jī)EL顯示器等FPD用玻璃基板的由玻璃原料生成的熔融玻璃進(jìn)行澄清。
[0162]澄清管41中，通過將熔融玻璃G的粘度調(diào)節(jié)為熔融玻璃G中所含的氣泡易于上浮至液面的值，而對(duì)熔融玻璃G進(jìn)行澄清。然而，適于FPD用玻璃基板的無堿玻璃以及含有微量堿的玻璃在高溫時(shí)具有高粘度。例如，用以成形無堿玻璃以及含有微量堿的玻璃而使用的熔融玻璃在粘度為IO2 5泊的情形時(shí)具有1500°C以上的溫度。因此，在澄清步驟中，必須將熔融玻璃的溫度提高得高于通常的堿性玻璃的熔融玻璃的溫度，因此上述的鉬或鉬合金的揮發(fā)的問題變得顯著。而且，如果促進(jìn)鉬或鉬合金的揮發(fā)，則鉬異物易于附著在澄清管41的內(nèi)壁以及通氣管41a的內(nèi)壁。
[0163]本實(shí)施方式中，即便在促進(jìn)鉬或鉬合金的揮發(fā)而易于在澄清管41的內(nèi)壁以及通氣管41a的內(nèi)壁附著鉬異物的狀況下，通過通氣管41a設(shè)置在澄清管41的溫度分布的最高溫度區(qū)域來抑制鉬或鉬合金的凝固，因此也可抑制鉬異物混入至熔融玻璃G。由此，本實(shí)施方式的玻璃基板制造方法對(duì)FPD用玻璃基板的制造步驟尤其有效。
[0164](4)變化例
[0165]本實(shí)施方式的玻璃基板制造裝置200中，澄清管41以及通氣管41a由鉬或鉬合金成形，但也可由其他鉬族金屬成形?！般f族金屬”是指包含單一的鉬族元素的金屬、以及包含鉬族元素的金屬的合金。鉬族元素為鉬(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、釕(Ru)、鋨(Os)以及銥(Ir)的6種元素。鉬族金屬雖然昂貴，但熔點(diǎn)較高，對(duì)熔融玻璃的耐腐蝕性優(yōu)異。
【權(quán)利要求】
1.一種玻璃基板的制造方法，其包括: 熔融步驟，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成熔融玻璃； 澄清步驟，將所述熔融玻璃澄清；以及 成形步驟，從已澄清的所述熔融玻璃成形玻璃基板；且 在所述澄清步驟中，所述熔融玻璃在鉬制或鉬合金制的澄清管的內(nèi)部以形成有較所述熔融玻璃的液面更靠上方的空間即氣相空間的方式流動(dòng)， 所述澄清管包括:通氣管，其從所述澄清管的外壁面向外側(cè)突出；以及接收部，其設(shè)置在較所述熔融玻璃的液面更靠上方；且 所述通氣管使所述氣相空間與所述澄清管的外部空間連通， 所述接收部在沿所述通氣管的長度方向觀察所述通氣管的情形時(shí)，覆蓋所述通氣管的截面的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于: 所述接收部在所述通氣管中，設(shè)置在較具有存在于所述氣相空間中的包含鉬的氣體凝固的溫度的部分更靠下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于: 熔融玻璃包含SnO2作為澄清劑。
4.一種玻璃基板的制造裝置，其包括: 熔融槽，其對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成熔融玻璃； 澄清管，其將在所述熔融槽中生成的所述熔融玻璃澄清；以及成形裝置，其從在所述澄清管中澄清的所述熔融玻璃成形玻璃基板；且所述澄清管為以形成有較所述熔融玻璃的液面更靠上方的空間即氣相空間的方式在內(nèi)部流動(dòng)所述熔融玻璃的鉬制或鉬合金制的管； 所述澄清管包括:通氣管，其從所述澄清管的外壁面向外側(cè)突出；以及接收部，其設(shè)置在較所述熔融玻璃的液面更靠上方；且 所述通氣管使所述氣相空間與所述澄清管的外部空間連通， 所述接收部在沿所述通氣管的長度方向觀察所述通氣管的情形時(shí)，覆蓋所述通氣管的截面的一部分。
5.一種玻璃基板的制造方法，其包括: 熔融步驟，對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成熔融玻璃； 澄清步驟，將所述熔融玻璃澄清；以及 成形步驟，從已澄清的所述熔融玻璃成形玻璃基板； 在所述澄清步驟中，所述熔融玻璃在鉬制或鉬合金制的澄清管的內(nèi)部以形成有較所述熔融玻璃的液面更靠上方的空間即氣相空間的方式流動(dòng)， 所述澄清管具有從所述澄清管的外壁面向外側(cè)突出的通氣管， 所述通氣管使所述氣相空間與所述澄清管的外部空間連通，且設(shè)置在所述澄清管的長度方向上的所述澄清管的溫度分布的最高溫度區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于: 所述熔融玻璃包含SnO2作為澄清劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于:所述熔融玻璃在粘度為IO2 5泊的情形時(shí)具有1500°C以上的溫度。
8.一種玻璃基板的制造裝置，其包括: 熔融槽，其對(duì)玻璃原料進(jìn)行加熱而生成熔融玻璃； 澄清管，其將在所述熔融槽中生成的所述熔融玻璃澄清；以及成形裝置，其從在所述澄清管中澄清的所述熔融玻璃成形玻璃基板；且所述澄清管為以形成有較所述熔融玻璃的液面更靠上方的空間即氣相空間的方式在內(nèi)部流動(dòng)所述熔融玻璃的鉬制或鉬合金制的管， 所述澄清管具有從所述澄清管的外壁面向外側(cè)突出的通氣管， 所述通氣管使所述氣相空間與所述澄清管的外部空間連通，且設(shè)置在所述澄清管的長度方向上的所述澄清管的溫度分布的最高溫度區(qū)域。
【文檔編號(hào)】C03B5/225GK103663927SQ201310392317
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月4日
【發(fā)明者】藤本慎吾, 濱谷貴央 申請(qǐng)人:安瀚視特控股株式會(huì)社