專利名稱：制造噴墨頭的微致動(dòng)器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，特別涉及制造如微致動(dòng)器的方法，該方法利用主要用于制造半導(dǎo)體器件的構(gòu)圖工藝，容易形成具有要求圖形的氧化物壓電元件。
一般情況下，用于噴墨頭的微致動(dòng)器包括用噴射或發(fā)射墨的致動(dòng)裝置。該致動(dòng)裝置主要使用加熱器和壓電元件。
在微致動(dòng)器采用壓電元件的情況下，這些壓電元件主要采用具有強(qiáng)壓電特性的氧化物壓電材料PZT。
參見(jiàn)
圖16，圖中展示了利用這種PZT的常規(guī)微致動(dòng)器。如圖16所示，微致動(dòng)器包括PZT元件30，其下和上表面上分別固定有下和上電極20和40。振動(dòng)板10固定于下電極20的一個(gè)表面上，與PZT元件30相對(duì)。振動(dòng)板10可動(dòng)作地耦合于PZT元件30上，以便能夠產(chǎn)生機(jī)械變形。
具有多個(gè)儲(chǔ)液室51的存儲(chǔ)室板50固定于振動(dòng)板10上，與PZT元件30相對(duì)。在振動(dòng)板10彎曲時(shí)，墨引入到儲(chǔ)液室51。然后，墨通過(guò)噴嘴(未示出)從儲(chǔ)液室51向外噴射。
具有上述結(jié)構(gòu)的包括PZT30、下和上電極20和40及振動(dòng)板10的微致動(dòng)器一般是利用以下的絲網(wǎng)印刷工藝或其它簡(jiǎn)單接合工藝制造的。
根據(jù)絲網(wǎng)印刷工藝，首先制備由例如氧化鋯(ZrO2)等氧化物壓電材料構(gòu)成的薄坯片。在至少約1000℃的高溫下焙燒該坯片，從而形成陶瓷薄板，該陶瓷薄板將用于制備振動(dòng)板10。制造了振動(dòng)板10后，在振動(dòng)板10的要求部位上淀積厚為20微米以下的如鉑(Pt)等導(dǎo)電材料，從而形成下電極20。
然后在下電極20的上表面上涂敷膏狀的PZT。然后利用絲網(wǎng)印刷進(jìn)行該涂敷PZT的精確層疊，從而形成有很小厚度的PZT層。然后在約1000℃以下的高溫下焙燒PZT層，從而形成PZT元件30。
然后，在PZT元件30的上表面上涂敷金(Au)，形成上電極40。于是制成微致動(dòng)器。
在這種微致動(dòng)器具有上述結(jié)構(gòu)的情況下，PZT元件30隨間歇加于下和上電極20和40間的高電壓縱向膨脹和收縮，引起振動(dòng)板10發(fā)生機(jī)械變形。借助振動(dòng)板10的這種機(jī)械變形，固定于振動(dòng)板10上的存儲(chǔ)室板50的儲(chǔ)液室51的體積發(fā)生改變。于是引入墨，并從儲(chǔ)液室51向外噴墨。
振動(dòng)板10還可以由不銹鋼薄板構(gòu)成，代替陶瓷薄板。在振動(dòng)板10由這種金屬薄板構(gòu)成時(shí)，要單獨(dú)制造PZT元件。這種情況下，利用粘結(jié)劑將PZT片粘結(jié)到振動(dòng)板上。機(jī)械加工粘結(jié)的PZT片，形成要求圖形的PZT元件。另外，利用粘結(jié)劑將制備成具有要求尺寸的PZT片粘結(jié)到不銹鋼薄板上，同時(shí)不銹鋼薄板已被構(gòu)圖，從而形成要求圖形的PZT元件。
然而，在制造利用陶瓷薄板作其振動(dòng)板的微致動(dòng)器時(shí)，利用氧化鋯膏很難形成具有要求厚度和精確尺寸的振動(dòng)板。而且，由于所用的焙燒溫度很高，存在著很多問(wèn)題。
另外，通過(guò)利用絲網(wǎng)印刷工藝在振動(dòng)板上層疊和構(gòu)圖PZT膏也很難形成有精確圖形的PZT元件。具體說(shuō)，構(gòu)圖工藝的精度相當(dāng)差。而且，即使比振動(dòng)板PZT要求的溫度低，但PZT膏仍需要很高的焙燒溫度。由于一般在約900℃以下的溫度下焙燒這種PZT膏，所以所得PZT元件的壓電性能被嚴(yán)重劣化。
在制造采用例如不銹鋼薄板等的金屬薄板作振動(dòng)板的微致動(dòng)器時(shí)，對(duì)粘結(jié)到不銹鋼薄板上的PZT片進(jìn)行構(gòu)圖的機(jī)械構(gòu)圖工藝有很低的精度。所以，在可靠性和經(jīng)濟(jì)方面不能令人滿意。在將制備成具有要求尺寸的PZT片粘結(jié)到金屬薄板上時(shí)，會(huì)使所得微致動(dòng)器的成品率下降。進(jìn)而導(dǎo)致微致動(dòng)器的生產(chǎn)率降低。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種制造微致動(dòng)器的方法，能夠利用腐蝕工藝形成要求圖形的氧化物壓電元件和要求圖形的上電極，因而容易制造微致動(dòng)器。
本發(fā)明另一目的是提供一種制造微致動(dòng)器的方法，不利用昂貴的構(gòu)圖設(shè)備便能形成要求圖形的壓電元件和要求圖形的上電極，因此降低了制造成本。
本發(fā)明再一目的是提供一種制造微致動(dòng)器的方法，利用制造單個(gè)微致動(dòng)器所需要的工藝同時(shí)制造多個(gè)微致動(dòng)器，因此具有批量生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)一個(gè)方案，本發(fā)明提供一種制造微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次層疊振動(dòng)板、下電極、氧化物壓電片、及上電極層；利用腐蝕工藝構(gòu)圖電極層，從而形成要求圖形的上電極；利用上電極作掩模，用腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件?？蛇x擇的是，可以按要求圖形的上電極的形式在氧化物壓電片上淀積電極層。
根據(jù)另一方案，本發(fā)明提供一種制造微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟在振動(dòng)板上依次層疊下電極和氧化物壓電片；利用腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片，形成要求圖形的氧化物壓電元件；在所得結(jié)構(gòu)上淀積電極層；利用壓電元件作掩模構(gòu)圖電極層，形成要求圖形的上電極?？蛇x擇的是，可以按具的要求圖形的上電極的形式在氧化物壓電片上淀積電極層。
根據(jù)本發(fā)明，利用化學(xué)方法形成氧化物壓電元件和上電極，它們是淀積于振動(dòng)板或下電極上的。因此，可以同時(shí)分別形成多個(gè)氧化物壓電元件和多個(gè)上電極。所以提高了生產(chǎn)率和經(jīng)濟(jì)效益。
從以下結(jié)合各附圖對(duì)實(shí)施例的說(shuō)明可以清楚本發(fā)明的其它目的和方案。
圖1A-1I分別是展示本發(fā)明第一實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的順序工藝步驟的剖面圖；圖2A和2B分別是展示本發(fā)明第二實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的剖面圖；圖3A-3D分別是展示本發(fā)明第三實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的剖面圖；圖4A-4E分別是展示本發(fā)明第四實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的順序工藝步驟的剖面圖；圖5A和5B分別是展示本發(fā)明第五實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的剖面圖；圖6A-6D分別是展示本發(fā)明第六實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的剖面圖；圖7A-7I分別是展示本發(fā)明第七實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的面圖；圖8A和8B分別是展示本發(fā)明第八實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的剖面圖；圖9A-9D分別是展示本發(fā)明第九實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的剖面圖10A-10F分別是展示本發(fā)明第十實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的剖面圖；圖11A-11C分別是展示本發(fā)明第十一實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的剖面圖；圖12A-12D分別是展示本發(fā)明第十二實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的必要工藝步驟的剖面圖；圖13是展示本發(fā)明另一實(shí)施例的剖面圖，其中形成具有與上述實(shí)施例不同圖形的氧化物壓電元件；圖14是展示腐蝕時(shí)間與腐蝕深度隨腐蝕面積間的關(guān)系的曲線圖；圖15是展示層疊于根據(jù)本發(fā)明制造的微致動(dòng)器的存儲(chǔ)室板的下表面上的多層結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖16是展示根據(jù)常規(guī)方法制造的典型微致動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖1A-1I分別是展示本發(fā)明第一實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。
