本實(shí)用新型涉及建筑聲學(xué)領(lǐng)域，特別涉及一種高頻吸聲體。

背景技術(shù)：

駐波是聽(tīng)音環(huán)境的大敵，尤其是在小空間內(nèi)駐波的影響尤為明顯，駐波產(chǎn)生的原因是聲音在墻面之間來(lái)回反射，反射波碰在一起，而產(chǎn)生增強(qiáng)或減弱的效果，最后的聲波動(dòng)變成在原地振動(dòng)、不會(huì)移動(dòng)的波，造成室內(nèi)混響回聲，所以，在建筑聲學(xué)中，需要采用針對(duì)高頻噪音的吸聲產(chǎn)品。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種高頻吸聲體，能有效吸收高頻噪音，降低室內(nèi)混響回聲。

其技術(shù)方案如下：

一種高頻吸聲體，包括底板、頂板、背板及吸聲柱，所述底板的后端與所述背板的底端連接，所述頂板后端與所述背板的頂端連接，所述吸聲柱嵌設(shè)在所述底板、背板及頂板圍成的嵌槽內(nèi)，所述吸聲柱的正面間隔開(kāi)設(shè)有第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽，所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度，所述第二凹槽的深度大于所述第三凹槽的深度。

其進(jìn)一步技術(shù)方案如下：

所述背板的正面設(shè)有朝吸聲柱凸出的第一支板、第二支板，所述吸聲柱的背面設(shè)有分別與所述第一支板、第二支板匹配的第一卡槽、第二卡槽，所述第一支板嵌設(shè)在所述第一卡槽內(nèi)，所述第二支板嵌設(shè)在所述第二卡槽內(nèi)。

所述背板、第一支板及第二支板為一體成型結(jié)構(gòu)。

所述吸聲柱的正面開(kāi)設(shè)有兩個(gè)所述第一凹槽、兩個(gè)所述第二凹槽及兩個(gè)所述第三凹槽，兩個(gè)第三凹槽分別設(shè)置在吸聲柱的正面的兩側(cè)，兩個(gè)第二凹槽分別設(shè)置在吸聲柱的正面的中部，兩個(gè)第一凹槽分別設(shè)置在不同第二凹槽與不同第三凹槽之間，所述第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽均由吸聲柱的頂端延伸至其底端。

所述第一凹槽的深度為20mm-400mm，所述第二凹槽的深度為10mm-200mm，所述第三凹槽的深度為5mm-100mm。

所述第一凹槽的寬度為30mm-600mm，所述第二凹槽的寬度為30mm-600mm，所述第三凹槽的寬度為30mm-600mm。

所述底板、頂板、背板及第一支板、第二支板均為EPS材料板，所述底板和頂板分別與背板及第一支板、第二支板熱熔連接。

所述背板的外表面均覆蓋有GRG噴涂層。

所述吸聲柱為聚胺酯吸聲棉柱，所述吸聲柱為矩形立柱，其正面兩側(cè)設(shè)有倒角。

下面對(duì)前述技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)或原理進(jìn)行說(shuō)明：

上述高頻吸聲體，將吸聲柱嵌設(shè)在所述底板、背板及頂板圍成的嵌槽內(nèi)，且直接在吸聲柱的正面間隔開(kāi)設(shè)第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工方便，而且所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度，所述第二凹槽的深度大于所述第三凹槽的深度，通過(guò)不同深度的凹槽吸收不同頻段的聲波，而不希望被吸收的低頻聲波，直接穿過(guò)吸聲柱及背板，從而達(dá)到有效吸收高頻噪音，降低室內(nèi)混響回聲的效果。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所述高頻吸聲體的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的橫向截面示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所述高頻吸聲體的透視示意圖；

圖4為吸聲柱未裝配時(shí)高頻吸聲體的示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

10、底板，20、頂板，30、吸聲柱，310、第一凹槽，320、第二凹槽，330、第三凹槽，40、背板，410、第一支板，420、第二支板。

具體實(shí)施方式

如圖1-4所示，一種高頻吸聲體，包括底板10、頂板20、背板40及吸聲柱30，所述底板10的后端與所述背板40的底端連接，所述頂板20后端與所述背板40的頂端連接，所述吸聲柱30嵌設(shè)在所述底板10、背板40及頂板20圍成的嵌槽內(nèi)，所述吸聲柱30的正面間隔開(kāi)設(shè)有第一凹槽310、第二凹槽320及第三凹槽330，所述第一凹槽310的深度大于所述第二凹槽320的深度，所述第二凹槽320的深度大于所述第三凹槽330的深度。

