專利名稱：：光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法。特別是，本發(fā)明涉及具有無(wú)機(jī)記錄膜的光學(xué)記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，需要能記錄大量信息的高密度記錄用光學(xué)記錄介質(zhì)。例如，為了滿足該需求，藍(lán)光光盤(Blue-rayDisc)(注冊(cè)商標(biāo)在下文，稱為BD)的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)被規(guī)范化，并且高清晰度的圖像可以被記錄并存儲(chǔ)在光學(xué)記錄介質(zhì)中。假設(shè)通常高清晰度的再現(xiàn)速度為一倍速，則根據(jù)該記錄類型的BD，光盤已經(jīng)可以處理高達(dá)二倍速的記錄速度。例如，作為適合藍(lán)激光記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)，已經(jīng)提出了具有無(wú)機(jī)記錄膜的介質(zhì)，該無(wú)機(jī)記錄膜由含有鍺(Ge)的氧化物的第一記錄膜和相鄰于該第一記錄膜設(shè)置并含有鈦(Ti)的第二記錄膜構(gòu)造(例如，參考JP-A-2006-281751)。這樣的光學(xué)記錄介質(zhì)雖然由四層膜形成，但具有很寬的功率裕度(powermargin)和很好的耐久性。然而，未來(lái)所需要的是實(shí)現(xiàn)更高的線速度記錄。
發(fā)明內(nèi)容為了實(shí)現(xiàn)高線速度記錄，需要達(dá)到高記錄靈敏度這樣的記錄特性。然而，如果通過(guò)優(yōu)化含有鍺(Ge)的氧化物的第一記錄膜的氧成分和膜厚度以及含有鈦(Ti)的第二記錄膜的膜厚度等來(lái)達(dá)到高記錄靈敏度，則會(huì)發(fā)生記錄功率裕度變窄的問題。在采用鍺(Ge)的氧化物作為記錄材料的情況下，因?yàn)橛涗浽砀旧匣跓嵊涗洠杂涗涭`敏度對(duì)線速度的依賴性具有一定的預(yù)定比率，而例如功率裕度等記錄特性對(duì)線速度的依賴性很小。因此，為了在高線速度記錄的同時(shí)提高記錄靈敏度，即使在低線速度下提高記錄靈敏度也是有效的。為了同時(shí)保證很寬的功率裕度，即使在低線速度下也保證很寬的功率裕度的方法變成了改善全部特性的指示(index)。因此，本發(fā)明的目的是提供可以實(shí)現(xiàn)很寬的功率裕度的光學(xué)記錄介質(zhì)及制造該介質(zhì)的方法。為了解決上面的問題，根據(jù)本發(fā)明的第一發(fā)明，提供具有無(wú)機(jī)記錄膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于該光學(xué)記錄介質(zhì)包括相鄰于無(wú)機(jī)記錄膜的透明導(dǎo)電膜，其中該無(wú)機(jī)記錄膜具有含有鈦(Ti)的第一記錄膜和含有鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜，并且透明導(dǎo)電膜設(shè)置在第二記錄膜側(cè)。根據(jù)本發(fā)明的第二發(fā)明，提供具有無(wú)機(jī)記錄膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于包括下面的步驟形成含有鈦(Ti)的第一記錄膜；形成與第一記錄膜相鄰并且含有鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜；以及形成與第二記錄膜相鄰的透明導(dǎo)電膜。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)輻射記錄光時(shí)，分離出第二記錄膜中所含的氧，并且在第一記錄膜和第二記錄膜之間的交界面上形成氧含量很大的鍺層。就是說(shuō)，第二記錄膜分成光學(xué)常數(shù)不同且保存穩(wěn)定性很高的兩個(gè)穩(wěn)定層。因此，當(dāng)輻射再現(xiàn)光時(shí)，被輻射記錄光的部分的反光量與沒有被輻射記錄光的部分的反光量之間存在改變，從而獲得很好的信號(hào)特性。第一記錄膜的物理特性在記錄前和記錄后基本不變，但可進(jìn)行適于在與第二記錄膜的交界面上促進(jìn)反應(yīng)的所謂催化操作。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)樵跓o(wú)機(jī)記錄膜和介電膜之間提供了透明導(dǎo)電膜，所以可以實(shí)現(xiàn)很寬的功率裕度。圖1的示意性截面圖顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示例；圖2的示意性截面圖顯示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示例；圖3的曲線圖顯示了示例1-1至l-6和比較示例1-1的每一個(gè)中Sn02膜的厚度與功率裕度之間的關(guān)系；圖4的曲線圖顯示了示例2-1至2-5和比較示例2-1的每一個(gè)中Sn02膜的厚度與功率裕度之間的關(guān)系；和圖5的曲線圖顯示了示例3-1至3-5和比較示例3-1的每一個(gè)中Sn02膜的厚度與功率裕度之間的關(guān)系。