專利名稱：電致發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法和制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示器(ELD)，具體涉及電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動裝置、驅(qū)動方法和制造方法。
背景技術(shù)：
通常，平板顯示器可以減輕重量和減小尺寸。由于平板顯示器重量減輕和尺寸減小，因而消除了陰極射線管(CRT)的某些缺陷。這種平板顯示器包括液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示器(PDP)和電致發(fā)光(EL)顯示器。
EL顯示器是通過磷材料中的電子與空穴復(fù)合而發(fā)光的自發(fā)光顯示器。LE顯示器具有某些與CRT相同的優(yōu)點，其中，它比要求分開光源的類似LCD的無源類發(fā)光器件有更快的響應(yīng)速度。EL顯示器可以分(類)為電流驅(qū)動系統(tǒng)和電壓驅(qū)動系統(tǒng)。
圖1是現(xiàn)有的普通電致發(fā)光顯示板中的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖1，EL顯示器的有機EL顯示器包括電子注入層4，電子載流子層6，發(fā)光層8，空穴載流子層10和空穴注入層12，上述這些層按順序設(shè)置在陰極2與陽極14之間。
在電壓加到透明電極(陽極14)與金屬電極(陰極2)之間時，陰極2產(chǎn)生的電子經(jīng)過電子注入層4和電子載流子層6移動到發(fā)光層8中。同時，陽極14中產(chǎn)生的空穴經(jīng)過空穴注入層12和空穴載流子層10移動到發(fā)光層8。因此，分別從電子載流子層6和空穴載流子層10移入的電子和空穴在發(fā)光層8復(fù)合并且發(fā)光。所發(fā)射的光經(jīng)透明電極(陽極14)發(fā)射到器件外邊，由此產(chǎn)生圖形。
圖2是現(xiàn)有的普通電致發(fā)光顯示板用的驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)框圖。參見圖2，現(xiàn)有的有源矩陣型EL顯示器包括EL顯示板16，具有配置在多條柵極線GL中的一條與多條數(shù)據(jù)線DL中的一條交叉的各個交叉點的像素(以下叫做“PE”)單元22。EL顯示板還包括驅(qū)動?xùn)艠O線GL的柵驅(qū)動器18。EL顯示板還包括驅(qū)動數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動器20。EL顯示板還包括控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器20和柵驅(qū)動器18的時序控制器28。
圖3是現(xiàn)有的各個像素單元的等效電路圖。參見圖3，現(xiàn)有的有源矩陣型EL顯示器包括外部電流發(fā)生電路32。外部電流發(fā)生電路32連接到數(shù)據(jù)線DL。
時序控制器28產(chǎn)生柵控制信號GCS，控制驅(qū)動?xùn)艠O線GL的柵驅(qū)動器18。時序控制器28還產(chǎn)生數(shù)據(jù)控制信號DCS，控制驅(qū)動數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動器20。而且，時序控制器28校正外部供給的數(shù)據(jù)信號并將其供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器20。
柵驅(qū)動器18響應(yīng)來自時序控制器28的柵控制信號GCS產(chǎn)生按順序使能柵極線GL的柵信號。所產(chǎn)生的柵信號包括起始脈沖和時鐘信號。柵驅(qū)動器18將柵信號順序加到柵極線GL。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器20響應(yīng)來自時序控制器28的控制信號，將來自時序控制器28的數(shù)據(jù)信號經(jīng)數(shù)據(jù)電極線DL加到像素單元22。柵驅(qū)動器18驅(qū)動每條柵極線GL時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器20將每個水平周期的用于水平線的數(shù)據(jù)信號加到數(shù)據(jù)線DL。
柵信號加到陰極(柵極線GL)時，選擇每個像素單元22。所選擇的像素單元根據(jù)是電流信號的像素信號發(fā)光。像素信號加到陽極，數(shù)據(jù)線DL。每個像素單元22作為連接在數(shù)據(jù)線DL與柵極線GL之間的二極管而顯示出來。這種像素單元22由柵極線GL上使能的柵信號驅(qū)動。因此，像素單元根據(jù)數(shù)據(jù)線DL上的數(shù)據(jù)信號的大小發(fā)光。
每個像素單元22包括電壓供給線VDD，發(fā)光元件OLED，和發(fā)光元件驅(qū)動電路30。每個像素單元還包括發(fā)光元件驅(qū)動電路30。發(fā)光元件OLED連接在電壓供給線VDD與地電壓電源GND之間。發(fā)光元件驅(qū)動電路30響應(yīng)來自每條數(shù)據(jù)線DL和柵極線GL的驅(qū)動信號驅(qū)動發(fā)光元件OLED。
如圖3所示，發(fā)光元件驅(qū)動電路30包括連接在電壓供給線VDD與發(fā)光元件OELD之間的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”。發(fā)光元件驅(qū)動電路30還包括連接到柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”。發(fā)光元件驅(qū)動電路30還包括連接到第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”和柵極線GL的第二開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T4”。發(fā)光元件驅(qū)動電路30還包括轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”。發(fā)光元件驅(qū)動電路30還包括連接在驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”和轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”中的每個薄膜晶體管的柵電極端和電壓供給線VDD之間的儲能電容器Cst。這里，薄膜晶體管是P-型電子金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”連接在位于第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”和第二開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T4”之間的結(jié)點與電壓供給線VDD之間。轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”構(gòu)成與驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”相關(guān)的鏡像電流電路。從而，轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”將電流轉(zhuǎn)換為電壓。
驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”的柵電極端連接到轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”的柵電極端。驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”的源電極端連接到電壓供給線VDD。驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”的漏電極端連接到發(fā)光元件OLED。
轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”的源電極端連接到電壓供給線VDD。轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”的漏電極端連接到第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”的漏電極端和第二開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T4”的源電極端。
第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”的源電極端連接到數(shù)據(jù)線DL。第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”的漏電極端連接到第二開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T4”的源電極端，它還連接到轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”的漏電極端，如上述的。第二開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T4”的漏電極端連接到驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”的柵電極端，轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”的柵電極端和儲能電容器Cst。第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”和第二開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T4”中的每個薄膜晶體管的柵電極端連接到柵極線GL。
假設(shè)轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”和驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”具有相同的特性并彼此相鄰設(shè)置，構(gòu)成鏡像電流電路。因此，當(dāng)轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”的寬度與長度之比等于驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”的寬度與長度之比時，轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”中流動的電流量等于驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”中流動的電流量。
以下描述這種發(fā)光元件驅(qū)動電路30的驅(qū)動。首先，如果柵ON(導(dǎo)通)信號加到柵極線GL上，然后，第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”和第二開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T4”導(dǎo)通。隨后，經(jīng)第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”和第二開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T4”供給來自數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號。數(shù)據(jù)信號導(dǎo)通驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”和轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”中的每個薄膜晶體管。因此，驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”控制其源電極端與漏電極端之間的電流。響應(yīng)加到驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”的柵電極端的數(shù)據(jù)信號從電壓供給線VDD供給電流。驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”給發(fā)光元件OLED加受控制的電流，因此，使發(fā)光元件OLED發(fā)光，光亮度對應(yīng)數(shù)據(jù)信號。
同時，轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”經(jīng)第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”和數(shù)據(jù)線DL連接到外部電流發(fā)生電路32。因此，由電壓供給線VDD供給的電流id經(jīng)轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”和第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”進入外部電流發(fā)生電路32。電壓供給線VDD供給的電流id進入外部電流發(fā)生電路32時，驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”中流動的電流等于轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”中流動的電流。其原因是，驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”和轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”構(gòu)成鏡像電流電路。
