一種低電壓駐波比吸收體制備工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，包括如下步驟：A、粉料制備：將A-75氧化鋁瓷粉及石墨等原料按25:1比例稱取，加入一定比例的粘合劑和水，均勻混合，造粒，并通過20目篩網(wǎng)，陳腐72h。B、干壓成型：根據(jù)不同吸收體外形要求，選用不同模具，添加適量粉料，施加合適壓力，保壓1s～3s，脫模，取出成型吸收體坯體。C、燒成：還原氣氛燒成，熄火后，待窯內(nèi)溫度自然降溫冷卻至40°C～60°C時，將吸收體半成品取出。D、磨加工：按圖紙對吸收體半成品進(jìn)行磨加工。E、調(diào)試與測試：根據(jù)吸收體要求測試頻率測試其電壓駐波比。采用本發(fā)明采用上述工藝制得的吸收體外觀一致性良好，結(jié)構(gòu)致密均勻，具有低電壓駐波比、高抗壓強(qiáng)度、高衰減及高熱導(dǎo)率等特點。
【專利說明】一種低電壓駐波比吸收體制備工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種功能性衰減材料的制備工藝，具體涉及一種低電壓駐波比吸收體制備工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]作為環(huán)境科學(xué)與軍事尖端技術(shù)的重要組成部分，微波吸收材料已成為當(dāng)今科技研究的熱點，例如用于雷達(dá)、通信、地面重要的軍事設(shè)備、空中的飛行器以及建造保密的微波隔離室等都需要大量使用微波衰減材料來阻止對方的發(fā)現(xiàn)、跟蹤和襲擊，同時，在許多微波電真空器件中，它也是一種不可缺少的關(guān)鍵材料。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，微波吸收材料也越來越廣泛應(yīng)用到生活中，如:太陽能裝置、暗室等。這些吸波材料主要以C、S1、Zn、Fe等元素組成，易于生產(chǎn)。
[0003]軍用微波吸收材料的研究和應(yīng)用，在軍事上具有特殊作用，必須對其進(jìn)行軍事技術(shù)保密，因此，關(guān)于微波吸收材料的公開報道很少。也正由于此，微波吸收材料向著多體系發(fā)展，目前，重點研究并受到廣泛重視的吸波材料主要有以下幾種:
鐵氧體吸波材料:具有亞鐵磁性和介電性能，它的相對磁導(dǎo)率和相對電導(dǎo)率均呈復(fù)數(shù)形式，既能產(chǎn)生介電損耗又能產(chǎn)生磁滯損耗且吸波性能良好，具有吸收強(qiáng)、頻帶較寬及成本低的特點，已廣泛應(yīng)用于隱身技術(shù)，如美國的B-2隱形轟炸機(jī)的機(jī)身和機(jī)翼最外層是鐵氧體涂層。但鐵氧體吸波材料有較大的密度和較低的居里溫度，并且高溫穩(wěn)定性差，在高溫環(huán)境和高頻段范圍內(nèi)它們的吸波性能會產(chǎn)生衰減，限制了其在特定環(huán)境中的廣泛應(yīng)用。
[0004]納米吸波材料:比表面積大、表面原子比例高、懸掛鍵多，具有極好的吸波特性，頻段寬、兼容性好、質(zhì)量小和厚度薄等特點，在吸波領(lǐng)域中有廣闊的應(yīng)用前景。目前，美、法、 日、俄等國家都把納米吸波材料作為新一代隱身材料進(jìn)行探索和研究。但該項研究所需投入巨大，距材料大規(guī)模生產(chǎn)投入使用還有較長時間。
[0005]導(dǎo)電高分子吸波材料:利用某些共軛主鏈的高分子聚合物，通過化學(xué)或電化學(xué)方法與摻雜劑進(jìn)行電荷轉(zhuǎn)移作用來設(shè)計其導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)主抗匹配和電磁損耗，從而吸收雷達(dá)波。它具有良好的導(dǎo)電性，適用頻帶較寬且可以阻礙表面能傳遞，以減小電磁波的能量。 但要實現(xiàn)導(dǎo)電高聚物的實用化，仍有以下問題等待解決:改善加工性能、穩(wěn)定性和拓寬使用溫度范圍。