具體實(shí)施例方式下面將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。(1)第一實(shí)施例光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造圖1的示意性截面圖顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示例。光學(xué)記錄介質(zhì)10的結(jié)構(gòu)為在基片1上依次層疊無(wú)機(jī)記錄膜2、透明導(dǎo)電膜3、介電膜4和透光層5。在才艮據(jù)第一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)10中，通過(guò)從透光層5側(cè)將激光輻射到無(wú)機(jī)記錄膜2上，執(zhí)行信息信號(hào)的記錄和再現(xiàn)。例如，波長(zhǎng)范圍為400nm或更大至410nm或更小的激光束由數(shù)值孔徑范圍為0.48或更大至0.86或更小的物鏡會(huì)聚，并且從透光層5側(cè)輻射到無(wú)機(jī)記錄膜2，從而執(zhí)行了信息信號(hào)的記錄和/或再現(xiàn)。這樣的光學(xué)記錄介質(zhì)10可以例舉出例如BD-R。(基片)基片l具有環(huán)形形狀，其中在中心上已經(jīng)形成開口(在下文，稱為中心孔)?；?的一個(gè)主平面為凹/凸表面11。無(wú)才幾記錄膜2形成在凹/凸表面11上。在下文，凹/凸表面11的凹入部分稱為槽內(nèi)Gin，而凸起部分成為槽上Gon。關(guān)于槽內(nèi)Gin和槽上Gon的形狀，例如，可以采用例如螺旋形狀或者同心形狀的各種形狀。槽內(nèi)Gin和/或槽上Gon擺動(dòng)(wobble),以便加入地址信息。考慮剛度來(lái)選擇基片1的厚度，優(yōu)選為0.3mm至1.3mm,更優(yōu)選為0.6mm至1.3mm，并且選擇為例如l.lmm。另外，中心孔的直徑選4奪為例如15mm。關(guān)于基片l的材料，例如，可以采用塑料材料或者玻璃。從成本的角度考慮，優(yōu)選采用塑料材料。作為塑料材料，例如，可以采用聚碳酸酯類樹脂、聚烯烴類樹脂或丙烯酸類樹脂(無(wú)^/L記錄膜)無(wú)機(jī)記錄膜2由依次層疊在基片1的凹/凸表面11上的第一記錄膜2a和第二記錄膜2b構(gòu)造。第一記錄膜2a設(shè)置在基片l的凹/凸表面ll側(cè)。第二記錄膜2b設(shè)置在透明導(dǎo)電膜3側(cè)。第一記錄膜2a含有鈦(Ti)作為主要成分。另外，從改善功率裕度的角度看，優(yōu)選第一記錄膜2a含有低導(dǎo)熱率金屬作為添加劑，例如錳(Mn)、鋯(Zr)或者鉿(Hf)。從改善功率裕度的角度看，低導(dǎo)熱率金屬含量的范圍為優(yōu)選1至40原子％，更優(yōu)選2至30原子％,再優(yōu)選5至28原子％。從調(diào)整記錄靈敏度的角度看，還優(yōu)選第一記錄膜2a含有少量的氮(N)。第一記錄膜2a的厚度的范圍優(yōu)選為10至50nm。第二記錄膜2b含有鍺(Ge)的氧化物作為主要成分。第二記錄膜2b中鍺(Ge)的氧化物的含量的范圍優(yōu)選為88至97原子％,更優(yōu)選為90至97原子％,再優(yōu)選90至95原子％。從改善耐用性的角度看，還優(yōu)選第二記錄膜2b含有錫(Sn)作為添加劑。第二記錄膜2b中錫(Sn)的含量的范圍優(yōu)選為3至12原子％,更優(yōu)選為3至10原子％,再優(yōu)選為5至10原子％。這是因?yàn)槿绻a(Sn)的含量等于或大于3原子％，則可以獲得極好的耐久性，而如果等于或小于12原子％,則可以獲得極好的信號(hào)特性。另外，如果第一記錄膜2a含有鈦(Ti)作為主要成分，并且第二記錄膜2b含有鍺(Ge)的氧化物作為主要成分，則通常可以獲得好的記錄特性。從改善調(diào)制度和信噪比(在下文，稱為C/N比)等的角度看，第二記錄膜2b的吸收系數(shù)k的范圍優(yōu)選為0.15或更大到0.90或更小，更優(yōu)選為0.20或更大至0.70或更小，再優(yōu)選為0.25或更大至0.6或更小。此外，第二記錄膜2b的厚度的范圍優(yōu)選為10至35nm。另外，說(shuō)明書中的吸收系數(shù)k是在410nm波長(zhǎng)測(cè)得的值。吸收系Hk可以采用偏振光橢圓率測(cè)量?jī)x(由RudolphCo.制造，商品名AutoEL-462P17)以如下方式獲得。由偏振光橢圓率測(cè)量?jī)x測(cè)得橢圓偏振的位相度A和由橢圓的振幅/強(qiáng)度之比獲得的正切甲。根據(jù)通過(guò)表面仿形銑床(surfaceprofiler)(TencorCo.,Ltd.制造，商品名P15)獲得的膜厚度獲得復(fù)合(complex)折射率N和吸收系數(shù)k。另外，在商用偏振光橢圓率測(cè)量?jī)x附帶的分析軟件中采用最小平方法等執(zhí)行上述操作。(透明導(dǎo)電膜)透明導(dǎo)電膜3相鄰于第二記錄膜2b設(shè)置。優(yōu)選透明導(dǎo)電膜3含有Sn02和111203中的至少一種作為主要成分。此外，透明導(dǎo)電膜3的厚度的范圍優(yōu)選為l至5nm。如果膜厚度等于或者大于lnm,則功率裕度可以很寬。如果膜厚度等于或小于5nm,則可以獲得極好的記錄靈敏度。