一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀low-e玻璃的制作方法
【專利摘要】一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有底層ITO介質(zhì)層、第一Ag層、中間ITO介質(zhì)層、第二Ag層、以及頂層ITO介質(zhì)層。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，且具有與傳統(tǒng)雙銀LOW-E玻璃相當(dāng)?shù)墓?jié)能效果。
【專利說明】一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃

【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本發(fā)明涉及一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃。

【背景技術(shù)】
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[0002]LOff-E玻璃，是一種高端的低輻射玻璃，是在玻璃基材表面鍍制包括銀層在內(nèi)的多層金屬及其它化合物組成的膜系產(chǎn)品，具有節(jié)能減排及裝飾幕墻的雙重功效。
[0003]然而，隨著節(jié)能減排政策的不斷深入，人們對玻璃的節(jié)能指標(biāo)要求越來越高，LOff-E產(chǎn)品的參數(shù)需要雙銀才能達(dá)到，但傳統(tǒng)的雙銀LOW-E玻璃最低需要11層膜才能達(dá)到要求，結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
[0004]故有必要對現(xiàn)有的產(chǎn)品作出改進(jìn)，以提供一種既能達(dá)到節(jié)能效果，結(jié)構(gòu)又簡單的雙銀LOW-E玻璃。


【發(fā)明內(nèi)容】

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[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，其結(jié)構(gòu)簡單，且具有與傳統(tǒng)雙銀LOW-E玻璃相當(dāng)?shù)墓?jié)能效果。
[0006]一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有底層ITO介質(zhì)層、弟一 Ag層、中間ITO介質(zhì)層、弟_.Ag層、以及頂層ITO介質(zhì)層。
[0007]本發(fā)明可通過如下方案進(jìn)行改進(jìn):
[0008]所述底層ITO介質(zhì)層的厚度為80nm。
[0009]所述第一 Ag層的厚度為10nm。
[0010]所述中間ITO介質(zhì)層的厚度為120nm。
[0011]所述第二 Ag層的厚度為10nm。
[0012]所述頂層ITO介質(zhì)層的厚度為70nm。
[0013]本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):1、本發(fā)明創(chuàng)新地采用五層膜，不但結(jié)構(gòu)簡單，而且能達(dá)到傳統(tǒng)雙銀LOW-E玻璃的節(jié)能要求。2、生產(chǎn)設(shè)備簡單，全是金屬濺射，無反應(yīng)濺射，工藝穩(wěn)定。3、設(shè)備投入小。

【專利附圖】

【附圖說明】
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[0014]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
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[0015]如圖所示，一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材I，所述玻璃基材I的上表面由下而上依次設(shè)有底層ITO介質(zhì)層2、第一 Ag層3、中間ITO介質(zhì)層4、第二 Ag層5、以及頂層ITO介質(zhì)層6。
[0016]進(jìn)一步地，所述底層ITO介質(zhì)層2的厚度為80nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)。該層起到底層介質(zhì)層、阻擋層、平整層這三層的作用。可以提高產(chǎn)品透過率，并可以保護(hù)Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，造成玻璃氧化。
[0017]再進(jìn)一步地，所述第一 Ag層3的厚度為10nm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氬氣氣體流量為500?550SCCM。
[0018]更進(jìn)一步地，所述中間ITO介質(zhì)層4的厚度為120nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)。該層起到中間介質(zhì)層、阻擋層、平整層這三層的作用?？梢蕴岣弋a(chǎn)品透過率，并可以保護(hù)Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，造成玻璃氧化。
[0019]又進(jìn)一步地，所述第二 Ag層5的厚度為10nm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氬氣氣體流量為500?550SCCM。
[0020]再進(jìn)一步地，所述頂層ITO介質(zhì)層6的厚度為70nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射氧化銦錫靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)。該層起到頂層介質(zhì)層、阻擋層、保護(hù)層這三層的作用。可以提高產(chǎn)品透過率，并可以保護(hù)Ag層，阻擋Ag層被侵蝕，防止玻璃被機(jī)械及化學(xué)損傷。
[0021]本發(fā)明創(chuàng)新地采用五層膜，不但結(jié)構(gòu)簡單，而且能達(dá)到傳統(tǒng)雙銀LOW-E玻璃的節(jié)能要求。另外，本發(fā)明生產(chǎn)設(shè)備簡單，全是金屬濺射，無反應(yīng)濺射，工藝穩(wěn)定。其次，本發(fā)明的鍍膜設(shè)備投入小。
[0022]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有底層ITO介質(zhì)層、第一 Ag層、中間ITO介質(zhì)層、第二 Ag層、以及頂層ITO介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述底層ITO介質(zhì)層的厚度為80nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一Ag層的厚度為10nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述中間ITO介質(zhì)層的厚度為120nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第二Ag層的厚度為10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)構(gòu)簡單的雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述頂層ITO介質(zhì)層的厚度為70nm。
【文檔編號】B32B33/00GK104309217SQ201410605534
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】禹幸福, 陳圓 申請人:中山市亨立達(dá)機(jī)械有限公司