專利名稱：數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路及其有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，特別有關(guān)于一種可避免使用數(shù)字鎖存器，當(dāng)清晰度增加而造成橫向布局面積增加時(shí)所造成的線路布局上的困難。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器(Active Matrix OrganciLight Emitting Diode Display，AMOLED)的數(shù)字型數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，使用存儲(chǔ)寄存器(數(shù)字鎖存器)，在一信號(hào)線周期中作為線路緩沖器(line buffer)用以存儲(chǔ)數(shù)字圖像信號(hào)。圖1A及1B顯示傳統(tǒng)上工作在一次一條信號(hào)線模式下的一6位數(shù)字型數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)10。在該結(jié)構(gòu)中，在一水平描掃周期中，依序的載入多組數(shù)字圖像信號(hào)，首先先載入一組數(shù)字圖像信號(hào)經(jīng)信號(hào)線R[5]-B
受寄存器SRn的取樣信號(hào)控制，輸出到對(duì)應(yīng)的第一級(jí)鎖存器(Latch)11中，接著再載入下一組數(shù)字圖像信號(hào)經(jīng)信號(hào)線R[5]-B
受寄存器SRn+1的取樣信號(hào)控制，輸出到對(duì)應(yīng)的第一級(jí)鎖存器(Latch)21中。之后，通過(guò)”LB”(line buffer)信號(hào)的控制，所有存在第一級(jí)鎖存器(Latch)11、鎖存器(Latch)21中的數(shù)字圖像信號(hào)R[5]-B
會(huì)寫入第二級(jí)鎖存器(Latch)12、鎖存器(latch)22中，同時(shí)被放進(jìn)數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC-Rn、DAC-Gn、DAC-Bn中。
由于清晰度增加，數(shù)據(jù)位數(shù)會(huì)跟著增加，所以很占布局面積的存儲(chǔ)寄存器，以及數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的數(shù)目也會(huì)隨著增加。然而在傳統(tǒng)排列方式下，數(shù)字型數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器在橫向上的布局是比較受限的。因此，當(dāng)清晰度增加造成存儲(chǔ)寄存器及數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的數(shù)目增加時(shí)，將會(huì)增加線路布局上的困難度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)使用模擬取樣存儲(chǔ)電路取代既有數(shù)字鎖存器，可避免由于清晰度增加時(shí)，因?yàn)樗枰臋M向布局面積增加，所造成的線路布局上的困難度。
為達(dá)上述優(yōu)點(diǎn)，及根據(jù)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，包括有多條數(shù)據(jù)信號(hào)線在第一周期傳輸至少一第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，在第二周期時(shí)傳輸至少一第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)；至少一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元，各該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元包括一數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，接收一對(duì)應(yīng)的第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，以將該第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，及接收一對(duì)應(yīng)的第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，以將該第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)；一開(kāi)關(guān)單元，連接該數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，在該第一周期及在該第二周期中受一取樣信號(hào)控制而導(dǎo)通；一第一模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接該開(kāi)關(guān)單元，在該第一周期受一第一信號(hào)控制存儲(chǔ)一對(duì)應(yīng)的該第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，在該第二周期時(shí)受一第二信號(hào)控制輸出對(duì)應(yīng)于該第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的一第一模擬數(shù)據(jù)，到對(duì)應(yīng)的第一像素中；以及一第二模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接該開(kāi)關(guān)單元，受該第二信號(hào)控制存儲(chǔ)該第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，在一第三周期時(shí)受該第一信號(hào)控制輸出對(duì)應(yīng)于該第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的一第二模擬數(shù)據(jù)，到對(duì)應(yīng)的該第一像素中。
本發(fā)明另提出一有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，包括多個(gè)像素，以陣列形式排列；一掃描驅(qū)動(dòng)電路，依序?qū)ㄔ摱鄠€(gè)像素中的一行像素；一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，包括多條數(shù)據(jù)信號(hào)線在第一周期傳輸至少一第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，在第二周期時(shí)傳輸至少一第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)；至少一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元，各該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元包括一數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，接收一對(duì)應(yīng)的第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，以將該第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，及接收一對(duì)應(yīng)的第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