專利名稱：磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在硬盤裝置及軟盤裝置所使用的磁盤的制造過程中，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄記錄的磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置。
目前，作為代表性磁盤裝置的硬盤驅(qū)動(dòng)器已有面記錄密度超過1×109比特/平方英寸的商品，甚至已在議論數(shù)年后10×109比特/平方英寸的將實(shí)際應(yīng)用，技術(shù)進(jìn)步發(fā)展迅猛。
使這樣的高記錄密度成為可能的技術(shù)背景，雖然也有線記錄密度提高的因素，但主要因素在于，依靠了能將寬度僅數(shù)μm磁道的信號(hào)信噪比良好地再現(xiàn)的磁阻元件型磁頭。
隨著高記錄密度，也要求降低浮動(dòng)磁滑塊相對(duì)磁記錄媒體的上浮量，增大了在上浮過程中因某種原因使盤片與滑塊發(fā)生接觸的可能性。在這樣的狀況下，對(duì)記錄媒體要求有更好的光滑性。
此時(shí)，要使磁頭正確掃描狹磁道，磁頭的跟蹤伺服技術(shù)起著重要的作用。使用這樣的跟蹤伺服技術(shù)的目前的硬盤驅(qū)動(dòng)器在盤片一周中，以一定的角度間隔記錄有跟蹤用的伺服信號(hào)及地址信息信號(hào)、再現(xiàn)時(shí)鐘信號(hào)等。驅(qū)動(dòng)裝置根據(jù)磁頭以一定時(shí)間間隔再現(xiàn)的這些信號(hào)，檢測(cè)磁頭位置并加以修正，使磁頭在磁道上正確掃描成為可能。
上述的伺服信號(hào)、地址信息信號(hào)、再現(xiàn)時(shí)鐘信號(hào)等是使磁頭在磁道上正確掃描用的基準(zhǔn)信號(hào)，因此，其寫入(以下稱格式化)必須有高的定位精度。目前的硬盤驅(qū)動(dòng)器使用組裝有利用光干涉的高精度位置檢測(cè)裝置的專用伺服裝置(以下稱伺服記錄器)進(jìn)行記錄磁頭的定位后進(jìn)行格式化。
但是，上述利用伺服記錄器進(jìn)行的格式化存在以下的問題。
第1，邊對(duì)磁頭進(jìn)行高精度定位邊對(duì)多個(gè)磁道寫入信號(hào)要化很多時(shí)間。為了提高生產(chǎn)率必須使多個(gè)伺服記錄器同時(shí)工作。
第2，引入多個(gè)伺服記錄器，維護(hù)管理成本就增高。這些問題當(dāng)磁道密度越高、磁道數(shù)越多時(shí)問題越嚴(yán)重。
因此有人提出了這樣的方式格式化不是使用伺服記錄器，而是將預(yù)先寫入有所有伺服信息的稱為母盤的盤片與應(yīng)格式化的磁盤重疊，從外部給予轉(zhuǎn)錄用的能量，以此將母盤信息一下子轉(zhuǎn)錄在磁盤上。
作為其一個(gè)例子，例如有日本發(fā)明專利公開1998年第40544號(hào)公報(bào)所公開的磁轉(zhuǎn)錄裝置。
該公報(bào)公開了這樣的方法在基體表面以相對(duì)信息信號(hào)的圖案形狀形成由強(qiáng)磁性材料構(gòu)成的磁性部來作為磁轉(zhuǎn)錄用母盤，使該磁轉(zhuǎn)錄用母盤的表面與形成有強(qiáng)磁性薄膜或強(qiáng)磁性粉涂層的的片狀或盤狀磁記錄媒體的表面接觸，并施加規(guī)定的磁場(chǎng)，以此將與形成在磁轉(zhuǎn)錄用母盤上的信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的圖案形狀的磁化圖案記錄在磁記錄媒體上。
但是，盤片旋轉(zhuǎn)時(shí)磁頭與盤片表面的間隙一般為30nm左右，因此盤片表面的凹凸最大也必須控制在20nm左右。如果磁記錄媒體上存在更大的凸起，則數(shù)據(jù)記錄再現(xiàn)時(shí)，磁頭與磁記錄媒體就會(huì)接觸。在這種情況下，接觸的瞬間磁頭與磁盤的間隔變大，信號(hào)的記錄再現(xiàn)性能下降，并由于磁頭與磁盤物理性接觸，故會(huì)引起磁頭壽命下降。
即，上述日本發(fā)明專利公開1998年第40544號(hào)公報(bào)所公開的磁轉(zhuǎn)錄裝置，雖能在瞬間完成格式化，但其缺點(diǎn)是，因?yàn)榇呸D(zhuǎn)錄用母盤與磁盤在整個(gè)面接觸，為了以這樣的磁頭、盤片之間的間隙也能經(jīng)得起實(shí)際使用，必須進(jìn)行嚴(yán)格的表面管理。
還有，近年來，磁盤、光磁盤、光盤等盤狀記錄媒體正在進(jìn)行小型化、薄型化、高容量化等的高性能化，隨之如上所述，對(duì)高密度記錄媒體的要求也增高。為了滿足這樣的要求，必須有高精度高可靠性的盤狀記錄媒體，制造平坦性、光滑性良好且記錄信息時(shí)不會(huì)附著微小塵埃等的盤狀記錄媒體成為當(dāng)務(wù)之急。
相對(duì)上述要求，上述現(xiàn)有的磁轉(zhuǎn)錄裝置無論進(jìn)行怎樣嚴(yán)格的管理，也很難避免混入微小異物，在將母盤與要格式化的磁盤疊合的瞬間，由于這樣的異物在母盤或磁盤表面會(huì)產(chǎn)生微小的異常凸起。一般母盤的材質(zhì)為硅，磁盤是硬度比此低的材質(zhì)例如鋁，在這樣的情況下，母盤上異物引起的凸部會(huì)被形狀復(fù)制成磁盤側(cè)的凹陷，相反，在磁盤為硬度高的材質(zhì)、例如為玻璃時(shí)，由于磁盤上存在的異物，母盤側(cè)會(huì)產(chǎn)生缺陷，在這種情況下，其缺陷會(huì)全部反映在然后進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的磁盤上，很難高效率穩(wěn)定地制造高品質(zhì)的磁盤。
本發(fā)明的目的在于，為了制造能將這樣的微小凸起減小到不成問題的大小、記錄再現(xiàn)時(shí)不會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤的高品質(zhì)盤片，實(shí)現(xiàn)一種能進(jìn)行正確的磁轉(zhuǎn)錄的磁轉(zhuǎn)錄裝置。
發(fā)明的公開本發(fā)明的磁轉(zhuǎn)錄方法，是一種將形成有磁性膜的磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊在形成有強(qiáng)磁性層的磁盤表面，使用外界磁場(chǎng)將磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄在磁盤表面上的制造方法，首先使用暫設(shè)的盤片使其壓在磁轉(zhuǎn)錄用母盤上，此時(shí)對(duì)磁轉(zhuǎn)錄用母盤與磁盤間的氣體反復(fù)進(jìn)行抽吸、壓送，然后安裝正規(guī)的磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄記錄。通過采用這樣的方法，可以使磁轉(zhuǎn)錄時(shí)的磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面始終保持無異物及毛刺的光滑狀態(tài)，能制造出幾乎不會(huì)產(chǎn)生對(duì)進(jìn)行了磁轉(zhuǎn)錄的磁盤來說會(huì)成為問題的微小凸起的、高品質(zhì)的磁盤。
此外，本發(fā)明的磁轉(zhuǎn)錄方法可以提供這樣的磁轉(zhuǎn)錄方法，還具有檢測(cè)磁盤表面缺陷的缺陷檢測(cè)手段，用該缺陷檢測(cè)手段測(cè)出在磁盤表面有規(guī)定數(shù)以上的缺陷時(shí)，使磁轉(zhuǎn)錄用母盤與暫設(shè)盤的貼緊、分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)之后，將暫設(shè)盤更換成磁轉(zhuǎn)錄前的磁盤，并使其與磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄記錄，以此可以定期進(jìn)行除去磁轉(zhuǎn)錄用母盤的污垢及異物的維護(hù)保養(yǎng)，能長(zhǎng)期進(jìn)行高品質(zhì)磁盤的磁轉(zhuǎn)錄。