將吸聲柱30嵌設(shè)在所述底板10、背板40及頂板20圍成的嵌槽內(nèi)，且直接在吸聲柱30的正面間隔開(kāi)設(shè)第一凹槽310、第二凹槽320及第三凹槽330，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工方便，而且所述第一凹槽310的深度大于所述第二凹槽320的深度，所述第二凹槽320的深度大于所述第三凹槽330的深度，通過(guò)不同深度的凹槽吸收不同頻段的聲波，而不希望被吸收的低頻聲波，直接穿過(guò)吸聲柱30及背板40，從而達(dá)到有效吸收高頻噪音，降低室內(nèi)混響回聲的效果。該高頻吸聲體主要用于私人影院、琴房、客廳等。

所述背板40的正面設(shè)有朝吸聲柱30凸出的第一支板410、第二支板420，所述吸聲柱30的背面設(shè)有分別與所述第一支板410、第二支板420匹配的第一卡槽、第二卡槽，所述第一支板410嵌設(shè)在所述第一卡槽內(nèi)，所述第二支板420嵌設(shè)在所述第二卡槽內(nèi)。同時(shí)設(shè)置第一支板410、第二支板420能加強(qiáng)對(duì)吸聲柱30的支撐作用，使吸聲柱30能穩(wěn)固地直立于所述嵌槽內(nèi)，避免吸聲柱30塌陷。所述背板40、第一支板410及第二支板420為一體成型結(jié)構(gòu)，加工簡(jiǎn)單，彌補(bǔ)了傳統(tǒng)用木板拼接成型存在漏洞的缺陷。所述正面指的是高頻吸聲體使用時(shí)面對(duì)聲源的一側(cè)，反之則為反面。

所述吸聲柱30的正面開(kāi)設(shè)有兩個(gè)所述第一凹槽310、兩個(gè)所述第二凹槽320及兩個(gè)所述第三凹槽330，兩個(gè)第三凹槽330分別設(shè)置在吸聲柱30的正面的兩側(cè)，兩個(gè)第二凹槽320分別設(shè)置在吸聲柱30的正面的中部，兩個(gè)第一凹槽310分別設(shè)置在不同第二凹槽320與不同第三凹槽330之間，所述第一凹槽310、第二凹槽320及第三凹槽330均由吸聲柱30的頂端延伸至其底端。這樣設(shè)置能更好地吸收不同頻段的聲波，使吸聲柱30高度范圍的高頻能更好地被吸收，所述第一凹槽310、第二凹槽320及第三凹槽330間隔均勻布置，這樣布置吸聲效果更好，且符合產(chǎn)品工藝設(shè)計(jì)需求，增加吸聲柱30的強(qiáng)度與美觀度。

所述第一凹槽310的深度為20mm-400mm，所述第二凹槽320的深度為10mm-200mm，所述第三凹槽330的深度為5mm-100mm。根據(jù)聲音擴(kuò)散波長(zhǎng)的不同，采用不同深度的凹槽對(duì)不同頻段的聲波進(jìn)行吸聲，從而能實(shí)現(xiàn)對(duì)更寬頻段的聲波的吸收，更好地降低室內(nèi)混響噪音。

所述第一凹槽310的寬度為30mm-600mm，所述第二凹槽320的寬度為30mm-600mm，所述第三凹槽330的寬度為30mm-600mm。本實(shí)施例所述吸聲柱30的高*寬為1200mm*300mm，在小空間內(nèi)可以單獨(dú)使用所述高頻吸聲體，在大空間內(nèi)，可以采用將多個(gè)所述高頻吸聲體拼在一起使用，房間越大，可以拼越多個(gè),達(dá)到更好的吸聲效果。

所述底板10、頂板20、背板40及第一支板410、第二支板420均為EPS材料板，所述底板10和頂板20分別與背板40及第一支板410、第二支板420熱熔連接。背板40的外表面覆蓋有GRG噴涂層。所述吸聲柱30為聚胺酯吸聲棉柱，所述吸聲柱30為矩形立柱，其正面兩側(cè)設(shè)有倒角。該高頻吸聲體以高密度EPS及聚胺酯吸聲棉為基材，該基材具有質(zhì)量輕，易加工成形的特點(diǎn)，通過(guò)聲學(xué)軟件模擬計(jì)算出所需的圖形，使用數(shù)控機(jī)切割技術(shù)加工出背板40、頂板20、底板10及吸聲柱30，再用熱溶技術(shù)將背板40、頂板20及底板10粘合在一起，最后對(duì)背板40表面進(jìn)行覆蓋高強(qiáng)度GRG噴涂干后,將吸聲柱30嵌入背板40。GRG噴涂層使該高頻吸聲體具有高強(qiáng)度、高硬度和很好的柔韌性，不易破損、變形和開(kāi)裂。該高頻吸聲體防火性能好，重量只有木質(zhì)產(chǎn)品的三分之一，甲醛釋放低，能滿足多種建聲的環(huán)境。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。