專利名稱：曝光裝置和圖像形成裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及曝光裝置和圖像形成裝置。
背景技術：
未審查的日本專利申請公開No. 2005-047012披露了一種結構，在該結構中，透明的撓性基板被設置為使得該撓性基板沿感光體的外周表面彎曲。在曝光處理中，從形成在撓性基板上的多個有機電致發(fā)光(EL)發(fā)光單元發(fā)射的光會聚在感光體的曝光位置上。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種曝光裝置和一種圖像形成裝置，即使當因第一發(fā)光單元的劣化而使來自第一發(fā)光單元的光量減小，也能夠保持曝光光量。根據本發(fā)明的第一方面，提供一種曝光裝置，其朝向構造為承載潛像的潛像承載部件發(fā)射光，形成在所述潛像承載部件上的所述潛像用于由顯影裝置所執(zhí)行的顯影處理中，所述曝光裝置包括第一發(fā)光單元，其包括沿所述潛像承載部件的主掃描方向設置的有機電致發(fā)光元件，所述第一發(fā)光單元朝向所述潛像承載部件發(fā)射光；以及第二發(fā)光單元，其沿所述主掃描方向設置，所述第二發(fā)光單元協(xié)同所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。根據本發(fā)明的第二方面，在根據本發(fā)明第一方面的曝光裝置中，所述第二發(fā)光單元包括有機電致發(fā)光元件。根據本發(fā)明的第三方面，在根據本發(fā)明第一或第二方面的曝光裝置中，多個所述第一發(fā)光單元沿所述主掃描方向排列，并且所述第二發(fā)光單元的數量至少為一個，每個第二發(fā)光單元協(xié)同兩個或更多個所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。根據本發(fā)明的第四方面，在根據本發(fā)明第三方面的曝光裝置中，所述至少一個第二發(fā)光單元包括一個或更多個長方形元件，所述長方形元件設置為緊鄰所述第一發(fā)光單元并且沿所述主掃描方向而排列。根據本發(fā)明的第五方面，根據本發(fā)明第一至第四方面中任一方面的曝光裝置還包括檢測器，其檢測從所述第一發(fā)光單元發(fā)出的光量，并且當由所述檢測器所檢測出的光量減小時，所述第二發(fā)光單元發(fā)射光以補償所述光量的不足。根據本發(fā)明的第六方面，在根據本發(fā)明第一至第四方面中任一方面的曝光裝置中，當所述第一發(fā)光單元發(fā)射光時所述第二單元發(fā)射光，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量被調節(jié)為使所述潛像承載部件的電位被限定在所述顯影裝置不會執(zhí)行所述顯影處理的范圍內。根據本發(fā)明的第七方面，在根據本發(fā)明第六方面的曝光裝置中，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量基本恒定，并且由所述第一發(fā)光單元調節(jié)使所述潛像承載部件曝光的光量。 根據本發(fā)明的第八方面，提供一種圖像形成裝置，其包括潛像承載部件，其構造為承載潛像；根據本發(fā)明第一至第七方面中任一方面的曝光裝置，所述曝光裝置用光照射所述潛像承載部件以形成所述潛像；以及顯影裝置，其使用顯影劑對所述潛像承載部件上的所述潛像進行顯影。根據本發(fā)明的第九方面，提供一種圖像形成裝置，包括下述部件中的一者構造為承載潛像的潛像承載部件，對所述潛像承載部件充電的充電裝置，以及采用顯影劑對所述潛像承載部件上的所述潛像進行顯影的顯影裝置；以及根據本發(fā)明第一至第七方面中任一方面的曝光裝置，所述曝光裝置用光照射所述潛像承載部件以形成所述潛像。所述圖像形成單元能夠可拆卸地安裝在圖像形成裝置上。根據本發(fā)明的第一方面，即使當因所述第一發(fā)光單元的劣化而使來自所述第一發(fā)光單元的光量減小時，通過使所述第二發(fā)光單元發(fā)射光，也能夠使所述曝光光量得以保持。