在2015年10月27日提交于韓國知識產(chǎn)權(quán)局的名稱為“有機(jī)電致發(fā)光裝置以及包括該有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示器”的第10-2015-0149603號韓國專利申請通過引用以其整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及有機(jī)電致發(fā)光裝置以及包括該有機(jī)電致發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光顯示器。

背景技術(shù)：

平面顯示器主要分為發(fā)光型和非發(fā)光型。發(fā)光型的示例包括平面陰極射線管顯示器、等離子體顯示面板顯示器和有機(jī)電致發(fā)光顯示器(有機(jī)發(fā)光顯示器，OLED)等。OLED是具有寬視角、良好對比度以及快速響應(yīng)速度的優(yōu)點(diǎn)的自發(fā)光顯示器。

相應(yīng)地，OLED可應(yīng)用在用于移動設(shè)備(諸如遠(yuǎn)程相機(jī)、視頻相機(jī)、攝錄機(jī)、個(gè)人數(shù)字助手、智能手機(jī)、超薄筆記本計(jì)算機(jī)、平板個(gè)人計(jì)算機(jī)或者柔性顯示器)的顯示器，或者應(yīng)用在用于大型電子產(chǎn)品或者大型電器(諸如超薄電視機(jī))的顯示器以引起公眾注意。

在OLED中，從第一電極和第二電極注入的空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合以及發(fā)光，從而實(shí)現(xiàn)顏色。注入的空穴和電子結(jié)合以形成激子，激子從激發(fā)態(tài)躍遷回基態(tài)，從而發(fā)光。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施方式涉及有機(jī)電致發(fā)光裝置，該有機(jī)電致發(fā)光裝置包括第一電極、在第一電極上的空穴傳輸區(qū)域、在空穴傳輸區(qū)域上的發(fā)射層、在發(fā)射層上的電子傳輸區(qū)域以及在電子傳輸區(qū)域上的第二電極。電子傳輸區(qū)域包括在發(fā)射層上的第一電子傳輸層和在第一電子傳輸層上的第二電子傳輸層。發(fā)射層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級與第一電子傳輸層的HOMO能級之間的差值的絕對值是大約0.3eV至大約1.5eV。

發(fā)射層的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級與第一電子傳輸層的LUMO能級之間的差值的絕對值可以是大約0eV至大約0.2eV。

第一電子傳輸層的LUMO能級與第二電子傳輸層的LUMO能級之間的差值的絕對值可以是大約0eV至大約0.2eV。

發(fā)射層的HOMO能級與第一電子傳輸層的HOMO能級之間的差值的絕對值可以是大約0.5eV至大約1.5eV。

第一電子傳輸層可包括第一電子傳輸材料和第一n型摻雜物。第二電子傳輸層可包括第二電子傳輸材料和第二n型摻雜物。

第一電子傳輸材料和第二電子傳輸材料可彼此相同。

第一n型摻雜物與第二n型摻雜物可彼此相同，以及基于第一電子傳輸層的總重量的第一n型摻雜物的重量百分?jǐn)?shù)(wt％)與基于第二電子傳輸層的總重量的第二n型摻雜物的重量百分?jǐn)?shù)(wt％)可彼此不同。

第一n型摻雜物與第二n型摻雜物可彼此不同。

第一n型摻雜物和第二n型摻雜物可各自包括從以下群組中選出的至少一種：喹啉鋰(Liq)、LiF、Li₂O、CsF、BaF、BaO、Al₂O₃、NaCl、RbCl、RbI、Ca、Cs和Yb。

第一電子傳輸層的厚度可以是大約至大約

實(shí)施方式也涉及包括多個(gè)像素的有機(jī)電致發(fā)光顯示器。每個(gè)像素均可包括第一電極、在第一電極上的空穴傳輸區(qū)域、在空穴傳輸區(qū)域上的發(fā)射層、在發(fā)射層上的電子傳輸區(qū)域以及在電子傳輸區(qū)域上的第二電極。電子傳輸區(qū)域包括在發(fā)射層上的第一電子傳輸層和在第一電子傳輸層上的第二電子傳輸層。發(fā)射層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級與第一電子傳輸層的HOMO能級之間的差值的絕對值是大約0.3eV至大約1.5eV。

發(fā)射層的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級與第一電子傳輸層的LUMO能級之間的差值的絕對值可以是大約0eV至大約0.2eV。第一電子傳輸層的LUMO能級與第二電子傳輸層的LUMO能級之間的差值的絕對值可以是大約0eV至大約0.2eV。

第一電子傳輸層可包括第一電子傳輸材料和第一n型摻雜物。第二電子傳輸層可包括第二電子傳輸材料和第二n型摻雜物。第一電子傳輸材料與第二電子傳輸材料可彼此相同。第一n型摻雜物與第二n型摻雜物可彼此相同?；诘诙娮觽鬏攲拥目傊亓康牡诙型摻雜物的重量百分?jǐn)?shù)(wt％)可低于基于第一電子傳輸層的總重量的第一n型摻雜物的重量百分?jǐn)?shù)(wt％)。

第一電子傳輸層可包括第一電子傳輸材料和第一n型摻雜物。第二電子傳輸層可包括第二電子傳輸材料和第二n型摻雜物。第一電子傳輸材料與第二電子傳輸材料可彼此相同，以及第一n型摻雜物與第二n型摻雜物可彼此不同。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說特征將變得顯而易見，其中：

圖1示出了示意性地展示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置剖視圖；

圖2示出了示意性地展示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置剖視圖；

圖3示出了示意性地展示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置剖視圖；

圖4示意性地示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的能量轉(zhuǎn)移機(jī)制；

圖5示意性地示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的能量轉(zhuǎn)移機(jī)制；

圖6示意性地示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的能量轉(zhuǎn)移機(jī)制；

圖7示出了示意性地展示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的立體圖；

圖8示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中所包括的像素中的一個(gè)的電路圖；

圖9示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中所包括的像素中的一個(gè)的平面圖；以及

圖10示出了沿圖9的線I-I’作出的示意剖視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將參照附圖在下文中更充分地描述示例性實(shí)施方式；然而，這些示例性實(shí)施方式可具體表現(xiàn)為不同的形式并且不應(yīng)當(dāng)理解為限制于本文所述的實(shí)施方式。相反，這些實(shí)施方式被提供以使得本公開將是徹底和完整的，以及將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分表達(dá)示例性實(shí)現(xiàn)方式。