[0006]以上幾種吸波材料均存在不同的缺陷，現(xiàn)如今還沒有這樣一種吸波材料能同時滿足制備工藝簡單、操作方便且吸收體外觀一致性良好，結(jié)構(gòu)致密均勻，具有低電壓駐波比、 高抗壓強(qiáng)度、高衰減及高熱導(dǎo)率等特點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，通過本工藝制備出的吸收體，產(chǎn)品外觀一致性良好，結(jié)構(gòu)致密均勻，具有低電壓駐波比、高抗壓強(qiáng)度、高衰減及高熱導(dǎo)率等特點。[0008]為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，包括如下步驟:
A、粉料制備:將A-75氧化鋁瓷粉及石墨按25:1比例稱取，加入比例小于等于1:1的粘合劑和水，均勻混合，造粒，并通過20目篩網(wǎng)，陳腐72h ；
B、干壓成型:根據(jù)不同吸收體外形要求，選用不同模具，添加粉料，施加0.1 — 22MPa之間的壓力，保壓Is~3s，脫模，取出成型吸收體坯體；
C、燒成:將吸收體坯體放入還原氣氛窯爐中，按以下燒成設(shè)定溫度與燒成設(shè)定時間之間的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行燒成，當(dāng)燒成設(shè)定溫度為100°C，允許溫差為±20°C，燒成設(shè)定時間為 1.2h ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度范圍在100°C—250°C時，允許溫差為±20°C，設(shè)定溫度每增加50°C， 燒成設(shè)定時間增加1.2h ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度范圍在250°C — 400°C時，允許溫差為±15°C，設(shè)定溫度每增加50°C，燒成設(shè)定時間增加1.2h ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度范圍在400°C — 1000°C時， 允許溫差為±15°C，設(shè)定溫度每增加100°C，燒成設(shè)定時間增加Ih ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度范圍在 1000°C — 1200°C時，允許溫差為±10°C，設(shè)定溫度每增加100°C，燒成設(shè)定時間增加Ih ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度從1200°C升高到1270°C時，允許溫差為±10°C，燒成設(shè)定時間增加2h ；
D、磨加工:將步驟C中制得的吸收體進(jìn)行磨加工，然后將加工后的吸收體整齊排列放于耐火板上，放入電窯升溫至350°C~450°C，保溫5~IOmin后取出，烘干水分并自然冷卻；
E、調(diào)試與測試:電窯升溫至520°C時，放入吸收體，保溫5~IOmin后取出吸收體，根據(jù)吸收體要求設(shè)置對應(yīng)測試頻率測試其電壓駐波比。當(dāng)初測電壓駐波比不合格時，可在 520°C~550°C溫度范圍內(nèi)進(jìn)行多次保溫、測試，直至吸收體電壓駐波比合格。吸收體多次保溫、測試時，每次設(shè)定溫度增加5~10°C，保溫時間為5~lOmin。
[0009]優(yōu)選的,調(diào)試與測試:測試吸收體的電壓駐波比,測試頻率:8.5 GHz -9.6 GHz，要求電壓駐波比S ( 1.1，測試吸收體的電壓駐波比沒有達(dá)到S ( 1.1，則按以下情況進(jìn)行調(diào)試,直到電壓駐波比S < 1.1:
a)測試吸收體超過1/3測試頻率范圍內(nèi)，電壓駐波比S≥1.5的剔除；
b)測試吸收體電壓駐波比在1.3~1.5之間，則將測試吸收體放入電窯溫度為525°C 保溫情況下繼續(xù)氧化8min~IOmin ；
c)測試吸收體電壓駐波比在1.2~1.3之間，則將測試吸收體放入電窯溫度為525°C 保溫情況下繼續(xù)氧化5min ；
d)測試吸收體電壓駐波比在1.1~1.2之間，則將測試吸收體放入電窯溫度為520°C 保溫情況下繼續(xù)氧化5min ；
e)測試吸收體電壓駐波比<1.1，即為電壓駐波比合格產(chǎn)品。