(介電膜)介電膜4相鄰于透明導(dǎo)電膜3設(shè)置，并且用于無(wú)機(jī)記錄膜2的光學(xué)和機(jī)械保護(hù)，即改善耐久性；抑制變形(即記錄時(shí)無(wú)機(jī)記錄膜2隆起)；以及類似的情況。關(guān)于介電膜4的材料，例如，可以采用SiN、ZnS-Si02、A1N、A1203、Si02、Si02-Cr203-Zr02(在下文，成為SCZ)等。優(yōu)選采用ZnS-Si02。這是因?yàn)榭梢愿纳朴涗浶盘?hào)的S/N比，并且可以獲得好的信號(hào)特性。優(yōu)選介電膜4的厚度的范圍為10至100nm。(透光層)透光層5為例如樹脂涂覆型或片粘合型的透光層5。其中，樹脂涂覆型粘合層4表示由樹脂涂覆法形成的透光層5。片粘合型透光層5表示由片粘合法形成的透光層5。在下文將描述樹脂涂覆法和片粘合法。透光層5的厚度的范圍優(yōu)選為10至177pm，并且選擇為例如lOO(jm。通過(guò)結(jié)合這樣的薄透光層5和例如約0.85的高NA(數(shù)值孔徑)的物鏡，可以實(shí)現(xiàn)高密度記錄。透光層5的孔(直徑)選擇為例如22.7mm。樹脂涂覆型的透光層5為通過(guò)硬化光敏樹脂(例如UV樹脂)形成的樹脂蓋。片粘合型的透光層由下面的材料形成例如，環(huán)狀的透光片(膜)；以及用于將透光片粘合到基片l的粘合層。粘合層例如由UV樹脂或者壓敏粘合劑(PSA,在下文稱為PSA)制造。優(yōu)選透光片和樹脂蓋由對(duì)記錄和再現(xiàn)使用的激光束的吸收性能很低的材料制造。具體地講，優(yōu)選它們由透射率等于90%或更高的材料制造。作為透光片的材料，例如，可以采用聚碳酸酯樹脂、聚烯烴類樹脂(例如，ZEONEX(注冊(cè)商標(biāo)))等。作為樹脂蓋的材料，例如可以采用紫外線硬化類的丙烯酸類樹脂。此外，透光片的厚度優(yōu)選選擇為0.3mm或者更小，并且更優(yōu)選選擇的范圍為3至177(im。如上所述，在其中無(wú)機(jī)記錄膜2由含有鈦(Ti)的第一記錄膜2a和含有鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜2b構(gòu)成的光學(xué)記錄介質(zhì)10中，記錄時(shí)第二記錄膜2b分成不同氧含量的兩層的點(diǎn)是記錄的原理。因?yàn)榈谝挥涗浤?a和第二記錄膜2b相鄰，所以產(chǎn)生這樣的第二記錄膜2b的分離。在氧分離中，第一記錄膜2a的表面起重要作用。應(yīng)當(dāng)考慮的是，第一記錄膜2a的表面上的氧化鈦吸收用作記錄光的藍(lán)光等且引起光催化效應(yīng)的現(xiàn)象為記錄原理。這樣的原理由于已經(jīng)獲得下面這樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果而間接地和實(shí)際地得到證明其中使用了不含有鈦(Ti)的材料(例如鋁(Al)或者銀(Ag))作為主要成分的合金，或者例如幾納米的SiN或ZnS-Si02的惰性絕緣介電膜形成在第一記錄膜2a和第二記錄膜2b之間，第二記錄膜2b沒有清楚分離，并且調(diào)制程度顯著減少。而且，因?yàn)椴捎昧诉@樣的記錄膜，所以通過(guò)給第二記錄膜2b加入添加劑而極大地影響鍺(Ge)和氧(0)的分離。另外，因?yàn)橛捎诮o第一記錄膜2a添加添加劑而使光催化效應(yīng)改變，所以由于給第一記錄膜2a添加添加劑而極大地影響記錄特性。此外，通過(guò)相鄰于第二記錄膜2b的主平面之一形成透明導(dǎo)電膜3，導(dǎo)致對(duì)例如功率裕度等記錄特性的影響。光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法。(基片的成型步驟)首先，成型凹/凸表面11已經(jīng)形成在一個(gè)主平面上的基片1。關(guān)于成型基片1的方法，例如，可以采用注塑(注射)法、光致聚合法(2P法光致聚合(PhotoPolymerization))等。(第一記錄膜的膜形成步驟)隨后，基片l被送入真空室，真空室的靶由例如鈦(Ti)作為主要成分制成，并且真空室的內(nèi)部抽真空，直到壓力變?yōu)轭A(yù)定壓力。此后，在將處理氣體引入真空室的同時(shí)，濺射靶，并且第一記錄膜2a形成在基片1上。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件的示例。最終真空5.0xl(T5Pa氣氛0.1至0.6Pa施加的電功率l至3kW氣體種類Ar氣和A氣Ar氣的;充速10至40sccmN2氣的流速1至10sccm(第二記錄膜的膜形成步驟)隨后，基片l被送入真空室，真空室的靶由鍺(Ge)作為主要成分制成，并且真空室的內(nèi)部抽真空，直到其壓力變?yōu)轭A(yù)定的壓力。此后，在將處理氣體引入真空室的同時(shí)，濺射靶，并且在第一記錄膜2a上形成第二記錄膜2b。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件的示例。最終真空5.0xl(T5Pa氣氛0.1至0.6Pa施加的電功率l至3kW氣體種類:Ar氣體和02氣體Ar氣的流速24sccm02氣的流速9sccm(透明導(dǎo)電膜的膜形成步驟)隨后，基片l被送入真空室，其靶由例如Sn02和In02中的至少一種作為主要成分制成，并且真空室內(nèi)抽真空，直到其壓力變?yōu)轭A(yù)定壓力。此后，在將處理氣體引入真空室的同時(shí)，濺射靶，并且在第二記錄膜2b上形成透明導(dǎo)電膜3。下面，示出膜形成步驟中的膜形成條件的示例。