在附圖中，為了圖示清晰起見，層和區(qū)域的尺寸可被夸大。還將理解，當(dāng)層或元件稱為在另一層或者襯底“上”時(shí)，該層或元件可直接位于該另一層或者襯底上，或者也可存在中間層。此外，也將理解，當(dāng)層稱為在兩個(gè)層“之間”時(shí)，該層可以是這兩個(gè)層之間的唯一層，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)中間層。全文中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。

下文中，將描述根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置。

圖1示出了示意性地展示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的剖視圖。圖2示出了示意性地展示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的剖視圖。圖3示出了示意性地展示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的剖視圖。

參照圖1至圖3，根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL可包括第一電極EL1、空穴傳輸區(qū)域HTR、發(fā)射層EML、電子傳輸區(qū)域ETR和第二電極EL2?？昭▊鬏攨^(qū)域HTR、發(fā)射層EML、電子傳輸區(qū)域ETR和第二電極EL2可在某個(gè)方向(例如，DR2)上依次設(shè)置在第一電極EL1上。

第一電極EL1與第二電極EL2可彼此相對。第一電極EL1可具有導(dǎo)電性。第一電極EL1可以是陽極。第一電極EL1可以是像素電極。第一電極EL1可以是透射電極(transmissive electrode)、半透射電極(semi-transmissive electrode)或者反射電極(reflective electrode)。當(dāng)?shù)谝浑姌OEL1是透射電極時(shí)，第一電極EL1可使用透明金屬氧化物形成，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)或者銦錫鋅氧化物(ITZO)等。當(dāng)?shù)谝浑姌OEL1是半透射電極或者反射電極時(shí)，第一電極EL1可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者金屬混合物。

有機(jī)層可布置在第一電極EL1上。有機(jī)層可包括空穴傳輸區(qū)域HTR、發(fā)射層EML和電子傳輸區(qū)域ETR。

空穴傳輸區(qū)域HTR可設(shè)置在第一電極EL1上?？昭▊鬏攨^(qū)域HTR可設(shè)置在第一電極EL1與發(fā)射層EML之間?？昭▊鬏攨^(qū)域HTR可具有由單一材料制成的單層結(jié)構(gòu)、由多種不同材料制成的單層結(jié)構(gòu)或者具有由多種不同材料制成的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

空穴傳輸區(qū)域HTR可包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、具有空穴傳輸功能和空穴注入功能的單層、緩沖層和電子阻擋層中的至少一種。例如，參照圖2，空穴傳輸區(qū)域HTR可包括設(shè)置在第一電極EL1上的空穴注入層HIL和設(shè)置在空穴注入層HIL上的空穴傳輸層HTL。

例如，空穴傳輸區(qū)域HTR可具有通過使用多種不同材料形成的單層結(jié)構(gòu)，或者可具有這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，從第一電極EL1起按順序地依次層疊空穴注入層HIL/空穴傳輸層HTL、空穴注入層HIL/空穴傳輸層HTL/緩沖層、空穴注入層HIL/緩沖層、空穴傳輸層HTL/緩沖層或者空穴注入層HIL/空穴傳輸層HTL/電子阻擋層。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，空穴傳輸區(qū)域HTR可包括同時(shí)執(zhí)行空穴注入功能和空穴傳輸功能的單層。

空穴傳輸區(qū)域HTR可通過使用諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂覆、鑄型、朗繆爾-布勞杰(Langmuir-Blodgett,LB)方法、噴墨印刷、激光印刷或者激光誘導(dǎo)熱成像(laser induced thermal imaging，LITI)的適當(dāng)方法形成。

當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR包括空穴注入層HIL時(shí)，作為示例，空穴傳輸區(qū)域HTR可以包含：酞菁化合物，例如酞菁銅；N,N’-二苯基-N,N’-雙-[4-(苯基-間甲苯-氨基)-苯基]-聯(lián)苯-4,4’-二胺(DNTPD)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4’4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4’,4”-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2TNATA)、聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)或者(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)等。

當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR包括空穴傳輸層HTL時(shí)，作為示例，空穴傳輸區(qū)域HTR可以包含：基于咔唑的衍生物，例如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑；基于芴的衍生物；基于三苯胺的衍生物，例如N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-聯(lián)苯]-4,4’-二胺(TPD)、和4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、4,4’-亞環(huán)己基雙[N,N-雙(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)等。

空穴傳輸層HTL可包括p型摻雜物。

空穴傳輸區(qū)域HTR的厚度可以是大約至大約或者例如，大約至大約當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR既包括空穴注入層HIL又包括空穴傳輸層HTL時(shí)，空穴注入層HIL的厚度可以是大約至大約或者例如大約至大約而空穴傳輸層HTL的厚度可以是大約至大約或者例如大約至當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR、空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL的厚度落入上述范圍內(nèi)時(shí)，可在不大幅增加驅(qū)動電壓的前提下獲得理想程度的空穴傳輸性質(zhì)。

發(fā)射層EML可設(shè)置在空穴傳輸區(qū)域HTR上。發(fā)射層EML可設(shè)置在空穴傳輸層HTL上。發(fā)射層EML可包括通過使用單一材料形成的單層結(jié)構(gòu)、通過使用多種不同材料形成的單層結(jié)構(gòu)或者具有通過使用多種不同材料形成的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

當(dāng)發(fā)射層EML是單層時(shí)，發(fā)射層EML可發(fā)出例如紅光、綠光或者藍(lán)光。

發(fā)射層EML可通過使用諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂覆、鑄型、朗繆爾-布勞杰(LB)方法、噴墨印刷、激光印刷或者激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)的適當(dāng)方法形成。

發(fā)射層EML可包括適當(dāng)材料，例如發(fā)出紅光、綠光或者藍(lán)光的材料。發(fā)射層EML可包括熒光材料或者磷光材料。發(fā)射層EML也可包括基體和摻雜物。

