專利名稱：電激發(fā)光板的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，特別是涉及一種電激發(fā)光板的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路。
背景技術(shù)：
相較于制作過程復雜、本身不發(fā)光、且需要背景光源的液晶面板(LiquidCrystal Display，LCD)，有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有制作過程簡單、視角廣、成本低、厚度薄、操作溫度范圍廣及可自身發(fā)光等優(yōu)點。因此，有機發(fā)光二極管(OLED)即可為作為電激發(fā)光板(Active Matrix Electron Luminescent Panel)中的像素，并且已經(jīng)有逐漸取代液晶面板(LCD)的趨勢。
如圖1所示，該圖為已知電激發(fā)光板的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)。電激發(fā)光板中的每個像素由四個晶體管和一個電容器(4T1C)所組合而成。其中，晶體管t1柵極耦接至第一掃描線路(Scan Line 1)3，另兩端則分別耦接至數(shù)據(jù)線路(Data Line)5與晶體管t3漏極。晶體管t2柵極耦接至第一掃描線路(ScanLine 1)3，另兩端則分別耦接至數(shù)據(jù)線路(Data Line)5與晶體管t3柵極。晶體管t3源極耦接至電源(Vdd)，漏極耦接至晶體管t4源極。晶體管t4柵極耦接至第二掃描線路(Scan Line 2)4，漏極耦接至有機發(fā)光二極管(OLED)P極端。有機發(fā)光二極管(OLED)N極端則接至接地電壓(GND)。電容器Cs耦接于晶體管t3源極與柵極之間。
此電路結(jié)構(gòu)可分成兩個狀態(tài)，分別由第一掃描線路3與第二掃描線路4來控制。其中第一掃描線路3與第二掃描線路4的信號為同一時鐘脈沖(Clock)信號；在高電平時，第一掃描線路3啟動，晶體管t1、t2開啟；在低電平時，第二掃描線路4啟動，晶體管t4開啟。
第一狀態(tài)為記憶狀態(tài)(Memorizing State)，當?shù)谝粧呙杈€路3啟動而第二掃描線路4未啟動時，晶體管t1、t2可視為開關(guān)開啟(On)，晶體管t4關(guān)閉(Off)，此時驅(qū)動電流(Driving Current)可由電源(Vdd)對電容器Cs充電，并產(chǎn)生電壓。在驅(qū)動電流對電容器Cs充電的同時，電容器Cs上的電壓可對晶體管t3產(chǎn)生偏壓(Bias)，因此在穩(wěn)態(tài)時，驅(qū)動電流Id1(Id2為零)會經(jīng)由晶體管t3、t1流至數(shù)據(jù)線路5。
第二狀態(tài)為發(fā)射狀態(tài)(Emission State)，當?shù)谝粧呙杈€路3未啟動而第二掃描線路4啟動時，晶體管t1、t2關(guān)閉，晶體管t4可視為開關(guān)開啟，此時根據(jù)電容器Cs儲存的電壓來使晶體管t3產(chǎn)生偏壓并產(chǎn)生電流Id2(Id1為零)，并經(jīng)由晶體管t4流經(jīng)有機發(fā)光二極管(OLED)，使得有機發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光。
由上述可知，圖1的電激發(fā)光板的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)中在記憶狀態(tài)時，利用驅(qū)動電流充電電容器Cs產(chǎn)生電壓并使晶體管t3產(chǎn)生偏壓，使得驅(qū)動電流(Id1)經(jīng)由晶體管t1輸出至數(shù)據(jù)線路5。而當?shù)诙呙杈€路4啟動時為發(fā)射狀態(tài)，由于晶體管t1、t2已經(jīng)關(guān)閉，因此，利用電容器Cs上的電壓使晶體管t3產(chǎn)生偏壓并產(chǎn)生電流(Id2)流經(jīng)晶體管t4與有機發(fā)光二極管(OLED)。
由上述可知，有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光亮度是由流經(jīng)有機發(fā)光二極管(OLED)的電流(Id2)來決定。而電流(Id2)的大小是由電容器Cs上的電壓來決定。而電容器上的電壓大小是由驅(qū)動電流(Id1)的大小來決定。因此，已知的電激發(fā)光板均會提供一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，用以提供不同的驅(qū)動電流來充電電容器Cs。而該數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路可直接制作在面板上，或是外部的驅(qū)動芯片里。