還有，在本發(fā)明中，在磁轉(zhuǎn)錄用母盤上使與暫設(shè)盤貼緊、分離的區(qū)域完全包含進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄時(shí)從磁轉(zhuǎn)錄用母盤向磁盤的磁轉(zhuǎn)錄區(qū)域。由此，磁盤的外周側(cè)邊緣部也能正確轉(zhuǎn)錄伺服信號(hào)，能制造高品質(zhì)的磁盤。
此外，本發(fā)明的磁轉(zhuǎn)錄方法在使暫設(shè)母盤與磁盤貼緊、分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)之后，將暫設(shè)母盤更換成磁轉(zhuǎn)錄用母盤，使其與磁盤貼緊后進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄，以此能除去磁盤上的異物，能在保證有極光滑的表面性和高可靠性的情況下，進(jìn)行正確的磁轉(zhuǎn)錄。
還有，本發(fā)明的磁轉(zhuǎn)錄裝置是一種使至少一個(gè)面上形成有磁性膜的磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊在磁盤上并施加外界磁場(chǎng)，以此將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄到所述磁盤上的磁轉(zhuǎn)錄裝置，包括寫入有應(yīng)轉(zhuǎn)錄的規(guī)定信息的所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤；可滑動(dòng)地定位于導(dǎo)向構(gòu)件、保持所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的保持部；設(shè)有通氣孔、支承所述磁盤或暫設(shè)盤的支承臺(tái)；向設(shè)于所述支承臺(tái)的所述通氣孔供給氣體用的供氣部；從所述通氣孔排出氣體用的排氣部；以及，施加磁轉(zhuǎn)錄用的磁場(chǎng)的磁鐵。由于該構(gòu)成，可以使磁轉(zhuǎn)錄時(shí)的磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面始終保持無異物和毛刺的光滑狀態(tài)，而被磁轉(zhuǎn)錄的磁盤幾乎不發(fā)生微小凸起，能制造高品質(zhì)的磁盤。
附圖的簡(jiǎn)單說明

圖1為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的工序的流程圖。
圖2所示為本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄裝置的剖視圖。
圖3為示出圖2的磁轉(zhuǎn)錄裝置中磁轉(zhuǎn)錄用母盤與暫設(shè)盤貼緊時(shí)狀態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄裝置的剖視圖。
圖4為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的與磁盤的接觸面的圖。
圖5為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的輪轂形狀之一例的圖。
圖6為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄裝置中的氣體抽吸、壓送時(shí)空間S的氣壓的時(shí)間經(jīng)過說明圖。
圖7為示出將磁盤向一個(gè)方向磁化后的狀態(tài)的立體圖。
圖8為示出在磁盤規(guī)定區(qū)域，記錄有與母盤磁性部的圖案形狀對(duì)應(yīng)的信息信號(hào)狀態(tài)的圖。
圖9為示出將與母盤上形成的圖案形狀對(duì)應(yīng)的信息信號(hào)轉(zhuǎn)錄到磁盤上的順序的圖。
圖10所示為對(duì)用本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄裝置進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后的磁盤表面用異物檢測(cè)裝置進(jìn)行測(cè)定所得數(shù)據(jù)的圖。
圖11所示為對(duì)用現(xiàn)有的磁轉(zhuǎn)錄裝置進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后的磁盤表面用異物檢測(cè)裝置進(jìn)行測(cè)定所得數(shù)據(jù)的圖。
圖12為示出磁盤表面的缺陷數(shù)與抽吸/壓送次數(shù)之關(guān)系的圖。
圖13A為示出磁轉(zhuǎn)錄用母盤上形成的磁道圖案邊緣部出現(xiàn)的初始狀態(tài)的毛刺的圖。
圖13B為示出重復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送之后狀態(tài)的毛刺的圖。
圖13C為示出磁轉(zhuǎn)錄用母盤上形成的初始狀態(tài)的凸起部的圖。
圖13D為示出重復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送之后狀態(tài)的凸起部的圖。
圖14為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信號(hào)區(qū)域之一例的示意圖。
圖15為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信號(hào)區(qū)域的局部放大示意圖。
圖16為示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信號(hào)區(qū)域的局部剖面示意圖。
圖17為示出本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法的工序的流程圖。
圖18為示出暫設(shè)盤上潤(rùn)滑劑的有無與磁轉(zhuǎn)錄用母盤上的異物、缺陷數(shù)及抽吸/壓送之關(guān)系的圖。
圖19A為示出在使用涂有潤(rùn)滑劑的暫設(shè)盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄后的磁盤上記錄的信號(hào)的再現(xiàn)包絡(luò)線的圖。
圖19B為示出在使用未涂潤(rùn)滑劑的暫設(shè)盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄后的磁盤上記錄的信號(hào)的再現(xiàn)包絡(luò)線的圖。
圖20A為示意性示出使本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄用母盤比暫設(shè)盤大時(shí)的抽吸/壓送時(shí)之關(guān)系的圖。
圖20B為示意性示出本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)中的磁盤的安裝位置偏離暫設(shè)盤時(shí)的抽吸/壓送時(shí)之關(guān)系的圖。
圖21為示出暫設(shè)盤相對(duì)本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)中的較大磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊位置之一例的圖。
圖22為示出本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄裝置中的工序的流程圖。
圖23為示出進(jìn)行了本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)中抽吸、壓送之工序狀態(tài)下的磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面的圖。