[0010]在粉料制備過程中，加入的粘合劑所占的比例占總共的5%-10%，加入的水所占的比例占總共的10%_15%，粘合劑和水的最大比例為1:1。在干壓成型操作中添加粉料的多少是根據(jù)生產(chǎn)吸收體的大小決定的，而壓力的選擇則是根據(jù)生產(chǎn)吸收體的體積大小來確定的，對于該領(lǐng)域的技術(shù)人員，只需根據(jù)吸收體的體積大小就可以很快的判斷出所需要的壓力范圍。對于磨加工操作我們都是根據(jù)先前設(shè)計好的圖紙，按照圖紙上的要求進(jìn)行加工操作。
[0011]優(yōu)選的，所述的步驟C中按照燒成設(shè)定溫度與燒成設(shè)定時間之間的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行三個階段燒成，首先進(jìn)行第一階段燒成，燒成設(shè)定溫度范圍在20°C -400°C之間；待第一階段升溫完畢后，燒成設(shè)定溫度以每小時100°C的速度升溫至1200°C，進(jìn)行第二階段燒成；最后進(jìn)行第三階段燒成，燒成設(shè)定溫度范圍在1200°C -1270°C之間；熄火后，待窯內(nèi)溫度自然降溫冷卻至40°C~60°C時，取出吸收體半成品，用毛刷刷去吸收體半成品上的膠體石墨粉。
[0012] 第一階段燒成為吸收體坯體中粘合劑及自由水排出階段,吸收體坯體之間塑性加強(qiáng)，該階段需升溫較慢，避免由于粘合劑過快排出，導(dǎo)致吸收體坯體出現(xiàn)氣孔或變形。第二階段燒成中，400°C~600°C之間為高嶺土中結(jié)合水的脫水溫度范圍；600°C~1200°C為高嶺土中可溶物K20、Na20、Ca0等熔融溫度，同時在該溫度范圍內(nèi)，部分有機(jī)物分解、揮發(fā)。該溫區(qū)升溫平緩，以防止吸收體坯體內(nèi)分解氣體形成高氣壓導(dǎo)致坯體開裂或熔融物質(zhì)融化速率控制不當(dāng)，使得吸收體坯體收縮不一致，引起吸收體坯體開裂或變形。第三階段燒成為成瓷收縮期，對較大的吸收坯體，保溫時間可適當(dāng)延長，以保證吸收體坯體的一致性良好。
[0013]優(yōu)選的，所述的步驟C中吸收體坯體還原氣氛燒成時需先用膠體石墨粉壓緊，均勻墊在耐火匣缽底層，再將坯體置于耐火匣缽中立放，其間用膠體石墨粉壓緊填充；坯體疊放燒成時，層與層之間需要撒上膠體石墨粉并壓緊，最后，當(dāng)最上層的坯體也擺放整齊后， 膠體石墨粉壓緊并填充滿整個耐火匣缽，然后蓋上耐火匣缽蓋，放入窯爐。
[0014]優(yōu)選的，墊在耐火匣缽底層的膠體石墨粉的厚度范圍在2_3cm之間。
[0015]優(yōu)選的，吸收體坯體置于耐火匣缽中立放后，吸收體胚體分別距離匣缽四個面的距離范圍在3-4cm之間。
[0016]優(yōu)選的，吸收體坯體疊放燒成時，層與層之間撒上膠體石墨粉的厚度范圍在 1-1.5cm 之間。
[0017]最上層的吸收體坯體距離耐火匣缽頂部至少3cm。
[0018]優(yōu)選的,所述的步驟A中A-75氧化招瓷粉用球磨機(jī)球磨IOh~15h,粘合劑采用遇水粘性很強(qiáng)的黃糊精。制得的A-75氧化鋁瓷粉粒徑在0.3mm以下，石墨粉劑粒徑在13um 以下。
[0019]優(yōu)選的，所述的步驟B干壓成型前30min，需將步驟A中制得的陳腐后的粉料過20 目篩網(wǎng)。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:通過本工藝制備出的吸收體，以A-75氧化鋁瓷粉及石墨為主要原料配制而成，制作工藝簡單，方便操作且吸收體外觀一致性良好， 結(jié)構(gòu)致密均勻，具有低電壓駐波比、高抗壓強(qiáng)度、高衰減及高熱導(dǎo)率等特點，廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、微波接力通訊、無線電系統(tǒng)等領(lǐng)域。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明的制備工藝流程圖；
圖2是吸收體RZ7.714.000外形示意圖；
圖3是吸收體RZ7.714.000磨加工參考圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步闡述，本發(fā)明的實施例不限于此。[0023]實施例1:
如1-3圖所示，圖3中各個尺寸的單位均為毫米，以石墨干壓料制作吸收體，編號 RZ7.714.000 為例(基本尺寸 22.8mm* 10.lmm*35mm ;波導(dǎo)口徑:BJ100 ;測試頻率:8.5 GHz -9.6 GHz ;電壓駐波比≤1.1 ;外形尺寸見圖2)。一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，包括如下步驟:A、粉料制備:將A-75氧化鋁瓷粉及石墨按25:1比例稱取，加入比例小于等于1:1的粘合劑和水，均勻混合，造粒，并通過20目篩網(wǎng)，陳腐72h ；
B、干壓成型:根據(jù)不同吸收體外形要求，選用不同模具，添加粉料，施加0.1 — 22MPa之間的壓力，保壓Is~3s，脫模，取出成型吸收體坯體；
C、燒成:還原氣氛燒成，將吸收體坯體放入還原氣氛窯爐中，按以下升溫曲線進(jìn)行燒成，升溫速率為:室溫~100°C，設(shè)定時間為1.2h;100°C~400°C，設(shè)定時間為1.2h/100°C ； 400°C~1200°C，設(shè)定時間為lh/100°C;1200°C~1270°C，設(shè)定時間為2h ;熄火后，待窯內(nèi)溫度自然降溫冷卻至40° C~60° C時，將吸收體半成品取出；
D、磨加工:將步驟C中制得的吸收體進(jìn)行磨加工，然后將加工后的吸收體整齊排列放于耐火板上，放入電窯升溫至350°C~450°C，保溫5~IOmin后取出，烘干水分并自然冷卻，磨加工后的吸收體應(yīng)外表平整，無開裂現(xiàn)象；
E、調(diào)試與測試:測試吸收體的電壓駐波比，測試頻率:8.5 GHz -9.6 GHz，要求電壓駐波比SS 1.1，測試吸收體的電壓駐波比沒有達(dá)到SS 1.1，則按以下情況進(jìn)行調(diào)試，直到電壓駐波比S < 1.1:
a)測試吸收體超過1/3測試頻率范圍內(nèi)，電壓駐波比S≤1.5的剔除；
b)測試吸收體電壓駐波比在1.3~1.5之間，則將測試吸收體放入電窯溫度為525°C 保溫情況下繼續(xù)氧化8min~IOmin ；
c)測試吸收體電壓駐波比在1.2~1.3之間，則將測試吸收體放入電窯溫度為525°C 保溫情況下繼續(xù)氧化5min ；
d)測試吸收體電壓駐波比在1.1~1.2之間，則將測試吸收體放入電窯溫度為520°C 保溫情況下繼續(xù)氧化5min ；
e)測試吸收體電壓駐波比<1.1，即為電壓駐波比合格產(chǎn)品。
[0024]吸收體多次調(diào)試和測試后其電壓駐波比仍無明顯變化的，可以適當(dāng)提高氧化溫度，每次不超過10°c，終溫不超過550°C，重復(fù)a~e中吸收體篩選操作。其中，當(dāng)吸收體出現(xiàn)d種情況時，可選擇不繼續(xù)氧化，視具體情況對吸收體斜面或者端面進(jìn)行細(xì)微打磨，以調(diào)整電壓駐波比使其合格。
[0025]高溫吸波材料是以陶瓷基復(fù)合吸波材料為主，具有優(yōu)良的熱物理性能，特別是耐高溫、高強(qiáng)度、膨脹系數(shù)低、耐腐蝕性強(qiáng)和化學(xué)穩(wěn)定性好，同時又具有吸波性能。目前，國內(nèi)外研究的高溫吸收劑主要有石墨、乙炔炭黑吸波劑，吸波性能好，密度低。本發(fā)明以A-75氧化鋁瓷粉及石墨為主要原料配制而成，制作工藝簡單，方便操作且吸收體外觀一致性良好， 結(jié)構(gòu)致密均勻，具有低電壓駐波比、高抗壓強(qiáng)度、高衰減及高熱導(dǎo)率等特點，廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、微波接力通訊、無線電系統(tǒng)等領(lǐng)域。避免了鐵氧體吸波材料高溫穩(wěn)定性差，在高溫環(huán)境和高頻段范圍內(nèi)它們的吸波性能會產(chǎn)生衰減的缺陷，拓寬了吸收體的使用范圍。與導(dǎo)電高分子吸波材料相比，改善加工性能、穩(wěn)定性和拓寬使用溫度范圍。[0026]實施例2:
本實施例在實施例1的基礎(chǔ)上優(yōu)選具體實施步驟如下:步驟C中按照燒成設(shè)定溫度與燒成設(shè)定時間之間的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行三個階段燒成，首先進(jìn)行第一階段燒成，燒成設(shè)定溫度范圍在20°C -400°C之間，該階段為坯體中粘合劑及自由水排出階段，坯體之間塑性加強(qiáng)， 該階段需升溫較慢，避免由于粘合劑過快排出，導(dǎo)致坯體出現(xiàn)氣孔或變形。待第一階段升溫完畢后，燒成設(shè)定溫度以每小時100°C的速度升溫至1200°C，進(jìn)行第二階段燒成，其中，燒成設(shè)定溫度范圍在400°C -600°C之間時為吸收體基材A-75氧化鋁瓷粉中添加輔料——高嶺土中結(jié)合水的脫水溫度范圍；600°C~1200°C為高嶺土中可溶物K20、Na20、Ca0等熔融溫度，同時在該溫度范圍內(nèi)，部分有機(jī)物分解、揮發(fā)。該溫區(qū)升溫平緩，以防止坯體內(nèi)分解氣體形成高氣壓導(dǎo)致坯體開裂或熔融物質(zhì)融化速率控制不當(dāng)，使得坯體收縮不一致，引起坯體開裂或變形。最后進(jìn)行第三階段燒成，燒成設(shè)定溫度范圍在1200°C -1270°C之間，該溫區(qū)為成瓷收縮期，對較大的吸收坯體，保溫時間可適當(dāng)延長，以保證坯體的一致性良好。熄火后， 待窯內(nèi)溫度自然降溫冷卻至40°C~60°C時，取出吸收體半成品，用毛刷刷去吸收體半成品上的膠體石墨粉。 [0027]采用三個階段的燒成方法，對吸收體進(jìn)行分段燒制，實現(xiàn)規(guī)范化操作，方便操作， 吸收體外觀一致性更好，結(jié)構(gòu)更致密均勻。
[0028]實施例3:
本實施例在上述任意一個實施例的基礎(chǔ)上優(yōu)選具體方案如下:步驟C中吸收體還體還原氣氛燒成時需先用膠體石墨粉壓緊，均勻墊在耐火匣缽底層，厚度為(2~3)cm。再將吸收體坯體置于耐火匣缽中立放，坯體擺放后分別距離匣缽四個面(3~4)cm，其間用膠體石墨粉壓緊填充。在吸收體坯體疊放燒成時，層與層之間需要撒上膠體石墨粉并壓緊，厚度約 (I~1.5) cm。最后，當(dāng)最上層的吸收體坯體也擺放整齊后，吸收體胚體距離耐火匣缽頂部至少3cm，膠體石墨粉壓緊并填充滿整個耐火匣缽，然后蓋上耐火匣缽蓋，放入窯爐。按表1 所示升溫曲線升溫?zé)?
【權(quán)利要求】
1.一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于，包括如下步驟:A、粉料制備:將A-75氧化鋁瓷粉及石墨按25:1比例稱取，加入比例小于等于1:1的粘合劑和水，均勻混合，造粒，并通過20目篩網(wǎng)，陳腐72h ；B、干壓成型:根據(jù)不同吸收體外形要求，選用不同模具，添加粉料，施加0.1 — 22MPa之間的壓力，保壓Is~3s，脫模，取出成型吸收體坯體；C、燒成:將吸收體坯體放入還原氣氛窯爐中，按以下燒成設(shè)定溫度與燒成設(shè)定時間之間的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行燒成，當(dāng)燒成設(shè)定溫度為100°C，允許溫差為±20°C，燒成設(shè)定時間為1.2h ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度范圍在100°C—250°C時，允許溫差為±20°C，設(shè)定溫度每增加50°C， 燒成設(shè)定時間增加1.2h ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度范圍在250°C—400°C時，允許溫差為±15°C，設(shè)定溫度每增加50°C，燒成設(shè)定時間增加1.2h ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度范圍在400°C — 1000°C時， 允許溫差為±15°C，設(shè)定溫度每增加100°C，燒成設(shè)定時間增加Ih ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度范圍在 1000°C — 1200°C時，允許溫差為±10°C，設(shè)定溫度每增加100°C，燒成設(shè)定時間增加Ih ;當(dāng)燒成設(shè)定溫度從1200°C升高到1270°C時，允許溫差為±10°C，燒成設(shè)定時間增加2h ；D、磨加工:將步驟C中制得的吸收體進(jìn)行磨加工，然后將加工后的吸收體整齊排列放于耐火板上，放入電窯升溫至350°C~450°C，保溫5~IOmin后取出，烘干水分并自然冷卻；E、調(diào)試與測試:電窯升溫至520°C時，放入吸收體，保溫5~IOmin后取出吸收體， 根據(jù)吸收體要求設(shè)置對應(yīng)測試頻率測試其電壓駐波比；當(dāng)初測電壓駐波比不合格時，在 520°C~550°C溫度范圍內(nèi)進(jìn)行多次保溫、測試，直至吸收體電壓駐波比合格；吸收體多次保溫、測試時，每次設(shè)定溫度增加5~10°C，保溫時間為5~lOmin。