基體可以是適當(dāng)?shù)幕w材料。例如，可以使用三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)、4,4’-雙(N-咔唑基)-1,1’-聯(lián)苯基(CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、聯(lián)苯乙烯亞芳基(DSA)、4,4’-雙(9-咔唑基)-2,2’-二甲基-聯(lián)苯(CDBP)和2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽(MADN)等。

發(fā)射層EML可以包含由下列式1表示的蒽衍生物。例如，包含在發(fā)射層EML中的基體可以包含由下列式1表示的蒽衍生物。

[式1]

在式1中，R1至R3各自獨(dú)立地是氫、氘、取代或未取代的具有1至20個(gè)碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至30個(gè)環(huán)碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2至30個(gè)環(huán)碳原子的雜芳基，a和b各自獨(dú)立地是0至5的整數(shù)，c是0至8的整數(shù)，并且多個(gè)相鄰的R1至R3可以是單獨(dú)的或可以彼此組合以形成飽和或未飽和的環(huán)。

當(dāng)a是2時(shí)，兩個(gè)相鄰的R1可以彼此組合以形成與所述兩個(gè)相鄰的R1所連接的苯環(huán)稠合的苯環(huán)。在這種情況下，由式1表示的蒽衍生物可以是被萘基取代的蒽結(jié)構(gòu)的形式。

由式1表示的蒽衍生物可以是例如下列化合物之一。

本文所用的術(shù)語“取代或未取代的”是指沒有取代或被選自下列中的一個(gè)或多個(gè)取代基取代：氘、鹵素基團(tuán)、硝酰基、硝基、氨基、氧化膦基團(tuán)、烷氧基、甲硅烷基、硼基團(tuán)、烷基、環(huán)烷基、烯基、芳基、烷基胺基團(tuán)、雜芳胺基團(tuán)、芳基胺基團(tuán)和雜環(huán)基團(tuán)。術(shù)語“取代或未取代的”還可以是指其中上面例舉的取代基中的兩個(gè)或多于兩個(gè)取代基相連的取代基取代。例如，“其中兩個(gè)或多于兩個(gè)的取代基相連的取代基”可以是聯(lián)苯基。聯(lián)苯基可以認(rèn)為是芳基，并且還可以認(rèn)為是其中兩個(gè)苯基相連的取代基。

當(dāng)a是1或大于1時(shí)，多個(gè)R1可以彼此相同或不同。當(dāng)b是1或大于1時(shí)，多個(gè)R2可以彼此相同或不同。當(dāng)c是1或大于1時(shí)，多個(gè)R3可以彼此相同或不同。

當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射紅色時(shí)，發(fā)射層EML可以包含熒光材料，其包括例如PBD:Eu(DBM)₃(Phen)(三(二苯甲?；淄?菲咯啉銪)或二萘嵌苯。當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射紅色時(shí)，包含在發(fā)射層EML中的摻雜劑可以例如選自，諸如(acac)(雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥(PIQIr)、(acac)(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥(PQIr)、三(1-苯基喹啉)銥(PQIr)或八乙基卟啉鉑(PtOEP)的金屬絡(luò)合物，或者有機(jī)金屬絡(luò)合物。

當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射綠色時(shí)，發(fā)射層EML可以包含熒光材料，其包括例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)。當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射綠色時(shí)，包含在發(fā)射層EML中的摻雜劑可以例如選自，諸如Ir(ppy)₃(面式-三(2-苯基吡啶)銥的金屬絡(luò)合物，或者有機(jī)金屬絡(luò)合物。

當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射藍(lán)色時(shí)，發(fā)射層EML可以包含熒光材料，其包括例如選自螺-DPVBi、螺-6P、聯(lián)苯乙烯-苯(DSB)、聯(lián)苯乙烯-亞芳基(DSA)、基于聚芴(PFO)的聚合物和基于聚(對亞苯基亞乙烯基)(PPV)的聚合物中的任一種。當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射藍(lán)色時(shí)，包含在發(fā)射層EML中的摻雜劑可以例如選自，諸如(4,6-F₂ppy)₂Irpic的金屬絡(luò)合物或者有機(jī)金屬絡(luò)合物。

電子傳輸區(qū)域ETR可設(shè)置在發(fā)射層EML上。電子傳輸區(qū)域ETR可通過使用諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂覆、鑄型、朗繆爾-布勞杰(LB)方法、噴墨印刷、激光印刷或者激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)的適當(dāng)方法形成。

根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL中所包括的電子傳輸區(qū)域ETR可包括雙層結(jié)構(gòu)的電子傳輸層(ETL1，ETL2)。第一電子傳輸層ETL1和第二電子傳輸層ETL2可在某個(gè)方向(例如，DR2)上依次層疊在發(fā)射層EML上。第一電子傳輸層ETL1可設(shè)置在發(fā)射層EML上，而第二電子傳輸層ETL2可設(shè)置在第一電子傳輸層ETL1上。通過包括雙層結(jié)構(gòu)的電子傳輸層ETL1、電子傳輸層ETL2，電子可系統(tǒng)地注入至發(fā)射層EML中。

第一電子傳輸層ETL1可設(shè)置為與發(fā)射層EML直接接觸以使得發(fā)射層EML與第一電子傳輸層ETL1之間沒有另外的層插入。

圖4示意性地展示了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的能量轉(zhuǎn)移機(jī)制。圖5示意性地展示了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的能量轉(zhuǎn)移機(jī)制。圖6示意性地展示了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的能量轉(zhuǎn)移機(jī)制。

參照圖4至圖6，發(fā)射層EML的最高占據(jù)分子軌道(highest occupied molecular orbital，HOMO)能級與第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級之間的差值的絕對值可以是大約0.3eV至大約1.5eV。例如，發(fā)射層EML的HOMO能級與第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級之間的差值G1的絕對值可以是大約0.5eV至大約1.5eV、大約0.3eV至大約1.0eV、大約0.3eV至大約0.8eV、大約0.5eV至大約1.0eV或者大約0.5eV至大約0.8eV。當(dāng)發(fā)射層EML的HOMO能級與第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級之間的差值G1的絕對值是約0.5eV或以上時(shí)，可更有效地防止空穴100傳輸至第一電子傳輸層ETL1中。