最終真空5.0xl(T5Pa氣氛0.1至0.6Pa施加的電功率l至3kW氣體種類Ar氣體Ar氣的；危速24sccm(介電膜的膜形成步驟)隨后，基片1被送入真空室，其靶由例如ZnS-Si02制造，并且真空室內(nèi)抽真空，直到其壓力變?yōu)轭A(yù)定壓力。此后，在將處理氣體引入真空室的同時(shí)，濺射靶，并且在透明導(dǎo)電膜3上形成介電膜4。下面，示出膜形成步驟中的膜形成條件的示例。最終真空5.0xl(T5Pa氣氛0.1至0.6Pa施加的電功率l至4kW氣體種類Ar氣體Ar氣的流速6sccm(透光層的膜形成步驟)隨后，在介電膜4上形成透光層5。關(guān)于透光層5的形成方法，例如，可以采用樹脂涂敷法或者片粘合法等。從降低成本的角度看，樹脂涂敷法是優(yōu)選的。根據(jù)樹脂涂敷法，例如UV樹脂的光敏樹脂旋涂在介電膜4上，并且將例如UV光的光輻射到光敏樹脂，由此形成作為樹脂蓋的透光層5。根據(jù)片粘合法，透光片采用粘合劑粘合到基片l上的凹/凸表面ll側(cè)。此外，關(guān)于片粘合法，例如，可以采用片樹脂粘合法、片PSA粘合法或類似方法。根據(jù)片樹脂粘合法，通過(guò)采用涂敷在介電膜4上的例如UV樹脂等光^:樹脂，將透光片粘合在基片l上的凹/凸表面ll側(cè)，由此形成透光層5。根據(jù)片PSA粘合法，通過(guò)采用已經(jīng)事先均勻涂敷在片的一個(gè)主平面上的壓敏樹脂粘合劑(PSA)，將透光片粘合在基片l上的凹/凸表面11側(cè)，由此形成透光層5。通過(guò)上述步驟，獲得圖1所示的光學(xué)記錄介質(zhì)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，因?yàn)橥该鲗?dǎo)電膜3設(shè)置在無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間，所以通過(guò)采用總共三至五個(gè)膜層可以改善例如功率裕度等記錄特性。此外，通過(guò)適當(dāng)調(diào)整膜厚度或者添加劑，在從低線速度記錄到高線速度記錄的范圍內(nèi)，可以優(yōu)化基本的記錄/再現(xiàn)特性，例如功率裕度、2T的振幅和反射比。而且，因?yàn)楣鈱W(xué)記錄膜10可以僅通過(guò)在基片1上依次層疊第一記錄膜2a、第二記錄膜2b、透明導(dǎo)電膜3、介電膜4和透光層5形成，所以可以實(shí)現(xiàn)具有簡(jiǎn)單膜結(jié)構(gòu)的高記錄密度的光學(xué)記錄介質(zhì)10。也就是說(shuō)，可以設(shè)置適度的高記錄密度的光學(xué)記錄介質(zhì)10。(2)第二實(shí)施例圖2的示意性截面圖顯示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例。根據(jù)第二實(shí)施例，前述第一實(shí)施例中的介電膜4由第一介電膜4a和第二介電膜4b形成。與前述的第一實(shí)施例相類似的部分由相同的參考標(biāo)記指代，并且省略其描述。第一介電膜4a設(shè)置在透明導(dǎo)電膜3側(cè)。第二介電膜4b設(shè)置在透光層5側(cè)。第一介電膜4a和第二介電膜4b例如由不同材料和/或含量的介電材料制造。關(guān)于第一介電膜4a的材料，從膜形成速度等的角度看，優(yōu)選采用ZnS-Si02。第一介電膜4a的膜厚度為例如10至100nm。關(guān)于第二介電膜4b的材料，優(yōu)選采用穩(wěn)定的介電材料，如SiN或SCZ。通過(guò)采用這樣的穩(wěn)定的介電材料，在采用粘合層作為透光層5的情況下，可以抑制這樣的現(xiàn)象在第一介電膜4a中含有的例如硫(S)的成分作用于透光層5中的PSA等，透光層5退化并且耐久性下降。此外，在采用樹脂涂覆型作為透光層5的情況下，可以在抑制樹脂硬化時(shí)由于收縮引起的耐久性下降。第二介電膜4b的厚度為例如1至10nm。接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)制造方法的示例。光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法具有第一介電膜和第二介電膜的膜形成步驟，代替前述第一實(shí)施例中的介電膜的膜形成步驟。下面，示出第一介電膜和第二介電膜的膜形成條件的示例。(第一介電膜的膜形成步驟)基片1被送入真空室，其靶例如由ZnS-Si02制造，并且真空室內(nèi)抽真空，直到其壓力變?yōu)轭A(yù)定壓力。此后，在將處理氣體引入真空室的同時(shí)，濺射靶，并且在透明導(dǎo)電膜3上形成第一介電膜4a。下面，示出膜形成步驟中的膜形成條件的示例。最終真空5.0xl0-5Pa氣氛0.1至0.6Pa施加的電功率l至4kW氣體種類Ar氣體Ar氣的流速6sccm(第二介電膜的膜形成步驟)基片l被送入真空室，其靶例如由SCZ制造，并且真空室內(nèi)抽真空，直到其壓力變?yōu)轭A(yù)定壓力。此后，在將處理氣體引入真空室的同時(shí)，濺射靶，并且在第一介電膜4a上形成第二介電膜4b。下面，示出膜形成步驟中的膜形成條件的示例。最終真空5.0x1(T5Pa氣氛0.1至0.6Pa施加的電功率l至3kW氣體種類Ar氣體Ar氣的流速15sccm如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，因?yàn)橥该鲗?dǎo)電膜3設(shè)置在無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間，并且介電膜4由第一介電膜4a和第二介電膜4b構(gòu)造，所以與第一實(shí)施例相比可以進(jìn)一步改善耐久性。