圖24為示出未進(jìn)行本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)中的抽吸、壓送之工序狀態(tài)下的磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面的圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。
本發(fā)明是一種磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置，該方法及裝置通過使磁轉(zhuǎn)錄用母盤的形成有磁性膜的表面貼緊暫設(shè)盤來凈化磁轉(zhuǎn)錄用母盤之后，使磁轉(zhuǎn)錄用母盤疊合在磁盤上進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄記錄。
在本發(fā)明的各實(shí)施形態(tài)中，對(duì)將磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄到正規(guī)磁盤表面的磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置進(jìn)行說明。
第1實(shí)施形態(tài)用圖1-圖6對(duì)本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄方法及磁轉(zhuǎn)錄裝置進(jìn)行說明。
圖1為本實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法的流程圖。在圖1中，首先通過濺射法等公知的方法，對(duì)正規(guī)的磁盤(以下稱磁盤)在盤片表面形成例如由Co等構(gòu)成的強(qiáng)磁性薄膜作為磁性層。
另一方面，將暫設(shè)盤裝在磁轉(zhuǎn)錄裝置(以下稱裝置)上，使磁轉(zhuǎn)錄用母盤(以下稱母盤)靠近暫設(shè)盤之后，重復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送，然后更換成磁盤，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄。又，母盤是事前已安裝在母盤上的。
接著使用圖2-圖5，詳細(xì)說明圖1的磁轉(zhuǎn)錄工序。
圖2為本實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄裝置的剖視圖，示出母盤與暫設(shè)盤相分離時(shí)的狀態(tài)。圖3示出母盤2與暫設(shè)盤1貼緊時(shí)的狀態(tài)。圖4為示出母盤2中的與磁盤的接觸面3的圖，槽4從母盤2的中心起放射狀擴(kuò)展。在本實(shí)施形態(tài)中，槽的深度設(shè)定為5μm左右。
在圖2中，暫設(shè)盤1在進(jìn)行抽吸/壓送的工序之后，更換成磁盤。暫設(shè)盤的材質(zhì)使用鋁。母盤2的材質(zhì)使用比鋁硬的最好使用硅。在母盤2上的與暫設(shè)盤1的接觸面3上，設(shè)有從母盤2中心呈放射狀伸展的槽4(參照?qǐng)D4)。圖2中的母盤2示出的是通過該槽的沿圖4的虛線2-2的剖面。
在母盤2的中心部固定有中心塊5，與暫設(shè)盤1的內(nèi)周孔有間隙地嵌合。支承臺(tái)6支承著暫設(shè)盤1，中心部設(shè)有流過空氣用的通氣孔7。通道8是對(duì)母盤2與暫設(shè)盤1之間的氣體進(jìn)行排出、壓送用的。氣體經(jīng)過氣體排出口9及控制氣體排出的排氣閥11，從與氣體排出口9連接的抽吸泵10排出。此外，供氣泵12向通道8壓送氣體，供氣閥13控制氣體的供氣。在此，供氣泵12設(shè)有0.01μm的空氣過濾器，以使0.01μm以上的異物不被壓送到通道8。
保持母盤2用的保持臂14保持著母盤2。作為保持方法，也有粘接等方法，但也可以如圖2所示，通過從設(shè)于保持臂14的通孔19抽吸氣體，將母盤2吸附。
保持臂14再通過導(dǎo)向構(gòu)件16，經(jīng)上部的中心塊部，沿垂直方向可自由滑動(dòng)地被定位。
但是，母盤2的定位方法并不限于依靠保持臂14的方法，例如通過使中心塊5的外周與磁盤(在此是暫設(shè)盤1)的內(nèi)周孔嵌合也可以進(jìn)行。在這樣的情況下，中心塊5的形狀如圖5所示，母盤2與暫設(shè)盤1之間的氣體通過設(shè)于中心塊5外周部的缺口部51被排出、壓送。
接著利用圖2-圖4，詳細(xì)說明抽吸/壓送工序。
首先參照?qǐng)D2，說明利用壓送的分離的工序。關(guān)閉排氣閥11，打開供氣閥13，在該狀態(tài)使供氣泵12工作，使氣體流入通道8。于是，在通氣孔7內(nèi)，如圖2的箭頭A所示，空氣向上方壓送。因此，被壓送到通氣孔7內(nèi)的空氣將中心塊5向上推壓，再如箭頭B所示，空氣被壓送入槽4。被壓送到槽4的空氣通過槽4從母盤2的中心向外周放射狀擴(kuò)散。再?gòu)牟?通過母盤2與暫設(shè)盤1的間隙向大氣排放。由于該空氣的流動(dòng)，附著在母盤2及暫設(shè)盤1表面的微小異物與氣體一起被排出到外部。
圖6示出了從抽吸工序向壓送工序變化時(shí)的時(shí)間經(jīng)過與夾在母盤2與暫設(shè)盤1之間空間(以下稱空間S)的氣壓之關(guān)系。在圖6中，從時(shí)間經(jīng)過約3秒起空間S的氣壓從30kPa瞬間上升，之后約1秒鐘保持超過大氣壓的130kPa程度的氣壓，該期間相當(dāng)于圖2所示的母盤2與磁盤1分離時(shí)的狀態(tài)。
此時(shí)，暫設(shè)盤1與母盤2之間的間隙最好設(shè)定得盡量小。在本實(shí)施例中設(shè)定為約0.5mm。因此，暫設(shè)盤1與母盤2之間的氣體流動(dòng)加快，可以將存在于兩者之間的微小異物可靠排出到外部。
在本實(shí)施形態(tài)中，當(dāng)母盤2和保持臂14成一體地從暫設(shè)盤1與母盤2貼緊的狀態(tài)上升了0.5mm時(shí)，由于保持臂14的上側(cè)面與導(dǎo)向構(gòu)件16的下側(cè)面抵靠，故暫設(shè)盤1與母盤2間的距離得到控制。
以下使用圖3說明利用抽吸而貼緊的工序。
使供氣泵12停止，關(guān)閉供氣閥13。于是，保持母盤2的保持臂14因自重而向下移動(dòng)，母盤2以中心塊5與暫設(shè)盤1的內(nèi)周孔嵌合的狀態(tài)放置在暫設(shè)盤1之上。然后，打開排氣閥11，使排氣泵10工作。于是，如圖3的箭頭C所示，通氣孔7的氣體向下方排出，因此槽4內(nèi)部即空間S的氣體也通過暫設(shè)盤1的內(nèi)周孔與中心塊5的間隙被排出。
在此，因?yàn)椴?如圖4所示，并不是一直開設(shè)到母盤2最外周的形狀，所以，在最外周的厚壁部分，母盤2與暫設(shè)盤1在整個(gè)圓周呈貼緊狀態(tài)，空間S呈密閉狀態(tài)，其壓力比大氣壓低。因此，暫設(shè)盤1被大氣壓15壓靠在母盤2上(圖3)。
其結(jié)果是，暫設(shè)盤1上存在的異物被夾在暫設(shè)盤1與母盤2之間。若比較暫設(shè)盤1與母盤2的硬度，則暫設(shè)盤的硬度較低，故夾在兩者間的異物不會(huì)損傷母盤2的表面，而是進(jìn)入暫設(shè)盤1側(cè)或使其產(chǎn)生缺陷。此外，母盤2上存在的微小異常凸起由于與暫設(shè)盤1貼緊而趨向平坦。
圖6中空間S的氣壓為30kPa程度的期間相當(dāng)于上述貼緊狀態(tài)。
但槽4的形狀并不限于上述形狀，在槽4為開設(shè)至母盤2外周形狀的情況下，只要設(shè)置能密封母盤2與暫設(shè)盤1的外周的構(gòu)件就行。
下面再次實(shí)施圖2所示的分離工序。即，關(guān)閉排氣閥11，打開供氣閥13，使供氣泵12工作。于是，如箭頭A、B所示氣體被壓送，母盤2由于氣體壓送的力而與保持臂14成一體移動(dòng)，在保持臂14的上側(cè)面與導(dǎo)向構(gòu)件16抵靠處停止。此時(shí)如箭頭B所示，氣體通過槽4保持從母盤2的中心向外周側(cè)放射狀壓送的狀態(tài)。由于這樣的情況，存在于暫設(shè)盤1表面的異物與從供氣泵12壓送來的氣體一起被排出到外部。