通常地，空穴的遷移率大于電子的遷移率。相應(yīng)地，在注入至發(fā)射層的空穴中，剩余空穴(例如，未與電子結(jié)合并形成激子的空穴)可注入至電子傳輸層中。當(dāng)這種空穴在電子傳輸層中積累時(shí)，電子傳輸層可變成被氧化的。電子傳輸層的這種氧化可導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光裝置的壽命下降。由于電子傳輸層的氧化而導(dǎo)致的有機(jī)電致發(fā)光裝置的壽命下降可比由于發(fā)射層退化而導(dǎo)致的有機(jī)電致發(fā)光裝置的壽命下降進(jìn)展得更快。因此，為了提高有機(jī)電致發(fā)光裝置的壽命，期望最小化電子傳輸層的氧化。

在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL中，可通過調(diào)節(jié)發(fā)射層EML的HOMO能級與第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級之間的差值的絕對值來最小化經(jīng)由發(fā)射層EML向第一電子傳輸層ETL1中的空穴100的注入。例如，發(fā)射層EML的HOMO能級與第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級之間的差值G1的絕對值可調(diào)節(jié)至大約0.3eV或以上，從而使得可通過能量勢壘而抑制空穴100從發(fā)射層EML注入至第一電子傳輸層ETL1中。當(dāng)發(fā)射層EML的HOMO能級與第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級之間的差值G1的絕對值小于大約0.3eV時(shí)，從發(fā)射層EML注入至第一電子傳輸層ETL1中的泄漏的空穴100的數(shù)量可增大，從而使得防止空穴100注入至第一電子傳輸層ETL1中的效果可不足。此外，就制造的便利性而言，發(fā)射層EML的HOMO能級與第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級之間的差值G1的絕對值可以是例如大約1.5eV或以下。

如圖4和圖6所示，發(fā)射層EML的HOMO能級可高于第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級。如圖5所示，發(fā)射層EML的HOMO能級可低于第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級。例如，如果發(fā)射層EML的HOMO能級與第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級之間的差值G1的絕對值是大約0.3eV或以上，則發(fā)射層EML的HOMO能級可高于或者低于第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級。

第一電子傳輸層ETL1可同時(shí)具有電子傳輸功能和空穴阻擋功能。

發(fā)射層EML的最低未占據(jù)分子軌道(lowest unoccupied molecular orbital，LUMO)能級與第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級之間的差值G2的絕對值可以是大約0eV至大約0.2eV。

在有機(jī)電致發(fā)光裝置中，當(dāng)在每個(gè)灰度等級的效率均為恒定時(shí)，驅(qū)動電壓的調(diào)節(jié)更容易。在有機(jī)電致發(fā)光裝置中，效率通常在低灰度等級(低亮度)區(qū)域高。在高灰度等級(高亮度)區(qū)域，發(fā)光體可變得飽和并且電流效率可迅速降低。效率可并非在各個(gè)灰度等級均為恒定的。在實(shí)現(xiàn)白色的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，這種限制可例如引起在每個(gè)灰度等級的白色的改變。

在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL中，可調(diào)節(jié)發(fā)射層EML的LUMO能級與第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級之間的絕對差值以使得電子200可容易地經(jīng)由第一電子傳輸層ETL1注入至發(fā)射層EML。通常，通過在將遷移率比空穴100低的電子200注入至發(fā)射層EML中的過程期間降低能量勢壘，可增大在發(fā)射層EML中電子200遭遇空穴100的幾率，這樣可最小化電流效率從低灰度等級區(qū)域至高灰度等級區(qū)域迅速下降的問題。因此，可在各個(gè)灰度等級實(shí)現(xiàn)恒定的效率。例如，該效果可通過將發(fā)射層EML的LUMO能級與第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級之間的絕對差值調(diào)節(jié)至大約0.2eV或以下而實(shí)現(xiàn)。

如圖4所示，發(fā)射層EML的LUMO能級可高于第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級。如圖5所示，發(fā)射層EML的LUMO能級可低于第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級。相應(yīng)地，當(dāng)發(fā)射層EML的LUMO能級與第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級之間的差值G2的絕對值是大約0.2eV或以下時(shí)，發(fā)射層EML的LUMO能級可高于或者低于第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級。

如圖6所示，發(fā)射層EML的LUMO能級可與第一電子傳輸層ELT1的LUMO能級相同。例如，發(fā)射層EML的LUMO能級與第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級的差值G2的絕對值可以是0eV。

第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級與第二電子傳輸層ETL2的LUMO能級之間的差值G3的絕對值可以是大約0eV至大約0.2eV。發(fā)射層EML的LUMO能級與第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級之間的差值G2的絕對值與第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級與第二電子傳輸層ETL2的LUMO能級之間的差值G3的絕對值可相同或者不同。

通過將第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級與第二電子傳輸層ETL2的LUMO能級之間的差值G3的絕對值調(diào)節(jié)至大約0.2eV或以下，可容易地將電子從第二電子傳輸層ETL2注入至第一電子傳輸層ETL1中。相應(yīng)地，可存在對以下效果的改善，即，最小化電流效率可從低灰度等級區(qū)域至高灰度等級區(qū)域迅速下降的可能性。

第一電子傳輸層ETL1的厚度(在圖1中的TH1)可以是大約至大約當(dāng)?shù)谝浑娮觽鬏攲覧TL1的厚度小于大約時(shí)，發(fā)射層EML的LUMO能級與第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級之間的差值的調(diào)節(jié)對電子200的傳輸?shù)挠绊懣纱笥诘谝浑娮觽鬏攲覧TL1的厚度本身對電子200的傳輸?shù)挠绊?。?dāng)?shù)谝浑娮觽鬏攲覧TL1的厚度大于大約時(shí)，第一電子傳輸層ETL1的電子傳輸功能可足以將電子傳輸至發(fā)射層EML中。