，以將該第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)；一開(kāi)關(guān)單元，連接該數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，于該第一周期及在該第二周期中受一取樣信號(hào)控制而導(dǎo)通；一第一模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接該開(kāi)關(guān)單元，在該第一周期受一第一信號(hào)控制存儲(chǔ)一對(duì)應(yīng)的第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，在該第二周期時(shí)受一第二信號(hào)控制讀出對(duì)應(yīng)該第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的第一模擬數(shù)據(jù)，到對(duì)應(yīng)第一像素中；以及一第二模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接該開(kāi)關(guān)單元，受該第二信號(hào)控制存儲(chǔ)該第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，在一第三周期時(shí)受該第一信號(hào)控制讀取對(duì)應(yīng)該第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的一第二模擬數(shù)據(jù)，到對(duì)應(yīng)的該第一像素中。


為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下
圖1A及1B顯示傳統(tǒng)數(shù)字鎖存器型數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)；圖2為適用本發(fā)明數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的一有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器；圖3為數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的電路方塊示意圖；圖4為圖3中詳細(xì)電路圖；圖5為數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的操作時(shí)序圖；圖6為另一較佳實(shí)施例的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路；相關(guān)符號(hào)說(shuō)明數(shù)字型數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)～10；位移寄存器～SRn；數(shù)字圖像信號(hào)～R[5]-B
；第一級(jí)鎖存器～Latch11；第二級(jí)鎖存器～Latch12；數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器～DAC-Rn、DAC-Gn、DAC-Bn；位移寄存器～SRn+1；第一級(jí)鎖存器～鎖存器(Latch)21；第二級(jí)鎖存器～Latch22；數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器～DAC-Rn+1、DAC-Gn+1、DAC-Bn+1；有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器～200；有源矩陣區(qū)域～201；掃描驅(qū)動(dòng)電路～202；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路～203；多數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)線～DL1～DLm；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元D1～DN；數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器～3_1～3_n；第一模擬取樣存儲(chǔ)電路4_1～4_n；第二模擬取樣存儲(chǔ)電路～5_1～5_n；電流驅(qū)動(dòng)像素～6_1～6_n；開(kāi)關(guān)～SW1～SW6；晶體管M1～M3、M1’～M3’；恒定電壓源-Vdd；存儲(chǔ)電容-C1、C2；節(jié)點(diǎn)N1-N3；第一信號(hào)～ENB；第二信號(hào)～XENB；模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)～I(xiàn)_DAC1、I_DAC1；取樣信號(hào)～SR_n；模擬數(shù)據(jù)～I(xiàn)_DATA2、I_DATA具體實(shí)施方式

如圖2中所示，為適用本發(fā)明的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的一有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器200。如圖2中所示，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器200至少具有一由多個(gè)像素(例如為電流驅(qū)動(dòng)像素)所排成的有源矩陣區(qū)域201、一掃描驅(qū)動(dòng)電路202以及一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路203。掃描驅(qū)動(dòng)電路202，用以依序地導(dǎo)通有源矩陣區(qū)域201中的一行像素。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路203，用以輸出數(shù)據(jù)信號(hào)到對(duì)應(yīng)像素。
圖3為圖2中數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路203的方塊示意圖，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路203包括多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元D1～DN，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元D1～DN包括數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器3_1～3_n、開(kāi)關(guān)單元7_1～7_n、第一模擬取樣存儲(chǔ)電路4_1～4_n及第二模擬取樣存儲(chǔ)電路5_1～5_n。