儲能電容器Cst根據(jù)從電壓供給線VDD進入外部電流發(fā)生電路32的電流量id存儲來自電壓供給線VDD的電壓。換句話說，來自電壓供給線VDD的電流id進入外部電流發(fā)生電路32時，儲能電容器Cst存儲轉(zhuǎn)換薄膜晶體管(TFT)“T2”的柵電極端與源電極端之間的電壓。
另一方面，如果柵OFF(截止)信號加到柵極線GL上，然后，第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T3”和第二開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“T4”截止。隨后，由于儲能電容器Cst存儲有電壓而驅(qū)動驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“T1”，由此將電流加到發(fā)光元件OLED。
這種現(xiàn)有的有源矩陣型EL顯示器消除了相鄰的像素單元22之間產(chǎn)生的條紋現(xiàn)象，這種條紋現(xiàn)象是由于用電流驅(qū)動的數(shù)據(jù)驅(qū)動器驅(qū)動EL顯示板造成用多晶硅膜構(gòu)成的多個TFT之間的特性不同引起TFT的不一致而產(chǎn)生的。但是，現(xiàn)有的有源矩陣型EL顯示器有多種缺點。例如，現(xiàn)有的有源矩陣型EL顯示器包括4個TFT，用于驅(qū)動每個像素單元22的發(fā)光元件OLED。當(dāng)通過陽極從發(fā)光元件OLED發(fā)光時，它也具有低的孔徑比，所述的陽極是透明電極。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動裝置、驅(qū)動方法，和制造方法，其克服了由于現(xiàn)有技術(shù)中存在的限制和缺點引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的目的是，提供一種轉(zhuǎn)換裝置，它將外部供給的電流轉(zhuǎn)換成驅(qū)動電致發(fā)光顯示板的電壓。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種驅(qū)動裝置，用于驅(qū)動具有增大的孔徑比的電致發(fā)光顯示板。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種轉(zhuǎn)換方法，用于將外部供給的電流轉(zhuǎn)換成驅(qū)動電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動電壓。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種驅(qū)動方法，用于驅(qū)動具有增大的孔徑比的電致發(fā)光顯示板。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種電致發(fā)光顯示板的制造方法，電致發(fā)光顯示板具有將外部供給的電流轉(zhuǎn)換成電壓的驅(qū)動電路。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種具有增大的孔徑比的電致發(fā)光顯示板的制造方法。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在下面的說明中給出，其中一部分特征和優(yōu)點可以從說明中明顯得出或是通過對本發(fā)明的實踐而得到。通過在文字說明部分、權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了得到這些和其它優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，本發(fā)明的驅(qū)動電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動裝置包括電致發(fā)光顯示板，其具有在柵線與數(shù)據(jù)線的交叉點設(shè)置的多個電致發(fā)光元件；電流發(fā)生電路，用于產(chǎn)生對應(yīng)外部供給的數(shù)字數(shù)據(jù)的電流；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，用于取樣每個水平周期來自電流發(fā)生電路的電流，產(chǎn)生對應(yīng)電流的數(shù)據(jù)電壓，將所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)電壓供給數(shù)據(jù)線；和時序控制器，用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器，并將數(shù)字數(shù)據(jù)加到電流發(fā)生電路，以產(chǎn)生用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器的取樣控制信號，將取樣的信號加到數(shù)據(jù)驅(qū)動器。
按照本發(fā)明的另一技術(shù)方案，電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動方法包括制備電致發(fā)光顯示板，它具有設(shè)置在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點的多個電致發(fā)光元件；產(chǎn)生對應(yīng)外部供給的數(shù)字數(shù)據(jù)的電流；取樣每個水平周期中的電流，產(chǎn)生和存儲對應(yīng)電流的數(shù)據(jù)電壓；將存儲的數(shù)據(jù)電壓加到數(shù)據(jù)線；和用數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動發(fā)光元件。
按照本發(fā)明的另一技術(shù)方案，電致發(fā)光顯示板的制造方法包括設(shè)置電致發(fā)光顯示板，它具有設(shè)置在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點的多個電致發(fā)光元件；設(shè)置電流發(fā)生電路，用于產(chǎn)生對應(yīng)來自外部的數(shù)字數(shù)據(jù)的電流；和設(shè)置數(shù)據(jù)驅(qū)動器，用于取樣每個水平周期來自電流發(fā)生電路的電流，產(chǎn)生對應(yīng)電流的數(shù)據(jù)電壓，和將數(shù)據(jù)電壓加到基板一邊處的數(shù)據(jù)線。
