專利名稱：物品識(shí)別標(biāo)簽、及用于其檢測(cè)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及物品識(shí)別標(biāo)簽及其檢測(cè)。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及帶有多個(gè)導(dǎo)電件的物品識(shí)別標(biāo)簽。本發(fā)明也涉及檢測(cè)這樣的物品識(shí)別標(biāo)簽的方法。
許多用途需要物體在檢測(cè)區(qū)內(nèi)的存在、本體或位置的可靠和無(wú)接觸檢測(cè)。普通的例子例如是商業(yè)物品的價(jià)格標(biāo)簽、生產(chǎn)線中的元件識(shí)別、在回收廠處的材料類型識(shí)別或例如在商店中電子物品監(jiān)視。
對(duì)于某些用途，檢測(cè)物體或物品的存在就足夠了。一個(gè)例子是例子是簡(jiǎn)單的電子物品監(jiān)視系統(tǒng)，該系統(tǒng)布置成一旦攜帶保護(hù)物品進(jìn)入檢測(cè)區(qū)就提供一個(gè)警報(bào)信號(hào)。這樣一種簡(jiǎn)單的用途使用帶有具有磁性的薄金屬帶或?qū)Ь€形式的一個(gè)單傳感器元件的標(biāo)簽。借助于把傳感器元件暴露于影響傳感器元件的物理性質(zhì)的交變磁場(chǎng)的弧形磁產(chǎn)生器/檢測(cè)器，可以磁性檢測(cè)傳感器元件。常常利用這樣的事實(shí)，交變磁場(chǎng)引起傳感器元件偶極子的磁矩的周期切換，這也稱作Barkhausen跳躍。這種種類的標(biāo)簽例如公開(kāi)在US-A-5 496 611、EP-A-0 710 923和EP-A-0716 393中。
一種不同的單元件標(biāo)簽技術(shù)在WO97/29463和WO97/29464中描述，其中每個(gè)標(biāo)簽包括一個(gè)非晶體或納晶體金屬合金的導(dǎo)線形元件。非晶體或納晶體金屬合金的一個(gè)重要特征在于，其導(dǎo)磁率由一個(gè)交變磁調(diào)制場(chǎng)控制。通過(guò)稱作巨磁阻抗(Giant Magnetoimpedance)的物理效應(yīng)，當(dāng)標(biāo)簽由一個(gè)電磁詢問(wèn)信號(hào)激勵(lì)時(shí)，來(lái)自標(biāo)簽的電磁應(yīng)答信號(hào)的振幅由磁調(diào)制場(chǎng)調(diào)制。應(yīng)答信號(hào)振幅的調(diào)制被檢測(cè)，并且用來(lái)確定標(biāo)簽在檢測(cè)區(qū)的存在。一種類似的用途表示在WO98/36393中，其中每個(gè)薄非晶體或納晶體導(dǎo)線用作傳感器元件。這些導(dǎo)線(也稱作微導(dǎo)線)具有小于30μm的直徑，最好為5-15μm。
上述的電子物品監(jiān)視用途都沒(méi)有為每個(gè)標(biāo)簽提供遠(yuǎn)程可檢測(cè)的標(biāo)識(shí)。然而，對(duì)于先進(jìn)的用途，必須為對(duì)其附著每個(gè)標(biāo)簽的相應(yīng)物體，提供表示例如物品號(hào)碼、序列號(hào)碼、材料代碼等的這樣的標(biāo)識(shí)信息。在不同的技術(shù)領(lǐng)域，這樣的標(biāo)識(shí)信息由條碼(如EAN)即印刷的黑白線圖案提供，該圖案由光學(xué)閱讀器掃描。光學(xué)條碼標(biāo)簽具有這樣一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，他們供給一個(gè)寬廣的代碼范圍-一個(gè)EAN條碼可以例如表示12位物品號(hào)碼，由此理論上提供1012不同條碼值的代碼范圍。然而，光學(xué)物品識(shí)別系統(tǒng)具有這樣一個(gè)明顯的缺陷，其操作距離非常有限；條碼標(biāo)簽必須靠近光學(xué)閱讀器通過(guò)，以便允許條碼的成功閱讀。而且，由于條碼由光學(xué)裝置閱讀，所以標(biāo)簽必須附著到研究物品的可見(jiàn)表面部分上。