上述抽吸、壓送重復(fù)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)之后，將暫設(shè)盤1換成正規(guī)的磁盤，對(duì)磁盤進(jìn)行上述的抽吸工序，在磁盤與磁轉(zhuǎn)錄用母盤2貼緊的狀態(tài)下，如圖3所示，進(jìn)行施加磁場(chǎng)的工序。
即，如圖3所示，使磁鐵17向箭頭D方向移動(dòng)而靠近母盤2，當(dāng)其距離約為1mm時(shí)停止向箭頭D方向的移動(dòng)。接著使磁鐵17向磁盤的圓周方向即箭頭E的方向旋轉(zhuǎn)1周以上來施加轉(zhuǎn)錄必需的磁場(chǎng)。
使用圖7-圖9，對(duì)將與母盤2形成的圖案形狀對(duì)應(yīng)的信息信號(hào)轉(zhuǎn)錄到磁盤100上的順序作更詳細(xì)的說明。
首先，在使磁鐵17靠近母盤2的狀態(tài)下，以母盤2的中心軸為旋轉(zhuǎn)軸，使磁鐵17與母盤2平行地旋轉(zhuǎn)，如圖7的箭頭所示，預(yù)先向一個(gè)方向磁化磁盤100(初始磁化)。
接著如上所述，在將母盤2定位并疊合于磁盤100上的狀態(tài)下，使母盤2與磁盤100均勻貼緊，然后使磁鐵17向與圖3的箭頭E相反的方向旋轉(zhuǎn)。即施加與初始磁化相反方向的磁場(chǎng)，于是母盤2的磁性部26被磁化，在與母盤2疊合的磁盤100的與母盤2的磁性部26對(duì)應(yīng)的規(guī)定區(qū)域116，如圖8所示，被記錄與母盤2的磁性部26的圖案形狀對(duì)應(yīng)的信息信號(hào)。又，圖8所示的箭頭表面此時(shí)轉(zhuǎn)錄在磁盤1上的磁化圖案的磁場(chǎng)的方向。
圖9示出該磁化處理時(shí)的情況，在使母盤2貼緊在磁盤1上的狀態(tài)下，從外部向磁轉(zhuǎn)錄用母盤2施加磁場(chǎng)而使磁性部26磁化，能將信息信號(hào)記錄在磁盤100的強(qiáng)磁性層1c上。即，通過使用在非磁性的硅基體2b上形成有由排列圖案形狀與規(guī)定的信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的強(qiáng)磁性薄膜構(gòu)成的磁性部26的母盤2，作為與該信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的磁化圖案，能磁轉(zhuǎn)錄記錄在磁盤100上。
另外，作為將母盤2的圖案轉(zhuǎn)錄到磁盤1時(shí)的方法，除了如上所述，在使母盤2與磁盤100接觸的狀態(tài)下施加外部磁場(chǎng)的方法之外，預(yù)先使母盤2的磁性部26磁化，在該狀態(tài)使母盤2與磁盤1貼緊接觸的方法，也能記錄信息信號(hào)。
圖10及圖11示出了用異物檢測(cè)裝置等測(cè)定制成的磁盤表面狀態(tài)的測(cè)定結(jié)果，圖11所示為傳統(tǒng)轉(zhuǎn)錄方法即未使用暫設(shè)盤未進(jìn)行上述的抽吸/壓送動(dòng)作情況下轉(zhuǎn)錄的磁盤的表面狀態(tài)。表2所示為使用傳統(tǒng)轉(zhuǎn)錄方法的缺陷深度與缺陷個(gè)數(shù)的關(guān)系。
表1

表2

從圖11及表2可知，磁盤表面深度為40nm以上的缺陷有24個(gè)，尤其是很多存在于外周部。
與此相對(duì)照，圖10所示為在使用暫設(shè)盤進(jìn)行上述抽吸/壓送動(dòng)作10萬次之后，換上正規(guī)的磁盤進(jìn)行了磁轉(zhuǎn)錄的磁盤的表面狀態(tài)。表1示出了此時(shí)的缺陷深度與缺陷個(gè)數(shù)的關(guān)系。從表1可知，磁盤表面存在的40nm以上的缺陷為2個(gè)。
從這些圖可知，通過使用暫設(shè)盤重復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送動(dòng)作，母盤2的表面趨向光滑，明顯減少了如傳統(tǒng)那樣的因母盤2上的異常凸起而存在的磁盤上的缺陷。
圖12將抽吸/壓送的動(dòng)作次數(shù)與缺陷深度40nm以上的缺陷個(gè)數(shù)之關(guān)系變成了圖，從圖10可知，越增加抽吸/壓送的動(dòng)作次數(shù)，缺陷1的數(shù)目越減少。
圖13A-13D所示為母盤2表面的初始狀態(tài)及經(jīng)過上述反復(fù)抽吸/壓送之后的狀態(tài)。
可以知道，在形成于母盤2上的磁道圖案21的邊緣部出現(xiàn)的如圖13A所示那樣的初始狀態(tài)的毛刺22，如圖13B所示，通過10萬次的抽吸/壓送而變光滑。
此外可知，初期存在的如圖13C那樣的凸起部23如圖13D所示，由于10萬次的抽吸/壓送而變光滑，除了凸起量最大的凸起部頂端24之外基本消失了。
如上所述，若采用本實(shí)施形態(tài)，通過在磁轉(zhuǎn)錄之前使用暫設(shè)盤進(jìn)行抽吸/壓送動(dòng)作，除去母盤2表面存在的異物，并使異常凸起變平坦，因此可以制造有極光滑的表面性的高品質(zhì)磁盤，可以進(jìn)行正確的磁轉(zhuǎn)錄。
另外，若暫設(shè)盤的表面污垢或表面異物數(shù)達(dá)到規(guī)定數(shù)以上，就換成新的暫設(shè)盤。
此外，如本實(shí)施形態(tài)所示，暫設(shè)盤的表面硬度最好比母盤的表面硬度低。這是因?yàn)?，如果暫設(shè)盤表面硬度比母盤的表面硬度高，則當(dāng)母盤2與暫設(shè)盤1之間存在硬度比母盤的表面硬度高但比暫設(shè)盤的表面硬度低的異物時(shí)，因?yàn)闀涸O(shè)盤的表面硬度比異物的硬度高，故暫設(shè)盤表面不會(huì)產(chǎn)生凹陷，即，暫設(shè)盤側(cè)不會(huì)附著異物。因此，異物附著在母盤2側(cè)，在該狀態(tài)，然后當(dāng)暫設(shè)盤1與母盤2貼緊時(shí)，因?yàn)楫愇镉捕缺葧涸O(shè)盤1的表面硬度高，故在暫設(shè)盤1的表面產(chǎn)生凹陷，成為引起缺陷的原因。
相反，如果如本實(shí)施形態(tài)那樣，使暫設(shè)盤的表面硬度比暫設(shè)盤的表面硬度要小，則當(dāng)暫設(shè)盤1與母盤2貼緊時(shí)，由于上述原因，能可靠防止暫設(shè)盤產(chǎn)生凹陷。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，暫設(shè)盤的材質(zhì)為鋁，但并不受此限制，例如也可以將在鋁表面形成有鍍層的盤片用作暫設(shè)盤。作為鍍層，最好是具有如Co-Re-P、Co-Ni-P、Co-Ni-Re-P那樣強(qiáng)磁性的磁特性的材料。通過在暫設(shè)盤表面形成具有磁特性的鍍層，能獲得以下所示的效果。即，當(dāng)母盤盤片2的表面上存在的磁性膜有異常凸起時(shí)，由于與暫設(shè)盤1反復(fù)進(jìn)行貼緊/分離的動(dòng)作，故磁性膜會(huì)剝離，但由于暫設(shè)盤1的表面形成有具有磁特性的鍍層，故磁性膜可靠地附著在暫設(shè)盤側(cè)。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，未實(shí)施拋光工序，但也可以例如在使用磁帶、磁頭、拋光劑等實(shí)施拋光工序之后，通過進(jìn)行上述的抽吸/壓送工序來除去磁盤表面上殘存的拋光粉及車削粉末。在該情況下，壓送時(shí)的壓力保持原樣，提高抽吸時(shí)的壓力，例如設(shè)定為60kPa程度，能進(jìn)一步提高除去效果。
現(xiàn)對(duì)圖4所示的母盤2進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖14所示為磁轉(zhuǎn)錄用母盤2之一例的平面示意圖。如圖14所示，在母盤2的一主面即與磁盤1的強(qiáng)磁性薄膜表面接觸側(cè)的接觸面3上，大致放射狀地形成有信號(hào)區(qū)域2a。圖4及圖14是示意性圖，實(shí)際上，圖14中的信號(hào)區(qū)域2a形成在除了圖4中的槽4之外的接觸面3上。