參見(jiàn)圖1A，圖中示出了依次在與存儲(chǔ)室板1形成為一體的振動(dòng)板2上層疊的下電極3和氧化物壓電片4。存儲(chǔ)室板1具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a。
根據(jù)該方法，在氧化物壓電片4的上表面上涂敷光刻膠膜6，如圖1B所示。然后對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘工藝。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模對(duì)光刻膠膜6曝光，然后顯影，從而去掉其不需要的部分。圖1C示出了去掉了部分光刻膠膜6后所得的結(jié)構(gòu)。
然后對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行硬烘工藝。此后，在包括未被保留的光刻膠膜6覆蓋的氧化物壓電片4的上表面和保留的光刻膠膜6的上部的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)上表面上，涂敷要求厚度的電極層5，如圖1D所示。
此時(shí)，去掉了部分光刻膠膜6形成的各溝槽的相對(duì)側(cè)表面上沒(méi)涂敷電極層5。這是因?yàn)閷⒁侩姌O層的該結(jié)構(gòu)的上表面具有因形成溝槽造成的某種形貌。所以光刻膠膜6在其對(duì)應(yīng)于每個(gè)溝槽相對(duì)側(cè)表面的側(cè)表面處具有未被電極層5覆蓋的暴露部分。
向下朝著電極層5噴射漂洗液，該漂洗液穿透光刻膠膜6的暴露部分，從而完全去了保留的光刻膠膜6。
此時(shí)，還去掉了涂敷于光刻膠膜6上的那部分電極層5。于是，電極層5只留在氧化物壓電片4的要求部分上，從而形成上電極，如圖1E所示。
在包括未被上電極5覆蓋的氧化物壓電片4的上表面和上電極5的上表面的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上，涂敷另一光刻膠膜6，如圖1F所示。
然后，對(duì)該光刻膠膜6進(jìn)行軟烘、曝光、顯影和漂洗工藝，從而去掉其除覆蓋上電極5外的部分，如圖1G所示。光刻膠膜6的每個(gè)保留部分具有大于有關(guān)上電極5的面積，這是因?yàn)槠渫耆采w上電極5的緣故。
然后硬烘光刻膠膜6。此后，沿圖1H的箭頭所示方向，利用腐蝕劑腐蝕氧化物壓電片4的暴露部分，從而形成具有要求圖形的氧化物壓電元件。對(duì)氧化物壓電片4的腐蝕向下和橫向進(jìn)行，如圖1H中的虛線所示，并且向下方向在下電極3結(jié)束，橫向在靠近每個(gè)上電極5的相對(duì)橫向端點(diǎn)的位置結(jié)束。
這種情況下，下電極3由不與腐蝕氧化物壓電片4所用腐蝕劑反應(yīng)或與之反應(yīng)很慢的腐蝕停止層構(gòu)成。
在如上所述利用腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片4，使之具有要求圖形時(shí)，其所得結(jié)構(gòu)具有在向下延伸時(shí)面積增大的梯形剖面形狀，而在其相對(duì)側(cè)表面具有陡峭的弧形形狀。
利用腐蝕工藝形成了具有要求圖形的氧化物壓電元件4后，利用漂洗液完全去掉覆蓋上電極5的其余光刻膠膜6。于是形成具有圖1I所示結(jié)構(gòu)的微致動(dòng)器。
圖2A和2B分別是展示本發(fā)明第二實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。圖2A和2B中，與圖1A-1I中對(duì)應(yīng)的部件由相同的參考數(shù)字表示。
參見(jiàn)圖2A，圖中示出了依次層疊于扁平振動(dòng)板2上的下電極3和氧化物壓電片4。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，利用腐蝕工藝構(gòu)圖形成于氧化物壓電片4上的電極層5的工藝步驟，及構(gòu)圖氧化物壓電片4的工藝步驟與第一實(shí)施例相同。
第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同在于，在構(gòu)圖了氧化物壓電片4后，立即將具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a的存儲(chǔ)室板1固定于振動(dòng)板2的下表面上，如圖2B所示。
最優(yōu)選的是，存儲(chǔ)室板1設(shè)置成使構(gòu)圖氧化物壓電片4后得到的氧化物壓電元件分別垂直位于各儲(chǔ)液室1a之上。
圖3A-3D分別是展示本發(fā)明第三實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。圖3A-3D中，各分別對(duì)應(yīng)于圖1A-1I的部件用相同的參考數(shù)字表示。
參見(jiàn)圖3A，圖中示出了依次層疊于與存儲(chǔ)室板1形成為一體的振動(dòng)板2上的下電極3和氧化物壓電片4。存儲(chǔ)室板1處于沒(méi)有形成儲(chǔ)液室的狀態(tài)。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，利用腐蝕工藝構(gòu)圖形成于氧化物壓電片4上的電極層5的工藝步驟，及構(gòu)圖氧化物壓電片4的工藝步驟與第一和第二實(shí)施例相同。
第三實(shí)施例與第一和第二實(shí)施例的不同在于，在構(gòu)圖了氧化物壓電片4后，將存儲(chǔ)室板1加工成具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a。
根據(jù)該實(shí)施例，在存儲(chǔ)室板1的下表面上涂敷光刻膠膜6，如圖3B所示。然后對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模將光刻膠膜6曝光，顯影，然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻膠膜6后得到的結(jié)構(gòu)如圖3C所示，圖3C是圖3B的倒置圖。
然后用已構(gòu)圖的光刻膠膜6作掩模，利用腐蝕劑腐蝕存儲(chǔ)室板1，從而在存儲(chǔ)室板1中形成多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室，如圖3D所示。
所以，本發(fā)明第三實(shí)施例的特征在于，通過(guò)構(gòu)圖存儲(chǔ)室板1最后形成儲(chǔ)液室。利用這種工藝步驟制造所要求的微致動(dòng)器。
圖4A-4E分別是展示本發(fā)明第四實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。圖4A-4E中，各分別對(duì)應(yīng)于圖1A-1I的部件用相同的參考數(shù)字表示。
參見(jiàn)圖4A，圖中示出了依次層疊于與存儲(chǔ)室板1形成為一體的振動(dòng)板2上的下電極3、氧化物壓電片4和電極層5。存儲(chǔ)室板1具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，在電極層5的上表面上涂敷光刻膠膜6，如圖4B所示。光刻膠膜6。然后，對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模將光刻膠膜6曝光，顯影，然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻膠膜6后得到的結(jié)構(gòu)如圖4C所示。
最好是，分別對(duì)應(yīng)于將要形成的上電極的保留光刻膠膜6部分具有大于上電極的尺寸。
去掉了部分光刻膠膜6后，局部露出上電極層5。利用腐蝕劑沿圖4D中箭頭所指方向在上電極層5的暴露部分腐蝕電極層5，從而形成要求圖形的上電極。
然后，利用漂洗液完全去掉留在已構(gòu)圖的上電極5上的保留光刻膠膜6。于是只在氧化物壓電片4上留有要求圖形的上電極，如圖4E所示。
同時(shí)，形成了上電極5A后的工藝步驟與開(kāi)始于圖1F的第一實(shí)施例的構(gòu)圖氧化物壓電片4的工藝步驟相同。
即，在形成了上電極后得到的結(jié)構(gòu)的整個(gè)上表面上，也即氧化物壓電片4的暴露上表面部分及上電極5的上表面上，涂敷另一光刻膠膜6。對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘、曝光，顯影，和漂洗工藝，從而去掉其不必要的部分。然后硬烘保留的光刻膠膜6。利用腐蝕劑在暴露部分腐蝕氧化物壓電片4，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件。于是制成具有要求圖形的微致動(dòng)器。
圖5A和5B分別是展示本發(fā)明第五實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。圖5A和5B中，與圖1A-1I中對(duì)應(yīng)的部件由相同的參考數(shù)字表示。
參見(jiàn)圖5A，圖中示出了依次層疊于扁平振動(dòng)板2上的下電極3、氧化物壓電片4和電極層5。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，構(gòu)圖電極層5的工藝步驟與第四實(shí)施例的工藝步驟相同。即，在上電極層5的上表面上涂敷光刻膠膜6。對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模將光刻膠膜6曝光，顯影，然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。然后硬烘保留的光刻膠膜6。利用腐蝕劑在其暴露部分腐蝕電極層5，從而形成要求圖形的上電極。