包括第一電子傳輸層ETL1和第二電子傳輸層ETL2的電子傳輸層ETL1和ETL2的厚度可以是大約至大約或者例如，大約至大約當(dāng)電子傳輸層的厚度落入以上描述的范圍內(nèi)時(shí)，可在不大幅增加驅(qū)動電壓的前提下獲得理想程度的電子傳輸性質(zhì)。

第二電子傳輸層ETL2可與第一電子傳輸層ETL1接觸。直接與第一電子傳輸層ETL1接觸的第二電子傳輸層ETL2可用于將由第二電極EL2提供的電子傳輸至第一電子傳輸層ETL1中。

第一電子傳輸層ETL1可包括第一電子傳輸材料和第一n型摻雜物?；诘谝浑娮觽鬏攲覧TL1的第一n型摻雜物的重量百分?jǐn)?shù)(wt％)可以是大約1wt％至大約90wt％。第一n型摻雜物的wt％可基于第一電子傳輸層ETL1中所包括的材料的總重量?；诘谝浑娮觽鬏攲覧TL1中所包括的材料的總重量，第一n型摻雜物的wt％可以是例如大約10wt％至大約70wt％、大約10wt％至大約60wt％、大約10wt％至大約50wt％、大約15wt％至大約40wt％或者大約15wt％至大約35wt％。當(dāng)?shù)谝浑娮觽鬏攲覧TL1中所包括的第一n型摻雜物的wt％落入以上范圍內(nèi)時(shí)，可在不過度增加驅(qū)動電壓的前提下獲得理想程度的電子傳輸性質(zhì)。

第二電子傳輸層ETL2可包括第二電子傳輸材料和第二n型摻雜物?；诘诙娮觽鬏攲覧TL2的第二n型摻雜物的wt％可以是大約1wt％至大約90wt％。第二n型摻雜物的wt％可基于第二電子傳輸層ETL2中所包括的材料的總重量。第二n型摻雜物的wt％可以是例如大約10wt％至大約70wt％、大約10wt％至大約60wt％、大約10wt％至大約50wt％、大約15wt％至大約40wt％或者大約15wt％至大約35wt％。當(dāng)?shù)诙与娮觽鬏攲覧TL2中所包括的第二n型摻雜物的wt％落入以上范圍內(nèi)時(shí)，可在不過度增加驅(qū)動電壓的前提下獲得理想程度的電子傳輸性質(zhì)。

第一電子傳輸材料和第二電子傳輸材料可分別包括從蒽衍生物、氧化膦衍生物、含氮衍生物和三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)的群組中選取的至少一種。例如，第一電子傳輸材料和第二電子傳輸材料可分別包括從由蒽衍生物、氧化膦衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物和三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)所構(gòu)成的群組中選取的至少一種。

第一n型摻雜物和第二n型摻雜物可各自獨(dú)立地包括從喹啉鋰(Liq)、LiF、Li₂O、CsF、BaF、BaO、Al₂O₃、NaCl、RbCl、RbI、Ca、Cs和Yb的群組中選取的至少一種。例如，第一n型摻雜物或者第二n型摻雜物中的至少一種可包括Liq。

根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL中所包括的第一電子傳輸層ETL1和第二電子傳輸層ETL2可包括相同的電子傳輸材料。第一電子傳輸層ETL1中所包括的第一電子傳輸材料與第二電子傳輸層ETL2中所包括的第二電子傳輸材料可彼此相同。在這種情況下，第一電子傳輸層ETL1中所包括的第一n型摻雜物與第二電子傳輸層ETL2中所包括的第二n型摻雜物可彼此相同，但是第一電子傳輸層ETL1中的第一n型摻雜物的wt％與第二電子傳輸層ETL2中的第二n型摻雜物的wt％可彼此不同。第二電子傳輸層ETL2中的第二n型摻雜物的wt％可小于第一電子傳輸層ETL1中的第一n型摻雜物的wt％。例如，第二n型摻雜物的wt％可以是第二電子傳輸層ETL2的大約20wt％，而第一n型摻雜物的wt％可以是第一電子傳輸層ETL1的大約30wt％。

第一電子傳輸層ETL1和第二電子傳輸層ETL2包括相同的電子傳輸材料和相同的n型摻雜物，以及可調(diào)節(jié)在各層中的n型摻雜物的wt％，從而可獲得發(fā)射層EML、第一電子傳輸層ETL1以及第二電子傳輸層ETL2之間的LUMO能級和HOMO能級的理想關(guān)系。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中，第一電子傳輸層ETL1和第二電子傳輸層ETL2可包括不同的n型摻雜物，從而可獲得發(fā)射層EML、第一電子傳輸層ETL1以及第二電子傳輸層ETL2之間的LUMO能級和HOMO能級的理想關(guān)系。

例如，第一電子傳輸層ETL1中所包括的第一電子傳輸材料可與第二電子傳輸層ETL2中所包括的第二電子傳輸材料相同，以及第一電子傳輸層ETL1中所包括的第一n型摻雜物可與第二電子傳輸層ETL2中所包括的第二n型摻雜物不同。在這種情況下，取決于第一n型摻雜物和第二n型摻雜物的具體材料，基于第一電子傳輸層ETL1的第一n型摻雜物的wt％可與基于第二電子傳輸層ETL2的第二n型摻雜物的wt％相同或不同。

返回參照圖3，電子傳輸區(qū)域ETR還可包括設(shè)置在第二電子傳輸層ETL2與第二電極EL2之間的電子注入層EIL。電子注入層EIL可設(shè)置在第二電子傳輸層ETL2上。作為示例，當(dāng)電子傳輸區(qū)域ETR包括電子注入層EIL時(shí)，電子傳輸區(qū)域ETR可包括LiF、喹啉鋰(Liq)、Li₂O、BaO、NaCl、CsF、諸如Yb的鑭金屬或者諸如RbCl和RbI的鹵代金屬。電子注入層EIL也可包括在其中混合有電子傳輸材料和絕緣有機(jī)金屬鹽的材料。有機(jī)金屬鹽可以是具有大約4eV或以上能帶間隙的材料。例如，有機(jī)金屬鹽可包括金屬醋酸鹽、金屬苯酸鹽、金屬乙酰醋酸鹽、金屬乙酰丙酮酸鹽或者金屬硬脂酸鹽。電子注入層EIL的厚度可以是大約至大約或者大約至大約當(dāng)電子注入層EIL的厚度落入以上描述的范圍時(shí)，可在不大幅增加驅(qū)動電壓的前提下獲得理想程度的電子注入性質(zhì)。