如圖2所示，該圖為已知的6位(Bit)數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路。該圖中，數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路中包括兩個電流鏡(Current Mirror)10、20，在此以第一電流鏡10來作說明。在第一電流鏡10中包括參考電流路徑110與三個可控制電流路徑120、130、140。參考電流路徑110由P型晶體管m1與N型晶體管m2串聯(lián)而成，這兩個晶體管m1、m2寬(Width)與信道長度(Channel Length)比為W/L。P型晶體管m1源極耦接至電源(Vdd)，柵極與漏極相互連接；N型晶體管m2漏極耦接至P型晶體管m1漏極，源極耦接至接地電壓(GND)，柵極至第一偏壓(Vbias1)。第一可控制電流路徑120由P型晶體管m3與N型晶體管m4串聯(lián)而成，這兩個晶體管m3、m4寬(Width)與信道長度(Channel Length)比為W/L。P型晶體管m3源極耦接至電源(Vdd)，柵極耦接至P型晶體管m1柵極；N型晶體管m4漏極耦接至P型晶體管m3漏極，源極耦接至接地電壓(GND)，柵極至第一控制端(D0)。第二可控制電流路徑130由P型晶體管m5與N型晶體管m6串聯(lián)而成，這兩個晶體管m5、m6寬(Width)與信道長度(Channel Length)比為2W/L。P型晶體管m5源極耦接至電源(Vdd)，柵極耦接至P型晶體管m1柵極；N型晶體管m6漏極耦接至P型晶體管m5漏極，源極耦接至接地電壓(GND)，柵極至第二控制端(D1)。第三可控制電流路徑140由P型晶體管m7與N型晶體管m8串聯(lián)而成，這兩個晶體管m7、m8寬(Width)與信道長度(Channel Length)比為4W/L。P型晶體管m7源極耦接至電源(Vdd)，柵極耦接至P型晶體管m1柵極；N型晶體管m8漏極耦接至P型晶體管m5漏極，源極耦接至接地電壓(GND)，柵極至第三控制端(D2)。
由于P型晶體管m1、m3、m5、m7有相同的柵極源極電壓(VGS)，且可控制電流路徑120、130、140上晶體管有固定比例的寬(Width)與信道長度(Channel Length)比。因此，第一偏壓(Vbias1)所產(chǎn)生的第一參考電流(Iref1)，與可控制電流路徑120、130、140上電流I0、I1、I2的關(guān)系為。
I2＝2I1＝4I0＝4Iref1-----(1)同理，第二電流鏡20上的電路結(jié)構(gòu)與第一電流鏡完全相同。其第二參考電流Iref2是由第二偏壓(Vbias2)所產(chǎn)生。且第二參考電流(Iref2)為第一參考電流(Iref1)的8倍，亦即Iref2＝8Iref1。因此，第二偏壓(Vbias2)所產(chǎn)生的第二參考電流(Iref2)，與可控制電流路徑250、260、270上電流I3、I4、I5的關(guān)系為。
I5＝2I4＝4I3＝4Iref2-----(2)綜合(1)、(2)二式與Iref2＝8Iref1可得I5＝32Iref1I4＝16Iref1I3＝8Iref1I2＝4Iref1
I1＝2Iref1I0＝Iref1因此，根據(jù)第一控制端(D0)至第六控制端(D5)的啟動即可獲得所有可控制電流路徑上的電流總和，亦即驅(qū)動電流(Idrv)。如圖3所示，該圖為第一控制端(D0)至第六控制端(D5)依序增加所獲得的驅(qū)動電流曲線圖。所以根據(jù)第一控制端(D0)至第六控制端(D5)的各種不同組合可以輸出特定值的驅(qū)動電流。
然而，由于控制端信號變動時，晶體管信道(Channel)中的電子空穴重新分布。因此，驅(qū)動電流(Idrv)會產(chǎn)生瞬間的凸波(Spike)，這一瞬間的大電流容易造成電路的誤啟動，或是將晶體管燒毀。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種電激發(fā)光板的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路。用以防止控制端信號變動時，驅(qū)動電流所產(chǎn)生的瞬間凸波過大導致電路的誤啟動，或是將晶體管燒毀。