然后，利用漂洗液漂洗留在已構(gòu)圖的上電極5上的保留光刻膠膜6，由此完全去掉了光刻膠膜6。于是只在氧化物壓電片4上留有要求圖形的上電極。
在包括氧化物壓電片4的暴露上表面部分及上電極5的上表面的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)上表面上，涂敷另一光刻膠膜6。對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘、曝光，顯影，漂洗工藝，從而去掉其不必要的部分。
然后硬烘保留的光刻膠膜6。利用腐蝕劑在其暴露部分腐蝕氧化物壓電片4，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件。
將預(yù)先制備成具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a的存儲(chǔ)室板1固定于振動(dòng)板2的下表面上，如圖5B所示。盡管未示出，但存儲(chǔ)室板1可以設(shè)置成使各氧化物壓電元件分別垂直立于各儲(chǔ)液室1a之上。于是制成具有要求圖形的微致動(dòng)器。
圖6A-6D分別是展示本發(fā)明第三實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。圖6A-6D中，各分別對(duì)應(yīng)于圖1A-1I的部件用相同的參考數(shù)字表示。
參見(jiàn)圖6A，圖中示出了依次層疊于與存儲(chǔ)室板1形成為一體的振動(dòng)板2上的下電極3、氧化物壓電片4和電極層5。存儲(chǔ)室板1處于沒(méi)有形成儲(chǔ)液室的狀態(tài)。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，利用腐蝕工藝構(gòu)圖電極層5的工藝步驟及構(gòu)圖氧化物壓電片4的工藝步驟與第四和第五實(shí)施例相同。
第六實(shí)施例與第四和第五實(shí)施例的不同在于，在構(gòu)圖了氧化物壓電片4后，將存儲(chǔ)室板1加工成具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a。
根據(jù)該實(shí)施例，在構(gòu)圖了氧化物壓電片4后，在存儲(chǔ)室板1的下表面上涂敷光刻膠膜6，如圖6B所示。然后對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模將光刻膠膜6曝光，顯影，然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻膠膜6后得到的結(jié)構(gòu)如圖6C所示，該圖是圖6B的倒置圖。
然后用已構(gòu)圖的光刻膠膜6作掩模，利用腐蝕劑腐蝕存儲(chǔ)室板1，從而在存儲(chǔ)室板1中形成多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a，如圖6D所示。于是制成具有要求結(jié)構(gòu)的微致動(dòng)器。
圖7A-7I分別是展示本發(fā)明第七實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。
參見(jiàn)圖7A，圖中示出了依次層疊于與存儲(chǔ)室板1形成為一體的振動(dòng)板2上的下電極3和氧化物壓電片4。存儲(chǔ)室板1具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a。
在該實(shí)施例中，在氧化物壓電片4的上表面上涂敷要求厚度的光刻膠膜6，如圖7B所示。然后，對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模將光刻膠膜6曝光，顯影，然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻膠膜6后得到的結(jié)構(gòu)如圖7C所示。
然后硬烘光刻膠膜6。這種情況下，分別對(duì)應(yīng)于將要形成的氧化物壓電元件的的保留光刻膠膜6的各部分具有大于氧化物壓電元件的尺寸。
此后，利用腐蝕劑沿圖7D中箭頭所指方向在其暴露部分腐蝕氧化物壓電片4，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件。如圖7D的虛線所示，向下和橫向進(jìn)行氧化物壓電片4的腐蝕。
一般情況下，在構(gòu)圖了氧化物壓電片4后得到的氧化物壓電元件具有在向下延伸時(shí)面積增大的梯形剖面形狀，而在其相對(duì)側(cè)表面具有陡峭的弧形形狀。
利用腐蝕工藝形成了具有要求圖形的氧化物壓電元件4后，利用漂洗液完全去掉覆蓋壓電元件4的的保留光刻膠膜6。圖7E示出了具有要求圖形的氧化物壓電元件的所得結(jié)構(gòu)。
此后，在包括下電極3的暴露上表面部分及氧化物壓電元件4的上表面的圖7E結(jié)構(gòu)的整個(gè)上表面上，涂敷另一光刻膠膜6，如圖7F所示。
光刻膠膜6的厚度最好大于將形成于各氧化物壓電元件4上的各上電極的厚度。
對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模將光刻膠膜6曝光，顯影，然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。所得結(jié)構(gòu)如圖7G所示。
然后硬烘保留的光刻膠膜6。在包括保留光刻膠6的上表面及氧化物壓電元件4的上表面的所得結(jié)構(gòu)上，淀積均勻厚度的電極層5，如圖7H所示。
這種情況下，電極層5淀積的厚度小于光刻膠膜6的厚度。
由于其上將要涂敷電極層5的該結(jié)構(gòu)的上表面具有一定的形貌，所以電極層5不完全地涂敷于由于光刻膠膜6的部分去除形成的各溝槽相對(duì)側(cè)表面上。于是，在其對(duì)應(yīng)于每個(gè)溝槽的相對(duì)側(cè)表面的側(cè)表面處，光刻膠膜6具有未被電極層5覆蓋的暴露部分。
在漂洗上述結(jié)構(gòu)時(shí)，利用漂洗液，從電極層5的上表面開(kāi)始，完全去掉了保留的光刻膠膜6及位于光刻膠膜6之上的部分電極層。
于是只在氧化物壓電元件4上保留電極層5，由此形成上電極，如圖7I所示。從而制成具有要求結(jié)構(gòu)的微致動(dòng)器。
圖8A和8B分別是展示本發(fā)明第八實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。圖8A和8B中，與圖1A-1I中對(duì)應(yīng)的部件由相同的參考數(shù)字表示。
參見(jiàn)圖8A，圖中示出了依次層疊于扁平振動(dòng)板2上的下電極3和氧化物壓電片4。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，利用腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片4的工藝步驟，及在通過(guò)構(gòu)圖氧化物壓電片4形成的氧化物壓電元件上形成上電極的工藝步驟與第七實(shí)施例相同。
根據(jù)第八實(shí)施例，在形成了氧化物壓電元件4和上電極5后，將具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a的存儲(chǔ)室板1固定于振動(dòng)板2的下表面上，如圖8B所示。存儲(chǔ)室板1設(shè)置成使其各儲(chǔ)液室1a分別垂直位于各氧化物壓電元件4之下。
圖9A-9D分別是展示本發(fā)明第九實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。圖9A-9D中，各分別對(duì)應(yīng)于圖1A-1I的部件用相同的參考數(shù)字表示。
參見(jiàn)圖9A，圖中示出了依次層疊于與存儲(chǔ)室板1形成為一體的振動(dòng)板2上的下電極3、氧化物壓電片4和電極層5。存儲(chǔ)室板1處于沒(méi)有形成儲(chǔ)液室的狀態(tài)。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，利用腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片4的工藝步驟，及在通過(guò)構(gòu)圖氧化物壓電片4形成的氧化物壓電元件上形成上電極的工藝步驟與第七和第八實(shí)施例相同。
根據(jù)該實(shí)施例，在形成了上電極5后，在存儲(chǔ)室板1的下表面上涂敷光刻膠膜6，如圖9B所示。然后對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模將光刻膠膜6曝光，顯影，然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻膠膜6后得到的結(jié)構(gòu)如圖9C所示，該圖是圖9B的倒置圖。
然后用已構(gòu)圖的光刻膠膜6作掩模，利用腐蝕劑腐蝕存儲(chǔ)室板1，從而在存儲(chǔ)室板1中形成多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室，如圖9D所示。于是制成具有要求結(jié)構(gòu)的微器。
圖10A-10F分別是展示本發(fā)明第十實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。