盡管本發(fā)明將通過(guò)下面的示例作具體的描述，但是本發(fā)明不僅限于這些示例。另外，在下面的示例中，對(duì)應(yīng)于前述示例中的部分由相同的參考^:字指代。該示例中的光學(xué)記錄介質(zhì)10是對(duì)應(yīng)于BD光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的光學(xué)記錄介質(zhì)，具體地講，它是根據(jù)光盤記錄和再現(xiàn)設(shè)備設(shè)計(jì)的光學(xué)記錄介質(zhì)，該設(shè)備采用數(shù)值孔徑為0.85的2組物鏡和波長(zhǎng)為405nm的藍(lán)-紫半導(dǎo)體激光源。在該示例中，關(guān)于光學(xué)記錄介質(zhì)的評(píng)估設(shè)備，采用BD光盤檢測(cè)儀(PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造,商品名稱ODU-IOOO)。光源的波長(zhǎng)設(shè)定為405.2nm。記錄時(shí)的線速度設(shè)定為19.67m/sec(4倍速度4x)或者9.83m/sec(2倍速度2x)。再現(xiàn)時(shí)的線速度設(shè)定為4.92m/sec(1倍速度lx)，并且溝道位長(zhǎng)度(channelbitlength)設(shè)定到74.50nm(在直徑為12cm的光盤中25G的記錄密度)。調(diào)制系統(tǒng)被設(shè)定為17PP。作為最短記號(hào)的2T記號(hào)長(zhǎng)度設(shè)定為0.149(im，8T記號(hào)的記號(hào)長(zhǎng)度設(shè)定為0.596pm,并且道間距設(shè)定為0.32(om。采用由YokogawaElectricCorporation制造的時(shí)間間隔分析儀"TA720"通過(guò)PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造的均衡器板來(lái)完成抖動(dòng)檢測(cè)。均衡器與標(biāo)準(zhǔn)一致，并且測(cè)量在通過(guò)極限均衡器(limit叫ualizer)后獲得的信號(hào)抖動(dòng)。關(guān)于記錄靈敏度Pwo的測(cè)量，功率從低功率側(cè)掃到高功率側(cè)，并且記錄功率值在系統(tǒng)允許的過(guò)功率側(cè)(over-powerside)和低功率側(cè)(under-powerside)的中心被設(shè)定為Pwo。測(cè)量功率裕度有幾種調(diào)整方法。在該示例中，信號(hào)通過(guò)極限均衡器后獲得的抖動(dòng)值等于或者小于8.5%的范圍被設(shè)定為記錄靈敏度的裕度，并且功率范圍除以最優(yōu)功率所獲得的值被定義為功率裕度。另夕卜，為了測(cè)量振幅、調(diào)制度等，采用TektronixInc.制造的"TDS7104"數(shù)字示波器。該示例中的吸收系數(shù)k采用偏振光橢圓率測(cè)量?jī)x(RudolphCo.,Ltd.制造商品名稱AutoEL-462P17)獲得如下。橢圓偏振的位相度A和由橢圓的振幅/強(qiáng)度比獲得的正切i|/由偏振光橢圓率測(cè)量?jī)x測(cè)量。復(fù)合折射系數(shù)N和吸收系數(shù)k由表面仿型銑床(TencorCo.，Ltd.制造，商品名稱P15)獲得12的膜厚度來(lái)獲得。另外，吸收系數(shù)k是在410nm波長(zhǎng)下獲得的值。示例1-1至1-6,比4交示例1-1在示例1-1至1-6和比4交示例1-1中，通過(guò)在無(wú)才幾記錄膜2和介電膜4之間設(shè)置不同膜厚度的透明導(dǎo)電膜3，制造光學(xué)記錄介質(zhì)10，并且評(píng)估其特性。首先，厚度為Umm的聚碳酸酯基片(在下文，稱為PC基片)l通過(guò)注塑制造。另外，具有槽內(nèi)Gin和槽上Gon的凹/凸表面11形成在PC基片1上。槽內(nèi)Gin的深度i殳定為20nm，軌道間隔i殳定為0.32pm。隨后，厚度為22nm的TiMnN膜2a、厚度為25nm的鍺的氧化物膜2b、厚度為0至6nm的Sn02膜3、厚度為52nm的ZnS-Si02膜4a和厚度為4nm的SigN4膜4b,通過(guò)采用膜形成i殳備(由UnaxisCo.，Ltd制造，商品名稱Sprinter),依次形成在基片1上。另外，在沒有暴露于空氣的情況下進(jìn)行膜形成工藝。此后，UV樹脂旋涂在Si3N4膜4b上，并且通過(guò)輻射UV光硬化，由此形成透光層5。透光層5的厚度i殳定為100pm。因此，獲得了最終的光學(xué)記錄介質(zhì)10。具體的膜形成工藝將描述如下。(TiMnN膜的膜形成步驟)首先，在真空室內(nèi)抽真空后，在將Ar氣體和N2氣體引入真空室的同時(shí)，濺射TiMn靶，并且在基片1上形成厚度為22nm的TiMnN膜2a。TiMn靶中錳(Mn)的含量設(shè)定為20原子％。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件。