具有較長(zhǎng)操作范圍的非光學(xué)系統(tǒng)公開(kāi)在WO88/01427中，其中標(biāo)簽或標(biāo)記提供有由非晶體鐵磁性材料制成的磁致收縮帶或條形式的多個(gè)傳感器元件，并且以預(yù)定角關(guān)系或以彼此離開(kāi)預(yù)定距離布置。這樣一種標(biāo)簽的標(biāo)識(shí)由各個(gè)傳感器元件的預(yù)定關(guān)系以及相應(yīng)類型表示。傳感器元件通過(guò)磁能量對(duì)于機(jī)械諧振是可激勵(lì)的?？梢杂么判苑椒ɑ蚋袘?yīng)方法檢測(cè)由諧振傳感器元件產(chǎn)生磁性信號(hào)。與光學(xué)條碼系統(tǒng)相比，WO88/01427的標(biāo)簽提供顯著更有限的代碼范圍。
一種類似的系統(tǒng)描述在WO93/14478中，其中標(biāo)簽或標(biāo)記提供有多個(gè)電氣諧振電路，這些電路的每一個(gè)感應(yīng)耦合到相應(yīng)的磁傳感器元件上。激勵(lì)每個(gè)電氣諧振電路以便電氣振蕩，并且其諧振頻率經(jīng)磁性元件的導(dǎo)磁率、通過(guò)外部磁場(chǎng)，是可控制的，其中使幾個(gè)相同標(biāo)簽的同時(shí)檢測(cè)是可能的。
總之，用于物體遠(yuǎn)程非光學(xué)檢測(cè)的先有技術(shù)標(biāo)簽是單元件型的，僅允許檢測(cè)每個(gè)標(biāo)簽的存在，或者是多元件型的，也允許檢測(cè)的每個(gè)標(biāo)簽的標(biāo)識(shí)。單元件標(biāo)簽容易設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，并因此具有較低的單位成本。另一方面，多元件標(biāo)簽需要一個(gè)支撐載體(特別是對(duì)于機(jī)械諧振傳感器元件)和/或電容性或電感性元件(對(duì)于電諧振電路樣式)。自然，這意味著每單元的較高成本。而且，上述多元件標(biāo)簽的代碼范圍(不同代碼值的數(shù)量)與光學(xué)條碼標(biāo)簽相比明顯較次。另外，由于多元件標(biāo)簽主要通過(guò)磁性或感應(yīng)鏈路操作，所以檢測(cè)系統(tǒng)的操作距離十分窄(盡管比光學(xué)條碼系統(tǒng)好)。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于，以比以前已知標(biāo)簽顯著低的成本提供一種物品識(shí)別標(biāo)簽。更具體地說(shuō)，本發(fā)明的目的在于，提供一種以每個(gè)標(biāo)簽非常低的價(jià)格把光學(xué)條碼標(biāo)簽良好特性(大條碼范圍)和非光學(xué)多元件標(biāo)簽(長(zhǎng)操作距離)相結(jié)合的標(biāo)簽。
本發(fā)明另外一個(gè)目的在于，提供一種根據(jù)以上檢測(cè)物品識(shí)別標(biāo)簽的方法。
由于根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的新穎檢測(cè)方法，通過(guò)基本上任何導(dǎo)電材料能用作用于標(biāo)簽的傳感器元件的材料的發(fā)明性理解，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明的目的。例如，一件銅或鋁導(dǎo)線將制成優(yōu)良標(biāo)簽。要不然，可以使用諸如簡(jiǎn)單鐵或鋼導(dǎo)線之類的磁性材料。
本發(fā)明的目的通過(guò)附屬獨(dú)立專利要求實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)由如下詳細(xì)公開(kāi)、由附圖以及由子權(quán)利要求也是顯然的。
參照附圖現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述本發(fā)明，在附圖中

圖1表明一種物品識(shí)別系統(tǒng)，其中可以應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的方法和標(biāo)簽，圖2和3表明在根據(jù)本發(fā)明的方法后面的物理基礎(chǔ)，及圖4-7是根據(jù)本發(fā)明一種標(biāo)簽的不同示范實(shí)施例的示意表明。