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于:所述的步驟E中調(diào)試與測試:測試吸收體的電壓駐波比，測試頻率:8.5 GHz -9.6 GHz，要求電壓駐波比S≤1.1，測試吸收體的電壓駐波比沒有達(dá)到S ( 1.1，則按以下情況進(jìn)行調(diào)試，直到電壓駐波比S < 1.1:a)測試吸收體超過1/3測試頻率范圍內(nèi)，電壓駐波比S≥1.5的剔除；b)測試吸收體電壓駐波比在1.3~1.5之間，則將測試吸收體放入電窯溫度為525°C 保溫情況下繼續(xù)氧化8min~IOmin ；c)測試吸收體電壓駐波比在1.2~1.3之間，則將測試吸收體放入電窯溫度為525°C 保溫情況下繼續(xù)氧化5min ；d)測試吸收體電壓駐波比在1.1~1.2之間，則將測試吸收體放入電窯溫度為520°C 保溫情況下繼續(xù)氧化5min ；e)測試吸收體電壓駐波比<1.1，即為電壓駐波比合格產(chǎn)品。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于:所述的步驟C中按照燒成設(shè)定溫度與燒成設(shè)定時間之間的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行三個階段燒成，首先進(jìn)行第一階段燒成，燒成設(shè)定溫度范圍在20°C -400°C之間；待第一階段升溫完畢后，燒成設(shè)定溫度以每小時100°C的速度升溫至1200°C，進(jìn)行第二階段燒成；最后進(jìn)行第三階段燒成，燒成設(shè)定溫度范圍在1200°C -1270°C之間；熄火后，待窯內(nèi)溫度自然降溫冷卻至40°C~60°C時， 取出吸收體半成品，用毛刷刷去吸收體半成品上的膠體石墨粉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于:所述的步驟C中吸收體坯體還原氣氛燒成時需先用膠體石墨粉壓緊，均勻墊在耐火匣缽底層， 再將吸收體坯體置于耐火匣缽中立放，其間用膠體石墨粉壓緊填充；吸收體坯體疊放燒成時，層與層之間需要撒上膠體石墨粉并壓緊，最后，當(dāng)最上層的吸收體坯體也擺放整齊后， 膠體石墨粉壓緊并填充滿整個耐火匣缽，然后蓋上耐火匣缽蓋，放入窯爐。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于:墊在耐火匣缽底層的膠體石墨粉的厚度范圍在2-3cm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于:吸收體坯體置于耐火匣缽中立放后，吸收體胚體分別距離匣缽四個面的距離范圍在3-4cm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于:吸收體坯體疊放燒成時，層與層之間撒上膠體石墨粉的厚度范圍在1-1.5cm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于:最上層的吸收體坯體距離耐火匣缽頂部至少3cm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于:所述的步驟A中A-75氧化鋁瓷粉用球磨機(jī)球磨IOh~15h，粘合劑采用遇水粘性很強(qiáng)的黃糊精。
10.根據(jù)權(quán)利 要求1所述的一種低電壓駐波比吸收體制備工藝，其特征在于:所述的步驟B干壓成型前30min，需將步驟A中制得的陳腐后的粉料過20目篩網(wǎng)。
【文檔編號】C04B35/10GK103601477SQ201310580888
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月19日
【發(fā)明者】王進(jìn), 李錦松, 陶建軍, 鄭騰洲, 鄧虎, 毛晉峰, 盧杰 申請人:宜賓紅星電子有限公司