最終真空5.0x10-5Pa氣氛0.2Pa施加的電功率3kWAr氣的流速30sccmN2氣的流速6sccm(Ge的氧化膜的膜形成步驟)隨后，在真空室內(nèi)抽真空后，在將Ar氣體和02氣體引入真空室的同時(shí)，通過(guò)反應(yīng)濺射共同賊射Ge靶，并且在TiMnN膜2a上形成厚度為25nm的鍺的氧化物膜2b。另外，將鍺的氧化物膜2b中的氧(O)含量設(shè)為使得吸收系數(shù)k等于0.6。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件。最終真空5.0xl(T5Pa氣氛0.2Pa施加的電功率Ge耙(兩個(gè)靶)0.4kWAr氣的流速30seem02氣的^危速30-40seem(Sn02膜的膜形成步驟)隨后，在真空室內(nèi)抽真空后，在將Ar氣體引入真空室的同時(shí)，濺射Sn02靶，并且在鍺的氧化物膜2b上形成厚度為0至6nm的SnOJI3。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件。最終真空5.0xl0-5Pa氣氛0.2Pa施加的電功率SnO2把0.4kWAr氣的流速10seem另外，根據(jù)濺射時(shí)間來(lái)設(shè)置膜厚度。(ZnS-Si02膜的膜形成步驟)隨后，在真空室內(nèi)抽真空后，在將Ar氣體引入真空室的同時(shí)，濺射ZnS-Si02靶，并且在鍺的氧化物膜2b上形成厚度為52nm的ZnS-Si02膜4a。另外，ZnS-Si02膜4a中的ZnS:Si02的成分比(原子比)設(shè)為80:20。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件。最終真空5.0x10—5Pa氣氛0.1Pa施加的電功率lkWAr氣的流速6seem(Si3N4膜的膜形成步驟)隨后，在真空室內(nèi)抽真空后，在將Ar氣體和N2氣體引入真空室的同時(shí)，濺射Si靶，并且在基片1上形成厚度為4nm的SigN4膜4b。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件。最終真空5.0x1(T5Pa氣氛0.3Pa施加的電功率4kWAr氣的流速50sccmN2氣的流速37sccm<功率裕度的評(píng)估>對(duì)如上所述獲得的光學(xué)記錄介質(zhì)10進(jìn)行4x記錄和lx再現(xiàn)，并且獲得功率裕度。它們的結(jié)果示于表l和圖3中。從表1和圖3應(yīng)當(dāng)理解的是，存在這樣的一種傾向Sn02膜3的厚度越大，功率裕度越寬。<記錄靈敏度的評(píng)估>此外，對(duì)如上所述獲得的光學(xué)記錄介質(zhì)10進(jìn)行2x記錄和lx再現(xiàn)，并且獲得記錄靈敏度Pwo。因此，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)Sn02膜3的厚度等于或者小于5nm時(shí)，可以滿足2倍速度(2x)標(biāo)準(zhǔn)的7mW的記錄靈壽丈度。由上面的評(píng)估結(jié)果，從功率裕度的角度看，優(yōu)選透明導(dǎo)電膜3設(shè)置在無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間。從功率裕度和記錄靈敏度的角度看，還優(yōu)選透明導(dǎo)電膜3設(shè)置在無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間，并且其厚度的范圍為l至5nm。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>示例2-1至2-5,比較示例2-1在示例2-1至2-5和比較示例2-1中，通過(guò)在無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間設(shè)置具有不同膜厚度的透明導(dǎo)電膜3,并且在第二記錄膜2b中加入錫(Sn)，來(lái)制造光學(xué)記錄介質(zhì)10，且評(píng)估其特性。以與比較示例1-1和示例1-1至l-5相類似的方式獲得光學(xué)記錄介質(zhì)10，除了采用膜形成設(shè)備(由UnaxisCo.，Ltd.制造，商品名稱Sprinter)在TiMnN膜2a上依次形成厚度為25nm的GeSnO膜2b和厚度為0至5nm的Sn02膜3外。下面，將涉及GeSnO膜和Sn02膜的膜形成步驟。(GeSnO膜的膜形成步驟)在真空室內(nèi)抽真空后，在將Ar氣體和02氣體引入真空室的同時(shí)，通過(guò)反應(yīng)濺射共同濺射Ge靶和Sn靶，并且在TiMnN膜2a上形成厚度為25nm的GeOSn膜2b。另外，將GeOSn膜2b中氧(O)的含量設(shè)為使得GeOSn膜2b的吸收系數(shù)k等于0.67。此外，將GeOSn膜2b的成分設(shè)為使得GeOSn膜2b中錫(Sn)的含量等于10原子％，而GeOSn膜2b中GeOx(0<x<2)的含量等于90原子％。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件。最終真空5.0x10—5Pa氣氛0.2Pa施加的電功率Ge耙(兩個(gè)耙)0.4kW,Sn耙0.1至0.5kWAr氣的流速30sccm02氣的流速30至40sccm(Sn02膜的膜形成步驟)隨后，在真空室內(nèi)抽真空后，在將Ar氣體和02氣體引入真空室的同時(shí)，濺射Sn02靶，并且在鍺的氧化物膜2b上形成厚度為0至5nm的Sn02膜3。