圖15為示意性示出圖14的虛線所包圍部分A的放大圖。如圖15所示，在信號(hào)區(qū)域2a，在與記錄在磁盤上的數(shù)字信息信號(hào)，例如預(yù)先格式記錄對(duì)應(yīng)的位置，形成有形狀與上述信息信號(hào)對(duì)應(yīng)并由強(qiáng)磁性薄膜構(gòu)成的磁性部形成的母盤信息圖案。在圖15中，加有剖面線的部分是由強(qiáng)磁性薄膜構(gòu)成的磁性部。該圖15所示的母盤信息圖案相對(duì)盤片周向34，沿磁道長(zhǎng)度方向依次有排列時(shí)鐘信號(hào)31、跟蹤用伺服信號(hào)32、地址信息信號(hào)33等各個(gè)區(qū)域。也示出了數(shù)據(jù)信號(hào)區(qū)域35。另外，圖15所示母盤信息圖案是一個(gè)例子，根據(jù)記錄在磁記錄媒體上的數(shù)字信息信號(hào)，適當(dāng)決定母盤信息圖案的構(gòu)成及配置等。
例如，在如硬盤驅(qū)動(dòng)器那樣，在硬盤的磁性膜上首先記錄基準(zhǔn)信號(hào)，根據(jù)該基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行跟蹤用伺服信號(hào)等的預(yù)先格式記錄時(shí)，也可以使用本發(fā)明的母盤，在硬盤的磁性膜上，預(yù)先僅轉(zhuǎn)錄預(yù)先格式記錄用的基準(zhǔn)信號(hào)，然后將該硬盤組裝入驅(qū)動(dòng)器的筐體內(nèi)，跟蹤用伺服信號(hào)等的預(yù)先格式記錄使用硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭進(jìn)行。
圖16所示為圖14、圖15所示區(qū)域的局部剖面。
如圖16所示，母盤2是這樣構(gòu)成的，即，在由Si基板、玻璃基板、塑料基板等的非磁性材料構(gòu)成的圓盤狀基體41的一個(gè)主面，即接觸磁盤1的表面?zhèn)鹊慕佑|面3，以與信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的多個(gè)細(xì)微的排列圖案形狀，形成有凹部42，在該基體41的凹部42內(nèi)，以埋入的形態(tài)形成有作為磁性部的強(qiáng)磁性薄膜43。
在此，作為強(qiáng)磁性薄膜43，可以使用多種磁性材料，無論是硬質(zhì)磁性材料、半硬質(zhì)磁性材料還是軟質(zhì)磁性材料，只要是能將數(shù)據(jù)信息信號(hào)轉(zhuǎn)錄到磁性記錄媒體上的就行。例如可以使用Fe、Co、Fe-Co合金等。又，為了無論記錄有母盤信息的磁性記錄媒體的種類如何均能產(chǎn)生充分的記錄磁場(chǎng)，磁性材料的飽和磁通密度越大越好。尤其是，對(duì)于超過2000奧斯特的高矯頑磁力的磁盤及磁性層厚度大的軟盤來說，如果飽和磁通密度在0.8泰斯拉以下，有時(shí)就不能進(jìn)行充分的記錄，所以，一般使用具有0.8泰斯拉以上，最好使用具有1.0泰斯拉以上飽和磁通密度的磁性材料。
此外，強(qiáng)磁性薄膜43的厚度與比特長(zhǎng)度、磁性記錄媒體的飽和磁化及磁性層的膜厚有關(guān)，例如在比特長(zhǎng)度約1μm、磁性記錄媒體的飽和磁化約500emu/cc、磁性記錄媒體的磁性層厚度約20nm的情況下，強(qiáng)磁性薄膜43的厚度可以為50nm-500nm。
此時(shí)，在這樣的記錄方法中，為了獲得良好的記錄信號(hào)質(zhì)量，最好根據(jù)作為設(shè)于母盤的強(qiáng)磁性薄膜的軟質(zhì)磁性薄膜或半硬質(zhì)磁性薄膜的排列圖案形狀，在進(jìn)行預(yù)先格式記錄時(shí)對(duì)此進(jìn)行勵(lì)磁，使其同樣磁化，并最好在使用母盤進(jìn)行信號(hào)記錄之前，預(yù)先對(duì)硬盤等的磁性記錄媒體進(jìn)行直流消磁。
下面對(duì)制造這樣的母盤的方法進(jìn)行說明。
具體是，本發(fā)明的記錄方法使用的母盤的制造方法如下在Si基板表面形成抗蝕劑膜，通過如光刻蝕那樣的使用激光束或電子束的刻蝕技術(shù)對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行曝光、顯影，形成圖案之后，通過干腐蝕等進(jìn)行腐蝕，形成與信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的細(xì)微的凹凸形狀，然后用濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍敷法、CVD法、電鍍法等形成由Co等構(gòu)成的強(qiáng)磁性薄膜之后，利用所謂的剝離法除去抗蝕劑膜，這樣就能獲得具有在凹部埋入有強(qiáng)磁性薄膜形態(tài)的、且與信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的磁性部的母盤。
另外，在母盤表面形成凹凸形狀的方法并不限于上述方法，例如也可以使用激光、電子束或離子束直接形成細(xì)微的凹凸形狀，或用機(jī)械加工直接形成細(xì)微的凹凸形狀。
另外在本實(shí)施形態(tài)中，對(duì)為了吸氣使用供氣泵的例子進(jìn)行了說明，但也可以從高壓儲(chǔ)氣瓶供給氮?dú)獾取?br> 第2實(shí)施形態(tài)下面使用圖17對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法進(jìn)行說明。
圖17所示為本實(shí)施形態(tài)工序的流程圖。關(guān)于各工序與第1實(shí)施形態(tài)相同，不同之點(diǎn)在于，在對(duì)正規(guī)的磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后，測(cè)定磁轉(zhuǎn)錄用母盤的表面粗糙度，并將反饋該結(jié)果。
即在圖17中，在對(duì)磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后，使用采用散射光檢測(cè)法的異物檢測(cè)裝置等對(duì)母盤上存在的異物進(jìn)行測(cè)定。此時(shí)如果未觀察到異物，則裝上新的磁盤，繼續(xù)進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄。
但是，在反復(fù)進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的過程中，母盤表面的異物數(shù)增多，達(dá)到某一定值以上時(shí)，如上所述會(huì)出現(xiàn)磁頭撞壞的問題，所以，當(dāng)異物數(shù)達(dá)到規(guī)定的值，在本實(shí)施例的情況下為3個(gè)以上時(shí)，裝上暫設(shè)盤反復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送的動(dòng)作。由此，對(duì)于表面性惡化的母盤2，通過進(jìn)行抽吸/壓送的工序，能改善表面性，能重新制造出具有光滑的表面性的磁盤。
即，本實(shí)施形態(tài)在磁轉(zhuǎn)錄工序之中，通過對(duì)母盤2的表面性定期進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)，就能持續(xù)生產(chǎn)具有光滑的表面性的磁盤。
另外，對(duì)母盤2的異物檢查，未必要每進(jìn)行一次磁盤的磁轉(zhuǎn)錄就進(jìn)行一次，也可以每進(jìn)行規(guī)定片數(shù)的磁轉(zhuǎn)錄進(jìn)行一次，或者，逐次存儲(chǔ)進(jìn)行幾次磁轉(zhuǎn)錄之后母盤異物數(shù)達(dá)到規(guī)定值以上這樣的數(shù)據(jù)，每進(jìn)行次數(shù)少于該次數(shù)的磁轉(zhuǎn)錄工序進(jìn)行一次母盤表面粗糙度的測(cè)定。