第二電極EL2可設(shè)置在電子傳輸區(qū)域ETR上。第二電極EL2可以是陰極。第二電極EL2可以是公共電極。第二電極EL2可以是透射電極、半透射電極或者反射電極。

當(dāng)?shù)诙姌OEL2是透射電極時(shí)，第二電極EL2可包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag或者其化合物或混合物(例如，Ag與Mg的混合物)。

第二電極EL2可包括輔助電極。輔助電極可包括形成為面對發(fā)射層EML的膜。輔助電極可通過在膜上沉積任何前述電極材料和透明金屬氧化膜而形成，透明金屬氧化膜例如由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)、Mo或者Ti制成。

當(dāng)?shù)诙姌OEL2是半透射電極或者反射電極時(shí)，第二電極EL2可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或者其化合物或混合物(例如，Ag與Mg的混合物)。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，第二電極EL2可具有多層結(jié)構(gòu)，該多層包括通過使用任何前述電極材料形成的反射膜或者半透射膜或者通過使用銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)或者銦錫鋅氧化(ITZO)形成的透明導(dǎo)電膜。

在有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL是正面發(fā)光類型的情況下，第一電極EL1可以是反射電極，而第二電極EL2可以是透射電極或者半透射電極。在有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL是底面發(fā)光類型的情況下，第一電極EL1可以是透射電極或者半透射電極，而第二電極EL2可以是反射電極。

在第二電極EL2上可設(shè)置有有機(jī)覆蓋層。在有機(jī)覆蓋層的頂部上，有機(jī)覆蓋層可朝著發(fā)射層EML的方向反射從發(fā)射層EML發(fā)出的光。反射光可通過共振效應(yīng)在有機(jī)層內(nèi)部放大，從而增加發(fā)光效率。通過光的全反射，有機(jī)覆蓋層可防止在正面發(fā)光類型有機(jī)電致發(fā)光裝置中第二電極EL2中的光的損失。

有機(jī)覆蓋層可包含限制性適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)覆蓋材料，例如，N4,N4,N4’,N4’-四(聯(lián)苯-4-基)聯(lián)苯-4,4’-二胺(TPD15)、4,4’,4”-三(咔唑sol-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N’-雙(萘-1-基)、以及N,N’-二(苯基)-2,2’-二甲基聯(lián)苯胺(ɑ-NPD)中的至少一種。

有機(jī)覆蓋層可具有大約1.6至大約2.4的折射率。當(dāng)有機(jī)覆蓋層的折射率小于大約1.6時(shí)，在有機(jī)覆蓋層頂部上，從發(fā)射層EML發(fā)出的光朝著發(fā)射層EML的方向可能反射不足，從而使得通過共振效應(yīng)在有機(jī)層內(nèi)部被放大的光的數(shù)量減小，以及有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL的發(fā)光效率降低。當(dāng)有機(jī)覆蓋層的折射率大于大約2.4時(shí)，有機(jī)覆蓋層頂部上的從發(fā)射層EML發(fā)出的光可能朝著發(fā)射層EML方向反射過度，從而使得穿過有機(jī)覆蓋層并顯示圖像的光的數(shù)量減小。

在下文中，將描述根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器。在下文中，將更詳細(xì)地主要描述與根據(jù)實(shí)施方式的前述有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL不同的特征，以及未描述的部分將與在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL中描述的部分一致。

圖7示出了示意性地展示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的立體圖。

參照圖7，根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器10包括顯示區(qū)DA和非顯示區(qū)NDA。

顯示區(qū)DA配置為顯示圖像。作為示例，從有機(jī)電致發(fā)光顯示器10的厚度方向觀察，顯示區(qū)DA可具有大致矩形形狀。

顯示區(qū)DA可包括多個(gè)像素區(qū)PA。像素區(qū)PA可布置為矩陣形式。像素區(qū)PA可由像素限定層(圖10中的PDL)限定。像素區(qū)PA可分別包括多個(gè)像素(圖8中的PX)。

非顯示區(qū)NDA可配置為不顯示圖像。從厚度方向觀察有機(jī)電致發(fā)光顯示器10，非顯示區(qū)NDA可例如圍繞顯示區(qū)DA。非顯示區(qū)NDA可在第一方向(例如，DR1)和第三方向(例如，DR3)上鄰近顯示區(qū)DA，其中第三方向與第一方向(例如，DR1)交叉。第二方向DR2可以是與第一方向DR1和第三方向DR3中的每個(gè)均垂直的方向。第二方向DR2可與厚度方向相反。

圖8示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中所包括的像素中的一個(gè)的電路圖。

圖9示出了展示根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中所包括的像素中的一個(gè)的平面圖。

圖10示出了沿圖9中的I-I'作出的示意性剖視圖。

參照圖8至圖10，每個(gè)像素PX均可包括具有柵線GL、數(shù)據(jù)線DL和驅(qū)動電壓線DVL的布線部分、聯(lián)接至布線部分的薄膜晶體管TFT1和TFT2、聯(lián)接至薄膜晶體管TFT1和TFT2的有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL、以及電容器Cst。

像素PX中的每個(gè)均可發(fā)出特定顏色的光，例如紅光、綠光或者藍(lán)光中的一種。彩色光的種類不限于以上所述的顏色。例如，像素PX可發(fā)出青光、品紅光和或黃光。像素PX中的每個(gè)均可發(fā)出白光。

柵線GL在第一方向DR1上延伸。數(shù)據(jù)線DL在第三方向DR3上延伸，其中數(shù)據(jù)線DL與柵線GL交叉。驅(qū)動電壓線DVL在與數(shù)據(jù)線DL大致相同的方向(即，第三方向DR3)上延伸。柵線GL將掃描信號傳輸至薄膜晶體管TFT1和TFT2，以及數(shù)據(jù)線DL將數(shù)據(jù)信號傳輸至薄膜晶體管TFT1和TFT2，而驅(qū)動電壓線DVL將驅(qū)動電壓傳輸至薄膜晶體管。