應(yīng)該了解，以上的一般描述和以下的詳細描述都是示例性和說明性描述，旨在進一步描述所要求保護的本發(fā)明。
本申請所包含的附圖用于進一步理解本發(fā)明，其與說明書相結(jié)合并構(gòu)成說明書的一部分，所述附圖表示本發(fā)明的實施例并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1是現(xiàn)有的普通電致發(fā)光顯示板中的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖2是驅(qū)動現(xiàn)有的普通電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)框圖；圖3是現(xiàn)有的每個像素單元的等效電路圖；圖4是按照本發(fā)明一個實施例的驅(qū)動電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)框圖；圖5是按照本發(fā)明一個實施例的電致發(fā)光顯示板中內(nèi)構(gòu)的數(shù)據(jù)驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)框圖；圖6是按照本發(fā)明一個實施例的取樣驅(qū)動器的電路圖；圖7是按照本發(fā)明一個實施例的驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動時序圖；和圖8是按照本發(fā)明一個實施例的每個像素單元的等效電路圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，參見附圖，詳細說明附圖中顯示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖4是按本發(fā)明一個實施例的驅(qū)動電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)框圖。參見圖4，驅(qū)動電致發(fā)光(EL)顯示板的驅(qū)動裝置包括具有像素單元122的EL顯示板116，每個像素單元具有兩個薄膜晶體管(TFT)。驅(qū)動裝置還包括驅(qū)動?xùn)艠O線GL的柵驅(qū)動器118。驅(qū)動裝置還包括外部電流發(fā)生器132，用于產(chǎn)生對應(yīng)來自外部的數(shù)字數(shù)據(jù)的電流，電流加到數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。驅(qū)動裝置包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。驅(qū)動裝置還包括時序控制器128，控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器120和柵驅(qū)動器118，和加數(shù)字數(shù)據(jù)DATA到外部電流發(fā)生電路132。
像素單元配置在一條柵極線與一條數(shù)據(jù)線DL的每個交叉點處。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120產(chǎn)生對應(yīng)電流idata的數(shù)據(jù)電壓Vd，電流idata從用兩個取樣電路的外部電流發(fā)生電路132輸入。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120將產(chǎn)生的數(shù)據(jù)電壓Vd供給數(shù)據(jù)線DL。
時序控制器128產(chǎn)生柵控制信號GCS，控制驅(qū)動?xùn)艠O線GL的柵驅(qū)動器118的驅(qū)動。時序控制器128產(chǎn)生數(shù)據(jù)控制信號DCS，控制驅(qū)動數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動器的驅(qū)動。而且，時序控制器128校準(zhǔn)外部供給的數(shù)字數(shù)據(jù)DATA，加數(shù)字數(shù)據(jù)DATA到外部電流發(fā)生電路132。
柵驅(qū)動器118響應(yīng)來自時序控制器128的柵控制信號GCS產(chǎn)生柵信號，用于順序啟動?xùn)艠O線GL。柵信號包括起始脈沖和時鐘信號。柵驅(qū)動器118將多個柵信號順序加到柵極線GL。
外部電流發(fā)生電路132產(chǎn)生對應(yīng)來自時序控制電路128的數(shù)字數(shù)據(jù)DATA的電流idata，將它經(jīng)數(shù)據(jù)信號供給線162加到數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。換句話說，外部電流發(fā)生電路132從數(shù)據(jù)驅(qū)動器120接收對應(yīng)來自時序控制器128的數(shù)字數(shù)據(jù)DATA的電流idata。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器120產(chǎn)生對應(yīng)電流idata的數(shù)據(jù)電壓Vd。響應(yīng)來自時序控制器128的控制信號，經(jīng)數(shù)據(jù)信號供給線162從外部電流發(fā)生電路132輸入電流idata。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120經(jīng)數(shù)據(jù)線DL加數(shù)據(jù)電壓Vd到像素單元122。這種情況下，當(dāng)柵驅(qū)動器118驅(qū)動每條柵極線GL時，每個水平周期數(shù)據(jù)驅(qū)動器120加用于每條水平線的數(shù)據(jù)電壓到數(shù)據(jù)線DL。
圖5是按本發(fā)明一個實施例的電致發(fā)光顯示板中內(nèi)構(gòu)的數(shù)據(jù)驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)框圖。如圖5所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120包括多個取樣驅(qū)動器150(1)到150(n)。取樣電路取樣經(jīng)數(shù)據(jù)信號供給線162輸入的電流idata，每個水平周期1H交換一次，由此產(chǎn)生對應(yīng)電流idata的數(shù)據(jù)電壓Vd。