參見(jiàn)圖10A，圖中示出了依次層疊于與存儲(chǔ)室板1形成為一體的振動(dòng)板2上的下電極3和氧化物壓電片4。存儲(chǔ)室板1具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，利用腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片4的工藝步驟與第七、第八和第九實(shí)施例的相同。
根據(jù)第十實(shí)施例，在形成了氧化物壓電元件4后所得的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上，即氧化物壓電元件4的上表面及下電極暴露上表面部分上，淀積要求厚度的電極層5，如圖10B所示。
然后，在電極層5上涂敷光刻膠膜6，如圖10C所示。對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模將光刻膠膜6曝光，顯影，然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。所得結(jié)構(gòu)示于圖10D。
去掉了部分光刻膠膜6后，局部暴露電極層5。此時(shí)，利用腐蝕劑沿圖10D中箭頭所指方向在其暴露部分腐蝕電極層5。
結(jié)果，只在氧化物壓電元件4上保留電極層5。
于是形成上電極5。此后，完全去掉留在上電極5上的光刻膠膜6。于是制成具有要求結(jié)構(gòu)的微致動(dòng)器，如圖10F所示。
圖11A-11C分別是展示本發(fā)明第十一實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。
參見(jiàn)圖11A，圖中示出了依次層疊于扁平振動(dòng)板2上的下電極3和氧化物壓電片4。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，利用腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片4的工藝步驟與第七、第八和第九實(shí)施例相同。
根據(jù)第十一實(shí)施例，在形成了氧化物壓電元件4后的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上，即氧化物壓電元件4的上表面及下電極的暴露上表面部分上，淀積要求厚度的電極層5。然后，在電極層5上涂敷光刻膠膜6。
對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘、曝光、顯影、然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。利用腐蝕劑在其暴露部分腐蝕電極層5，在氧化物壓電元件4上形成要求圖形的上電極，如圖11B所示。
在形成了上電極5后，將預(yù)先制備成具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a的存儲(chǔ)室板1固定于振動(dòng)板2的下表面上，如圖11C所示。存儲(chǔ)室板1可以設(shè)置成使各儲(chǔ)液室1a分別垂直位于各氧化物壓電元件4之下。
圖12A-12D分別是展示本發(fā)明第十二實(shí)施例制造微致動(dòng)器的方法的剖面圖。圖12A-12D中，各分別對(duì)應(yīng)于圖IA-1I的部件用相同的參考數(shù)字表示。
參見(jiàn)圖12A，圖中示出了依次層疊于與存儲(chǔ)室板1形成為一體的振動(dòng)板2上的下電極3和氧化物壓電片4。存儲(chǔ)室板1處于沒(méi)有形成儲(chǔ)液室的狀態(tài)。
在本發(fā)明的該實(shí)施例中，首先以與第七、第八和第九實(shí)施例相同的方式構(gòu)圖氧化物壓電片4。然后，在構(gòu)圖了氧化物壓電片4后所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)上表面上，即構(gòu)圖氧化物壓電片4得到的氧化物壓電元件4的上表面及下電極3的暴露上表面部分上，以與第十和第十一實(shí)施例相同的方式，依次涂敷電極層5和光刻膠膜6(未示出)。
根據(jù)該實(shí)施例，然后構(gòu)圖光刻膠膜，從而去掉其不必要的部分。利用已構(gòu)圖的光刻膠膜作掩模，利用腐蝕劑在其暴露部分腐蝕電極層5，從而在氧化物壓電元件4上形成上電極。此時(shí)，利用漂洗工藝完全去掉保留的光刻膠膜6。
然后在存儲(chǔ)室板1的下表面上涂敷光刻膠膜6，如圖12B所示。對(duì)光刻膠膜6進(jìn)行軟烘。在完成了軟烘工藝后，利用具有要求圖形的掩模將光刻膠膜6曝光，顯影，然后漂洗，從而去掉其不必要的部分。去掉了部分光刻膠膜6后所得結(jié)構(gòu)示于圖12C中，該圖是圖12B的倒置圖。
然后，利用已構(gòu)圖的光刻膠膜6作掩模，利用腐蝕劑腐蝕存儲(chǔ)室板1，從而在存儲(chǔ)室板1中形成多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室1a，如圖12D所示。于是制成具有要求結(jié)構(gòu)的微致動(dòng)器。
從上述實(shí)施例可知，本發(fā)明的主要特征在于利用腐蝕工藝構(gòu)圖多層結(jié)構(gòu)的各層，特別是至少一層氧化物壓電層，制造具有多層結(jié)構(gòu)的噴墨頭微致動(dòng)器。
盡管氧化物壓電元件4設(shè)置于振動(dòng)板2上，并且各壓電元件與本發(fā)明上述實(shí)施例中的儲(chǔ)液室1a垂直且中心對(duì)準(zhǔn)，但也可以在與位于相鄰儲(chǔ)液室1a間的存儲(chǔ)板1的各部分垂直和中心對(duì)準(zhǔn)的振動(dòng)板2的各部分上，分別設(shè)置另外的氧化物壓電元件4，如圖13所示。
圖13的結(jié)構(gòu)可以通過(guò)利用窄腐蝕寬度腐蝕氧化物壓電片4制造。這種情況下，在相鄰儲(chǔ)液室1a之間限定的每個(gè)位置處及分別限定在儲(chǔ)液室1a上的位置處形成形狀相同的氧化物壓電元件。在采用這種利用窄腐蝕寬度的腐蝕工藝時(shí)，由于腐蝕特性而具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)，如圖14所示。
即，通過(guò)利用窄腐蝕寬度的腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片4時(shí)，因?yàn)橐g的面積減小，所以可以經(jīng)濟(jì)地實(shí)現(xiàn)構(gòu)圖，減少腐蝕時(shí)間，如圖14所示。而且，沒(méi)有或幾乎沒(méi)有負(fù)載效應(yīng)。所以具有很好的可靠性。
這種情況下，還可以自動(dòng)調(diào)節(jié)腐蝕深度。即，具有自限制效應(yīng)。在圖13所示的結(jié)構(gòu)中，相鄰存儲(chǔ)室1a間不會(huì)發(fā)生串?dāng)_。因此，可以提高每個(gè)存儲(chǔ)室的固有的排放頻率。所以提高了性能。
根據(jù)上述一個(gè)實(shí)施例制造的微致動(dòng)器中，可以在存儲(chǔ)室板1的下表面上依次整體地或局部地層疊限制板7、溝道板8、限制板9和噴嘴板10，如圖15所示。
振動(dòng)板2最好是由厚3-200微米的金屬薄板或厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。固定到振動(dòng)板2上的存儲(chǔ)室板1的厚度一般為50-1000微米。
在用金屬薄板作振動(dòng)板2時(shí)，金屬薄板可以包括含10-30％的鉻和70-90％的鐵的不銹鋼薄板，或含占總量90％以上的鎳、鉻、和鈦的薄板。具體說(shuō)，部分濕法腐蝕金屬薄板使之具有要求的尺寸?？蛇x擇的是，可以利用沖壓處理制造金屬薄板，使之具有要求尺寸。還可以利用電形成工藝在分離的基片上形成金屬薄板。
在用陶瓷薄板作振動(dòng)板2時(shí)，可以包括含占總量80％以上的氧化鋯(ZrO2)、氧化鋁(Al2O3)和二氧化硅(SiO2)的薄板。將含氧化物粉的漿料成形為坯片，并燒結(jié)該坯片，也可以制造陶瓷薄板?？蛇x擇的是，將漿料成形為具有要求尺寸，然后燒結(jié)成形的漿料，由此制造陶瓷薄板。
下電極3最好是由導(dǎo)電金屬或貴金屬制成。下電極3是利用絲網(wǎng)印刷工藝或如濺射或蒸發(fā)工藝等汽相淀積工藝形成于振動(dòng)板2上的。
分開(kāi)制備的氧化物壓電片4是借具有導(dǎo)電性的粘結(jié)劑粘結(jié)到下電極3上的。所以下電極3容易外連。
同時(shí)，在振動(dòng)板2由導(dǎo)電金屬材料構(gòu)成時(shí)，可以不要下電極3。這種情況下，分開(kāi)制備的氧化物壓電片4可以直接粘結(jié)到振動(dòng)板2上。另外，還可以利用絲網(wǎng)印刷工藝將氧化物壓電片4直接形成于振動(dòng)板2上。
所用振動(dòng)板和粘結(jié)劑最好具有很好的耐酸性，以保證在利用主要含酸的腐蝕劑構(gòu)圖氧化物壓電片4時(shí)不被腐蝕。
腐蝕工藝所采用的腐蝕劑可以是液相或氣相的。利用液態(tài)腐蝕劑的腐蝕工藝被稱為“濕法腐蝕”，而用氣相腐蝕劑的腐蝕工藝被稱為是“干法腐蝕工藝”。
濕法和干法工藝皆可用于腐蝕電極層形成上電極，及腐蝕氧化物壓電片形成氧化物壓電元件。然而，最好是采用干法腐蝕工藝形成上電極而不是形成氧化物壓電元件。這是因?yàn)楦煞ǜg工藝主要應(yīng)用于小厚度薄膜。
粘結(jié)到振動(dòng)板2或下電極3上的氧化物壓電片4為厚約5-300微米的薄板形式。可以這樣形成氧化物壓電片4，形成薄板形坯片，然后燒結(jié)該坯片。另外，氧化物壓電片4還可以由從一個(gè)主體上片切下來(lái)然后對(duì)其上下表面進(jìn)行研磨形成的薄板構(gòu)成。