圖1表明用來(lái)檢測(cè)附著到一個(gè)物體20上的一個(gè)標(biāo)簽30、和用來(lái)其標(biāo)識(shí)的物品識(shí)別系統(tǒng)。類似于表明在圖1中的一種的系統(tǒng)完全公開(kāi)在WO97/29463、WO97/29464和WO98/36393中，所有這些通過(guò)參考完全包括在這里。一根發(fā)射機(jī)天線11和一根接收機(jī)天線12布置在檢測(cè)區(qū)10中。發(fā)射機(jī)天線11操作地連接到輸出級(jí)13上，輸出級(jí)13又連接到一個(gè)控制器14上。輸出級(jí)包括各種商業(yè)可用的驅(qū)動(dòng)和放大電路及用來(lái)產(chǎn)生高頻fHF的交變電流的裝置，所述電流當(dāng)向發(fā)射機(jī)天線11供給時(shí)經(jīng)其流回和向前，其中繞發(fā)射機(jī)天線產(chǎn)生一個(gè)高頻電磁場(chǎng)。該電磁場(chǎng)，如將在下面更詳細(xì)地描述的那樣，用來(lái)激勵(lì)在檢測(cè)區(qū)10內(nèi)的標(biāo)簽30，從而標(biāo)簽在從發(fā)射機(jī)天線11接收到一個(gè)第一電磁信號(hào)50時(shí)，發(fā)射一個(gè)第二電磁信號(hào)60，該電磁信號(hào)60由接收機(jī)天線12接收，并且轉(zhuǎn)換成一個(gè)對(duì)應(yīng)的電信號(hào)70。
接收機(jī)天線12操作地連接到一個(gè)輸入級(jí)15上，輸入級(jí)15包括具有放大和信號(hào)處理功能的常規(guī)裝置，如帶通濾波和放大電路。輸入級(jí)15也包括用來(lái)解調(diào)接收信號(hào)70和把它作為一個(gè)應(yīng)答信號(hào)80供給到控制器14的裝置。
發(fā)射機(jī)天線11以及接收機(jī)天線12因而具有以已知方式在高頻電氣信號(hào)與電磁信號(hào)之間轉(zhuǎn)換的用途。最好，天線是具轉(zhuǎn)動(dòng)極化的豎直形成天線(為了在所有方向上的最優(yōu)會(huì)聚)、或者要不然是常規(guī)底端饋電或中央饋電半波鞭狀天線，但其他已知天線類型同樣是可能的。
檢測(cè)區(qū)10可以選擇性提供有裝置16，如線圈，用來(lái)產(chǎn)生磁調(diào)制場(chǎng)Hmod。裝置16經(jīng)一個(gè)驅(qū)動(dòng)級(jí)17連接到控制器14上。驅(qū)動(dòng)級(jí)17包括用來(lái)產(chǎn)生調(diào)制電流的裝置，該調(diào)制電流供給到裝置16，其中磁調(diào)制場(chǎng)Hmod在檢測(cè)區(qū)10的基本部分中產(chǎn)生。磁調(diào)制場(chǎng)Hmod可以具有約500-800Hz的頻率，并且電磁激勵(lì)和應(yīng)答信號(hào)可以具有在GHz帶內(nèi)的頻率，如1.3GHz或2.45GHz。然而在這些范圍外的頻率也是可能的。
如上述那樣，已經(jīng)以箱形包裝示意表明在圖1中的物體20提供有根據(jù)本發(fā)明的標(biāo)簽30，包括多個(gè)導(dǎo)電件31-3n(圖4)，這些導(dǎo)電件31-3n提供對(duì)其附著標(biāo)簽的物體20的標(biāo)簽30的標(biāo)識(shí)，如下面更詳細(xì)地描述的那樣。
件31-3n是電磁可檢測(cè)的。可選擇地是，如果一個(gè)裝置16如在圖1中那樣用來(lái)產(chǎn)生一個(gè)磁調(diào)制場(chǎng)Hmod，則件31-3n可以由磁性材料組成，根據(jù)普通稱作Gigant Magneto-Impedance的效應(yīng)，其導(dǎo)磁率可由一個(gè)磁場(chǎng)控制，并且其高頻阻抗取決于所述導(dǎo)磁率。該效應(yīng)引起從標(biāo)簽30發(fā)射的和由接收機(jī)天線12作為信號(hào)70接收的第二電磁信號(hào)60的振幅調(diào)制。該振幅由磁調(diào)制場(chǎng)Hmod調(diào)制。
參照?qǐng)D2和3現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的檢測(cè)方法。根據(jù)本發(fā)明的方法基于本身稱作集膚深度現(xiàn)象的新穎使用，該現(xiàn)象對(duì)于在電導(dǎo)體中的高頻電信號(hào)出現(xiàn)。集膚深度是用于這樣一種事實(shí)的普通名稱，電流的傳導(dǎo)在高頻下僅發(fā)生在導(dǎo)體外層或表層中。透入深度與信號(hào)的頻率以及導(dǎo)體的電阻率和導(dǎo)磁率有關(guān)。