圖6是按本發(fā)明一個實施例的取樣驅(qū)動器的電路圖。如圖6所示，多個取樣驅(qū)動器150(1)到50(n)中的每個取樣驅(qū)動器包括第一和第二取樣電路170和172，每個水平周期響應(yīng)來自時序控制器128線的取樣控制信號SCS交替地被驅(qū)動。取樣驅(qū)動器150(1)到50(n)產(chǎn)生對應(yīng)來自外部電流發(fā)生電路132的電流idata的數(shù)據(jù)電壓Vd。設(shè)置模擬緩沖器180，緩沖由第一和第二取樣電路170和172中的每個取樣電路交替供給的數(shù)據(jù)電壓。模擬緩沖器180加數(shù)據(jù)電壓到數(shù)據(jù)線DL。
第一取樣電路170包括連接到數(shù)據(jù)信號供給線162的第一開關(guān)TFT SW1。第一取樣電路170包括在第一結(jié)點N1連接到第一開關(guān)TFT SW1的第二開關(guān)TFTSW2。第一取樣電路170還包括連接在第二開關(guān)TFT SW2與電壓供給線VDD之間的第一取樣TFT STFT1。第一取樣電路170還包括第一儲能電容器Cst1。第一儲能電容器Cst1連接在電源供給線VDD與第一結(jié)點N1之間。第一取樣電路170還包括連接在第一結(jié)點N1與模擬緩沖器180之間的第三開關(guān)TFT SW3，將存儲在第一儲能電容器Cst1中的電壓供給模擬緩沖器180。因此，第一結(jié)點N1代表第一儲能電容器Cst1、第一開關(guān)TFT SW1、第二開關(guān)TFT SW2和第三開關(guān)TFT SW3之間的結(jié)點。這里，TFT是P-型電子金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
第一開關(guān)TFT SW1的源電極端連接到數(shù)據(jù)信號供給線162。第一開關(guān)TFTSW1的漏電極端在第一結(jié)點N1連接到第二開關(guān)TFT SW2的源電極端。第二開關(guān)TFT SW2的漏電極端連接到第一取樣TFT STFT1的漏電極端。第一取樣TFTSTFT1的柵電極端在第一結(jié)點N1連接到第一儲能電容器Cst1。第三開關(guān)TFTSW3的源電極端連接到第一結(jié)點N1，第三開關(guān)TFT SW3的漏電極端連接到模擬緩沖器180。
第二取樣電路172的電路結(jié)構(gòu)與上述的第一取樣電路170的電路結(jié)構(gòu)類似。第二取樣電路172包括連接到數(shù)據(jù)信號供給線的第四開關(guān)TFT SW4。第二取樣電路172包括在第二結(jié)點N2連接到第四開關(guān)TFT SW4的第五開關(guān)TFT SW5。第二取樣電路172還包括連接在第五開關(guān)TFT SW5與電壓供給線VDD之間的第二取樣TFT STFT2。第二取樣電路172還包括連接在第二結(jié)點N2與電壓供給線VDD之間的第二儲能電容器Cst2。第二取樣電路172還包括連接在第二結(jié)點N2與模擬緩沖器180之間的第六開關(guān)TFT SW6，將存儲在第二儲能電容器Cst2中的電壓供給模擬緩沖器180。因此，第二結(jié)點N2代表第二儲能電容器Cst2、第四開關(guān)TFT SW4、第五開關(guān)TFT SW5和第六開關(guān)TFT SW6之間的結(jié)點。TFT是P-型電子金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
第四開關(guān)TFT SW4的源電極端連接到數(shù)據(jù)信號供給線162。第四開關(guān)TFTSW4的漏電極端在第二結(jié)點N2連接到第五開關(guān)TFT SW5的源電極端。第五開關(guān)TFT SW5的漏電極端連接到第二取樣TFT STFT2的漏電極端。第二取樣TFTSTFT2的柵電極端在第二結(jié)點N2連接到第二儲能電容器Cst2。第六開關(guān)TFTSW6的源電極端連接到第二結(jié)點N2。第六開關(guān)TFT SW6的漏電極端連接到模擬緩沖器180。
圖7是按本發(fā)明一個實施例的驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動時序圖。用來自時序控制器128的取樣控制信號SCS驅(qū)動第一到第三TFT SW1到SW3。同樣，用來自時序控制器128的取樣控制信號SCS驅(qū)動第四到第六TFT SW4到SW6?？刂菩盘柊ˋ1、A2、A3、B1、B2、和B3，如圖7所顯示的。模擬緩沖器180將由第一和第二取樣電路170和172交替供給的數(shù)據(jù)電壓一次一個地供給數(shù)據(jù)線DL，起到緩沖器的功能。
現(xiàn)在參見圖7說明圖6中顯示的多個取樣驅(qū)動器150(1)到50(n)中的每個取樣驅(qū)動器的操作。首先，假設(shè)數(shù)據(jù)電壓存儲在第二取樣電路172的第二儲能電容器Cst2中。因此，多個取樣驅(qū)動器150(1)到50(n)中的每個取樣驅(qū)動器的第一取樣電路170，響應(yīng)在水平周期N中來自時序控制電路128的取樣控制信號SCS，將數(shù)據(jù)電壓存儲到第一儲能電容器Cst1中。在該第N水平周期中，第二取樣電路172將存儲在第二儲能電容器Cst2中的數(shù)據(jù)電壓供給模擬緩沖器180。因此，模擬緩沖器180緩沖來自第二取樣電路172的第二儲能電容器Cst2的數(shù)據(jù)電壓。模擬緩沖器180向連接到此的數(shù)據(jù)線DL供給緩沖后的數(shù)據(jù)電壓。然后，每個取樣驅(qū)動器150(1)到150(n)的第二取樣電路172在水平周期(N+1)中響應(yīng)來自時序控制器128的取樣控制信號SCS將數(shù)據(jù)電壓存儲到第二儲能電容器Cst2中。在該水平周期(N+1)中，第一取樣電路170將存儲在第一儲能電容器Cst1中的數(shù)據(jù)電壓供給模擬緩沖器180。由此，模擬緩沖器180緩沖來自第一取樣電路170的第一儲能電容器Cst1的數(shù)據(jù)電壓。模擬緩沖器180向連接到此的數(shù)據(jù)線DL供給緩沖后的數(shù)據(jù)信號。更具體地說，第一取樣電路170的第三開關(guān)TFT SW3在水平周期N中轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)，而第一開關(guān)TFT SW1和第二開關(guān)TFT SW2供給具有預(yù)定周期的ON信號。第二取樣電路172的第六TFT SW6轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)，而第四開關(guān)TFT SW4第五開關(guān)TFT SW5轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)。這種情況下，數(shù)據(jù)電壓Vd存儲在第二儲能電容器Cst2中。