本發(fā)明提供一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，包括多條可控制電流路徑，每一條可控制電流路徑均可流經(jīng)電流，并根據(jù)控制信號來輸出此電流；以及，一個驅(qū)動電流輸出端，用以接收所有可控制電流路徑所輸出的電流；其中，每一條可控制電流路徑的控制信號可以控制電流是由驅(qū)動電流輸出端輸出或是由旁路路徑輸出。
本發(fā)明還提供一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，包括多條可控制電流路徑，每一條可控制電流路徑均可流經(jīng)電流，并根據(jù)控制信號來接收此電流；以及驅(qū)動電流輸入端，用以提供每一條可控制電流路徑的電流；其中，每一條可控制電流路徑的控制信號可以控制電流是由驅(qū)動電流輸入端輸入或是由電流提供路徑輸入。
本發(fā)明還提供一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，包括多條可控制電流路徑，每一條可控制電流路徑可根據(jù)控制信號來開啟或者關(guān)閉可控制電流路徑，在可控制電流路徑開啟時會提供電流；以及驅(qū)動電流輸出端，用以接收所有可控制電流路徑所提供的電流；其中，每一條可控制電流路徑與驅(qū)動電流輸出端之間均串聯(lián)一個晶體管，且該晶體管柵極耦接至特定電壓。
本發(fā)明還提供一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，包括多條可控制電流路徑，每一條可控制電流路徑均可根據(jù)控制信號來開啟或者關(guān)閉可控制電流路徑，在可控制電流路徑開啟時會接收一電流；以及驅(qū)動電流輸入端，用以提供所有可控制電流路徑所提供的電流；其中，每一條可控制電流路徑與驅(qū)動電流輸出端之間均串聯(lián)一晶體管，且該晶體管柵極耦接至特定電壓。
為了更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作詳細說明，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1為已知電激發(fā)光板的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)；圖2為已知的6位數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路；圖3為第一控制端(D0)至第六控制端(D5)依序增加所獲得的驅(qū)動電流曲線圖；圖4為本發(fā)明電激發(fā)光板的6位數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路的第一實施例圖；圖5為第一控制端(D0)至第六控制端(D5)依序增加所獲得的電流曲線圖；圖6為本發(fā)明電激發(fā)光板的6位數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路的第二實施例圖；圖7為第一控制端(D0)至第六控制端(D5)依序增加所獲得的電流曲線圖；圖8為可控制電流路徑的另一實施例圖；以及圖9為可控制電流路徑的另一實施例圖。
具體實施例方式
如圖4所示，該圖所示為本發(fā)明電激發(fā)光板之6位(Bit)數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路之第一實施例。如圖所示，數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路中包括兩個結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電路(Driving Circuit)30、40，在此以第一驅(qū)動電路30來作說明。在第一驅(qū)動電路30中包括三個可控制電流路徑320、330、340。第一可控制電流路徑320由三個晶體管M1、M2、M3組成；其中，這三個晶體管M1、M2、M3寬(Width)與信道長度(Channel Length)比為W/L。晶體管M1源極耦接至電源(Vdd)，柵極耦接第一偏壓(Vbias1)；晶體管M2源極耦接至晶體管M1漏極，柵極耦接至第一控制端(D0)，漏極耦接至接地電壓(GND)；晶體管M3源極耦接至晶體管M1漏極，柵極耦接至第二偏壓(Vbias2)，漏極耦接至驅(qū)動電流輸出端(Idrv)。第二與第三可控制電流路徑330、340結(jié)構(gòu)與第一可控制電流路徑320完全相同。其差別僅在于晶體管M4、M5、M6寬(Width)與信道長度(Channel Length)比為2W/L，晶體管M7、M8、M9寬(Width)與信道長度(Channel Length)比為4W/L。