根據本發(fā)明的第二方面，所述第一發(fā)光單元和所述第二發(fā)光單元可以形成在單個基板上。根據本發(fā)明的第三方面，單個第二發(fā)光單元可以協(xié)同多個第一發(fā)光單元校正所述曝光光量。根據本發(fā)明的第四方面，第二發(fā)光單元和多個第一發(fā)光單元可以相互形成為一體，并且單個第二發(fā)光單元可以協(xié)同多個第一發(fā)光單元校正所述曝光光量。根據本發(fā)明的第五方面，即使當來自所述第一發(fā)光單元的光量減小時，所述第二發(fā)光單元也可以發(fā)射光從而補償所述光量的不足。根據本發(fā)明的第六和第七方面，可以將用于校正所述曝光光量的反饋最小化。根據本發(fā)明的第八和第九方面，在以光照射所述潛像承載部件的處理中，即使當因所述第一發(fā)光單元的劣化而使來自所述第一發(fā)光單元的光量減小時，通過使所述第二發(fā)光單元發(fā)射光，也能夠使所述曝光光量得以保持。


將基于以下附圖詳細說明本發(fā)明的示例性實施例，其中圖1是示出根據第一示例性實施例的包括曝光頭的圖像形成裝置的結構的示意圖；圖2是示出根據第一示例性實施例的每個曝光頭的結構的示意圖；圖3是示出從根據第一示例性實施例的曝光頭發(fā)射的光會聚在感光鼓上的狀態(tài)的示意圖；圖4是示出根據第一示例性實施例的曝光頭的結構的平面示意圖；圖5是示出底部發(fā)射型的第一有機EL裝置和第二有機EL裝置的結構示意圖；圖6是示出感光鼓的表面電位與由曝光頭所提供的曝光能量的關系實例的示圖；圖7是示出感光鼓的表面電位與由曝光頭所提供的曝光能量的關系的另一個實例的示圖；圖8是示出根據第二示例性實施例的曝光頭的結構的平面示意圖；以及圖9是示出根據第三示例性實施例的曝光頭的結構的平面示意圖。
具體實施方式

下面將參考附圖詳細說明本發(fā)明的示例性實施例。圖像形成裝置10的總體結構首先，對根據第一示例性實施例的包括曝光頭的圖像形成裝置10的結構進行說明。圖1是示出根據本示例性實施例的圖像形成裝置10的結構的示意圖。參考圖1，根據本示例性實施例的圖像形成裝置10包括裝置殼體11，其容納各個部件；記錄介質儲存部分12，其中儲存諸如紙張等記錄介質P ；圖像形成部分14，其在記錄介質P上形成色調劑圖像；傳送部分16，其將記錄介質P從記錄介質儲存部分12傳送至圖像形成部分14 ；定影裝置18，其對由圖像形成部分14形成在記錄介質P上的色調劑圖像進行定影；以及記錄介質排出部分(未示出)，由定影裝置18對色調劑圖像進行了定影的記錄介質P被排出到該記錄介質排出部分。記錄介質儲存部分12、圖像形成部分14、傳送部分16和定影裝置18容納在裝置殼體11中。圖像形成部分14包括圖像形成單元22C、22M、22Y和22K，其形成各種顏色的色調劑圖像，所述顏色為藍綠色(C)、品紅色(M)、黃色⑴和黑色⑷；中間轉印帶24，其為中間轉印體的實例，并且圖像形成單元22C、22M、22Y和2 (所形成的色調劑圖像被轉印到其上；一次轉印輥沈，其為一次轉印部件的實例，該一次轉印部件將由圖像形成單元22C、 22M、22Y和2 (所形成的色調劑圖像轉印到中間轉印帶M上；以及二次轉印輥觀，其作為二次轉印部件的實例，該二次轉印部件將中間轉印帶M上的色調劑圖像轉印到記錄介質P 上。每個圖像形成單元22C、22M、22Y和2 (包括感光鼓30，感光鼓30是構造為承載潛像的潛像承載部件的實例。感光鼓30沿著一個方向旋轉(圖1中的順時針方向)。沿感光鼓30的旋轉方向從上游側起圍繞每個感光鼓30依次設置有充電裝置32、 曝光頭34、顯影裝置36和清除裝置40。充電裝置32對感光鼓30的表面充電。曝光頭34 是曝光裝置的實例，該曝光裝置朝向感光鼓30的已充電的表面發(fā)射光，從而在感光鼓30的表面形成靜電潛像。顯影裝置36對形成在感光鼓30表面上的靜電潛像進行顯影以形成色調劑圖像。在色調劑圖像已經被轉印到中間轉印帶M上之后，由清除裝置40清除殘留在感光鼓30表面上的色調劑。感光鼓30、充電裝置32、曝光頭34、顯影裝置36和清除裝置40作為一個單元設置在每個圖像形成單元22C、22M、22Y和22K中。