因此，在第N周期中，ON信號同時供給第一開關(guān)TFT SW1和第二開關(guān)TFTSW2，由此使第一開關(guān)TFT SW1和第二開關(guān)TFT SW2導(dǎo)通。第一開關(guān)TFT SW1和第二開關(guān)TFT SW2導(dǎo)通時，第一取樣TFT STFT1用流過連接到其柵電極端的第一結(jié)點N1的電流導(dǎo)通。由此，第一取樣TFT STFT1經(jīng)第二開關(guān)TFT SW2和第一開關(guān)TFT SW1連接到數(shù)據(jù)信號供給線162。而且來自電壓供給線VDD的電壓經(jīng)第一取樣TFT STFT1、第二開關(guān)TFT SW2、第一開關(guān)TFT SW1和數(shù)據(jù)信號供給線162進入外部電流發(fā)生電路132。
然后，第一取樣TFT STFT1的柵電極端與源電極端之間的電壓存儲在第一儲能電容器Cst1中。存儲在第一儲能電容器Cst1中的電壓對應(yīng)由外部電流發(fā)生電路132產(chǎn)生的電流。為了穩(wěn)定存儲在第一儲能電容器Cst1中的電壓，通過按預(yù)定間隔t1順序截止第一取樣TFT STFT1、第一開關(guān)TFT SW1和第二開關(guān)TFT SW2防止產(chǎn)生漏電流。
而且，在第N水平周期，第二取樣電路172經(jīng)第六開關(guān)TFT SW6將存儲在第二儲能電容器Cst2中的數(shù)據(jù)電壓Vd供給模擬緩沖器180。模擬緩沖器180緩沖由第二取樣電路172的第二儲能電容器Cst2供給的數(shù)據(jù)電壓Vd。在N水平周期中，模擬緩沖器180將緩沖后的數(shù)據(jù)電壓供給連接到此的數(shù)據(jù)線DL。
然后，在第(N+1)水平周期中，第二取樣電路172的第六開關(guān)TFT SW6截止，而第四開關(guān)TFT SW4和第五開關(guān)TFT SW5供給具有預(yù)定周期的ON信號。在第(N+i)水平周期中，第一取樣電路170的第三開關(guān)TFT SW3導(dǎo)通，而第一開關(guān)TFT SW1和第二開關(guān)TFT SW2截止。
因此，在第(N+1)水平周期中，向第四開關(guān)TFT SW4和第五開關(guān)TFT SW5同時提供ON信號，并使第四開關(guān)TFT SW4和第五開關(guān)TFT SW5導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谒拈_關(guān)TFT SW4和第五開關(guān)TFT SW5導(dǎo)通時，第二取樣TFT STFT2由流過連接到其柵電極端的第二結(jié)點N2的電流來導(dǎo)通用。因此，第二取樣TFT STFT2經(jīng)第五開關(guān)TFT SW5和第四開關(guān)TFT SW4連接到數(shù)據(jù)信號供給線162。因此，由電壓供給線VDD供給的電壓經(jīng)第二取樣TFT STFT2、第五開關(guān)TFT SW5、第四開關(guān)TFT SW4和數(shù)據(jù)信號供給線162進入外部電流發(fā)生電路132。
第二取樣TFT STFT2的柵電極端與源電極端之間的電壓存儲在第二儲能電容器Cst2中。存儲在第二儲能電容器Cst2中的電壓對應(yīng)由外部電流發(fā)生電路132產(chǎn)生的電流。然后，為了穩(wěn)定存儲在第二儲能電容器Cst2中的電壓，通過按預(yù)定間隔t1順序截止第二取樣TFT STFT2、第四開關(guān)TFT SW4和第五開關(guān)TFT SW5來防止產(chǎn)生漏電流。
另一方面，在第(N+1)水平周期中，第一取樣電路170向模擬緩沖器180供給在N水平周期中存儲在第一儲能電容器Cst1中的數(shù)據(jù)電壓Vd。因此，模擬緩沖器180緩沖由第一取樣電路170的第一儲能電容器Cst1供給的數(shù)據(jù)電壓Vd。在第(N+1)水平周期中，模擬緩沖器180將緩沖后的數(shù)據(jù)電壓Vd供給與其連接的數(shù)據(jù)線DL。
當(dāng)柵信號加到陰極(即柵極線GL)上時，選擇每個像素單元122，由此產(chǎn)生對應(yīng)加到陽極(即，數(shù)據(jù)線DL)上的像素信號(即電流信號)的光。每個像素單元122同樣可以用連接在數(shù)據(jù)線DL與柵極線GL之間的二極管表示。這種像素單元122用在柵極線GL上使能的柵信號驅(qū)動，由此，根據(jù)數(shù)據(jù)線DL上的數(shù)據(jù)信號的大小發(fā)光。
圖8是按本發(fā)明一個實施例的每個像素單元的等效電路圖。如圖8所顯示的，每個像素單元122包括電壓供給線VDD。每個像素單元122還包括發(fā)光元件OLED。每個像素單元122還包括發(fā)光元件驅(qū)動電路130。發(fā)光元件OLED連接在電壓供給線VDD與發(fā)光元件驅(qū)動電路130之間。發(fā)光元件驅(qū)動電路130響應(yīng)來自每條數(shù)據(jù)線DL和柵極線GL的驅(qū)動信號驅(qū)動發(fā)光元件OLED。
發(fā)光元件驅(qū)動電路130包括連接在電壓供給線VDD與發(fā)光元件OLED之間的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1。發(fā)光元件驅(qū)動電路130還包括連接到柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的開關(guān)TFT T2。開關(guān)TFT T2將數(shù)據(jù)驅(qū)動器120的模擬緩沖器180供給的數(shù)據(jù)電壓Vd轉(zhuǎn)換到驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)Ti的柵電極端。發(fā)光元件驅(qū)動電路130還包括儲能電容器Cst。電容器Cst的一端連接到開關(guān)TFT T2的漏電極端與驅(qū)動TFT T1的柵之間的結(jié)點上。電容器Cst的另一端連接到電壓供給線VDD。這里TFT是P-型電子金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1的柵電極端連接到開關(guān)TFT T2的漏電極端。驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1的源電極端連接到電壓供給線VDD。驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1的漏電極端連接到發(fā)光元件OLED。
開關(guān)TFT T2的源電極端連接到數(shù)據(jù)線DL。開關(guān)TFT T2的漏電極端連接到驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1的柵電極端和儲能電容器Cst。開關(guān)TFT T2的柵電極端連接到柵極線GL。