氧化物壓電片4可以具有含氧和包括占金屬元素總量的40-60％的鉛和鋇的金屬元素的鈣鈦礦結(jié)晶結(jié)構(gòu)。一般情況下，這時(shí)采用的壓電材料含95％以上的PZT(Pb(ZrTi)O3)、PLZT(Pb1-XLax(ZrTi)O3)、PZT-PMN(Pb(MnNb)O3)、PbTiO3、或BaTiO3。該壓電材料可以另外含約5％以下的鍶(Sr)、錳(Mn)、和鈮(Nb)。
涂敷于下電極3或氧化物壓電片4上的光刻膠膜6是這樣層疊的，以約4000rpm的旋轉(zhuǎn)速度在預(yù)定目標(biāo)上旋涂液相光刻膠材料，或以干膜的形式在預(yù)定目標(biāo)上層疊。
在約70-100℃的溫度下軟烘所涂的光刻膠膜6，并利用具有要求圖形的掩模曝光，然后顯影。
所涂的光刻膠膜6可以是負(fù)性或正性光刻膠材料。相對(duì)于所選的光刻膠材料，可以合適地確定顯影液和漂洗液。
考慮到要利用腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片，最好是采用負(fù)性光刻膠材料，原因是負(fù)性光刻膠材料具有很高的耐酸性。
在根據(jù)上述方法制造微致動(dòng)器時(shí)，可以使氧化物壓電元件和上電極具有能夠?qū)崿F(xiàn)最佳噴射效率的的圖形。而且，這些圖形可以任意改變。因此，設(shè)計(jì)自由度相對(duì)提高。
常規(guī)情況下，要用昂貴的沖壓機(jī)器來(lái)將氧化物壓電片構(gòu)圖形成要求圖形的氧化物壓電元件，將電極層構(gòu)圖形成要求圖形的上電極。而根據(jù)本是發(fā)明，構(gòu)圖工藝可以以化學(xué)方式實(shí)現(xiàn)。因此，不用任何昂貴的機(jī)器也容易制造。常規(guī)情況下，圖形的變化涉及替換或附加昂貴設(shè)備。而本發(fā)明改變圖形時(shí)只需要廉價(jià)地替換掩模。因此，從經(jīng)濟(jì)角度考慮本發(fā)明特別有益。
具體說(shuō)，本發(fā)明的構(gòu)圖方法比常規(guī)采用的機(jī)械構(gòu)圖方法具有更好的精度。因此，形成微圖形時(shí)本發(fā)明的方法最理想。所以所得致動(dòng)器甚至其微細(xì)部分也具有提高了的性能。
而且，與通常情況采用的機(jī)械加工法相比，可以在減少加工時(shí)間的同時(shí)提高生產(chǎn)率，這獲益于批量生產(chǎn)。
盡管為了展示的目的公開(kāi)了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，可以做出各種改形、附加和替換，而不會(huì)背離所附權(quán)利要求書(shū)所記載的本發(fā)明的范圍和精神實(shí)質(zhì)。
權(quán)利要求
1．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在與存儲(chǔ)室板形成為一體的振動(dòng)板上層疊下電極和氧化物壓電片，所說(shuō)存儲(chǔ)室板具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室；在所說(shuō)氧化物壓電片的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；在所說(shuō)第一光膠膜的所說(shuō)不必要部分去除后，在包括保留于所說(shuō)氧化物壓電片上的所說(shuō)第一光刻膠膜的上表面和所說(shuō)氧化物壓電片的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，涂敷要求厚度的電極層；利用漂洗液去掉所說(shuō)保留的第一光刻膠膜，同時(shí)去掉位于所說(shuō)保留的第一光刻膠膜上的那部分所說(shuō)電極層，由此形成上電極；在形成所說(shuō)上電極后，在包括所說(shuō)上電極的上表面和所說(shuō)氧化物壓電片的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上涂敷第二光刻膠膜；去掉未覆蓋所說(shuō)上電極的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分，使所說(shuō)第二光刻膠膜的各保留部分分別具有大于與之有關(guān)的上電極的面積；利用所說(shuō)上電極上保留的所說(shuō)第二光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成氧化物壓電元件；及去掉所說(shuō)第二光刻膠膜。
2．如權(quán)利要求1所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
3．如權(quán)利要求1所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
4．如權(quán)利要求3所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
5．如權(quán)利要求1所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
6．如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
7．如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
8．如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
9．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在一個(gè)扁平振動(dòng)板上層疊下電極和氧化物壓電片；在所說(shuō)氧化物壓電片的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；在所說(shuō)第一光膠膜的所說(shuō)不必要部分去除后，在包括保留于所說(shuō)氧化物壓電片上的所說(shuō)第一光刻膠膜的上表面和所說(shuō)氧化物壓電片的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，涂敷要求厚度的電極層；利用漂洗液去掉所說(shuō)保留的第一光刻膠膜，同時(shí)去掉位于所說(shuō)保留的第一光刻膠膜上的那部分所說(shuō)電極層，由此形成上電極；在形成所說(shuō)上電極后，在包括所說(shuō)上電極的上表面和所說(shuō)氧化物壓電片的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上涂敷第二光刻膠膜；去掉未覆蓋所說(shuō)上電極的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分，使所說(shuō)第二光刻膠膜的各保留部分分別具有大于與之有關(guān)的上電極的面積；利用所說(shuō)上電極上保留的所說(shuō)第二光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)第二光刻膠膜；及在所說(shuō)振動(dòng)板的下表面上層疊具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室的存儲(chǔ)室板。
10．如權(quán)利要求9所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
11．如權(quán)利要求9所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
12．如權(quán)利要求11所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
13．如權(quán)利要求9所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
14．如權(quán)利要求9所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
15．如權(quán)利要求9所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
16．如權(quán)利要求9所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