每一數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器3_1～3_n用以在一周期中接收多條信號(hào)線DL1～DLm傳遞一對(duì)應(yīng)的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)以轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)的模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，例如對(duì)應(yīng)的電流數(shù)據(jù)。開(kāi)關(guān)單元7_1～7_n，連接對(duì)應(yīng)的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器3_1～3_n，在每一周期受一取樣信號(hào)SR_1～SR_n控制而導(dǎo)通；多個(gè)第一模擬存儲(chǔ)取樣電路4_1～4_n，連接到對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)單元7_1～7_n，可在一周期中受第一信號(hào)ENB的控制而存儲(chǔ)接收到的模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)或接受一第二信號(hào)XENB的控制讀出前一周期的模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的對(duì)應(yīng)模擬數(shù)據(jù)到對(duì)應(yīng)像素6_1～6_n中；多個(gè)第二模擬存儲(chǔ)取樣電路5_1～5_n，連接到連接到對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)單元7_1～7_n，可在一周期中受一第二信號(hào)XENB的控制而存儲(chǔ)接收到的模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)或接受一第一信號(hào)ENB的控制讀出前一周期的模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的對(duì)應(yīng)模擬數(shù)據(jù)到對(duì)應(yīng)像素6_1～6_n中。
請(qǐng)參閱圖4，為圖3中數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路203的詳細(xì)電路，以代表數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元D1為例，數(shù)據(jù)信號(hào)線DL1～DL6傳遞一6位的數(shù)據(jù)D0～D5到一6位的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器3_1中，在本例中，數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器3_1為一6位的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，在此并不限定任何一形式的電路。
開(kāi)關(guān)單元7_1具有一作為電流源的晶體管M3，例如為一PMOS晶體管。其經(jīng)一開(kāi)關(guān)SW6(第六開(kāi)關(guān))及其一開(kāi)關(guān)SW5(第五開(kāi)關(guān))連接數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器3_1，晶體管M3的源極連接到一恒定電壓源70，例如為高電壓電壓源Vdd。柵極連接該開(kāi)關(guān)SW6一端，漏極連接該開(kāi)關(guān)SW5及SW6另一端，其中開(kāi)關(guān)SW5及開(kāi)關(guān)SW6會(huì)受一取樣信號(hào)SR_1的控制而導(dǎo)通。
第一模擬取樣存儲(chǔ)電路4_1，包括一存儲(chǔ)電容C1，設(shè)在恒定電壓源70與一節(jié)點(diǎn)N1之間；一晶體管M1，其源極連接該恒定電壓源70，柵極連接該第一節(jié)點(diǎn)N1，一開(kāi)關(guān)SW1(第一開(kāi)關(guān))，設(shè)在該存儲(chǔ)電容C1與該晶體管M3的柵極之間，受一第一信號(hào)ENB控制而導(dǎo)通或關(guān)斷。開(kāi)關(guān)SW2(第二開(kāi)關(guān))，設(shè)在晶體管M1漏極以及一節(jié)點(diǎn)N3之間，會(huì)受一第二信號(hào)XENB控制而關(guān)斷或?qū)ā?br> 第二模擬取樣存儲(chǔ)電路5_1，包括一存儲(chǔ)電容C2，設(shè)在恒定電壓源70與節(jié)點(diǎn)N2之間；一晶體管M3，其源極連接該恒定電壓源70，柵極連接該節(jié)點(diǎn)N2。開(kāi)關(guān)SW3第三開(kāi)關(guān))，設(shè)在該存儲(chǔ)電容C2與該晶體管M3的柵極之間，可受第二信號(hào)XENB控制而導(dǎo)通或關(guān)斷。開(kāi)關(guān)SW4(第四開(kāi)關(guān))，設(shè)在晶體管M2漏極以及節(jié)點(diǎn)N3之間，會(huì)受第一信號(hào)ENB控制而導(dǎo)通或關(guān)斷。
實(shí)際工作時(shí)，請(qǐng)一并參閱圖4及圖5，其中圖5為數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路203的操作時(shí)序圖。首先，在周期A(第一周期)時(shí)，多條信號(hào)線DL1～DL6會(huì)傳遞一組數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù))D0～D5到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器3_1中以轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)的模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)I_DAC1(第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù))，例如為一電流數(shù)據(jù)。同時(shí)，取樣信號(hào)SR_1控制開(kāi)關(guān)SW5及SW6導(dǎo)通，第一信號(hào)ENB啟用從而導(dǎo)通開(kāi)關(guān)SW1，模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)I_DAC1即經(jīng)開(kāi)關(guān)SW5、SW6及SW1存儲(chǔ)一相對(duì)應(yīng)的電壓值到存儲(chǔ)電容C1中。接著進(jìn)入周期B(第二周期)，第一信號(hào)ENB禁止從而關(guān)斷開(kāi)關(guān)SW1，存儲(chǔ)電容C1中的相對(duì)應(yīng)的模擬轉(zhuǎn)換電壓數(shù)據(jù)將導(dǎo)通晶體管M1且第二信號(hào)XENB啟用從而導(dǎo)通開(kāi)關(guān)SW2，以控制晶體管M1傳輸對(duì)應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)I_DATA1到像素6_1中。
同時(shí)，在周期B(第二周期)時(shí)，多條信號(hào)線DL1～DL6會(huì)再傳遞一組數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù))到數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器3_1中以轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)的模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)I_DAC2(第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù))，例如為一電流數(shù)據(jù)。同時(shí)，取樣信號(hào)SR_1控制開(kāi)關(guān)SW5及SW6導(dǎo)通，第二信號(hào)XENB啟用從而導(dǎo)通開(kāi)關(guān)SW3，模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)I_DAC2即經(jīng)開(kāi)關(guān)SW5、SW6及SW3存儲(chǔ)一相對(duì)應(yīng)的電壓值到存儲(chǔ)電容C2中。同樣的，在周期C(第三周期)時(shí)，第二信號(hào)XENB禁止從而關(guān)斷開(kāi)關(guān)SW3，第一信號(hào)ENB啟用從而導(dǎo)通開(kāi)關(guān)SW4，存儲(chǔ)電容C2中的相對(duì)應(yīng)的模擬轉(zhuǎn)換電壓數(shù)據(jù)將導(dǎo)通晶體管M2且第一信號(hào)ENB啟用從而導(dǎo)通開(kāi)關(guān)SW4，以控制晶體管M2傳輸對(duì)應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)I_DATA2到像素6_1中。