圖像形成單元22C、22M、22Y和2 形成為以可更換的形式可拆卸地安裝在裝置殼體11上的處理盒。不必要將所有的感光鼓30、充電裝置32、曝光頭34、顯影裝置36和移除裝置40 — 體化為一個單元。例如，感光鼓30、充電裝置32和顯影裝置36中的至少一者可以連同曝光頭34作為一個單元設置在各個圖像形成單元22C、22M、22Y和22K中。中間轉印帶M由與二次轉印輥28相對的相對輥42、驅動輥44以及多個保持輥 46所保持，并且沿一個方向(圖1中的逆時針方向)旋轉，同時與感光鼓30相接觸。一次轉印輥沈隔著中間轉印帶M與各個感光鼓30相對。感光鼓30上的色調劑圖像在一次轉印位置轉印到中間轉印帶M上，該一次轉印位置被界定于一次轉印輥沈與各個感光鼓30之間。一次轉印位置位于顯影裝置36和各個移除裝置40之間。一次轉印輥沈通過在一次轉印位置向中間轉印帶M施加壓力和靜電力而將感光鼓30表面上的色調劑圖像轉印到中間轉印帶M上。二次轉印輥28隔著中間轉印帶M與相對輥42相對。中間轉印帶M上的色調劑圖像在二次轉印位置轉印到記錄介質P上，該二次轉印位置被界定于二次轉印輥觀和相對輥42之間。二次轉印輥28通過在二次轉印位置向記錄介質P施加壓力和靜電力，將中間轉印帶M表面的色調劑圖像轉印到記錄介質P上。傳送部分16包括供給輥50，其供應儲存在記錄介質儲存部分12中的各記錄介質P ；以及多對傳送輥52，其將由供給輥50所供給的記錄介質P傳送至二次轉印位置。定影裝置18沿傳送方向設置在二次轉印位置的下游，并且在二次轉印位置對已轉印到記錄介質P上的色調劑圖像進行定影。作為將記錄介質P傳送至定影裝置18的傳送部件的實例的傳送帶M沿傳送方向設置在二次轉印位置的下游并沿傳送方向設置在定影裝置18的上游。在根據本示例性實施例的具有上述結構的圖像形成裝置10中，首先，從記錄介質儲存部分12供給的記錄介質P通過各對傳送輥52被傳送至二次轉印位置。由圖像形成單元22C、22M、22Y和2 (形成的各種顏色的色調劑圖像疊加在中間轉印帶M上從而形成彩色圖像。形成在中間轉印帶M上的彩色圖像被轉印到已傳送至二次轉印位置的記錄介質P上。轉印有色調劑圖像的記錄介質P被傳送至定影裝置18，并且由定影裝置18對記錄介質P上的色調劑圖像進行定影。定影有色調劑圖像的記錄介質P被排出至記錄介質排出部分(未示出)。如此，圖像形成操作得以執(zhí)行。圖像形成裝置的結構不限于上述結構，并且圖像形成裝置可以具有各種類型的結構。例如，圖像形成裝置可以為省略了中間轉印體的直接轉印型。曝光頭34的結構下面將對曝光頭34的結構進行說明。圖2、圖3和圖4是示出根據第一示例性實施例的每個曝光頭34的結構的示意圖。如圖2和圖3所示，每個曝光頭34包括基板60，其具有沿著感光鼓30的軸向在主掃描方向X上延伸的長方形形狀；有機電致發(fā)光(EL)裝置列陣62，其是發(fā)光裝置列陣的實例；以及klfoc (注冊商標)透鏡列陣64，其是聚集由有機EL裝置列陣62所產生的光并且將光聚焦在照射表面(也就是說，感光鼓30的表面)上的圖像元件列陣的實例?；?0由諸如玻璃基板或樹脂基板的絕緣基板形成。如圖4所示，每個有機EL裝置列陣62包括用于主曝光光源的多個第一有機EL裝置70和用于輔助曝光光源的一個第二有機EL裝置72。第一有機EL裝置70是第一發(fā)光單元的實例并且沿主掃描方向X設置。第二有機EL裝置72是第二發(fā)光單元的實例，該第二發(fā)光單元沿副掃描方向Y(與主掃描方向X垂直的方向)在第一有機EL裝置70的一側沿單線而延伸。有機EL裝置是有機電致發(fā)光元件的實例。數量與像素的數量(點的數量)對應的第一有機EL裝置70設置在基板60上。第一有機EL裝置70從平面圖上看具有大致正方形的形狀，并且沿主掃描方向X以彼此間基本恒定的間隔布置。第二有機EL裝置72具有長方形(帶狀)形狀并且形成在基板60上， 從而在與第一有機EL裝置70相鄰的位置沿著主掃描方向X延伸。第二有機EL裝置72具有矩形形狀，該矩形形狀包括沿主掃描方向X延伸的長邊。在本示例性實施例中，設置單個第二有機EL裝置72。從第一有機EL裝置70發(fā)出的光量被設定為通過對已由充電裝置32(見圖1)充電的感光鼓30進行曝光來形成靜電潛像所必須的光量。