以下說明發(fā)光元件驅(qū)動電路130的驅(qū)動。首先，當(dāng)柵ON信號供給柵極線GL時，開關(guān)TFT T2導(dǎo)通。開關(guān)TFT T2導(dǎo)通時，經(jīng)數(shù)據(jù)線DL由數(shù)據(jù)驅(qū)動器120的模擬緩沖器180供給的數(shù)據(jù)電壓Vd經(jīng)開關(guān)TFT T2供給驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1的柵電極端。因此，用供給其柵電極端的數(shù)據(jù)信號導(dǎo)通驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1，以控制從電壓供給線VDD輸入的在其源電極端與漏電極端之間的電流。驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1將受控制的電流供給發(fā)光元件OLED，由此引起發(fā)光元件OLED發(fā)光，其亮度對應(yīng)數(shù)據(jù)信號。同時，儲能電容器Cst存儲驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1的柵電極端與源電極端之間的電壓。
另一方面，當(dāng)柵OFF信號供給柵極線GL時，開關(guān)TFT T2截止。開關(guān)TFTT2截止時，由于儲能電容器Cst存儲有電壓，所以儲能電容器Cst可以驅(qū)動所述的驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)T1，由此向發(fā)光元件OLED供給電流。
按本發(fā)明的另一實施例，每個像素單元可以構(gòu)成為包括至少兩個薄膜晶體管(TFT)。
按本發(fā)明實施例的EL顯示器的制造方法，其中設(shè)置了如上所述的EL顯示板；電流發(fā)生電路；數(shù)據(jù)驅(qū)動器；位于數(shù)據(jù)驅(qū)動器后面的取樣驅(qū)動器；柵驅(qū)動器和時序控制器。
按本發(fā)明實施例的驅(qū)動電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動裝置和驅(qū)動方法，和按本發(fā)明實施例的電致發(fā)光顯示板的制造方法，其中用數(shù)據(jù)驅(qū)動器的第一和第二取樣電路產(chǎn)生對應(yīng)于來自外部電流發(fā)生電路的電流的數(shù)據(jù)電壓，由此用所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動發(fā)光元件。因此，其可以消除由構(gòu)成薄膜晶體管(TFT)的多晶硅膜的特性差異所引起的薄膜晶體管的不一致而造成的相鄰像素單元之間產(chǎn)生的條紋。
如上述的，按照本發(fā)明，用至少兩個薄膜晶體管驅(qū)動發(fā)光元件，由此可以增大電致發(fā)光顯示板的孔徑比。而且，按照本發(fā)明，用包括電流驅(qū)動電路和電壓驅(qū)動電路的復(fù)雜系統(tǒng)驅(qū)動電致發(fā)光顯示板，可以消除用現(xiàn)有的電流驅(qū)動電路驅(qū)動電致發(fā)光顯示板所造成的相鄰像素單元之間產(chǎn)生的條紋。
本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的前提下，可以對本發(fā)明作出各種改進和變化，這些改進和變化都屬于由所附權(quán)利要求書及其等同物所限定的要求保護的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動裝置，包括電致發(fā)光顯示板，具有配置在柵線與數(shù)據(jù)線交叉點處的多個發(fā)光元件；電流發(fā)生電路，用于產(chǎn)生對應(yīng)于外部供給的數(shù)字數(shù)據(jù)的電流；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，用于在每個水平周期取樣來自電流發(fā)生電路的電流，產(chǎn)生對應(yīng)于電流的數(shù)據(jù)電壓，和向數(shù)據(jù)線供給所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)電壓；和時序控制器，用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器，以將數(shù)字數(shù)據(jù)供給電流發(fā)生電路，產(chǎn)生控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器的取樣控制信號，并將取樣的信號供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器。
2.按照權(quán)利要求1的驅(qū)動裝置，其特征在于，數(shù)據(jù)驅(qū)動器包括第一和第二取樣電路，用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓；和模擬緩沖器，用于緩沖每個水平周期由第一和第二取樣電路交替供給的數(shù)據(jù)電壓，和將緩沖后的數(shù)據(jù)電壓供給數(shù)據(jù)線。
3.按照權(quán)利要求2的驅(qū)動裝置，其特征在于，第一和第二取樣電路包括電壓供給線；存儲裝置，用于利用來自電壓供給線的電壓，存儲對應(yīng)于電流的數(shù)據(jù)電壓，所述的存儲裝置由取樣控制信號來驅(qū)動；和開關(guān)裝置，用于響應(yīng)取樣控制信號轉(zhuǎn)換存儲裝置中存儲的數(shù)據(jù)電壓。
4.按照權(quán)利要求3的驅(qū)動裝置，其特征在于，存儲裝置包括第一開關(guān)，取樣開關(guān)，和存儲數(shù)據(jù)電壓的電容器，其中，第一開關(guān)連接在電流發(fā)生電路的輸出線與取樣開關(guān)的控制端之間，其中，電容器連接在取樣開關(guān)的控制端與電壓供給線之間，控制端連接到第一開關(guān)與電容器之間設(shè)置的結(jié)點，和其中，取樣開關(guān)連接在第一開關(guān)與電壓供給線之間。
5.按照權(quán)利要求4的驅(qū)動裝置，其特征在于，存儲裝置還包括連接在第一開關(guān)與取樣開關(guān)之間的第二開關(guān)。
6.按照權(quán)利要求5的驅(qū)動裝置，其特征在于，在水平周期中第一和第二開關(guān)響應(yīng)取樣控制信號同時導(dǎo)通，然后順序斷開。
7.按照權(quán)利要求6的驅(qū)動裝置，其特征在于，第二開關(guān)在第一開關(guān)之前斷開。
8.按照權(quán)利要求6的驅(qū)動裝置，其特征在于，在每個水平周期第一和第二取樣電路的第三開關(guān)響應(yīng)取樣控制信號交替驅(qū)動。
9.按照權(quán)利要求5的驅(qū)動裝置，其特征在于，開關(guān)裝置包括連接在結(jié)點與模擬緩沖器之間的第三開關(guān)，第三開關(guān)將存儲在儲能電容器中的電壓轉(zhuǎn)換到模擬緩沖器中。
