專利名稱：5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種紅外測(cè)溫儀組件，特別是5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片。
背景技術(shù)：
現(xiàn)紅外測(cè)溫儀由光學(xué)系統(tǒng)、光電探測(cè)器、信號(hào)放大器及信號(hào)處理、顯示輸出等部分組成。光電探測(cè)器匯聚其視場(chǎng)內(nèi)的目標(biāo)紅外紅外能量(熱量)能量，視場(chǎng)的大小由測(cè)溫儀的光學(xué)零件及其位置確定。紅外能量聚焦在光電探測(cè)器上并轉(zhuǎn)變?yōu)橄鄳?yīng)的電信號(hào)。該信號(hào)經(jīng)過(guò)放大器和信號(hào)處理電路，并按照儀器內(nèi)療的算法和目標(biāo)發(fā)射率校正后轉(zhuǎn)變?yōu)楸粶y(cè)目標(biāo)的溫度值。紅外測(cè)溫儀的光電探測(cè)器是實(shí)現(xiàn)紅外能量(熱量)轉(zhuǎn)換電信號(hào)的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來(lái)的紅外能量(熱量)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的溫度值，人們往往會(huì)在光電探測(cè)器中添加紅外濾光片，通過(guò)紅外濾光片可以使光電探測(cè)器只接受特定波段的紅外能量(熱量)，保證紅外測(cè)溫儀的測(cè)溫結(jié)果。但是，目前的5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場(chǎng)發(fā)展的需要。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決上述技術(shù)存在的不足而提供一種信噪比高、能有效濾除波長(zhǎng)在陽(yáng)00納米以下的紅外能量的5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，包括成分為Si的基板以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層和第二鍍膜層，其特征是所述第一鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為104納米的Ge層、厚度為187納米的ZnS層、厚度為 171納米的Ge層、厚度為301納米的ZnS層、厚度為149納米的Ge層、厚度為251納米的 ZnS層、厚度為121納米的Ge層、厚度為292納米的ZnS層、厚度為178納米的Ge層、厚度為278納米的ZnS層、厚度為165納米的Ge層、厚度為247納米的ZnS層、厚度為153納米的Ge層、厚度為282納米的ZnS層、厚度為168納米的Ge層、厚度為386納米的ZnS層、厚度為207納米的Ge層、厚度為399納米的ZnS層、厚度為185納米的Ge層、厚度為352納米的ZnS層、厚度為170納米的Ge層、厚度為515納米的ZnS層、厚度為196納米的Ge層、 厚度為507納米的ZnS層、厚度為271納米的Ge層、厚度為196納米的ZnS層、厚度為273 納米的Ge層、厚度為179納米的ZnS層、厚度為260納米的Ge層和厚度為1091納米的ZnS 層；所述第二鍍膜層包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為241納米的Ge層、厚度為3M納米的 ZnS層、厚度為286納米的Ge層、厚度為519納米的ZnS層、厚度為268納米的Ge層、厚度為530納米的ZnS層、厚度為304納米的Ge層、厚度為527納米的ZnS層、厚度為276納米的Ge層、厚度為605納米的ZnS層、厚度為270納米的Ge層、厚度為557納米的ZnS層、厚度為266納米的Ge層、厚度為574納米的ZnS層、厚度為130納米的Ge層、厚度為245納米的ZnS層、厚度為73納米的Ge層、厚度為325納米的ZnS層、厚度為60納米的Ge層、厚度為319納米的ZnS層、厚度為118納米的Ge層、厚度為136納米的ZnS層、厚度為151納米的Ge層、厚度為171納米的ZnS層、厚度為144納米的Ge層、厚度為115納米的ZnS層、 厚度為185納米的Ge層、厚度為133納米的ZnS層、厚度為143納米的Ge層和厚度為1101 納米的ZnS層。上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。本實(shí)用新型得到的5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，通過(guò)上述的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定性好，且能適用于物體的溫度感應(yīng)和測(cè)量，該濾光片得到半高點(diǎn)波長(zhǎng)定位5500士 1 %納米，能實(shí)現(xiàn)截止區(qū)透過(guò)率小于0. 1%，透過(guò)區(qū)的透過(guò)率可大于90%，大大提高了信噪比，在用于物體溫度的測(cè)量和感應(yīng)時(shí)，能有效的提高分辨能力和檢測(cè)精度，更好的滿足實(shí)際中的使用要求。

圖1是實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實(shí)施例紅外濾光片實(shí)測(cè)曲線圖。圖中基板1、第一鍍膜層11、第二鍍膜層12。
具體實(shí)施方式