此外，因?yàn)檫M(jìn)行母盤的異物檢查需要一定的時(shí)間，所以，如果不進(jìn)行異物檢查，而是每當(dāng)對(duì)規(guī)定片數(shù)的磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后，裝上暫設(shè)盤進(jìn)行母盤的維護(hù)保養(yǎng)，也能獲得同樣的結(jié)果。
此外，利用盤片進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后的檢查，如果磁轉(zhuǎn)錄之后的盤片的異物為規(guī)定值以上，采用對(duì)母盤2進(jìn)行抽吸/壓送工序的方法也能獲得同樣的效果。
這對(duì)于暫設(shè)盤1也一樣，進(jìn)行母盤2和暫設(shè)盤1的抽吸/壓送時(shí)，通過測(cè)定暫設(shè)盤1表面，也能測(cè)出母盤2上的異物。
即，因?yàn)殇X制的暫設(shè)盤1硬度比硅制的母盤2的低，所以如果母盤/暫設(shè)盤之間存在異物，則抽吸時(shí)，該異物會(huì)陷入暫設(shè)盤1側(cè)，暫設(shè)盤1表面會(huì)產(chǎn)生凹陷。
因此，每進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的抽吸/壓送之后，檢測(cè)暫設(shè)盤1表面的細(xì)微凹陷，到檢測(cè)不出這樣的凹陷之時(shí)，將暫設(shè)盤1換成磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄，則可以用無異物的表面狀態(tài)光滑的母盤，制造高質(zhì)量的磁盤。
此時(shí)，若著眼于暫設(shè)盤表面對(duì)異物的吸附性，則吸附性高的為理想。
即，如果吸附性低，則母盤與暫設(shè)盤之間存在異物時(shí)，異物不附著在暫設(shè)盤表面，故有時(shí)會(huì)附著于母盤側(cè)。此外，因?yàn)闀涸O(shè)盤表面為無異物的光滑狀態(tài)，故根據(jù)暫設(shè)盤表面的狀態(tài)判斷有無異物時(shí)，有可能作出錯(cuò)誤的判斷。
另一方面，若吸附性高，母盤與暫設(shè)盤之間的異物附著于暫設(shè)盤側(cè)，故能有效除去母盤上的異物，且根據(jù)暫設(shè)盤表面的狀態(tài)，也能正確判斷有無異物。
由于以上情況，作為暫設(shè)盤，最好硬度比母盤低，并且對(duì)異物的吸附性要好。即，理想的是未涂布有潤(rùn)滑劑狀態(tài)的。
對(duì)作為暫設(shè)盤使用涂布有潤(rùn)滑劑的場(chǎng)合及使用未涂布有潤(rùn)滑劑的場(chǎng)合，圖18示出了母盤上的異物、缺陷數(shù)與抽吸/壓送的關(guān)系。
在圖18中，圓形符號(hào)表示暫設(shè)盤未涂布潤(rùn)滑劑的(試樣D)，正方形的點(diǎn)表示表面涂布有潤(rùn)滑劑的暫設(shè)盤(試樣E)。
從圖12可知，若比較試樣D與試樣E，母盤上的異物和缺陷數(shù)在初始階段是相同的，但是，試樣D通過母盤與暫設(shè)盤的貼緊、分離的多次重復(fù)進(jìn)行，能有效除去母盤-盤片上的微粒，能使其基本為0，而使用試樣E時(shí)，貼緊、分離100次以后，異物和缺陷的數(shù)目幾乎不減少。
還有，在圖19A、19B中，示意性示出了在磁轉(zhuǎn)錄后的磁盤上記錄信號(hào)之后，再現(xiàn)該信號(hào)時(shí)的信號(hào)的包絡(luò)線。
圖19A所示為使用涂有潤(rùn)滑劑的暫設(shè)盤，與母盤重復(fù)進(jìn)行1000次的抽吸/壓送之后，從母盤磁轉(zhuǎn)錄的磁盤的包絡(luò)線，圖19B所示為使用無潤(rùn)滑劑的暫設(shè)盤，與母盤進(jìn)行1000次的重復(fù)抽吸/壓送之后，從母盤磁轉(zhuǎn)錄的磁盤的包絡(luò)線。
從圖19A可以看到，包絡(luò)線的中央部分在信號(hào)輸出下降的部分50，而圖19B中未出現(xiàn)這樣的信號(hào)下降部分。
對(duì)此可以認(rèn)為，關(guān)于圖19A，雖然未看到磁盤表面上的缺陷，但因?yàn)槟副P留有異物，故從母盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄時(shí)，產(chǎn)生無信號(hào)損失，信號(hào)未被正常記錄。
而關(guān)于圖19B，可以認(rèn)為，因?yàn)閷?duì)母盤，用無潤(rùn)滑劑的暫設(shè)盤進(jìn)行抽吸/壓送處理，故母盤上的異物被完全除去，對(duì)磁盤的磁轉(zhuǎn)錄能正常進(jìn)行，所以未發(fā)生無信號(hào)損失。
第3實(shí)施形態(tài)下面使用圖20A-圖21，對(duì)本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法進(jìn)行說明。
本實(shí)施形態(tài)與第1、第2實(shí)施形態(tài)的不同點(diǎn)在于，磁轉(zhuǎn)錄用母盤與暫設(shè)盤進(jìn)行抽吸/壓送時(shí)的母盤上的貼緊區(qū)域完全包含對(duì)正規(guī)磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄時(shí)的磁轉(zhuǎn)錄區(qū)域。
圖20A、20B為示意性示出母盤2和暫設(shè)盤1進(jìn)行抽吸/壓送時(shí)關(guān)系的圖。在圖20A中，通過對(duì)母盤2和暫設(shè)盤1進(jìn)行抽吸/壓送，區(qū)域A內(nèi)的異物被除去。
接著，將暫設(shè)盤1換成磁盤100之后，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之時(shí)，當(dāng)暫設(shè)盤1與磁盤100一樣大小時(shí)，則由于磁盤100安裝位置的偏移，如圖20B所示，磁盤100的邊緣有時(shí)會(huì)與異物抵靠。
在這樣的情況下，在異物附近，磁盤100與母盤2的貼緊度下降，引起無信號(hào)損失，轉(zhuǎn)錄在磁盤100上的伺服信號(hào)的輸出下降。
其結(jié)果是，發(fā)生讀出錯(cuò)誤，磁盤100的旋轉(zhuǎn)發(fā)生混亂。
因此，在本實(shí)施形態(tài)中，作為暫設(shè)盤1，使用尺寸比磁盤100大的，以此擴(kuò)大圖20A中的區(qū)域L，即使磁盤100與暫設(shè)盤1的安裝位置發(fā)生偏移，也能在磁盤100的整個(gè)面上進(jìn)行正常的磁轉(zhuǎn)錄，不會(huì)導(dǎo)致伺服信號(hào)輸出的下降，能制造高質(zhì)量的磁盤100。
另外，一般作為暫設(shè)盤1，往往使用磁盤100制造工序中途的磁盤，尺寸是相等的，所以，為了獲得上述效果，也可以在暫設(shè)盤1和母盤2進(jìn)行抽吸/壓送時(shí)，使暫設(shè)盤1偏心。即，如圖21所示，每次進(jìn)行抽吸/壓送時(shí)，使暫設(shè)盤1相對(duì)母盤2的貼緊位置如X、Y、Z所示那樣依次偏移，就能對(duì)完全包含磁盤100的區(qū)域進(jìn)行抽吸/壓送。
第4實(shí)施形態(tài)下面使用圖22-圖24，對(duì)本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的磁轉(zhuǎn)錄方法進(jìn)行說明。
本實(shí)施形態(tài)與第1-第3實(shí)施形態(tài)的不同之點(diǎn)在于，作為磁盤的材質(zhì)，使用硬度比硅還高的玻璃，硬度比硅制的磁轉(zhuǎn)錄用母盤2還高，以及，使用暫設(shè)母盤。
還有，圖22所示為本實(shí)施形態(tài)的工序的流程圖。關(guān)于各工序是與第1實(shí)施形態(tài)相同的。
在圖22中，首先，將用硅制成的暫設(shè)母盤安裝在裝置上，并將形成有磁性層的正規(guī)磁盤安裝在裝置上。