一個(gè)導(dǎo)電件1，如指示在圖1中的傳感器30的件31-3n(圖4)的任意一個(gè)，表明在圖2中的剖面中。導(dǎo)電件1具有半徑R和集膚深度d，集膚深度d根據(jù)以上隨信號(hào)頻率變化。因此，導(dǎo)電件1的有效阻抗Reff(圖3)與表層橫截面面積S即其中在討論的信號(hào)頻率下傳導(dǎo)電流的面積有關(guān)。更具體地說(shuō)，有效導(dǎo)體阻抗Reff＝S·ρconductor，其中ρconductor是件1的電阻率。由于表層模截面面積S取決于集膚深度d，集膚深度d又取決于信號(hào)頻率，所以有效導(dǎo)體阻抗Reff將隨信號(hào)頻率變化，條件是信號(hào)頻率不減小到其中集膚深度d達(dá)到和等于導(dǎo)電件1的半徑R的程度。
圖3表明當(dāng)暴露于電磁高頻(HF)信號(hào)，如由圖1的發(fā)射機(jī)11提供的激勵(lì)信號(hào)50，時(shí)的導(dǎo)電件1的有效阻抗Reff。只要HF頻率足夠高(頻率f1)，導(dǎo)電件1的有效阻抗Reff將具有一個(gè)連續(xù)波形，如在圖3中表示的曲線的最左部分中表明的那樣。另一方面，當(dāng)HF頻率減小到一個(gè)頻率f2時(shí)，其中集膚深度d達(dá)到和等于導(dǎo)電件1的半徑R，件1的有效阻抗Reff將停止減小，即使HF頻率進(jìn)一步減小也是如此。因此，不連續(xù)點(diǎn)以表示在圖3中的有效導(dǎo)體阻抗與HF頻率之間的關(guān)系出現(xiàn)，其中d＝R。根據(jù)本發(fā)明，該不連續(xù)點(diǎn)用來(lái)檢測(cè)物品識(shí)別標(biāo)簽30和/或確定其標(biāo)識(shí)。
因此，根據(jù)檢測(cè)帶有至少一個(gè)導(dǎo)電件1的物品識(shí)別標(biāo)簽30的方法，進(jìn)行如下步驟。使交變電流流過(guò)件1，例如通過(guò)借助于高頻電磁場(chǎng)，如圖1中表示的系統(tǒng)的激勵(lì)信號(hào)50，激勵(lì)件1。改變交變電流的頻率，并且對(duì)于件1監(jiān)視阻抗的對(duì)應(yīng)變化。該對(duì)應(yīng)變化阻抗可以例如經(jīng)由圖1中的接收機(jī)天線12接收的應(yīng)答信號(hào)60監(jiān)視。然后，檢測(cè)在變化阻抗中的間斷，并且檢測(cè)在其下該間斷出現(xiàn)的頻率。通過(guò)選擇具有預(yù)定直徑、預(yù)定電阻率或預(yù)定導(dǎo)磁率的導(dǎo)電件1，也將確定該頻率(在其下間斷出現(xiàn))，并且可以用來(lái)提供具有標(biāo)識(shí)1的件1，因?yàn)槠浼w深度取決于所有這些參數(shù)。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明的標(biāo)簽30的第一實(shí)施例。標(biāo)簽30包括n個(gè)導(dǎo)電件31、32、33、…3n，這些導(dǎo)電件具有相應(yīng)的預(yù)定直徑φ1-φn、相應(yīng)的預(yù)定電阻率ρ1-ρn或相應(yīng)的預(yù)定導(dǎo)磁率μr1-μrn。這些參數(shù)的組合也是可能的。所以，標(biāo)簽30的每個(gè)導(dǎo)電件31-3n將具有以上預(yù)定性質(zhì)的一種，并因此在其下間斷出現(xiàn)在來(lái)自標(biāo)簽30的應(yīng)答信號(hào)中的頻率也是清楚的。圖4的標(biāo)簽30特別良好地適用于電磁物品監(jiān)視系統(tǒng)，如表明在圖1中的一種。
圖5表明標(biāo)簽34的第二實(shí)施例，標(biāo)簽34帶有多個(gè)具有不同相應(yīng)直徑φ1、φ2、φ3和φ4的互連部分。
圖6和7表明分別根據(jù)本發(fā)明的一種標(biāo)簽35、36的另外實(shí)施例。在圖6中，標(biāo)簽35包括具有不同相應(yīng)預(yù)定直徑、電阻率和/或?qū)Т怕实奈鍌€(gè)互連件。在圖6中，標(biāo)簽36包括九個(gè)不同互連的導(dǎo)電件。