當來自第一有機EL裝置70的光量因第一有機EL裝置70的劣化而減小時，第二有機EL裝置72補償來自第一有機EL裝置 70的光量。從第二有機EL裝置72發(fā)出的光量被設定為小于從第一有機EL裝置70發(fā)出的光量。第二有機EL裝置72大致平行于沿主掃描方向X設置的第一有機EL裝置70的行列而延伸。單個第二有機EL裝置72用于校正來自于多個第一有機EL裝置70的光量。如圖2所示，在基板60上設置有作為用于驅動第一有機EL裝置70和第二有機EL 裝置72的驅動電路實例的多個驅動IC(驅動集成電路)66。每個驅動IC 66單獨地驅動第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72。在klfoc透鏡列陣64中設置有作為成像元件實例的多個棒形透鏡64A。klfoc 透鏡列陣64設置在第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72的發(fā)光側。在klfoc透鏡列陣64中，棒形透鏡64A是二維設置的，從而可以由用于與各個點對應的第一有機EL裝置70的多個棒形透鏡64A執(zhí)行正立等比成像。因此，來自各個第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72的光通過相應的多個棒形透鏡64A聚焦在感光鼓30 的表面。從而，通過利用從第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72發(fā)射的光對感光鼓 30進行曝光來形成靜電潛像。曝光頭34包括傳感器68，傳感器68是檢測從第一有機EL裝置70發(fā)出的光量的檢測器的實例。從傳感器68輸出的檢測信號被輸入驅動IC 66，并且每個驅動IC 66根據從第一有機EL裝置70發(fā)出的光量的減小來控制從第二有機EL裝置72發(fā)出的光量。圖6是示出來自曝光頭34的曝光能量(光量)與感光鼓30的表面電位之間的關系的示圖。從圖中可以清楚地看出，如果因第一有機EL裝置70的劣化而使第一有機EL裝置70所提供的曝光能量減小，則存在感光鼓30的表面電位在曝光處理中不能降低到預定的顯影電位的可能性。因此，在本示例性實施例中，如果來自第一有機EL裝置70的光量減小，則將來自第二有機EL裝置72的光量控制為使得感光鼓30的表面電位在曝光處理中可以降低到預定的顯影電位。更具體地說，根據由傳感器68所檢測到的來自第一有機EL裝置70的光量而控制第二有機EL裝置72，以使第二有機EL裝置72發(fā)射光，從而補償(校正)來自第一有機EL裝置70的光量的減小。因此，感光鼓30的表面電位可在曝光處理中改變至預定的顯影電位。安裝到第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72上的透鏡不限于klfoc透鏡列陣64，也可以用圓柱形透鏡來代替。作為選擇，在各個第一有機EL裝置70上可結合有微透鏡。第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72的結構下面對各第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72的結構進行說明。各第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72可以是底部發(fā)射型有機EL裝置，其中來自發(fā)光層84(將在后面進行說明)的光從基板60—側發(fā)射出；也可以是頂部發(fā)射型有機EL裝置，其中來自發(fā)光層84的光從與基板60的相對一側發(fā)射出。在本示例性實施例中，對采用底部發(fā)射型有機EL裝置的結構進行說明。曝光頭34中包括的有機EL裝置不局限于底部發(fā)射型有機EL裝置，并且可以用頂部發(fā)射型有機EL裝置來代替。有機EL裝置的結構首先，對各第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72的結構進行說明。