接著，與第1實(shí)施形態(tài)一樣，在暫設(shè)母盤與磁盤之間反復(fù)進(jìn)行抽吸/壓送的工序之后，將暫設(shè)母盤換成正規(guī)母盤，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄。
此時(shí)，因?yàn)榇疟P材質(zhì)是比硅還硬度高的玻璃，所以當(dāng)暫設(shè)母盤與磁盤貼緊時(shí)，即使因夾在其間的異物而在暫設(shè)母盤側(cè)產(chǎn)生缺陷，磁盤側(cè)也不會(huì)產(chǎn)生缺陷。另一方面，磁盤表面存在的細(xì)微異物因暫設(shè)母盤而被除去。
圖23及圖24所示為本實(shí)施形態(tài)的磁盤表面的觀察結(jié)果。圖24所示為進(jìn)行抽吸/壓送之前的初始狀態(tài)下的磁盤表面狀態(tài)。表4示出此時(shí)的缺陷深度與缺陷個(gè)數(shù)的關(guān)系。從表4可知，深度30nm以上的缺陷有6個(gè)，更小的缺陷則在盤片上存在無數(shù)個(gè)。
表3

表3

圖23所示為用暫設(shè)母盤進(jìn)行1次抽吸/壓送之后，用母盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的磁盤的表面狀態(tài)。表3示出此時(shí)的缺陷深度與缺陷個(gè)數(shù)的關(guān)系。從表3可知，深度30nm以上的缺陷未發(fā)現(xiàn)，也幾乎無更小的缺陷，具有極光滑的表面性。
在本實(shí)施形態(tài)中，可以認(rèn)為，因?yàn)樽鳛榇疟P材質(zhì)，使用比磁轉(zhuǎn)錄用母盤的材質(zhì)更硬度高的材質(zhì)，所以，磁盤表面不會(huì)被復(fù)制上母盤表面的凹凸形狀，磁盤表面存在的微小凸起或微小異物由于與暫設(shè)母盤的貼緊及抽吸/壓送工序而被除去。
如上所述，本實(shí)施形態(tài)中的磁轉(zhuǎn)錄裝置，使用比磁盤硬度低的暫設(shè)母盤，首先進(jìn)行抽吸/壓送工序來除去磁盤上的異物，使磁盤表面變光滑之后，用磁轉(zhuǎn)錄用母盤對(duì)磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的工序，從而能對(duì)幾乎無異物及異常凸起的磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄，能制造表面性極良好的高質(zhì)量磁盤。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性如上所述，若采用本發(fā)明，在將磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄到盤片表面上的制造方法中，在轉(zhuǎn)錄到正規(guī)的磁盤上之前，先在暫設(shè)盤與磁轉(zhuǎn)錄用母盤之間反復(fù)進(jìn)行抽吸、壓送，來凈化磁轉(zhuǎn)錄用母盤的表面，能保持無毛刺、光滑，能制造高質(zhì)量的磁盤。
還有，若根據(jù)本發(fā)明，在磁轉(zhuǎn)錄后測(cè)定磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面，當(dāng)檢測(cè)到磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面上有異物時(shí)，裝上暫設(shè)盤，對(duì)暫設(shè)盤與磁轉(zhuǎn)錄用母盤之間反復(fù)進(jìn)行抽吸、壓送，可以可靠除去附著在磁轉(zhuǎn)錄用母盤表面上的異物，能實(shí)現(xiàn)有耐久性的磁轉(zhuǎn)錄裝置及高質(zhì)量的磁盤。
此外，若根據(jù)本發(fā)明，作為磁盤材質(zhì)，使用硬度比磁轉(zhuǎn)錄用母盤材質(zhì)的硬度還高的材質(zhì)，在暫設(shè)母盤與正規(guī)磁盤之間反復(fù)進(jìn)行抽吸、壓送，就能除去磁盤上存在的微小異物，能制造表面性極光滑的、高質(zhì)量的磁盤。
權(quán)利要求
1.一種磁轉(zhuǎn)錄方法，通過將磁性膜形成為與規(guī)定的信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的排列圖案形狀的磁轉(zhuǎn)錄用母盤與磁盤表面疊合，并使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜磁化，將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信息信號(hào)的排列圖案磁轉(zhuǎn)錄在所述磁盤上作為信息信號(hào)的磁化圖案，其特征在于，具有通過使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的形成有磁性膜的表面與暫設(shè)盤貼緊/分離，來凈化所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的工序；在所述凈化工序之后，使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述磁盤疊合進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，還具有對(duì)所述磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后檢測(cè)所述磁盤缺陷的檢測(cè)工序，用所述檢測(cè)工序測(cè)出在有缺陷時(shí)，進(jìn)行使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的形成有磁性膜的表面與暫設(shè)盤貼緊，以凈化所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的工序；然后再次進(jìn)行從所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤向所述磁盤的磁轉(zhuǎn)錄。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，每當(dāng)對(duì)規(guī)定片數(shù)的所述磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之后，進(jìn)行使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的形成有磁性膜的表面與暫設(shè)盤貼緊/分離，以凈化所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，具有使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)的工序；在貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)的工序之后，使所述磁盤與所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤貼緊，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，還具有檢測(cè)盤片表面缺陷的檢測(cè)工序，當(dāng)根據(jù)所述檢測(cè)工序測(cè)出所述磁盤或所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤有規(guī)定數(shù)以上的缺陷時(shí)，在進(jìn)行從所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤向所述磁盤的磁轉(zhuǎn)錄之前，使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與暫設(shè)盤的貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，每當(dāng)對(duì)規(guī)定片數(shù)的所述磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄，均使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，貼緊/分離的操作通過抽吸所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤之間的氣體，或者使氣體流入所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤之間來進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的硬度比所述磁盤及所述暫設(shè)盤的硬度要高。