圖6為另一較佳實(shí)施例的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路203’，與圖4的實(shí)施例不同處為其晶體管M1’～M3’為NMOS晶體管，其輸入端連接到恒定電壓源71，例如低電壓源GND，其余皆與前一實(shí)施例相同，在此不再贅述。
通過(guò)上述實(shí)施例，本發(fā)明可通過(guò)在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路中以模擬取樣存儲(chǔ)電路取代常規(guī)的數(shù)字鎖存器，可節(jié)省電路布局面積。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所提出的權(quán)利要求限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，包括一數(shù)據(jù)信號(hào)線在一第一周期傳輸至少一第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，在一第二周期時(shí)傳輸至少一第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)；至少一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元，各該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元包括一數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，接收對(duì)應(yīng)的該第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，以將該第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，及接收對(duì)應(yīng)的該第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，以將該第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)；一開(kāi)關(guān)單元，連接該數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，在該第一周期及在該第二周期中受一取樣信號(hào)控制而導(dǎo)通；一第一模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接該開(kāi)關(guān)單元，在該第一周期受一第一信號(hào)控制存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)的該第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，在該第二周期時(shí)受一第二信號(hào)控制輸出對(duì)應(yīng)于該第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的一第一模擬數(shù)據(jù)，到對(duì)應(yīng)的第一像素中；以及一第二模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接該開(kāi)關(guān)單元，在該第二周期受該第二信號(hào)控制存儲(chǔ)該第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，在一第三周期時(shí)受該第一信號(hào)控制輸出對(duì)應(yīng)于該第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的一第二模擬數(shù)據(jù)，到對(duì)應(yīng)該第一像素中。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，其中該第一模擬取樣存儲(chǔ)電路包括一存儲(chǔ)電容，設(shè)在一恒定電壓源與一第一節(jié)點(diǎn)之間；一第一晶體管，設(shè)在該恒定電壓源及該第一像素間，具有一柵極連接到該第一節(jié)點(diǎn)；一第一開(kāi)關(guān)，設(shè)在該存儲(chǔ)電容與該開(kāi)關(guān)單元間，在該第一周期與該第三周期受該第一信號(hào)控制而導(dǎo)通，在該第二周期受該第一信號(hào)控制而關(guān)斷；及一第二開(kāi)關(guān)，設(shè)在該第一晶體管以及該第一像素之間，在該第一周期與該第三周期受該第二信號(hào)控制而關(guān)斷，在該第二周期受該第二信號(hào)控制而導(dǎo)通。
3.如權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，其中該第一模擬取樣存儲(chǔ)電路的存儲(chǔ)電容為一第一存儲(chǔ)電容，該第二模擬取樣存儲(chǔ)電路包括一第二存儲(chǔ)電容，設(shè)在該恒定電壓源與一第二節(jié)點(diǎn)之間；一第二晶體管，設(shè)在該恒定電壓源及該第一像素間，具有一柵極連接到該第二節(jié)點(diǎn)；一第三開(kāi)關(guān)，設(shè)在該第二存儲(chǔ)電容與該開(kāi)關(guān)單元之間，在該第一周期與該第三周期受該第二信號(hào)控制而關(guān)斷，在該第二周期受該第二信號(hào)控制而導(dǎo)通；以及一第四開(kāi)關(guān)，設(shè)在該第二晶體管以及該第一像素之間，在該第一周期與該第三周期受該第一信號(hào)控制而導(dǎo)通，在該第二周期受該第一信號(hào)控制而關(guān)斷。
4.如權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，該開(kāi)關(guān)單元包括一第三晶體管，具有一第一端連接該恒定電壓源，一第二端連接該第一開(kāi)關(guān)及該第三開(kāi)關(guān)，及一第三端經(jīng)一第六開(kāi)關(guān)連接該第一、第三開(kāi)關(guān)及經(jīng)一第五開(kāi)關(guān)連接到該模數(shù)轉(zhuǎn)換器中。
5.如權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，其中該第五開(kāi)關(guān)及該第六開(kāi)關(guān)在該第一到第三周期受該取樣信號(hào)控制而導(dǎo)通。