圖5示出底部發(fā)射型的各第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72的結構。圖5是沿副掃描方向Y(與主掃描方向X垂直的方向)截取的包含有圖4所示的第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72的曝光頭34的縱向剖視圖。如圖5所示，每個第一有機EL裝置70包括陽極80Α，其形成在透光基板60的表面上；空穴注射層82Α，其形成在陽極80Α的表面上；發(fā)光層84Α，其形成在空穴注射層82Α 的表面上并限定了發(fā)光區(qū)域；陰極86Α，其形成在發(fā)光層84Α的表面上并且注射電子；以及反射層88Α，其形成在陰極86Α的表面上。密封層90形成在反射層88Α的表面上，從而密封層90覆蓋陽極80Α、空穴注射層82Α、發(fā)光層84Α、陰極86Α和反射層88Α的側面。從而，每個第一有機EL裝置70包括陽極80Α、空穴注射層82Α、發(fā)光層84Α、陰極86Α、反射層88Α和密封層90，它們按上述順序堆疊在基板60上。第一有機EL裝置70 (見圖4)設置有彼此相分隔的各個陽極80Α，從能夠單獨地控制供應到發(fā)光區(qū)域的電流。陽極80Α具有與第一有機EL裝置70的發(fā)光區(qū)域的形狀對應的矩形形狀。陰極86Α呈帶狀并且沿主掃描方向X延伸，從而與多個陽極80Α中每個成對。陰極86Α設置為第一有機EL裝置70中的所有發(fā)光區(qū)域共用。第二有機EL裝置72包括陽極80Β、空穴注射層82Β、發(fā)光層84Β、陰極86Β、反射層 88Β和密封層90，它們按上述順序堆疊在基板60上。從平面圖上看，陽極80Β、空穴注射層 82Β、發(fā)光層84Β、陰極86Β和反射層88Β呈沿主掃描方向X延伸的長方形形狀。在本示例性實施例中，第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72所分別包括的陽極80Α和80Β、空穴注射層82Α和82Β、發(fā)光層84Α和84Β、陰極86Α和86Β以及反射層88Α 和88Β由相同的材料制成。在下述說明中，將由末尾不附帶A或B的附圖標記表示第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72共用的部件。陽極80是透光并且透射光線，從而使來自發(fā)光層84的光可以從基板60 —側發(fā)射出。陽極80例如由例如氧化錫(SnO2)、三氧化二銦(In2O3)、導電金屬氧化物(ITO)或 ΙΖ0:Α1(ΙΖ0:氧化銦鋅，Al 招)的導電金屬氧化物制成。然而，陽極80的材料不限于上述材料。陽極80的厚度例如為lOOnm。然而，陽極80的厚度不限于此。當電壓施加到陰極86和陽極80之間時，從陽極80將空穴注射到空穴注射層82 中?？昭ㄗ⑸鋵?2是由例如酞菁基材料(例如酞菁銅)或靛蒽醌基化合物的低分子材料， 或諸如4，4'，4〃 -三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、聚苯胺或聚乙烯二羥噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T/PSQ的高分子材料制成。然而，空穴注射層82的材料不限于上述材料。空穴注射層82的厚度例如為30nm。然而，空穴注射層82的厚度不限于此?？梢栽诳昭ㄗ⑸鋵?2和陽極80之間設有空穴輸送層以提高空穴注射效率。當電壓施加到陰極86和陽極80之間時，電子從陰極86注射到發(fā)光層84中。注射到空穴注射層82中的空穴移動到發(fā)光層84，并與電子相結合。從而，發(fā)光層84發(fā)光。發(fā)光層84可以由例如螯合型金屬有機化合物、多芳環(huán)或稠芳環(huán)化合物、二萘嵌苯衍生物、香豆素衍生物、苯乙烯亞芳香衍生物、硅雜環(huán)戊二烯衍生物、惡唑衍生物、惡噻唑衍生物、二唑類衍生物、聚對苯撐衍生物、聚對苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物或聚乙炔衍生物形成。