根據(jù)本發(fā)明也可以使用一個(gè)僅包括一個(gè)導(dǎo)電件的較簡(jiǎn)單標(biāo)簽。例如，考慮用在許多商店中的標(biāo)準(zhǔn)防盜電感耦合機(jī)座系統(tǒng)，可以使用由例如以單匝環(huán)路纏繞的銅導(dǎo)線組成的標(biāo)簽。通過(guò)施加掃描過(guò)標(biāo)簽間斷頻率的、具有頻率偏差的FM調(diào)制感應(yīng)激勵(lì)信號(hào)，一個(gè)AM調(diào)制標(biāo)簽信號(hào)將接收在基座的拾波線圈中。該AM調(diào)制產(chǎn)生于銅導(dǎo)線環(huán)路的阻抗變化，因?yàn)榄h(huán)路的集膚深度隨激勵(lì)頻率而變化。在最大頻率處開(kāi)始，AM信號(hào)將在振幅上增大，因?yàn)轭l率減小和集膚深度增大。然而，在其中集膚深度達(dá)到銅導(dǎo)線的半徑的頻率下，環(huán)路阻抗將突然停止減小，并且一個(gè)平穩(wěn)段(或平區(qū)域)將出現(xiàn)在接收的AM信號(hào)中。這樣一種信號(hào)剪斷指示在防盜檢測(cè)區(qū)域中標(biāo)簽的存在，并且將是用來(lái)觸發(fā)警報(bào)的標(biāo)準(zhǔn)。換句話說(shuō)，剪斷區(qū)域表示在其期間集膚深度超過(guò)導(dǎo)體半徑的頻率間隔。
不同的電子或數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)可以用來(lái)準(zhǔn)確地確定與施加的交變信號(hào)的頻率調(diào)制有關(guān)的振幅調(diào)制(電壓降)間斷的頻率。一種這樣的技術(shù)涉及交變電壓降信號(hào)的振幅解調(diào)，接著是FM基準(zhǔn)信號(hào)的相減，以便檢測(cè)間斷點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)具體優(yōu)點(diǎn)在于，導(dǎo)體半徑檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)表示在測(cè)量信號(hào)中的間斷，這可以容易地與產(chǎn)生于例如電感、反射、電容性耦合等的頻率相關(guān)變化的在測(cè)量信號(hào)中的連續(xù)變化特征區(qū)分開(kāi)。
作為對(duì)固體導(dǎo)電件的替換，管形導(dǎo)體也可以用于物品識(shí)別標(biāo)簽。這里，管壁厚度將定義間斷點(diǎn)。特別適于例如時(shí)裝工業(yè)的這樣一種實(shí)施是金屬化合成纖維。管形導(dǎo)體優(yōu)于固體導(dǎo)體的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，導(dǎo)電材料的總體積對(duì)于相同的集膚深度飽和點(diǎn)較大，由此提供較大的標(biāo)簽信號(hào)電平。
表示在圖4-7中的多件標(biāo)簽實(shí)施例有助于減小假警報(bào)的危險(xiǎn)，因?yàn)橛捎陬A(yù)定相應(yīng)直徑、電阻率和/或?qū)Т怕?，多件?biāo)簽將提供有標(biāo)識(shí)。
減小假警報(bào)危險(xiǎn)和添加另外的信息編碼參數(shù)的又一種可能性是使用非圓形橫截面，例如矩形橫截面。在這樣一種情況下，最小尺寸可以由間斷點(diǎn)測(cè)量。對(duì)于例如矩形橫截面，經(jīng)間斷點(diǎn)測(cè)量厚度。然后通過(guò)使用集膚深度的這樣一種副效應(yīng)可以測(cè)量寬度，即對(duì)于集膚深度的某一變化(與頻率的某一變化有關(guān))，有效阻抗的對(duì)應(yīng)變化將取決于寬度。
對(duì)于以上不同實(shí)施例描述的電氣件可以給出多個(gè)不同形狀，例如以導(dǎo)線、帶或條的形式，并且可以包括各種不同的材料，如非磁性金屬(例如銅或鋁)、磁性金屬(例如鐵)、金屬合金(例如鋼)、或要不然非晶體金屬合金。
參照幾個(gè)實(shí)施例已經(jīng)描述了本發(fā)明。然而，除公開(kāi)之外的其他實(shí)施例在本發(fā)明的范圍內(nèi)同樣是可能的，如由熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員容易實(shí)現(xiàn)的那樣。
權(quán)利要求