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述暫設(shè)盤的硬度比所述磁盤的硬度要低。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述暫設(shè)盤貼緊的區(qū)域包含從所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤向所述磁盤進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄時(shí)的磁轉(zhuǎn)錄區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，通過重復(fù)進(jìn)行所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與未涂潤(rùn)滑劑的所述暫設(shè)盤的貼緊、分離，來凈化所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-6所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述暫設(shè)盤表面形成有電鍍膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述電鍍層具有強(qiáng)磁性的磁特性。
14.一種磁轉(zhuǎn)錄方法，通過將磁性膜形成為與規(guī)定的信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的排列圖案形狀的磁轉(zhuǎn)錄用母盤與磁盤表面疊合，并使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜磁化，將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的信息信號(hào)的排列圖案磁轉(zhuǎn)錄在所述磁盤上作為信息信號(hào)的磁化圖案，其特征在于，具有使所述暫設(shè)母盤與所述磁盤貼緊/分離的操作重復(fù)規(guī)定次數(shù)的工序；在該工序之后，使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述磁盤貼緊，進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或14所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述貼緊/分離的操作通過抽吸貼緊/分離對(duì)象的所述兩盤片之間的氣體，接著使氣體流入來進(jìn)行。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁轉(zhuǎn)錄方法，其特征在于，所述暫設(shè)母盤的硬度比所述磁盤的硬度要低。
17.一種磁轉(zhuǎn)錄裝置，其使至少一個(gè)面上形成有磁性膜的磁轉(zhuǎn)錄用母盤與磁盤貼緊，并施加外部磁場(chǎng)，從而將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的磁性膜圖案磁轉(zhuǎn)錄到所述磁盤上，其特征在于，其構(gòu)成包括寫入有要轉(zhuǎn)錄的規(guī)定信息的所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤；可滑動(dòng)地定位于導(dǎo)向構(gòu)件、保持所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的保持部；設(shè)有通氣孔、支承所述磁盤或暫設(shè)盤的支承臺(tái)；向設(shè)于所述支承臺(tái)的所述通氣孔供給氣體用的供氣部；從所述通氣孔排出氣體用的排氣部；施加磁轉(zhuǎn)錄用的磁場(chǎng)的磁鐵。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，所述保持部具有通孔，通過從所述通孔吸引氣體，將所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤保持在所述保持部。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤具有設(shè)置成從中心部伸向外周部且未到達(dá)最外周的多條放射狀槽。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，所述磁盤或所述暫設(shè)盤具有內(nèi)周孔，所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤的中心部具有與所述內(nèi)周孔嵌合的中心塊。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，所述中心塊在外周部有至少一個(gè)缺口部。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁轉(zhuǎn)錄裝置，其特征在于，利用所述排氣部使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述磁盤或所述暫設(shè)盤貼緊，利用所述供氣部使所述磁轉(zhuǎn)錄用母盤與所述磁盤或所述暫設(shè)盤分離。
全文摘要
一種磁轉(zhuǎn)錄方法及其使用的磁轉(zhuǎn)錄裝置,該方法使形成有與規(guī)定信息信號(hào)對(duì)應(yīng)的排列圖案形狀的磁性膜的磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)與磁盤表面疊合,并對(duì)磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)的磁性膜進(jìn)行磁化,將磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)的信息信號(hào)的排列圖案磁轉(zhuǎn)錄到磁盤上作為信息信號(hào)的磁化圖案,其特征在于,具有:通過使磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)的形成有磁性膜的表面與暫設(shè)盤(1)貼緊/分離,來凈化磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)的工序;凈化工序之后,使磁轉(zhuǎn)錄用母盤(2)與磁盤疊合進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的工序。
文檔編號(hào)B41F35/00GK1302431SQ00800668
公開日2001年7月4日 申請(qǐng)日期2000年4月25日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月26日
發(fā)明者橋秀幸, 浜田泰三, 真壁俊夫, 東間清和, 石田達(dá)朗, 伴泰明, 宮田敬三 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社