然而，發(fā)光層84的材料不限于上述材料。發(fā)光層84的厚度例如為50nm。然而，發(fā)光層84的厚度不限于此。陰極86不必需是透明及導光的。這是因為，來自發(fā)光層84的光穿過每個第一有機EL裝置70中的基板60。在本示例性實施例中，陰極86由單層形成。然而，陰極86也可以為由多層形成。陰極86由例如鈣(Ca)構成。然而，陰極86的材料不限于此。陰極86的材料例如可以是諸如Sn02、In203, ITO或IZ0:A1的導電金屬氧化物。陰極86的厚度例如為30nm。 然而，陰極86的厚度不限于此?？梢栽陉帢O86和發(fā)光層84之間設置電子注射層或電子傳輸層以提高電子注射效率。反射層88向發(fā)光層84反射來自發(fā)光層84的光。反射層88可以是例如鋁(Al)、 銀(Ag)、鉬(Mo)、鎢(W)、鎳(Ni)或鉻(Cr)。然而，反射層88的材料不限于上述材料。反射層88的厚度例如為150nm。然而，反射層88的厚度不限于此。每個第一有機EL裝置70中的發(fā)光區(qū)域的寬度Wl (沿主掃描方向X和副掃描方向Y)是根據曝光頭34的分辨率而測定的，并且例如，當分辨率為600dpi時該寬度Wl約為 20 μ m，而當分辨率為1200dpi時該寬度約為10 μ m。第二有機EL裝置72中的發(fā)光區(qū)域的寬度W2 (沿副掃描方向Y)為例如約20 μ m。下面對根據本示例性實施例的曝光頭34的操作進行說明。在曝光頭34中，當用來自第一有機EL裝置70的光對感光鼓30進行曝光以形成靜電潛像時，由傳感器68檢測從第一有機EL裝置70發(fā)出的光量。換句話說，在由曝光頭 34所執(zhí)行的曝光處理期間，監(jiān)測從第一有機EL裝置70發(fā)出的光量。如圖6所示，當由于第一有機EL裝置70的劣化而使曝光能量(光量)減小至低于預定值L1的值時，使第二有機EL裝置72發(fā)射光，從而校正由第一有機EL裝置70所提供的曝光能量。從而，通過將從第一有機EL裝置70發(fā)射的光和從第二有機EL裝置72發(fā)射的光結合，將曝光能量校正為預定的曝光能量U。因此，通過從第一有機EL裝置70和第二有機EL裝置72發(fā)射的光對感光鼓30進行曝光，將感光鼓30的電位設定為預定的顯影電位V”在上述曝光頭34中，通過單個第二有機EL裝置72來校正來自多個第一有機EL 裝置70的光量。在根據本示例性實施例的變型例的曝光頭34中，使第二有機EL裝置72從初始階段開始發(fā)射光。調節(jié)從第二有機EL裝置72發(fā)出的光量，從而將感光鼓30的電位限定在顯影裝置36不會執(zhí)行顯影的范圍內。例如，事先預計出因第一有機EL裝置70的劣化而引起的第一有機EL裝置70的光量的減小，并使第二有機EL裝置72發(fā)出恒定或基本恒定的光量，從而補償來自第一有機EL裝置70的光量的減小。更具體地說，如圖7所示，第二有機EL裝置72可以從初始階段起發(fā)出基本恒定的光量，并且通過調節(jié)從第一有機EL裝置70發(fā)出的光量，可以將感光鼓30的電位控制為預定的顯影電位V1。在該情況下，不必要控制來自第二有機EL裝置72的光量，并且可以使對用于校正光量的驅動IC 66的反饋簡單化。本發(fā)明不限于上述示例性實施例，并且可以作出各種修改、替換以及變型。
接下來，參考圖8對根據第二示例性實施例的曝光頭進行說明。將以相同的附圖標記來表示與上述第一示例性實施例中的部件類似的部件，并且將省略對這些部件的說明。如圖8所示，包含在曝光頭34內的有機EL裝置列陣100包括作為第二發(fā)光單元的實例的多個第二有機EL裝置102，該第二發(fā)光單元沿主掃描方向X彼此相分隔。第二有機EL裝置102沿副掃描方向Y設置在沿主掃描方向X排列的第一有機EL裝置70的一側。 更具體地說，第二有機EL裝置102是矩形的元件，其沿主掃描方向X的長度小于于根據第一示例性實施例的第二有機EL裝置72 (見圖4)的該長度。各第二有機EL裝置102基本平行于沿主掃描方向X排列的第一有機EL裝置70的行列而延伸。每個第二有機EL裝置 102用于校正來自第一有機EL裝置70的光量，該第一有機EL裝置70比第一示例性實施例中的第一有機EL裝置70的數量少。