1.一種檢測(cè)帶有至少一個(gè)導(dǎo)電件(31-3n)的物品識(shí)別標(biāo)簽(30)的方法，對(duì)于每個(gè)所述至少一個(gè)導(dǎo)電件(31-3n)其特征在于步驟使交變電流流經(jīng)所述件；改變交變電流的頻率；監(jiān)視所述件的阻抗(Reff)的對(duì)應(yīng)變化；檢測(cè)在阻抗中的所述變化中的間斷；及檢測(cè)交變電流的頻率，在該頻率下所述間斷出現(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電件(31-3n)的每一個(gè)具有預(yù)定直徑(φ1-φn)、預(yù)定電阻率(ρ1-ρn)或預(yù)定導(dǎo)磁率(μr1-μrn)之一，并且其中所述預(yù)定直徑、電阻率或?qū)Т怕视成涞疥P(guān)于標(biāo)簽(30)的標(biāo)識(shí)的信息上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中通過(guò)把標(biāo)簽(30)暴露于交變電磁場(chǎng)在所述至少一個(gè)導(dǎo)電件(31-3n)中感應(yīng)交變電流。
4.根據(jù)任何以上權(quán)利要求所述的方法，其中通過(guò)把標(biāo)簽(30)暴露于一個(gè)磁場(chǎng)在所述至少一個(gè)導(dǎo)電件(31-3n)中感應(yīng)交變電流。
5.根據(jù)任何以上權(quán)利要求所述的方法，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電件(31-3n)是具有線、帶或條形式的細(xì)長(zhǎng)金屬件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述細(xì)長(zhǎng)磁性件(31-3n)由非磁性金屬組成，最好由銅或鋁組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述細(xì)長(zhǎng)金屬件由磁性材料組成，最好由鐵、鋼或非晶體金屬合金組成。
8.一種包括多個(gè)導(dǎo)電件(31-3n)的物品識(shí)別標(biāo)簽(30)，其特征在于，每個(gè)導(dǎo)電件(31-3n)具有獨(dú)特預(yù)定直徑(φ1-φn)、獨(dú)特預(yù)定電阻率(ρ1-ρn)或獨(dú)特預(yù)定導(dǎo)磁率(μr1-μrn)之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的標(biāo)簽，其中導(dǎo)電件(31-3n)形成為金屬線、帶或條。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的標(biāo)簽，其中金屬線、帶或條(31-3n)由非磁性金屬組成，最好由銅或鋁組成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的標(biāo)簽，其中金屬線、帶或條由磁性材料組成，最好由鐵、鋼或非晶體金屬合金組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至11任一項(xiàng)所述的標(biāo)簽，其中導(dǎo)電件(35、36)的至少一些彼此電流接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至11任一項(xiàng)所述的標(biāo)簽，其中導(dǎo)電件(34)由具有不同直徑(φ1-φn)的部分的細(xì)長(zhǎng)元件形成。
全文摘要
提供一種用來(lái)檢測(cè)帶有至少一個(gè)導(dǎo)電件(31－3n)的物品識(shí)別標(biāo)簽(30)的方法。對(duì)于每個(gè)導(dǎo)電件,使交變電流流經(jīng)該件。改變交變電流的頻率,并且監(jiān)視該件的阻抗的對(duì)應(yīng)變化。檢測(cè)在阻抗變化中的間斷,并且檢測(cè)交變電流的頻率,即間斷出現(xiàn)的頻率。
文檔編號(hào)B42D15/10GK1337007SQ00802899
公開(kāi)日2002年2月20日 申請(qǐng)日期2000年1月18日 優(yōu)先權(quán)日1999年1月18日
發(fā)明者卡爾·泰林 申請(qǐng)人:Rso股份有限公司