17．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在與存儲(chǔ)室板形成為一體的振動(dòng)板上層疊下電極和氧化物壓電片，所說(shuō)存儲(chǔ)室板沒(méi)有儲(chǔ)液室；在所說(shuō)氧化物壓電片的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；在所說(shuō)第一光膠膜的所說(shuō)部分去除后，在包括保留于所說(shuō)氧化物壓電片上的所說(shuō)第一光刻膠膜的上表面和所說(shuō)氧化物壓電片的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，涂敷要求厚度的電極層；利用漂洗液去掉所說(shuō)保留的第一光刻膠膜，同時(shí)去掉位于所說(shuō)保留的第一光刻膠膜上的那部分所說(shuō)電極層，由此形成上電極；在形成所說(shuō)上電極后，在包括所說(shuō)上電極的上表面和所說(shuō)氧化物壓電片的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上涂敷第二光刻膠膜；去掉未覆蓋所說(shuō)上電極的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分，使所說(shuō)第二光刻膠膜的各保留部分分別具有大于與之有關(guān)的上電極的面積；利用所說(shuō)上電極上保留的所說(shuō)第二光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)第二光刻膠膜；在所說(shuō)存儲(chǔ)室板的下表面上涂敷第三光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第三光刻膠膜的不必要部分；及利用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)存儲(chǔ)室板，從而形成多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室。
18．如權(quán)利要求17所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
19．如權(quán)利要求17所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
20．如權(quán)利要求19所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
21．如權(quán)利要求17所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
22．如權(quán)利要求17所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
23．如權(quán)利要求17所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
24．如權(quán)利要求17所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
25．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在與存儲(chǔ)室板形成為一體的振動(dòng)板上層疊下電極、氧化物壓電片和電極層，所說(shuō)存儲(chǔ)室板具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室；在所說(shuō)電極層的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；利用保留于所說(shuō)電極層上的所說(shuō)光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)電極層，從而形成上電極；在所說(shuō)上電極形成后，在包括所說(shuō)上電極的上表面和所說(shuō)氧化物壓電片的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，涂敷第二光刻膠膜，并去掉未覆蓋所說(shuō)上電極的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分，使所說(shuō)第二光刻膠膜的各保留部分的面積分別大于與之有關(guān)的所說(shuō)上電極；利用所說(shuō)上電極上保留的所說(shuō)第二光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成氧化物壓電元件；及去掉所說(shuō)第二光刻膠膜。
26．如權(quán)利要求25所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
27．如權(quán)利要求25所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
28．如權(quán)利要求27所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
29．如權(quán)利要求25所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
30．如權(quán)利要求25所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
31．如權(quán)利要求25所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
32．如權(quán)利要求25所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
33．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在扁平振動(dòng)板上層疊下電極、氧化物壓電片和電極層，在所說(shuō)電極層的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；利用保留于所說(shuō)電極層上的所說(shuō)光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)電極層，從而形成上電極；在所說(shuō)上電極形成后，在包括所說(shuō)上電極的上表面和所說(shuō)氧化物壓電片的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，涂敷第二光刻膠膜，并去掉未覆蓋所說(shuō)上電極的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分，使所說(shuō)第二光刻膠膜的各保留部分的面積分別大于與之有關(guān)的所說(shuō)上電極；利用所說(shuō)上電極上保留的所說(shuō)第二光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)第二光刻膠膜；及在所說(shuō)振動(dòng)板的下表面上層疊具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室的存儲(chǔ)室板。
34．如權(quán)利要求33所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
35．如權(quán)利要求33所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
36．如權(quán)利要求35所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
37．如權(quán)利要求33所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
38．如權(quán)利要求33所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
39．如權(quán)利要求33所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
40．如權(quán)利要求33所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
41．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在與存儲(chǔ)室板形成為一體的振動(dòng)板上層疊下電極、氧化物壓電片和電極層，所說(shuō)存儲(chǔ)室板沒(méi)有儲(chǔ)液室；在所說(shuō)電極層的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；利用保留于所說(shuō)電極層上的所說(shuō)光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)電極層，從而形成上電極；在所說(shuō)上電極形成后，在包括所說(shuō)上電極的上表面和所說(shuō)氧化物壓電片的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，涂敷第二光刻膠膜，并去掉未覆蓋所說(shuō)上電極的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分，使所說(shuō)第二光刻膠膜的各保留部分的面積分別大于與之有關(guān)的所說(shuō)上電極；利用所說(shuō)上電極上保留的所說(shuō)第二光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)第二光刻膠膜；在所說(shuō)存儲(chǔ)室板的下表面上涂敷第三光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第三光刻膠膜的不必要部分；及利用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)存儲(chǔ)室板，從而形成多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室。
42．如權(quán)利要求41所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
43．如權(quán)利要求41所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