由于晶體管M1、M4、M7有相同的柵極源極電壓(VGS)，且可控制電流路徑320、330、340上晶體管有固定比例的寬(Width)與信道長度(ChannelLength)比。所以第一偏壓(Vbias1)可控制電流路徑320、330、340上所產(chǎn)生的電流I0、I1、I2之間的關(guān)系為I2＝2I1＝4I0-----(3)同理，第二驅(qū)動電路40上的電路結(jié)構(gòu)與第一驅(qū)動電路30完全相同。其晶體管M10、M13、M16柵極耦接至第三偏壓(Vbias3)。而且，第三偏壓(Vbias3)在晶體管M10所產(chǎn)生的電流(I3)為第一偏壓(Vbias1)在晶體管M1所產(chǎn)生的電流(I0)的8倍，亦即I3＝8I0。因此，可控制電流路徑450、460、470上電流I3、I4、I5的關(guān)系為I5＝2I4＝4I3-----(4)綜合(3)、(4)二式與I3＝8I0可得I5＝32I0I4＝16I0I3＝8I0I2＝4I0
I1＝2I0如圖4所示的第一實施例，由于第一與第二驅(qū)動電路30、40中所有的可控制電流路徑具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，僅以第一可控制電流路徑320作說明。當?shù)谝豢刂贫?D0)為高電平則代表晶體管M2未啟動，因此電流(I0)可經(jīng)由第二偏壓(Vbias2)使晶體管M3產(chǎn)生的偏壓輸出至驅(qū)動電流輸出端(Idrv)。當?shù)谝豢刂贫?D0)為低電平則代表晶體管M2啟動，因此電流(I0)可經(jīng)由第一控制端使晶體管M2產(chǎn)生的偏壓流至接地電壓(GND)。亦即，第一可控制電流路徑320上有一旁路(Bypass)路徑，用以控制電流(I0)不由驅(qū)動電流輸出端輸出。也就是說，第一控制端(D0)可決定電流(I0)是否流至驅(qū)動電流輸出端或者流至接地電壓(GND)。同理，第二控制端(D1)至第六控制端(D5)可決定電流(I0-I5)是否流至驅(qū)動電流輸出端或者流至接地電壓(GND)。
如圖5所示，該圖所示為第一控制端(D0)至第六控制端(D5)依序增加所獲得的電流曲線圖。根據(jù)第一控制端(D0)至第六控制端(D5)的各種不同組合可以輸出特定值的驅(qū)動電流。由于控制端信號變動時，僅是改變電流流動的路徑，并不是切斷電流的流動。因此，驅(qū)動電流所產(chǎn)生瞬間的凸波(Spike)會大幅度降低，如圖5所示。因此電路的誤啟動會減少，并降低晶體管可能的損害。
如圖6所示，該圖所示為本發(fā)明電激發(fā)光板的6位(Bit)數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路的第二實施例。該圖中，數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路中包括兩個結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電路(Driving Circuit)50、60，在此以第一驅(qū)動電路50來作說明。在第一驅(qū)動電路50中包括三個可控制電流路徑520、530、540。第一可控制電流路徑520由三個晶體管T1、T2、T3組成；其中，這三個晶體管T1、T2、T3寬(Width)與信道長度(Channel Length)比均為W/L。晶體管T1源極耦接至電源(Vdd)，柵極耦接第一偏壓(Vbias1)；晶體管T2源極耦接至晶體管T1漏極，柵極耦接至第一控制端(D0)；晶體管T3源極耦接至晶體管T2漏極，柵極耦接至第二偏壓(Vbias2)，漏極耦接至驅(qū)動電流輸出端(Idrv)。由于第二與第三可控制電流路徑530、540結(jié)構(gòu)與第一可控制電流路徑520完全相同。其差別僅在于晶體管T4、T5、T6寬(Width)與信道長度(ChannelLength)比為2W/L，晶體管T7、T8、T9寬(Width)與信道長度(Channel Length)比為4W/L。