下面通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。實(shí)施例1 如圖1所示，本實(shí)施例提供的5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，包括成分為SI的基板 1，在基板1兩側(cè)面的第一鍍膜層11和第二鍍膜層12，所述第一鍍膜層11包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為104納米的( 層、厚度為187納米的ZnS層、厚度為171納米的Ge層、厚度為301納米的ZnS層、厚度為149納米的Ge層、厚度為251納米的ZnS層、厚度為121納米的Ge層、厚度為292納米的ZnS層、厚度為178納米的Ge層、厚度為278納米的ZnS層、 厚度為165納米的Ge層、厚度為247納米的ZnS層、厚度為153納米的Ge層、厚度為282 納米的ZnS層、厚度為168納米的Ge層、厚度為386納米的ZnS層、厚度為207納米的Ge 層、厚度為399納米的ZnS層、厚度為185納米的Ge層、厚度為352納米的ZnS層、厚度為 170納米的Ge層、厚度為515納米的ZnS層、厚度為196納米的Ge層、厚度為507納米的 ZnS層、厚度為271納米的Ge層、厚度為196納米的ZnS層、厚度為273納米的Ge層、厚度為179納米的ZnS層、厚度為260納米的Ge層和厚度為1091納米的ZnS層；所述第二鍍膜層12包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為241納米的Ge層、厚度為3M納米的ZnS層、厚度為 286納米的Ge層、厚度為519納米的ZnS層、厚度為268納米的Ge層、厚度為530納米的 ZnS層、厚度為304納米的Ge層、厚度為527納米的ZnS層、厚度為276納米的Ge層、厚度為605納米的ZnS層、厚度為270納米的Ge層、厚度為557納米的ZnS層、厚度為266納米的Ge層、厚度為574納米的ZnS層、厚度為130納米的Ge層、厚度為245納米的ZnS層、厚度為73納米的Ge層、厚度為325納米的ZnS層、厚度為60納米的Ge層、厚度為319納米的ZnS層、厚度為118納米的Ge層、厚度為136納米的ZnS層、厚度為151納米的Ge層、厚度為171納米的ZnS層、厚度為144納米的( 層、厚度為115納米的ZnS層、厚度為185納米的Ge層、厚度為133納米的ZnS層、厚度為143納米的Ge層和厚度為1101納米的ZnS層。上述中的硅(Si)、硫化鋅(SiS)和面鍺(Ge)材質(zhì)都為現(xiàn)有市場(chǎng)內(nèi)可直接購(gòu)買(mǎi)的材質(zhì)，故在此不多做詳細(xì)介紹。本實(shí)施例的濾光率的具體實(shí)測(cè)結(jié)果如圖2所示。本實(shí)施例中Si材質(zhì)的基板1配合表面Ge、ZnS材質(zhì)的鍍膜層，使得本發(fā)明創(chuàng)造能有效濾除波長(zhǎng)在陽(yáng)00納米以下的紅外能量(熱量)，配合紅外線測(cè)溫儀使用，使得紅外線測(cè)溫儀的光電探測(cè)器部分只接受波長(zhǎng)在陽(yáng)00納米以上的紅外能量(熱量)，提升紅外線測(cè)溫儀的測(cè)試準(zhǔn)確性，該濾光片得到半高點(diǎn)波長(zhǎng)定位5500士 1 %納米，能實(shí)現(xiàn)截止區(qū)透過(guò)率小于 0. 1%，透過(guò)區(qū)的透過(guò)率可大于90%。
權(quán)利要求1. 一種5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，包括成分為Si的基板(1)以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層(11)和第二鍍膜層(12)，其特征是所述第一鍍膜層(11)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為104納米的Ge層、厚度為187納米的ZnS層、厚度為171納米的Ge層、 厚度為301納米的ZnS層、厚度為149納米的Ge層、厚度為251納米的ZnS層、厚度為121 納米的Ge層、厚度為292納米的ZnS層、厚度為178納米的Ge層、厚度為278納米的ZnS 層、厚度為165納米的Ge層、厚度為247納米的ZnS層、厚度為153納米的Ge層、厚度為 282納米的ZnS層、厚度為168納米的Ge層、厚度為386納米的ZnS層、厚度為207納米的 Ge層、厚度為399納米的ZnS層、厚度為185納米的Ge層、厚度為352納米的ZnS層、厚度為170納米的Ge層、厚度為515納米的ZnS層、厚度為196納米的Ge層、厚度為507納米的 ZnS層、厚度為271納米的Ge層、厚度為196納米的ZnS層、厚度為273納米的Ge層、厚度為179納米的ZnS層、厚度為260納米的Ge層和厚度為1091納米的ZnS層；所述第二鍍膜層(12)包含從內(nèi)向外依次排列的厚度為241納米的Ge層、厚度為3M納米的ZnS層、厚度為286納米的Ge層、厚度為519納米的ZnS層、厚度為268納米的Ge層、厚度為530納米的ZnS層、厚度為304納米的Ge層、厚度為527納米的ZnS層、厚度為276納米的Ge層、厚度為605納米的ZnS層、厚度為270納米的Ge層、厚度為557納米的ZnS層、厚度為266納米的Ge層、厚度為574納米的ZnS層、厚度為130納米的Ge層、厚度為245納米的ZnS層、 厚度為73納米的Ge層、厚度為325納米的ZnS層、厚度為60納米的Ge層、厚度為319納米的ZnS層、厚度為118納米的Ge層、厚度為136納米的ZnS層、厚度為151納米的Ge層、 厚度為171納米的ZnS層、厚度為144納米的Ge層、厚度為115納米的ZnS層、厚度為185 納米的Ge層、厚度為133納米的ZnS層、厚度為143納米的Ge層和厚度為1101納米的ZnS 層。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，包括成分為Si的基板以及分別位于基板兩側(cè)面的第一鍍膜層和第二鍍膜層，第一鍍膜層包含從內(nèi)向外依次間隔排列，且厚度不一的Ge層和ZnS層；第二鍍膜層也包含從內(nèi)向外依次排列，且厚度不一的Ge層和ZnS層；本實(shí)用新型得到的5500納米長(zhǎng)波通紅外濾光片，通過(guò)上述的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定性好，且能適用于物體的溫度感應(yīng)和測(cè)量，該濾光片得到半高點(diǎn)波長(zhǎng)定位5500±1％納米，能實(shí)現(xiàn)截止區(qū)透過(guò)率小于0.1％，透過(guò)區(qū)的透過(guò)率可大于90％，大大提高了信噪比，在用于物體溫度的測(cè)量和感應(yīng)時(shí)，能有效的提高分辨能力和檢測(cè)精度，更好的滿足實(shí)際中的使用要求。
文檔編號(hào)B32B15/00GK202305860SQ20122009081
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者呂晶 申請(qǐng)人:杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司