薄膜晶體管TFT1和TFT2可包括驅(qū)動薄膜晶體管TFT2和開關(guān)薄膜晶體管TFT1，其中驅(qū)動薄膜晶體管TFT2配置為控制有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL，而開關(guān)薄膜晶體管TFT1配置為開關(guān)驅(qū)動薄膜晶體管TFT2。在圖8和圖9所示的實(shí)施方式中，像素PX分別既包括薄膜晶體管TFT1又包括薄膜晶體管TFT2。在其它實(shí)現(xiàn)方式中，作為示例，像素PX可分別包括一個(gè)薄膜晶體管和電容器或者三個(gè)或更多薄膜晶體管以及兩個(gè)或更多電容器。

開關(guān)薄膜晶體管TFT1可包括第一柵電極GE1、第一源電極SE1和第一漏電極DE1。第一柵電極GE1可聯(lián)接至柵線GL，以及第一源電極SE1可聯(lián)接至數(shù)據(jù)線DL。第一漏電極DE1可經(jīng)由第五接觸孔CH5聯(lián)接至第一公共電極CE1。開關(guān)薄膜晶體管TFT1可配置為根據(jù)施加至柵線GL的掃描信號將施加至數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號傳輸至驅(qū)動薄膜晶體管TFT2。

驅(qū)動薄膜晶體管TFT2可包括第二柵電極GE2、第二源電極SE2和第二漏電極DE2。第二柵電極GE2可聯(lián)接至第一公共電極CE1。第二源電極SE2可聯(lián)接至驅(qū)動電壓線DVL。第二漏電極DE2可經(jīng)由第三接觸孔CH3聯(lián)接至第一電極EL1。

第一電極EL1可聯(lián)接至驅(qū)動薄膜晶體管TFT2的第二漏電極DE2。公共電壓可施加至第二電極EL2，以及發(fā)射層EML可根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管TFT2的輸出信號發(fā)出特定顏色的光從而顯示圖像。

電容器Cst可聯(lián)接在驅(qū)動薄膜晶體管TFT2的第二源電極SE2與第二柵電極GE2之間。電容器Cst可配置為充電并維持輸入至驅(qū)動薄膜晶體管TFT2的第二柵電極GE2的數(shù)據(jù)信號。電容器Cst可包括第一公共電極CE1和第二公共電極CE2，其中第一公共電極CE1經(jīng)由第六接觸孔CH6聯(lián)接至第一漏電極DE1，而第二公共電極CE2聯(lián)接至驅(qū)動電壓線DVL。

參照圖9和圖10，根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器10可包括基襯底BS，其中薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL層疊至基襯底BS上?；r底BS可通過使用限制性適當(dāng)?shù)幕r底材料形成，例如，諸如玻璃、塑料和石英的絕緣材料?；r底BS中所包括的有機(jī)聚合物的示例可包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺和聚醚砜等。基襯底BS可根據(jù)機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑度、易處理性和疏水性等來選擇。

襯底緩沖層可設(shè)置在基襯底BS上。襯底緩沖層可防止雜質(zhì)擴(kuò)散至開關(guān)薄膜晶體管TFT1和驅(qū)動薄膜晶體管TFT2中。襯底緩沖層可通過使用氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)或者氮氧化硅(SiO_xN_y)等形成。根據(jù)基襯底BS的處理?xiàng)l件和材料可省略緩沖層。

在基襯底BS上可設(shè)置有第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2。第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2可通過使用半導(dǎo)體材料形成。第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2可分別作為開關(guān)薄膜晶體管TFT1或者驅(qū)動薄膜晶體管TFT2的活性層。第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2可分別包括源區(qū)SA、漏區(qū)DRA和設(shè)置在源區(qū)SA與漏區(qū)DRA之間的溝道區(qū)CA。第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2可由從有機(jī)半導(dǎo)體或者無機(jī)半導(dǎo)體中選出的材料形成。源區(qū)SA和漏區(qū)DRA可用n型雜質(zhì)或者p型雜質(zhì)摻雜。

在第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2上可設(shè)置有柵絕緣層G1。柵絕緣層G1可覆蓋第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2。柵絕緣層G1可通過使用有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料形成。

在柵絕緣層G1上可設(shè)置有第一柵電極GE1和第二柵電極GE2。第一柵電極GE1和第二柵電極GE2可配置為覆蓋與第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2的相應(yīng)溝道區(qū)CA對應(yīng)的區(qū)。

在第一柵電極GE1和第二柵電極GE2上可設(shè)置有層間絕緣層IL。層間絕緣層IL可覆蓋第一柵電極GE1和第二柵電極GE2。層間絕緣層IL可由有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料制成。

第一源電極SE1、第一漏電極DE1、第二源電極SE2和第二漏電極DE2可設(shè)置在層間絕緣層IL上。第二漏電極DE2可經(jīng)由設(shè)置在柵絕緣層GI和層間絕緣層IL中的第一接觸孔CH1接觸第二半導(dǎo)體層SM2的漏區(qū)DRA。第二源電極SE2可經(jīng)由設(shè)置在柵絕緣層GI和層間絕緣層IL中的第二接觸孔CH2接觸第二半導(dǎo)體層SM2的源區(qū)SA。第一源電極SE1可經(jīng)由設(shè)置在柵絕緣層GI和層間絕緣層IL中的第四接觸孔CH4接觸第一半導(dǎo)體層SM1的源區(qū)SA。第一漏電極DE1可經(jīng)由設(shè)置在柵絕緣層GI和層間絕緣層IL中的第五接觸孔CH5接觸第一半導(dǎo)體層SM1的漏區(qū)DRA。

在第一源電極SE1、第一漏電極DE1、第二源電極SE2和第二漏電極DE2上可設(shè)置有鈍化層PL。鈍化層PL可用作保護(hù)層以幫助保護(hù)開關(guān)薄膜晶體管TFT1和驅(qū)動薄膜晶體管TFT2，或者可作為平滑層以平滑化開關(guān)薄膜晶體管TFT1和驅(qū)動薄膜晶體管TFT2的頂面。