10.按照權(quán)利要求5的驅(qū)動裝置，其特征在于，電壓供給線輸入的電壓經(jīng)取樣開關(guān)、第二開關(guān)、第一開關(guān)和電流轉(zhuǎn)換電路的輸出線流入電流發(fā)生電路中，電容器存儲在取樣開關(guān)的控制端與輸入線之間的電壓。
11.按照權(quán)利要求4的驅(qū)動裝置，其特征在于，開關(guān)裝置包括連接在結(jié)點與模擬緩沖器之間的第三開關(guān)，第三開關(guān)將在電容器中存儲的電壓轉(zhuǎn)換到模擬緩沖器中。
12.按照權(quán)利要求11的驅(qū)動裝置，其特征在于，在水平周期N中，第一取樣電路將數(shù)據(jù)電壓存儲到電容器中，其中N是整數(shù)，在(N+1)周期中，將存儲在電容器中的電壓供給模擬緩沖器，和在水平周期(N+1)中，第二取樣電路將數(shù)據(jù)電壓存儲到電容器中，而在水平周期N中，將電容器中存儲的電壓供給模擬緩沖器。
13.按照權(quán)利要求11的驅(qū)動裝置，其特征在于，在多個交替的水平周期中，第一和第二取樣電路將數(shù)據(jù)電壓存儲在它們各自的電容器中。
14.一種驅(qū)動電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動方法，包括以下步驟制備電致發(fā)光顯示板，具有配置在柵線與數(shù)據(jù)線交叉點處的電致發(fā)光元件；產(chǎn)生對應(yīng)外部供給的數(shù)字數(shù)據(jù)的電流；在每個水平周期取樣電流，產(chǎn)生并存儲對應(yīng)于電流的數(shù)據(jù)電壓；將存儲的數(shù)據(jù)電壓供給數(shù)據(jù)線；和用數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動發(fā)光元件。
15.按照權(quán)利要求14的方法，其特征在于，產(chǎn)生和存儲數(shù)據(jù)電壓的步驟包括在每個水平周期中，響應(yīng)用第一和第二取樣電路取樣的控制信號，產(chǎn)生對應(yīng)于用電壓供給線供給的電壓所產(chǎn)生的電流的數(shù)據(jù)電壓；和用第一和第二電容器存儲數(shù)據(jù)電壓。
16.按照權(quán)利要求15的方法，其特征在于，將存儲的數(shù)據(jù)電壓供給數(shù)據(jù)線的步驟包括在每個水平周期，將存儲在第一和第二取樣電路的第一和第二電容器中的數(shù)據(jù)電壓交替地轉(zhuǎn)換到緩沖器中；和緩沖數(shù)據(jù)電壓。
17.按照權(quán)利要求16方法，其特征在于，還包括緩沖后的電壓供給數(shù)據(jù)線的步驟。
18.一種電致發(fā)光顯示板的制造方法，包括以下步驟設(shè)置電致發(fā)光顯示板，它具有配置在柵線與數(shù)據(jù)線的交叉點處的多個電致發(fā)光元件；設(shè)置電流發(fā)生電路，用于產(chǎn)生對應(yīng)于來自外部的數(shù)字數(shù)據(jù)的電流；和設(shè)置數(shù)據(jù)驅(qū)動器，用于在每個水平周期取樣來自電流發(fā)生電路的電流，產(chǎn)生對應(yīng)于電流的數(shù)據(jù)電壓，和將數(shù)據(jù)電壓供給在基板一邊的數(shù)據(jù)線。
19.按照權(quán)利要求18的方法，其特征在于，設(shè)置數(shù)據(jù)驅(qū)動器的步驟包括設(shè)置第一和第二取樣電路，用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓；和設(shè)置模擬緩沖器，用于在每個水平周期交替地緩沖由第一和第二取樣電路供給的數(shù)據(jù)電壓，并將緩沖后的數(shù)據(jù)電壓供給數(shù)據(jù)線。
20.按照權(quán)利要求19的方法，其特征在于，設(shè)置第一和第二取樣電路的步驟包括設(shè)置電壓供給線；設(shè)置用取樣控制信號驅(qū)動的存儲裝置，用于存儲用電壓供給線供給的電壓產(chǎn)生的電流的數(shù)據(jù)電壓；和設(shè)置開關(guān)裝置，用于響應(yīng)取樣控制信號將存儲裝置中存儲的數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)換到模擬緩沖器中。
21.按照權(quán)利要求20的方法，其特征在于，設(shè)置存儲裝置的步驟包括設(shè)置連接在電流發(fā)生電路的輸出線與電壓供給線之間的第一開關(guān)；設(shè)置連接在第一開關(guān)與電壓供給線之間的第二開關(guān)；設(shè)置連接在第二開關(guān)與電壓供給線之間的取樣開關(guān)；和設(shè)置連接在取樣開關(guān)的控制端與電壓供給線之間的電容器，用于存儲數(shù)據(jù)電壓，而取樣開關(guān)的控制端連接到位于第一和第二開關(guān)之間的結(jié)點。
22.按照權(quán)利要求20的方法，其特征在于，設(shè)置轉(zhuǎn)換裝置的步驟包括設(shè)置連接在結(jié)點與模擬緩沖器之間的第三開關(guān)，用于將存儲在電容器中的電壓轉(zhuǎn)換到模擬緩沖器中。
全文摘要
電致發(fā)光顯示板的驅(qū)動裝置和驅(qū)動方法和制造方法，電致發(fā)光顯示板包括電致發(fā)光顯示板，具有配置在柵線與數(shù)據(jù)線交叉點處的多個電致發(fā)光元件；電流發(fā)生電路，產(chǎn)生對應(yīng)外部供給的數(shù)字數(shù)據(jù)的電流；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，在每個水平周期中，取樣來自電流發(fā)生電路的電流，產(chǎn)生對應(yīng)電流的數(shù)據(jù)電壓，和將產(chǎn)生的數(shù)據(jù)電壓供給數(shù)據(jù)線；時序控制器，控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器，將數(shù)字數(shù)據(jù)供給電流發(fā)生電路，和產(chǎn)生取樣控制信號。取樣控制信號控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器，和將取樣的信號供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器。
文檔編號G09G3/30GK1573869SQ200410042
公開日2005年2月2日 申請日期2004年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月21日
發(fā)明者樸浚圭 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社