在上述有機EL裝置列陣100中，控制多個第二有機EL裝置102，從而僅僅使使校正來自第一有機EL裝置70的光量所需的第二有機EL裝置102發(fā)射光。接下來，參考圖9對根據第三示例性實施例的曝光頭進行說明。以相同的附圖標記來表示與上述第一示例性實施例和第二示例性實施例中的部件類似的部件將，并且將省略對這些部件的說明。如圖9所示，包含在曝光頭34內的有機EL裝置列陣110包括作為第二發(fā)光單元的實例的多個第二有機EL裝置112，該第二發(fā)光單元沿主掃描方向X彼此相分隔。第二有機EL裝置112沿副掃描方向Y設置在沿主掃描方向X排列的第一有機EL裝置70的每一側。更具體地說，第二有機EL裝置112是長方形元件，其沿主掃描方向X的長度短于根據第一示例性實施例的第二有機EL裝置72 (見圖4)的該長度。各第二有機EL裝置112基本平行于沿主掃描方向X排列的第一有機EL裝置70的行列而延伸。在上述有機EL裝置列陣110中，沿副掃描方向Y位于第一有機EL裝置70的兩側的每個第二有機EL裝置112補償比來自第一有機EL裝置70的光量，該第一有機EL裝置 70比第一示例性實施例中的第一有機EL裝置70的數量少。第一有機EL裝置和第二有機EL裝置的形狀和排列不局限于第一示例性實施例至第三示例性實施例中的形狀和排列，并且可以改變?yōu)槠渌男螤詈团帕?。此外，盡管采用有機EL裝置作為根據上述第一示例性實施例至第三示例性實施例的曝光頭中的第二發(fā)光單元，但第二發(fā)光單元也可以是諸如LED等其它類型的發(fā)光單兀。實例接下來，對曝光頭的實例進行說明。實例1和實例2在實例1和實例2中，參考圖4和圖5，利用導電金屬氧化物(ITO)在用作基板60 的玻璃基板上形成用于主曝光光源的陽極80A。陽極80A構成為寬20 μ m，并且以20 μ m的節(jié)距排列。此外，沿副掃描方向Y在用于主曝光光源的陽極80A的一側形成用于輔助曝光光源的陽極80B。陽極80B構成為寬20 μ m，并且呈線狀。接下來，通過旋轉涂布均勻地施涂 IOnm厚的聚乙烯二羥噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T/PSS)以形成空穴注射層82A和82B。 接下來，通過制備由下述化學式(1)所表示的發(fā)光材料的溶液并利用旋轉涂布施涂SOnm厚的上述溶液來形成發(fā)光層84A和84B。然后，使用具有與用于主曝光光源的陽極80A 垂直的20 μ m寬的開口的掩膜，以及具有覆蓋用于輔助曝光光源的陽極80B的40 μ m寬的開口的掩膜，通過氣相沉積依次形成由鈣制成的陰極86A和86B以及由鋁制成的反射層88A 和88B。從而，形成了沿主掃描方向X布置在基板60上的多個第一有機EL裝置70和設置為緊鄰第一有機EL裝置70的線狀的第二有機EL裝置72。
權利要求
1.一種曝光裝置，其朝向構造為承載潛像的潛像承載部件發(fā)射光，形成在所述潛像承載部件上的所述潛像用于由顯影裝置所執(zhí)行的顯影處理中，所述曝光裝置包括第一發(fā)光單元，其包括沿所述潛像承載部件的主掃描方向設置的有機電致發(fā)光元件， 所述第一發(fā)光單元朝向所述潛像承載部件發(fā)射光；以及第二發(fā)光單元，其沿所述主掃描方向設置，所述第二發(fā)光單元協(xié)同所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。
2.根據權利要求1所述的曝光裝置，其中，所述第二發(fā)光單元包括有機電致發(fā)光元件。
3.根據權利要求1或2所述的曝光裝置，其中，多個所述第一發(fā)光單元沿所述主掃描方向排列，并且所述第二發(fā)光單元的數量至少為一個，每個第二發(fā)光單元協(xié)同兩個或更多個所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。
4.根據權利要求3所述的曝光裝置，其中，所述至少一個第二發(fā)光單元包括一個或更多個長方形元件，所述長方形元件設置為緊鄰所述第一發(fā)光單元并且沿所述主掃描方向而排列。