6.一有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括多個(gè)第一像素，以陣列形式排列；一掃描驅(qū)動(dòng)電路，依序?qū)ㄔ摱鄠€(gè)像素中的一行像素；一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，包括多條數(shù)據(jù)信號(hào)線，每一數(shù)據(jù)信號(hào)線在一第一周期傳輸至少一第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，在一第二周期時(shí)傳輸至少一第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)；至少一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元，各該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元包括一數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，接收對(duì)應(yīng)的該第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，以將該第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，及接收對(duì)應(yīng)的該第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，以將該第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)；一開(kāi)關(guān)單元，連接該數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，在該第一周期及在該第二周期中受一取樣信號(hào)控制而導(dǎo)通；一第一模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接該開(kāi)關(guān)單元，在該第一周期受一第一信號(hào)控制存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)的該第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，在該第二周期時(shí)受一第二信號(hào)控制輸出對(duì)應(yīng)于該第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的一第一模擬數(shù)據(jù)，到對(duì)應(yīng)的第一像素中；以及一第二模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接該開(kāi)關(guān)單元，在該第二周期受該第二信號(hào)控制存儲(chǔ)該第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，在一第三周期時(shí)受該第一信號(hào)控制輸出對(duì)應(yīng)于該第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的一第二模擬數(shù)據(jù)，到對(duì)應(yīng)的該第一像素中。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中該第一模擬取樣存儲(chǔ)電路包括一存儲(chǔ)電容，設(shè)在一恒定電壓源與一第一節(jié)點(diǎn)之間；一第一晶體管，設(shè)在該恒定電壓源及該第一像素間，具有一柵極連接到該第一節(jié)點(diǎn)；一第一開(kāi)關(guān)，設(shè)在該存儲(chǔ)電容與該開(kāi)關(guān)單元間，在該第一周期與該第三周期受該第一信號(hào)控制而導(dǎo)通，在該第二周期受該第一信號(hào)控制而關(guān)斷；及一第二開(kāi)關(guān)，設(shè)在該第一晶體管以及該第一像素之間，在該第一周期與該第三周期受該第二信號(hào)控制而關(guān)斷，在該第二周期受該第二信號(hào)控制而導(dǎo)通。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中該第一模擬取樣存儲(chǔ)電路的存儲(chǔ)電容為一第一存儲(chǔ)電容，該第二模擬取樣存儲(chǔ)電路包括一第二存儲(chǔ)電容，設(shè)在該恒定電壓源與一第二節(jié)點(diǎn)之間；一第二晶體管，設(shè)在該恒定電壓源及該第一像素間，具有一柵極連接到該第二節(jié)點(diǎn)；一第三開(kāi)關(guān)，設(shè)在該第二存儲(chǔ)電容與該開(kāi)關(guān)單元之間，在該第一周期與該第三周期受該第二信號(hào)控制而關(guān)斷，在該第二周期受該第二信號(hào)控制而導(dǎo)通；以及一第四開(kāi)關(guān)，設(shè)在該第二晶體管以及該第一像素之間，在該第一周期與該第三周期受該第一信號(hào)控制而導(dǎo)通，在該第二周期受該第一信號(hào)控制而關(guān)斷。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，該開(kāi)關(guān)單元包括一第三晶體管，具有一第一端連接該恒定電壓源，一第二端連接該第一開(kāi)關(guān)及該第三開(kāi)關(guān)，及一第三端經(jīng)一第六開(kāi)關(guān)連接該第一、第三開(kāi)關(guān)及經(jīng)一第五開(kāi)關(guān)連接到該模數(shù)轉(zhuǎn)換器中。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中該第五開(kāi)關(guān)及該第六開(kāi)關(guān)在該第一到第三周期受該取樣信號(hào)控制而導(dǎo)通。
全文摘要
一種數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，包括多條數(shù)據(jù)信號(hào)線分別在第一、二周期傳輸至少一組第一、二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，至少一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元，各數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元包括數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，接收一組對(duì)應(yīng)的第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，將第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，及接收一組對(duì)應(yīng)的第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，將第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)；一開(kāi)關(guān)單元，連接數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器，在第一周期及在第二周期中受取樣信號(hào)控制而導(dǎo)通；第一模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接開(kāi)關(guān)單元，在第一周期受第一信號(hào)控制存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)的第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，在第二周期時(shí)受第二信號(hào)控制讀出第一模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的對(duì)應(yīng)第一模擬數(shù)據(jù)到對(duì)應(yīng)第一像素中；及第二模擬取樣存儲(chǔ)電路，連接開(kāi)關(guān)單元，受第二信號(hào)控制存儲(chǔ)第二模擬轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1584965SQ200410049089
公開(kāi)日2005年2月23日 申請(qǐng)日期2004年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月15日
發(fā)明者曾戎駿, 葉信宏, 孫文堂 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司