由于晶體管T1、T4、T7有相同的柵極源極電壓(VGS)，因此可控制電流路徑520、530、540上晶體管有固定比例的寬(Width)與信道長度(ChannelLength)比。所以第一偏壓(Vbias1)在可控制電流路徑520、530、540上所產(chǎn)生的電流I0、I1、I2的關(guān)系為I2＝2I1＝4I0-----(5)同理，第二驅(qū)動電路60上的電路結(jié)構(gòu)與第一驅(qū)動電路50完全相同。其晶體管T10、T13、T16柵極耦接至第三偏壓(Vbias3)。而且，第三偏壓(Vbias3)在晶體管T10所產(chǎn)生的電流(I3)為第一偏壓(Vbias1)在晶體管T1所產(chǎn)生的電流(I0)的8倍，亦即I3＝8I0。因此，可控制電流路徑650、660、670上電流Id3、Id4、Id5的關(guān)系為I5＝2I4＝4I3-----(6)綜合(5)、(6)二式與I3＝8I0可得I5＝32I0I4＝16I0I3＝8I0I2＝4I0I1＝2I0如圖6所示的第二實施例，由于第一與第二驅(qū)動電路50、60中所有的可控制電流路徑具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，僅以第一可控制電流路徑520作說明。當?shù)谝豢刂贫?D0)為低電平時，代表晶體管T2開啟(On)電流I0可經(jīng)由晶體管T1、T2、T3流至驅(qū)動電流輸出端(Idrv)。當?shù)谝豢刂贫?D0)為高電平時，代表晶體管T2關(guān)閉(Off)此時電流I0為零。由于晶體管T2與驅(qū)動電流輸出端(Idrv)之間串聯(lián)晶體管T3，且晶體管T3柵極所耦接的第二偏壓(Vbias2)為定值電壓，因此，晶體管T3內(nèi)的信道內(nèi)的空穴不會重新分布。所以控制端信號變動時驅(qū)動電流所產(chǎn)生瞬間的凸波(Spike)會大幅度降低。
如圖7所示，該圖為第一控制端(D0)至第六控制端(D5)依序增加所獲得的電流曲線圖。根據(jù)第一控制端(D0)至第六控制端(D5)的各種不同組合可以輸出特定值的驅(qū)動電流。并且，驅(qū)動電流所產(chǎn)生瞬間的凸波(Spike)會減少。因此，電路的誤啟動會減少，并降低晶體管可能的傷害。
上述第一、第二實施例均為提供驅(qū)動電流至像素驅(qū)動電路的實施例。如圖8、圖9所示，為可控制電流路徑的另外兩個實施例。在圖8中，晶體管M19耦接至第一偏壓(Vbias1)，因此，可控制電流路徑須由晶體管M20源極或者晶體管M21源極輸入電流(I0)。亦即，根據(jù)控制端(D0)的電平，即可決定電流(I0)是由驅(qū)動電流輸入端(晶體管M21源極)或是另一電流提供路徑(晶體管M20)輸入。因此，在控制端信號變動時，僅改變電流流動的路徑，并不是切斷電流的流動。因此，可抑制驅(qū)動電流瞬間所產(chǎn)生的凸波。而多條結(jié)構(gòu)相同、寬(Width)與信道長度(Channel Length)比不同的可控制電流路徑即可組合出電激發(fā)光板的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路。
在圖9中，晶體管T21耦接至第一偏壓(Vbias1)，因此，電流(I0)可由晶體管T19、T20、T21輸入。由于晶體管T20與驅(qū)動電流輸入端之間串聯(lián)晶體管T19，且晶體管T19柵極所耦接的第二偏壓(Vbias2)為定值電壓，因此，可抑制驅(qū)動電流的凸波產(chǎn)生。而多條結(jié)構(gòu)相同、寬(Width)與信道長度(ChannelLength)比不同的可控制電流路徑即可組合出電激發(fā)光板的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路。
因此，本發(fā)明的優(yōu)點是提供一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，用以克服控制端信號變動時，驅(qū)動電流所產(chǎn)生的瞬間凸波。
綜上所述，雖然本發(fā)明以前述的較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求書界定的范圍為準，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)所作的些許變動，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括多條可控制電流路徑，每一條所述可控制電流路徑均可流經(jīng)電流，并根據(jù)控制信號來輸出該電流；以及驅(qū)動電流輸出端，用以接收每一條所述可控制電流路徑所輸出的電流；其中，每一條所述可控制電流路徑的所述控制信號可控制所述電流是由該驅(qū)動電流輸出端輸出或是由旁路路徑輸出。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，流經(jīng)所述可控制電流路徑的電流之間有特定的比例關(guān)系。
3.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，每一條所述可控制電流路徑包括第一晶體管，該第一晶體管源極耦接至電源，柵極耦接第一偏壓；第二晶體管，該第二晶體管源極耦接至該第一晶體管漏極，柵極耦接至所述控制信號，漏極耦接至接地電壓；以及第三晶體管，該第三晶體管源極耦接至該第一晶體管漏極，柵極耦接至第二偏壓，漏極耦接至該驅(qū)動電流輸出端；其中，該第一、第二、第三晶體管寬與信道長度比均相同。