第一電極EL1可設(shè)置在鈍化層PL上。在鈍化層PL上可設(shè)置有像素限定層PDL。像素限定層PDL可配置為限定與每個(gè)像素PX對應(yīng)的像素區(qū)(圖7中的PA)。像素限定層PDL可從基襯底BS沿每個(gè)像素PX的周邊突出，同時(shí)暴露第一電極EL1的頂面。

有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL可設(shè)置在由像素限定層PDL圍繞的每個(gè)像素區(qū)(圖7中的PA)中。有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL可包括第一電極EL1、空穴傳輸區(qū)域HTR、發(fā)射層EML、電子傳輸區(qū)域ETR和第二電極EL2。

像素區(qū)(圖7中的PA)和非像素區(qū)可由像素限定層PDL限定。空穴傳輸區(qū)域HTR、電子傳輸區(qū)域ETR和第二電極EL2可通常既設(shè)置到像素區(qū)(圖7中的PA)中也設(shè)置到非像素區(qū)中。第一電極EL1和發(fā)射層EML可經(jīng)受圖案化。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，第一電極EL1和發(fā)射層EML可僅設(shè)置到像素區(qū)(圖7中的PA)中。

根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器10可包括多個(gè)像素PX，其中像素PX中的每個(gè)均包括有機(jī)電致發(fā)光裝置OEL。像素PX中的每個(gè)均可包括第一電極EL1、設(shè)置在第一電極EL1的上空穴傳輸區(qū)域HTR、設(shè)置在空穴傳輸區(qū)域HTR上的發(fā)射層EML、設(shè)置在發(fā)射層EML上的電子傳輸區(qū)域ETR以及設(shè)置在電子傳輸區(qū)域ETR上的第二電極EL2。電子傳輸區(qū)域ETR可包括設(shè)置在發(fā)射層EML上的第一電子傳輸層ETL1以及設(shè)置在第一電子傳輸層ETL1上的第二電子傳輸層ETL2。

第一電極EL1、空穴傳輸區(qū)域HTR、發(fā)射層EML、電子傳輸區(qū)域ETR和第二電極EL2可在某個(gè)方向上依次層疊在基襯底BS上。第一電極EL1、空穴傳輸區(qū)域HTR、發(fā)射層EML、電子傳輸區(qū)域ETR和第二電極EL2可在第二方向DR2上依次層疊在基襯底BS上。

上文提供了對第一電極EL1、空穴傳輸區(qū)域HTR、發(fā)射層EML、包括第一電子傳輸層ETL1和第二電子傳輸層ETL2的電子傳輸區(qū)域ETR和第二電極EL2中的每個(gè)的詳細(xì)說明。

如上所述，發(fā)射層EML的HOMO能級與第一電子傳輸層ETL1的HOMO能級之間的差值G1的絕對值可以是大約0.3eV至大約1.5eV。

如上所述，發(fā)射層EML的LUMO能級與第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級之間的差值G2的絕對值可以是大約0eV至大約0.2eV。第一電子傳輸層ETL1的LUMO能級與第二電子傳輸層ETL2的LUMO能級之間的差值G3的絕對值可以是大約0eV至大約0.2eV。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中，為了獲得如上所述的能級差值之間的關(guān)系，第一電子傳輸層ETL1可包括第一電子傳輸材料和第一n型摻雜物，以及第二電子傳輸層ETL2可包括第二電子傳輸材料和第二n型摻雜物。第一電子傳輸材料可與第二電子傳輸材料相同，第一n型摻雜物可與第二n型摻雜物相同，以及基于第二電子傳輸層ETL2的第二n型摻雜物的wt％可低于基于第一電子傳輸層ETL1的第一n型摻雜物的wt％。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中，第一電子傳輸層ETL1可包括第一電子傳輸材料和第一n型摻雜物，以及第二電子傳輸層ETL2可包括第二電子傳輸材料和第二n型摻雜物，其中第一電子傳輸材料可與第二電子傳輸材料相同，而第一n型摻雜物可與第二n型摻雜物不同。

通過總結(jié)和回顧，在OLED中，從第一電極和第二電極注入的空穴和電子可在發(fā)射層中復(fù)合并發(fā)光。注入的空穴和電子結(jié)合以形成激子，其中激子從激發(fā)態(tài)躍遷回基態(tài)，從而發(fā)出多種顏色的光。

根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置和包括該有機(jī)電致發(fā)光裝置的有機(jī)電致發(fā)光顯示器可最小化向電子傳輸區(qū)域中的空穴傳輸，以及可由此抑制由于空穴積累而導(dǎo)致的電子傳輸區(qū)域的氧化。因此，根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置和包括該有機(jī)電致發(fā)光裝置的有機(jī)電致發(fā)光顯示器可分別獲得長壽命。

根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置和包括該有機(jī)電致發(fā)光裝置的有機(jī)電致發(fā)光顯示器可促進(jìn)電子從電子傳輸層注入至發(fā)射層中從而最小化在每個(gè)灰度等級的效率變化。

在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置和包括該有機(jī)電致發(fā)光裝置的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中的每個(gè)中，可最小化未在發(fā)射層內(nèi)部參與發(fā)光的空穴向電子傳輸層中的空穴傳輸，從而實(shí)現(xiàn)壽命改善。

在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置和包括該有機(jī)電致發(fā)光裝置的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中的每個(gè)中，通過促進(jìn)電子注入至發(fā)射層中，可最小化在每個(gè)灰度等級的效率變化。

本文中已經(jīng)公開了示例性實(shí)施方式，以及雖然使用了特定的術(shù)語，但是這些術(shù)語僅用于且將僅解釋為一般且描述性的含義，而并非出于限制的目的。在一些情況下，如隨著本申請的遞交而對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所顯而易見的，除非具體地表示，否則結(jié)合特定實(shí)施方式描述的特征、特性和/或元件可單獨(dú)地使用或者與結(jié)合其它實(shí)施方式描述的特征、特性和/或元件組合使用。相應(yīng)地，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不背離如以下權(quán)利要求所陳述的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可在形式和細(xì)節(jié)方面作出多種變化。