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件。最終真空5,0xl(T5Pa氣氛0.2Pa施加的電功率SnO2耙0.4kWAr氣的流速10sccm另外，根據(jù)濺射時(shí)間設(shè)置膜厚度。<功率纟谷度的評(píng)估>對(duì)如上所述獲得的光學(xué)記錄介質(zhì)10進(jìn)行4x記錄和lx再現(xiàn)，并且獲得功率裕度。它們的結(jié)果示于表2和圖4中。從表2和圖4應(yīng)當(dāng)理解的是，存在這樣的一種傾向，Sn02膜3的厚度越大，功率裕度越寬。<記錄靈敏度的評(píng)估>對(duì)如上所述獲得的光學(xué)記錄介質(zhì)10進(jìn)行2x記錄和lx再現(xiàn)，并且獲得記錄靈牽文度Pwo。因此，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)Sn02膜3的厚度等于或者小于5nm時(shí)，可以滿足2倍速度(2x)標(biāo)準(zhǔn)的7mW的記錄靈敏度。此外，光學(xué)記錄介質(zhì)10進(jìn)行2x記錄和lx再現(xiàn)，其中Sn02膜的厚度等于或者大于6nm，并且類似地獲得記錄靈敏度Pwo。因此，已經(jīng)確認(rèn)，當(dāng)Sn02膜3的厚度等于或者大于6nm時(shí)，不能滿足2倍速度(2x)標(biāo)準(zhǔn)的7mW的記錄靈敏度。<耐久性評(píng)估>對(duì)于示例1-1至1-6、比4交示例1-1、示例2-1至2-5和比4交示例2-1的光學(xué)記錄介質(zhì)IO進(jìn)行了如下耐久性試驗(yàn)。首先，光學(xué)記錄介質(zhì)10在80。C和85%RH(相對(duì)濕度)下存放在恒溫浴箱中400小時(shí)。此后，進(jìn)行SER(符號(hào)錯(cuò)誤率，SER-SymbolErrorRate)檢測(cè)和顯微鏡觀察。因此，在第二記錄膜2b中不含有錫(Sn)的示例1-1至l-6和比較示例1-1中，SER的增加量很大，并且通過(guò)顯微鏡觀察可觀察到尺寸為l(Him的白點(diǎn)。另一方面，在第二記錄膜2b中含有錫(Sn)的示例2-1至2-5和比較示例2-1中，通過(guò)顯微鏡觀察沒有觀察到白點(diǎn)，并且抑制了SER的增加。因此，添加錫(Sn)對(duì)于改善耐久性是有效的。由上述的評(píng)估結(jié)果，從功率裕度和耐久性的角度看，優(yōu)選在無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間設(shè)置透明導(dǎo)電膜3，并且給第二記錄膜2b添加錫(Sn)。另外，從功率裕度、記錄靈每丈度和耐久性的角度看，優(yōu)選在無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間設(shè)置透明導(dǎo)電膜3，其膜厚度的范圍為1至5nm,并且給第二記錄膜2b添加錫(Sn)。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>示例3-1至3-5，比一支示例3-1在示例3-1至3-5和比較示例3-1中，通過(guò)在無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間設(shè)置不同厚度的透明導(dǎo)電膜3，并且相鄰于透光層5設(shè)置由SCZ制造的第二介電膜4b,制造光學(xué)記錄介質(zhì)10,且評(píng)估其特性。以與示例2-l至2-5和比較示例2-l相類似的方式獲得光學(xué)記錄介質(zhì)10，除了在采用膜形成設(shè)備(由UnaxisCo.，Ltd.制造，商品名稱Sprinter)形成ZnS-Si02膜4a后，形成厚度為4nm的SCZ膜4b來(lái)取代Si3N4而不執(zhí)行空氣暴露外。下面，將涉及SCZ膜的膜形成步驟。(SCZ膜的膜形成步驟)在真空室內(nèi)抽真空后，在將Ar氣體引入真空室的同時(shí)，濺射SCZ靶，并且在ZnS-Si02膜4a上形成厚度為4nm的SCZ膜4b。下面，示出了膜形成步驟中的膜形成條件。最終真空5.0xl(T5Pa氣氛0.2Pa施加的電功率SCZ草巴2.0kWAr氣的流速15sccm另外，根據(jù)'減射時(shí)間來(lái)設(shè)置膜厚度。<功率裕度的評(píng)估>對(duì)如上所述獲得的光學(xué)記錄介質(zhì)10進(jìn)行4x記錄和lx再現(xiàn)，并且獲得功率裕度。它們的結(jié)果示于表3和圖5中。從表3和圓5應(yīng)當(dāng)理解的是，存在這樣的一種傾向，Sn02膜3的厚度越大，功率裕度越寬。還應(yīng)當(dāng)理解的是，可以獲得與示例2幾乎相同的效果，這與相鄰于透光層5設(shè)置的介電層4的種類無(wú)關(guān)。<記錄靈敏度的評(píng)估〉對(duì)如上所述獲得的光學(xué)記錄介質(zhì)10進(jìn)行2x記錄和lx再現(xiàn)，并且獲得記錄靈每文度Pwo。因此，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)Sn02膜3的厚度等于或者小于5nm時(shí)，可以滿足2倍速度(2x)標(biāo)準(zhǔn)的7mW的記錄靈敏度。