通過(guò)帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及紅外濾光敏感元件領(lǐng)域，尤其是一種通過(guò)帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過(guò)非接觸探測(cè)紅外能量(熱量)，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，進(jìn)而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對(duì)溫度值進(jìn)行計(jì)算的一種檢測(cè)設(shè)備。紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)能夠?qū)⑻綔y(cè)到的熱量精確量化或測(cè)量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠?qū)Πl(fā)熱的故障區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確識(shí)別和嚴(yán)格分析。
[0003]紅外熱成像儀的探測(cè)器是實(shí)現(xiàn)紅外能量(熱能)轉(zhuǎn)換電信號(hào)的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來(lái)的紅外能量(熱能)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會(huì)在探測(cè)器中添加紅外濾光敏感元件，通過(guò)紅外濾光敏感元件可以使探測(cè)器只接受特定波段的紅外能量(熱能)，保證紅外熱成像儀的成像結(jié)果。
[0004]但是，目前的紅外濾光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能滿足市場(chǎng)發(fā)展的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的通過(guò)帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的一種通過(guò)帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，包括以紅外石英為原材料的基板，以Ge、S1為第一鍍膜層和以Ge、S1為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有103nm厚度的Ge層、455nm厚度的S1層、66nm厚度的Ge層、265nm厚度的S1層、189nm厚度的Ge層、452nm厚度的S1層、141nm厚度的Ge層、145nm厚度的S1層、134nm厚度的Ge層、397nm厚度的S1層、180nm厚度的Ge層、463nm厚度的S1層、108nm厚度的Ge層、161nm厚度的S1層、135nm厚度的Ge層、437nm厚度的S1層、231nm厚度的Ge層、613nm厚度的S1層、339nm厚度的Ge層、494nm厚度的S1層、219nm厚度的Ge層、649nm厚度的S1層、324nm厚度的Ge層、516nm厚度的S1層、234nm厚度的Ge層、813nm厚度的S1層、219nm厚度的Ge層、400nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有75nm厚度的Ge層、203nm厚度的S1層、72nm厚度的Ge層、102nm厚度的S1層、90nm厚度的Ge層、191nm厚度的S1層、51nm厚度的Ge層、160nm厚度的S1層、75nm厚度的Ge層、197nm厚度的S1層、97nm厚度的Ge層、292nm厚度的S1層、79nm厚度的Ge層、256nm厚度的S1層、130nm厚度的Ge層、252nm厚度的S1層、119nm厚度的Ge層、206nm厚度的S1層、136nm厚度的Ge層、534nm厚度的S1層。
[0007]上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0008]本發(fā)明所得到的一種通過(guò)帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，其在溫度測(cè)量過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件 50% Cut on=3000±30nm，50% Cut on=3500±30nm，3050 ?3400nm，Tavg ^ 80%，300 ?6500nm (通帶區(qū)域除外)，Tavg ( 0.1%。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過(guò)率實(shí)測(cè)曲線圖。
[0011]圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
[0013]實(shí)施例1。
[0014]如圖1和圖2所示，本實(shí)施例描述的一種通過(guò)帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，包括以紅外石英為原材料的基板2，以Ge、S1為第一鍍膜層I和以Ge、S1為第二鍍膜層3，且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層I與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有103nm厚度的Ge層、455nm厚度的S1層、66nm厚度的Ge層、265nm厚度的S1層、189nm厚度的Ge層、452nm厚度的S1層、141nm厚度的Ge層、145nm厚度的S1層、134nm厚度的Ge層、397nm厚度的S1層、180nm厚度的Ge層、463nm厚度的S1層、108nm厚度的Ge層、161nm厚度的S1層、135nm厚度的Ge層、437nm厚度的S1層、231nm厚度的Ge層、613nm厚度的S1層、339nm厚度的Ge層、494nm厚度的S1層、219nm厚度的Ge層、649nm厚度的S1層、324nm厚度的Ge層、516nm厚度的S1層、234nm厚度的Ge層、813nm厚度的S1層、219nm厚度的Ge層、400nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有75nm厚度的Ge層、203nm厚度的S1層、72nm厚度的Ge層、102nm厚度的S1層、90nm厚度的Ge層、191nm厚度的S1層、51nm厚度的Ge層、160nm厚度的S1層、75nm厚度的Ge層、197nm厚度的S1層、97nm厚度的Ge層、292nm厚度的S1層、79nm厚度的Ge層、256nm厚度的S1層、130nm厚度的Ge層、252nm厚度的S1層、119nm厚度的Ge層、206nm厚度的S1層、136nm厚度的Ge層、534nm厚度的S1層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種通過(guò)帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，包括以紅外石英為原材料的基板(2)，以Ge、S1為第一鍍膜層(I)和以Ge、S1為第二鍍膜層(3)，且所述基板(2)設(shè)于第一鍍膜層(I)與第二鍍膜層(3)之間，其特征是所述第一鍍膜層(I)由內(nèi)向外依次排列包含有103nm厚度的Ge層、455nm厚度的S1層、66nm厚度的Ge層、265nm厚度的S1層、189nm厚度的Ge層、452nm厚度的S1層、141nm厚度的Ge層、145nm厚度的S1層、134nm厚度的Ge層、397nm厚度的S1層、180nm厚度的Ge層、463nm厚度的S1層、108nm厚度的Ge層、161nm厚度的S1層、135nm厚度的Ge層、437nm厚度的S1層、231nm厚度的Ge層、613nm厚度的S1層、339nm厚度的Ge層、494nm厚度的S1層、219nm厚度的Ge層、649nm厚度的S1層、324nm厚度的Ge層、516nm厚度的S1層、234nm厚度的Ge層、813nm厚度的S1層、219nm厚度的Ge層、400nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層(3)由內(nèi)向外依次排列包含有75nm厚度的Ge層、203nm厚度的S1層、72nm厚度的Ge層、102nm厚度的S1層、90nm厚度的Ge層、191nm厚度的S1層、51nm厚度的Ge層、160nm厚度的S1層、75nm厚度的Ge層、197nm厚度的S1層、97nm厚度的Ge層、292nm厚度的S1層、79nm厚度的Ge層、256nm厚度的S1層、130nm厚度的Ge層、252nm厚度的S1層、119nm厚度的Ge層、206nm厚度的S1層、136nm厚度的Ge層、534nm厚度的S1層。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，包括以紅外石英為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間。本發(fā)明所得到的一種通過(guò)帶為3000-3500nm的紅外濾光敏感元件，其在溫度測(cè)量過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件50％Cut on=3000±30nm，50％Cut on=3500±30nm，3050～3400nm，Tavg≥80%，300～6500nm（通帶區(qū)域除外），Tavg≤0.1%。
【IPC分類】G02B5-20
【公開(kāi)號(hào)】CN104597541
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410733525
【發(fā)明人】呂晶, 王繼平, 劉晶
【申請(qǐng)人】杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2014年12月7日