4.一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，包括多條可控制電流路徑，每一條所述可控制電流路徑均可流經(jīng)電流，并根據(jù)控制信號來接收該電流；以及驅(qū)動電流輸入端，用以提供每一條所述可控制電流路徑的電流；其中，每一條所述可控制電流路徑的所述控制信號可控制所述電流是由該驅(qū)動電流輸入端輸入或是由電流提供路徑輸入。
5.如權(quán)利要求4所述的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，流經(jīng)所述可控制電流路徑的電流之間有特定的比例關(guān)系。
6.如權(quán)利要求4所述的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，每一條所述可控制電流路徑包括第一晶體管，該第一晶體管漏極耦接至接地電壓，柵極耦接第一偏壓；第二晶體管，該第二晶體管源極耦接至該第一晶體管漏極，柵極耦接至所述控制信號，漏極耦接至電源；以及第三晶體管，該第三晶體管源極耦接至所述第一晶體管漏極，柵極耦接至第二偏壓，漏極耦接至所述驅(qū)動電流輸入端；其中，所述第一、第二、第三晶體管寬與信道長度比均相同。
7.一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，包括多條可控制電流路徑，每一條所述可控制電流路徑可根據(jù)控制信號來選擇性的開啟與關(guān)閉所述可控制電流路徑，在所述可控制電流路徑開啟時提供電流；以及驅(qū)動電流輸出端，用以接收每一條所述可控制電流路徑所提供的電流；其中，每一條所述可控制電流路徑與該驅(qū)動電流輸出端之間均串聯(lián)一晶體管，且該晶體管柵極耦接至特定電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，每一條所述可控制電流路徑包括第一晶體管，該第一晶體管源極耦接至電源，柵極耦接第一偏壓；第二晶體管，該第二晶體管源極耦接至該第一晶體管漏極，柵極耦接至該控制信號；其中，串聯(lián)在該驅(qū)動電流輸出端與所述可控制電流路徑之間的該晶體管連接在該第二晶體管漏極與該驅(qū)動電流輸出端之間，且該晶體管、該第一晶體管、與該第二晶體管寬與信道長度比均相同。
9.一種數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，包括多條可控制電流路徑，每一條所述可控制電流路徑可根據(jù)控制信號來選擇性的開啟與關(guān)閉該可控制電流路徑，在該可控制電流路徑開啟時接收電流；以及驅(qū)動電流輸入端，用以提供每一條所述可控制電流路徑所提供的電流；其中，每一條所述可控制電流路徑與該驅(qū)動電流輸出端之間均串聯(lián)一晶體管，且該晶體管柵極耦接至特定電壓。
10.如權(quán)利要求9所述的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，每一條所述可控制電流路徑包括第一晶體管，該第一晶體管源極耦接至接地電壓，柵極耦接第一偏壓；第二晶體管，該第二晶體管源極耦接至該第一晶體管漏極，柵極耦接至該控制信號；其中，串聯(lián)在該驅(qū)動電流輸入端與該可控制電流路徑之間的所述晶體管連接在該第二晶體管漏極與所述驅(qū)動電流輸出端之間，且該晶體管、該第一晶體管、與該第二晶體管寬與信道長度比均相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電激發(fā)光板(ElectronLuminescent Panel，EL Panel)的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路，其包括多條可控制電流路徑和驅(qū)動電流輸入或輸出端。本發(fā)明的數(shù)字電壓/模擬電流轉(zhuǎn)換電路用以克服控制端信號變動時，驅(qū)動電流所產(chǎn)生的瞬間凸波。由于驅(qū)動電流(I
文檔編號G09G3/30GK1567410SQ031481
公開日2005年1月19日 申請日期2003年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月1日
發(fā)明者薛瑋杰 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司