44．如權(quán)利要求43所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
45．如權(quán)利要求41所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
46．如權(quán)利要求41所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
47．如權(quán)利要求41所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
48．如權(quán)利要求41所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
49．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在與存儲(chǔ)室板形成為一體的振動(dòng)板上層疊下電極和氧化物壓電片，所說(shuō)存儲(chǔ)室板具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室；在所說(shuō)氧化物壓電片的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；利用所說(shuō)氧化物壓電片上保留的所說(shuō)第一光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)保留的第一光刻膠膜；在形成所說(shuō)氧化物壓電元件后，在包括所說(shuō)氧化物壓電元件的上表面和所說(shuō)下電極的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，涂敷第二光刻膠膜，并去掉未覆蓋所說(shuō)氧化物壓電元件的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分；在所說(shuō)第二光刻膠膜的所說(shuō)去除后，在所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上淀積電極層；及利用漂洗液去掉所說(shuō)氧化物壓電元件上保留的所說(shuō)第二光刻膠膜，同時(shí)去掉所說(shuō)第二光刻膠膜上的那部分所說(shuō)電極層，從而形成上電極。
50．如權(quán)利要求49所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
51．如權(quán)利要求49所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
52．如權(quán)利要求51所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
53．如權(quán)利要求49所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
54．如權(quán)利要求49所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
55．如權(quán)利要求49所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
56．如權(quán)利要求49所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
57．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在扁平振動(dòng)板上層疊下電極和氧化物壓電片；在所說(shuō)氧化物壓電片的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；利用所說(shuō)氧化物壓電片上保留的所說(shuō)第一光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)保留的第一光刻膠膜；在形成所說(shuō)氧化物壓電元件后，在包括所說(shuō)氧化物壓電元件的上表面和所說(shuō)下電極的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，涂敷第二光刻膠膜，并去掉未覆蓋所說(shuō)氧化物壓電元件的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分；在所說(shuō)第二光刻膠膜的所說(shuō)去除后，在所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上淀積電極層；利用漂洗液去掉所說(shuō)氧化物壓電元件上保留的所說(shuō)第二光刻膠膜，同時(shí)去掉所說(shuō)第二光刻膠膜上的那部分所說(shuō)電極層，從而形成上電極；及在所說(shuō)振動(dòng)板的下表面上層疊具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室的存儲(chǔ)室板。
58．如權(quán)利要求57所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
59．如權(quán)利要求57所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
60．如權(quán)利要求59所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
61．如權(quán)利要求57所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
62．如權(quán)利要求57所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的各部分上，與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
63．如權(quán)利要求57所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
64．如權(quán)利要求57所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
65．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在與存儲(chǔ)室板形成為一體的振動(dòng)板上層疊下電極和氧化物壓電片，所說(shuō)存儲(chǔ)室板沒(méi)有儲(chǔ)液室；在所說(shuō)氧化物壓電片的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；利用所說(shuō)氧化物壓電片上保留的所說(shuō)第一光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)保留的第一光刻膠膜；在形成所說(shuō)氧化物壓電元件后，在包括所說(shuō)氧化物壓電元件的上表面和所說(shuō)下電極的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，涂敷第二光刻膠膜，并去掉未覆蓋所說(shuō)氧化物壓電元件的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分；在所說(shuō)第二光刻膠膜的所說(shuō)去除后，在所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上淀積電極層；利用漂洗液去掉所說(shuō)氧化物壓電元件上保留的所說(shuō)第二光刻膠膜，同時(shí)去掉所說(shuō)第二光刻膠膜上的那部分所說(shuō)電極層，從而形成上電極；在所說(shuō)存儲(chǔ)室板的下表面上涂敷第三光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第三光刻膠膜的不必要部分；及利用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)存儲(chǔ)室板，從而形成多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室。
66．如權(quán)利要求65所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
67．如權(quán)利要求65所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
68．如權(quán)利要求67所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
69．如權(quán)利要求65所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
70．如權(quán)利要求65所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
71．如權(quán)利要求65所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
72．如權(quán)利要求65所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