5.根據權利要求1或2所述的曝光裝置，還包括檢測器，其檢測從所述第一發(fā)光單元發(fā)出的光量，其中，當由所述檢測器所檢測出的光量減小時，所述第二發(fā)光單元發(fā)射光以補償所述光量的不足。
6.根據權利要求3所述的曝光裝置，還包括檢測器，其檢測從所述第一發(fā)光單元發(fā)出的光量，其中，當由所述檢測器所檢測出的光量減小時，所述第二發(fā)光單元發(fā)射光以補償所述光量的不足。
7.根據權利要求4所述的曝光裝置，還包括檢測器，其檢測從所述第一發(fā)光單元發(fā)出的光量，其中，當由所述檢測器所檢測出的光量減小時，所述第二發(fā)光單元發(fā)射光以補償所述光量的不足。
8.根據權利要求1或2所述的曝光裝置，其中，當所述第一發(fā)光單元發(fā)射光時所述第二單元發(fā)射光，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量被調節(jié)為使所述潛像承載部件的電位被限定在所述顯影裝置不會執(zhí)行所述顯影處理的范圍內。
9.根據權利要求3所述的曝光裝置，其中，當所述第一發(fā)光單元發(fā)射光時所述第二單元發(fā)射光，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量被調節(jié)為使所述潛像承載部件的電位被限定在所述顯影裝置不會執(zhí)行所述顯影處理的范圍內。
10.根據權利要求4所述的曝光裝置，其中，當所述第一發(fā)光單元發(fā)射光時所述第二單元發(fā)射光，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量被調節(jié)為使所述潛像承載部件的電位被限定在所述顯影裝置不會執(zhí)行所述顯影處理的范圍內。
11.根據權利要求8所述的曝光裝置，其中，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量基本恒定，并且由所述第一發(fā)光單元調節(jié)使所述潛像承載部件曝光的光量。
12.根據權利要求9所述的曝光裝置，其中，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量基本恒定，并且由所述第一發(fā)光單元調節(jié)使所述潛像承載部件曝光的光量。
13.根據權利要求10所述的曝光裝置，其中，從所述第二發(fā)光單元發(fā)出的光量基本恒定，并且由所述第一發(fā)光單元調節(jié)使所述潛像承載部件曝光的光量。
14.一種圖像形成裝置，包括 潛像承載部件，其構造為承載潛像；根據權利要求1或2所述的曝光裝置，所述曝光裝置用光照射所述潛像承載部件以形成所述潛像；以及顯影裝置，其使用顯影劑對所述潛像承載部件上的所述潛像進行顯影。
15.一種圖像形成單元，包括下述部件中的一者構造為承載潛像的潛像承載部件，對所述潛像承載部件充電的充電裝置，以及采用顯影劑對所述潛像承載部件上的所述潛像進行顯影的顯影裝置；以及根據權利要求1或2所述的曝光裝置，所述曝光裝置用光照射所述潛像承載部件以形成所述潛像，其中，所述圖像形成單元能夠可拆卸地安裝在圖像形成裝置上。
全文摘要
一種曝光裝置和圖像形成裝置。本發(fā)明公開一種曝光裝置，該曝光裝置朝向構造為承載潛像的潛像承載部件發(fā)射光，形成在所述潛像承載部件上的所述潛像用于由顯影裝置所執(zhí)行的顯影處理中。所述曝光裝置包括第一發(fā)光單元，其包括沿所述潛像承載部件的主掃描方向設置的有機電致發(fā)光元件，所述第一發(fā)光單元朝向所述潛像承載部件發(fā)射光；以及第二發(fā)光單元，其沿所述主掃描方向設置，所述第二發(fā)光單元協(xié)同所述第一發(fā)光單元來校正使所述潛像承載部件曝光的光量。
文檔編號B41J2/45GK102189817SQ2010105904
公開日2011年9月21日 申請日期2010年12月9日 優(yōu)先權日2010年3月18日
發(fā)明者佐藤克洋, 山口義紀, 松村貴志, 真下清和, 米山博人, 西野洋平 申請人:富士施樂株式會社