此外，光學(xué)記錄介質(zhì)10進(jìn)行2x記錄和lx再現(xiàn)，其中Sn02膜的厚度等于或者大于6nm，并且類似地獲得記錄靈敏度Pwo。因此，已經(jīng)確認(rèn)，當(dāng)Sn02膜3的厚度等于或者大于6nm時(shí)，不能滿足2倍速度(2x)標(biāo)準(zhǔn)的7mW的記錄靈敏度。由上述的評(píng)估結(jié)果，從功率裕度的角度看，優(yōu)選在無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間設(shè)置透明導(dǎo)電膜3。從功率裕度和記錄靈敏度的角度看，還優(yōu)選在18無(wú)機(jī)記錄膜2和介電膜4之間設(shè)置透明導(dǎo)電膜3,并且其膜厚度設(shè)定的范圍為1至5nm。Sn02膜厚度[nm〗功率裕度[%]比車支示例3-1026.2示例3-1128.0示例3-2229.5示例3-3333.5示例3-4435.0示例3-5537,5盡管上面已經(jīng)具體描述了本發(fā)明的實(shí)施例和示例，但是本發(fā)明不限于上述實(shí)施例和示例，而是根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的各種修改都是可能的。例如，上述實(shí)施例和示例中所涉及的數(shù)值只是示例，并且必要時(shí)可以采用與其不同的其他數(shù)值。此外，在不脫離本發(fā)明的精神的情況下，上述實(shí)施例和示例的構(gòu)造可以相互結(jié)合。此外，盡管上述實(shí)施例和示例已經(jīng)相對(duì)于本發(fā)明的單層無(wú)機(jī)記錄膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的示例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于兩層或者更多層無(wú)機(jī)記錄膜的光學(xué)記錄介質(zhì)。此外，盡管上述實(shí)施例和示例已經(jīng)相對(duì)于這樣的情況進(jìn)行了描述，其中作為示例本發(fā)明應(yīng)用于無(wú)機(jī)記錄膜上具有透光層的光學(xué)記錄介質(zhì)，并且其中通過(guò)從透光層側(cè)給無(wú)機(jī)記錄膜輻射激光束來(lái)執(zhí)行信息信號(hào)的記錄和再現(xiàn)，但是本發(fā)明不限于這樣的示例。例如，本發(fā)明還可以應(yīng)用于基片上具有無(wú)機(jī)記錄膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，并且其中通過(guò)從基片側(cè)給無(wú)機(jī)記錄膜輻射激光束來(lái)執(zhí)行信息信號(hào)的記錄或再現(xiàn)；或者應(yīng)用于通過(guò)粘合兩個(gè)基片形成的光學(xué)記錄介質(zhì)，并且通過(guò)從基片之一的側(cè)面給基片之間的無(wú)機(jī)記錄膜輻射激光束來(lái)執(zhí)行信息信號(hào)的記錄或者再現(xiàn)。權(quán)利要求1、一種具有無(wú)機(jī)記錄膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光學(xué)記錄介質(zhì)包括相鄰于所述無(wú)機(jī)記錄膜的透明導(dǎo)電膜，其中所述無(wú)機(jī)記錄膜具有含有鈦(Ti)的第一記錄膜；和含有鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜，并且所述透明導(dǎo)電膜設(shè)置在所述第二記錄膜一側(cè)。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜含有錫(Sn)的氧化物和銦(In)的氧化物中的至少一種。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二記錄膜還含有錫(Sn)。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜的厚度為1至5nm。5、一種具有無(wú)機(jī)記錄膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于包括如下步驟形成含有鈦(Ti)的第一記錄膜；形成相鄰于所述第一記錄膜且含有鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜；以及形成相鄰于所述第二記錄膜的透明導(dǎo)電膜。全文摘要本發(fā)明提供具有無(wú)機(jī)記錄膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，其具有在無(wú)機(jī)記錄膜上的透明導(dǎo)電膜。無(wú)機(jī)記錄膜具有含有鈦(Ti)的第一記錄膜和含有鍺的氧化物的第二記錄膜。透明導(dǎo)電膜設(shè)置在第二記錄膜側(cè)。透明導(dǎo)電膜含有錫(Sn)的氧化物。文檔編號(hào)B41M5/26GK101541554SQ200880000368公開日2009年9月23日申請(qǐng)日期2008年3月21日優(yōu)先權(quán)日2007年3月23日發(fā)明者佐飛裕一,池田悅郎,酒井武光申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社