73．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在與存儲(chǔ)室板形成為一體的振動(dòng)板上層疊下電極和氧化物壓電片，所說(shuō)存儲(chǔ)室板具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室；在所說(shuō)氧化物壓電片的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；利用所說(shuō)氧化物壓電片上保留的所說(shuō)第一光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)保留的第一光刻膠膜；在形成所說(shuō)氧化物壓電元件后，在包括所說(shuō)氧化物壓電元件的上表面和所說(shuō)下電極的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，淀積電極層；在所說(shuō)電極層的上表面上涂敷第二光刻膠膜，并去掉未覆蓋氧化物壓電元件的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分；利用保留于所說(shuō)電極層上的所說(shuō)第二光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑去掉所說(shuō)電極層的不必要部分，從而形成上電極；及去掉所說(shuō)保留的第二光刻膠膜。
74．如權(quán)利要求73所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
75．如權(quán)利要求73所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
76．如權(quán)利要求75所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
77．如權(quán)利要求73所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
78．如權(quán)利要求73所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
79．如權(quán)利要求73所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
80．如權(quán)利要求73所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
81．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在扁平振動(dòng)板上層疊下電極和氧化物壓電片；在所說(shuō)氧化物壓電片的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；利用所說(shuō)氧化物壓電片上保留的所說(shuō)第一光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)保留的第一光刻膠膜；在形成所說(shuō)氧化物壓電元件后，在包括所說(shuō)氧化物壓電元件的上表面和所說(shuō)下電極的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，淀積電極層；在所說(shuō)電極層的上表面上涂敷第二光刻膠膜，并去掉未覆蓋氧化物壓電元件的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分；利用保留于所說(shuō)電極層上的所說(shuō)第二光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑去掉所說(shuō)電極層的不必要部分，從而形成上電極；去掉所說(shuō)保留的第二光刻膠膜；及在所說(shuō)振動(dòng)板的下表面上層疊具有多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室的存儲(chǔ)室板。
82．如權(quán)利要求81所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
83．如權(quán)利要求81所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
84．如權(quán)利要求83所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
85．如權(quán)利要求81所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
86．如權(quán)利要求81所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的各部分上，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
87．如權(quán)利要求81所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
88．如權(quán)利要求81所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
89．一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法，包括以下步驟依次在與存儲(chǔ)室板形成為一體的振動(dòng)板上層疊下電極和氧化物壓電片，所說(shuō)存儲(chǔ)室板沒(méi)有儲(chǔ)液室；在所說(shuō)氧化物壓電片的上表面上涂敷第一光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第一光刻膠膜的不必要部分；利用所說(shuō)氧化物壓電片上保留的所說(shuō)第一光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)氧化物壓電片，從而形成要求圖形的氧化物壓電元件；去掉所說(shuō)保留的第一光刻膠膜；在形成所說(shuō)氧化物壓電元件后，在包括所說(shuō)氧化物壓電元件的上表面和所說(shuō)下電極的暴露上表面部分的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)暴露上表面上，淀積電極層；在所說(shuō)電極層的上表面上涂敷第二光刻膠膜，并去掉未覆蓋氧化物壓電元件的所說(shuō)第二光刻膠膜的不必要部分；利用保留于所說(shuō)電極層上的所說(shuō)第二光刻膠膜作掩模，用腐蝕劑去掉所說(shuō)電極層的不必要部分，從而形成上電極；去掉所說(shuō)保留的第二光刻膠膜；在所說(shuō)存儲(chǔ)室板的下表面上涂敷第三光刻膠膜，并去掉所說(shuō)第三光刻膠膜的不必要部分；及利用腐蝕劑構(gòu)圖所說(shuō)存儲(chǔ)室板，從而形成多個(gè)均勻隔開(kāi)的儲(chǔ)液室。
90．如權(quán)利要求89所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚3-200微米的金屬薄板構(gòu)成。
91．如權(quán)利要求89所述的方法，其中所說(shuō)振動(dòng)板由厚5-300微米的陶瓷薄板構(gòu)成。
92．如權(quán)利要求91所述的方法，其中將含氧化物粉的漿料成形為坯片，然后燒結(jié)坯片，由此形成所說(shuō)陶瓷薄板。
93．如權(quán)利要求89所述的方法，其中將氧化物壓電材料成形為厚10-300微米的薄板，然后燒結(jié)所說(shuō)薄板，由此形成所說(shuō)氧化物壓電片。
94．如權(quán)利要求89所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片的所說(shuō)構(gòu)圖步驟，利用窄腐蝕寬度腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片，使所說(shuō)各氧化物壓電片位于所說(shuō)振動(dòng)板的各部分上，與所說(shuō)各儲(chǔ)液室垂直且中心對(duì)準(zhǔn)，與所說(shuō)存儲(chǔ)室板的各部分垂直且中心對(duì)準(zhǔn)的所說(shuō)振動(dòng)板的各部分分別對(duì)應(yīng)于相鄰儲(chǔ)液室間限定的區(qū)域。
95．如權(quán)利要求89所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用腐蝕液濕法腐蝕所說(shuō)氧化物壓電片。
96．如權(quán)利要求89所述的方法，其中在所說(shuō)氧化物壓電片構(gòu)圖步驟，利用等離子腐蝕氣體干法腐蝕氧化物壓電片。
全文摘要
一種制造用于噴墨頭的微致動(dòng)器的方法,利用主要用于制造半導(dǎo)體器件的構(gòu)圖工藝,容易形成具有要求圖形的氧化物壓電元件和上電極。該方法包括以下步驟:依次層疊振動(dòng)板、下電極、氧化物壓電片、和電極層;構(gòu)圖電極層,從而形成要求圖形的上電極;并利用上電極作掩模,用腐蝕工藝構(gòu)圖氧化物壓電片,從而形成要求圖形的氧化物壓電元件。
文檔編號(hào)B41J2/14GK1226478SQ981258
公開(kāi)日1999年8月25日 申請(qǐng)日期1998年12月22日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月19日
發(fā)明者金日 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社